DE102009025422B9

DE102009025422B9 - Verfahren und Anordnung zur Steuerung eines RF-Generators für Magnetrons in Vakuumbeschichtungsanlagen

Info

Publication number: DE102009025422B9
Application number: DE102009025422A
Authority: DE
Inventors: Götz Teschner; Dr. Obst Henrik; Bernd Teichert
Original assignee: Von Ardenne Anlagentechnik GmbH
Current assignee: Von Ardenne Asset GmbH and Co KG
Priority date: 2009-02-16
Filing date: 2009-06-16
Publication date: 2013-02-28
Anticipated expiration: 2029-06-17
Also published as: DE102009025422A1; DE102009025422B4

Abstract

Anordnung zur Steuerung eines RF-Generators für ein Magnetron in Vakuumbeschichtungsanlagen mit mindestens einer Kathode, die mit einer durch den RF-Generator erzeugten Spannung beaufschlagbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass ein die Spannung an der Kathode in einen Gleichspannungsteil und einen Hochfrequenzteil aufteilendes erstes Mittel (12) und ein den Gleichspannungsteil bewertendes zweites Mittel (13) vorgesehen ist, das einen Steuerausgang aufweist, der mit einem Steuerausgang des RF-Generators (2) verbunden ist und über diese Verbindung der RF-Generator (2) ausschaltbar ist, sobald ein von dem zweiten Mittel (13) aus der DC-Spannung Ūc des Gleichspannungsteils ermittelter zeitlicher Gradient d|Ūc|/dt des Betrages |Ūc| der Spannung Ūc oder der Betrag |dŪc/dt| der über eine Zeitspanne T hinweg mit seinem Betrag einen Schwellwert unterschreitet; dass an die Kathode (1) ein kapazitiver Spannungsteiler (3) und ein RF-Filter (4) angeschlossen ist, dass sich an das RF-Filter (4) ein erster Eingangsverstärker (5) anschließt dessen am Ausgang des ersten Eingangsverstärkers (5) anliegendes Signal an...

Description

Die Erfindung betrifft Verfahren und eine Anordnung zur Steuerung eines RF-Generators für Magnetrons in Vakuumbeschichtungsanlagen wobei ein elektrisches Charakteristikum, das eine Arc-Entladung kennzeichnet, ermittelt wird und bei ein einem Auftreten eines solchen Charakteristikums der RF-Generator ausgetastet wird.
Beim Sputtern mit Hochfrequenz treten häufig Störungen in der Entladung auf, die als Arc bezeichnet werden.
Ein Arc, das englische Wort für den Lichtbogen, wird dadurch charakterisiert, dass die Magnetron-Entladung in einen Lichtbogen übergeht.
Als Auslöser kommen hauptsächlich Partikel im Plasma und Inhomogenitäten im Target in Frage.
Aufladungseffekte spielen beim Sputtern von hochisolierenden Materialien wie SiO2 und Al2O3 eine Rolle. Beim Sputtern von schwach leitfähigen keramischen Materialien, insbesondere beim Sputtern von iZnO (intrinsisches Zinkoxid), können sie kaum eine Rolle spielen, weil das Material hinreichend leitfähig ist, so dass sich im Sputterraum keine Aufladungen bilden können.
Als hochisolierend werden Materialien mit einem spezifischen elektrischen Widerstand in der Größenordnung von 10¹⁰ MΩ cm und als schwach elektrisch leitfähige Materialien mit einem spezifischen elektrischen Widerstand von mindestens 1 MΩ cm bezeichnet.
Bei der Ausbildung eines Arc wird die für das Sputtern notwendige Raumladungszone vor dem Target gestört, so dass die darüber abfallende Spannung zusammenbricht. Der Fluss der Ladungsträger konzentriert sich in einem Punkt der Entladung, dem Fußpunkt, in dem dadurch eine hohe Stromdichte entsteht. Infolge dieser hohen Stromdichte heizt sich das Material am Fußpunkt stark auf, so dass thermische Emission entsteht. Bei hohen Temperaturen liefert die thermische Emission so viele Ladungsträger, so dass die Spannung auf ca. 25 V zusammenbricht, und der Strom nur noch durch äußere Schaltungselemente begrenzt wird. Das ist die Situation in dem klassischen Lichtbogen.
Dieser Lichtbogen bewegt sich unter dem Einfluss der Stromkräfte im Magnetfeld. Visuell kann man einen Arc als umlaufende Lichterscheinung beobachten, die durch einen extrem hellen Fußpunkt und eine allmählich zerfließende pinselartige Leuchterscheinung in Richtung des Plasmaraumes charakterisiert ist.
Weil die hohe thermische Belastung im Fußpunkt des Arcs die Oberfläche der Targets zerstören kann, ist der Betreiber von Magnetrons bestrebt, den Arc so schnell wie möglich zu bekämpfen. Dazu muss der Arc möglichst schnell entdeckt werden, und die Stromversorgung muss in der Lage sein, den Stromfluss augenblicklich zu stoppen.
Beim RF-Sputtern wird als Stromversorgung ein RF-Generator mit einer typischen Frequenz von 13.56 MHz verwendet. Dessen Ausgang wird über ein Anpassnetzwerk an die Kathode angeschlossen. Das Anpassnetzwerk dient dazu, die Impedanz der Entladung an den Ausgang des Generators zu transformieren und reaktive Anteile zu kompensieren. Diese Anpassung muss recht genau erfolgen. Anderenfalls kann es zu Überspannungen im RF-Generator kommen.
Diese empfindliche Reaktion des RF-Kreises wird ausgenutzt, um Arcs erkennen zu können. Sowie eine plötzliche Verstimmung des RF-Kreises festgestellt wird, wird das als Arc angesehen und der RF-Generator sofort für einige Millisekunden ausgetastet. Die Pausenzeit wird so gewählt, dass die Ladungsträger den targetnahen Raum durch Diffusion oder Rekombination verlassen haben, so dass ein unmittelbares Wiederentstehen des Arcs unwahrscheinlich wird.
Dieser Mechanismus ist in modernen RF-Generatoren wie auch in Rundfunksendern zum Blitzschutz eingebaut.
Beim Betrieb einer iZnO-Sputterentladung besteht die Masse der Ereignisse im Plasma aus den beschriebenen Arcs, die auch von einem geeigneten RF-Generator sofort ausgeschaltet werden.
Es treten aber auch noch weitere Erscheinungen auf, die häufig als „Blue Arcs” bezeichnet werden. Ihr Erscheinungsbild ist charakterisiert durch ein intensiv blaues Leuchten, das von einem hellen Fußpunkt ausgeht.
Bemerkenswert ist, dass der Fußpunkt auch über mehrere Sekunden ortsfest bleibt. Eine weitere Beobachtung zeigt, dass die übrige Entladung weiter brennt, so dass in den meisten Fällen die Raumladungszone vor dem Target ungestört bleibt.
Es ergeben sich nur minimale Änderungen in der Impedanz des RF-Kreises. Damit können im RF-Generator keine Änderungen an der Impedanz der Last gemessen werden. Damit kann der RF-Generator über seine interne Überwachung diesen Arc nicht erkennen.
Unangenehm an der Erscheinung des „Blue Arc” ist, dass beim Auftreten dieser Erscheinungen das Target erheblich beschädigt wird. Es werden tiefe Löcher in das Target gebohrt. Auf der gegenüberliegenden Seite, den Substraten, landet dann das Material, das aus dem Target herausgebohrt wurde, als ein mehrere 10 cm großer Fleck. Dieser Fleck führt an den Substraten zum Ausschuss.
Sowohl die Targetzerstörung als auch die Beschädigung der Substrate sind für eine Produktion nicht akzeptabel.
Um die Hintergründe des Phänomens „Blue Arc” verstehen zu können, muss man einen genaueren Blick auf die Physik des RF-Sputtering werfen, das sich wesentlich vom Magnetronsputtern mit Gleichstrom unterscheidet. Dies ist in 1 dargestellt.
Damit ein Sputtereffekt entstehen kann, müssen positive Zonen auf ein Target aufschlagen, das auf einem Potenzial negativ gegenüber dem Plasma liegt. Dazu muss die hochfrequente Wechselspannung gleichgerichtet werden. Die Gleichrichtung der Hochfrequenz erfolgt durch die unterschiedliche Beweglichkeit von Elektronen und Argon-Ionen. In der positiven Halbwelle der Hochfrequenzspannung können die leichten Elektronen dem elektrischen Feld sofort folgen, und laden auf de Targetoberfläche, die nicht durch das Magnetfeld abgeschirmt wird. Die Elektronen entladen dabei diese Oberflächenteile so weit, bis in diesem Moment der Stromfluss zum Plasma versiegt.
Wegen des im Falle von schwach leitfähiger Keramik, insbesondere von iZnO elektrisch schwach leitfähigen Targets fließt auch ein Strom durch das Target in das Anpassnetzwerk. Dabei laden die Elektronen den im Anpassungsnetzwerk angeschlossenen Kondensator auf.
Die schweren Argon-Ionen werden zwar durch das kurzzeitig positive Potenzial an der Targetoberfläche etwas abgebremst, setzen aber infolge ihrer Massenträgheit den Flug in Richtung Kathode fort. Vermindert sich die positive Spannung im weiteren Verlauf der Hochfrequenzschwingung, dann entsteht an der Targetoberfläche wieder ein negatives Potenzial gegenüber dem Plasma, so dass die Argon-Ionen wieder in Richtung Kathode beschleunigt werden. Die ”Nachladephasen” sind gewöhnlich extrem kurz, so dass sich im Mittel eine starke negative Vorspannung der Kathode einstellt.
Das Magnetfeld beeinflusst die schweren Argon-Ionen kaum. Damit können sie auf der ganzen Targetoberfläche aufschlagen. Schlagen die Ionen innerhalb des Magnettunnels auf das Target auf, dann können die dabei freigesetzten Sekundärelektronen nicht sofort ins Plasma entweichen und bilden so innerhalb des Magnettunnels eine erhöhte Ladungsträgerdichte, die zu höherer Ionisation der Gasmoleküle und letztendlich zur Bildung des für das Magnetron typischen Racetracks führt. Der Einschlag der Ionen auf dem Target innerhalb des Magnettunnels führt dort zu einem Elektronendefizit wegen der positive Ladung der aufschlagenden Ionen und der Emission von Sekundärelektronen. In der positiven Halbwelle der Hochfrequenzspannung kann im Magnettunnel das Elektronendefizit nicht kompensiert werden, da das Magnetfeld den Elektronenzutritt von außen versperrt. Es würde zu einer positiven Aufladung innerhalb des Magnettunnels führen und den weiteren Ionenzutritt versperren und damit das Sputtern im Racetrack verhindern, wie das bei SiO2-Targets typisch ist.
Wenn ein Elektronenstrom aus dem Kondensator im Anpassungsnetzwerk durch das Targetmaterial hindurch fließen kann, wird die innerhalb des Magnettunnels aufgebaute Ladung neutralisiert.
Der Stromfluss durch das Target kann die Erklärung für die beobachteten Zerstörungen an den Targets liefern. Besonders hochohmige Teile im Target in der Nähe des Racestracks können durch den Stromdurchgang erhitzt und so verdampft werden. Damit wäre die Beobachtung erklärbar, dass zwar die Entladungsspannung etwas sinkt, aber der Entladungstyp nicht von der Glimmentladung in einen Lichtbogen umschlägt, es also zu keinem „normalen Arc” kommt.
Durch das Verdampfen wird ein erhöhter Druck vor dem Target erzeugt, der sich im leichten Rückgang der Entladungsspannung zeigt, und die Dampfwolke leuchtet im Plasma blau auf. Wegen der hohen Ionisation im Racetrack ist die Anregung im Racetrack am stärksten und gaukelt so einen Arc vor. Für das Kriterium eines Arcs fehlen aber zwei wesentliche Fakten: das übrige Plasma an der Kathode verschwindet nicht, und die Leuchterscheinung bleibt ortsfest, während ein echter Arc auf Grund der Stromkräfte im Magnetfeld schnell umläuft, wenn er nicht abgeschaltet wird.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine blue-arc-Bildung beim Sputtern von schwachleitfähigen keramischem Target zu verhindern.
Die anordnungsseitige Lösung der Aufgabenstellung sieht vor, dass in einer Vakuumbeschichtungsanlage mit einem Magnetron, dessen Kathode mit einer mittels eines RF-Generators erzeugten Spannung beaufschlagbar ist, ein die Spannung an der Kathode in einen Gleichspannungsteil (DC-Teil) und einen Hochfrequenzteil (RF-Teil) aufteilendes erstes Mittel und ein den DC-Teil bewertendes zweites Mittel vorgesehen sind. Diese zweite Mittel weist einen Steuerausgang auf, der mit einem Steuerausgang des RF-Generators verbunden ist. Über diese Verbindung ist der RF-Generator ausschaltbar ist, sobald ein von dem zweiten Mittel aus der DC-Spannung U des DC-Teils ermittelter zeitlicher Gradient d|Ūc|/dt des Betrages |Ūc| der Spannung Ūc oder der Betrag |dŪc/dt| der über eine Zeitspanne T hinweg mit seinem Betrag einen Schwellwert unterschreitet.
An die Kathode sind ein kapazitiver Spannungsteiler und ein RF-Filter angeschlossen. An das RF-Filter schließt sich ein erster Eingangsverstärker an, dessen am Ausgang des ersten Eingangsverstärkers anliegendes Signal wird an einen ersten Schwellwertschalter und an einen Differenzierverstärker geführt. Der Ausgang des Differenzierverstärkers ist mit einem zweiten Schwellwertschalter verbunden. An den kapazitiven Spannungsteiler schließt sich ein zweiter Eingangsverstärker mit Doppelweggleichrichtung an. An diesen ist ein dritter Schwellwertschalter angeschlossen. Die Schwellwertschalter sind mit einer Logik verbunden sind, die einen Impuls an den Eingang des RF-Generators sendet, wenn die Bedingungen für eine Abschaltung gefunden wurden.
Diese Ausgestaltung kann dadurch weitergeführt werden, dass als RF-Filter ein Butterworth-Tiefpass 4. Ordnung eingesetzt wird, dessen Grenzfrequenz auf 1 MHz gelegt wird.
Verfahrensseitig wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass in der oben beschrieben Anordnung die Spannung an der Kathode in einen Gleichspannungsteil (DC-Teil) mit einer Spannung Ūc und einen Hochfrequenzteil (RF-Teil) mit einer Spannung Ũc aufgeteilt wird, aus dem DC-Teil ein zeitlicher Gradient, der dem Gradienten des Betrages der DC-Spannung U entspricht, ermittelt wird, dieser Gradient mit einem Schwellwert verglichen wird und bei Feststellen einer Unterschreitung dieses Schwellwertes über eine Zeitspanne T hinweg ein Ausschaltvorgang des RF-Generators eingeleitet wird.
Wenn der Betrag |Ūc| der Gleichspannung Ūc an der Kathode langsam absinkt, das Absinken aber über eine Zeit anhält und der Gradient des Absinkens über dem Schwellwert liegt, ist dies ein Zeichen für das Entstehen eines blue arc und es erfolgt ein kurzzeitiges impulsartiges Abschalten des RF-Generators (Austasten). Sinkt der Betrag |Ūc| der Gleichspannung Ūc sehr langsam, beispielsweise infolge von Veränderungen im Plasmaraum, wie z. B. der Carrierbewegung, dann soll erfolgt kein Austasten, d. h. langsamere Änderungen führen nicht zu einer Abschaltung.
Üblicherweise wird der Gradient als Gradient des Betrages |Ūc| der Spannung Ūc, d. h. d|Ūc|/dt ermittelt. Eine gleichbedeutende Möglichkeit besteht aber auch darin, dass der Betrag |dŪc/dt| mit dem Schwellwert verglichen wird.
Üblicherweise weisen RF-Generatoren einen Eingang für die Abschaltung auf. Wird an diesen Eingang eine Spannung angelegt, führt dies zur Abschaltung des RF-Generators. Da es für die Beseitigung eines Arc nach der Erfindung nur erforderlich ist, den RF-Generator nur kurzzeitig Auszutasten, ist in einer Ausgestaltung der Erfindung vorgesehen, dass ein den Ausschaltvorgang auslösender Ausschaltimpuls erzeugt wird.
Um ein Anfahren des Prozesses zu ermöglichen, bei dem gegebenenfalls Zustände eintreten, die als Arc-Entstehung interpretiert werden können und die dann zu einem unerwünschten Abschalten würden, ist weiterhin vorgesehen, dass die Auslösung eine Ausschaltvorganges erst ab einen Mindestwert für die Spannung Ũc des RF-Teiles erfolgt.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert. In den zugehörigen Zeichnungen zeigt
1 eine schematische Darstellung der Verhältnisse an einem Magnetron, die zur Blue-Arc-Bildung führen und
2 eine schematische Darstellung einer Schaltungsanordnung mit einer erfindungsgemäßen Lösung.
Die Erfindung sieht gemäß 2 eine Anordnung vor, die die Spannung Uc an der Kathode 1 bewertet und ein Signal an den RF-Generator 2 sendet, wenn die Bedingungen für eine Abschaltung erfüllt werden.
An die Kathode 1 werden ein kapazitiver Spannungsteiler 3 und ein RF-Filter 4 angeschlossen.
Als RF-Filter 4 wurde ein Butterworth-Tiefpass 4. Ordnung verwendet, dessen Grenzfrequenz auf 1 MHz gelegt wurde. Damit wird die Hochfrequenz mit der Spannung Ũc sicher von der überlagerten Gleichspannung Ūc abgetrennt, die sich durch die eingangs geschilderten Vorgänge gebildet hat. Die Gleichspannung Ūc steht am Ausgang des RF-Filters 4 mit genügender Dynamik zur Verfügung.
An das RF-Filter 4 schließt sich ein erster Eingangsverstärker 5 an, dessen Zeitkonstanten so angepasst wurden, dass die Fluktuationen im Plasma herausgefiltert wurden.
Das am Ausgang des ersten Eingangsverstärkers 5 anliegende Signal wird an einen ersten Schwellwertschalter 6 und an einen Differenzierverstärker 7 geführt. Dessen Ausgang ist mit dem zweiten Schwellwertschalter 8 verbunden.
An den kapazitiven Spannungsteiler 3 schließt sich ein zweiter Eingangsverstärker 9 mit Doppelweggleichrichtung an, so dass am Ausgang des Eingangsverstärkers 3 die gleichgerichtete und geglättete Spitzenspannung Ûc der Hochfrequenz mit der Spannung Ũc erscheint. An den zweiten Eingangsverstärker 9 ist ein dritter Schwellwertschalter 10 angeschlossen.
Die Schwellwertschalter 6, 8 und 10 sind mit der Logik 11 verbunden, die einen Impuls an den Eingang des RF-Generators 2 sendet, wenn die Bedingungen für eine Abschaltung gefunden wurden.
Der dritte Schwellwertschalter 10 wurde so eingestellt, dass beim Anliegen einer Hochfrequenzspannung an der Kathode von mehr als Ũc = 92 V die Logik 11 zur Auswertung aktiviert wird. Mit diesem dritten Schwellwertschalter 10 wird das Anfahren des Prozesses ermöglicht. Erst wenn eine minimale RF-Spannung Ũc am Prozess anliegt, ist es sinnvoll, die Signale hinsichtlich der Arcs zu überwachen. Ein eventueller Kurzschluss oder ähnliche Störungen, die verhindern, dass die Kathode 1 diese Mindestspannung erreicht, werden durch den RF-Generator 2, durch die in RF-Generatoren üblichen Überwachungen abgefangen.
Der erste Schwellwertschalter 6 schaltet, wenn an der Kathode 1 eine betragsmäßig größere Gleichspannung als |Ūc| = 25 V anliegt. Sinkt die Gleichspannung Ũc bei aktivierter Logik 11 unter diesen Wert, wie zum Beispiel beim plötzlichen Entstehen eines Lichtbogens, dann bewirkt das Schaltsignal des ersten Schwellwertschalters 6, dass die Logik 11 einen Austastimpuls an den RF-Generator 2 sendet.
Der dritte Schwellwertschalter 10 schaltet, wenn der Betrag |Ūc| der Gleichspannung Ūc an der Kathode 1 langsam absinkt. Sinkt der Betrag |Ūc| der Gleichspannung Ūc sehr langsam infolge von Veränderungen im Plasmaraum, wie z. B. der Carrierbewegung, dann soll der dritte Schwellwertschalter 10 nicht ansprechen. Deshalb ist in dem Differenzierverstärker 7 ein Differenzierglied mit einem Integrierglied 2. Ordnung kombiniert worden.
Als untere Grenze für die Spannungsänderung, d. h. als Schwellwert für den Gradienten d|Ūc|/dt wurde 70 V/ms ermittelt. Langsamere Änderungen führen nicht zu einer Abschaltung.
Um Störungen zu vermeiden, muss die Spannungsänderung länger als eine Zeitspanne T von 5 μs dauern. Anderenfalls wird diese Spannungsänderung ignoriert.
Die Anordnung zur Steuerung eines RF-Generators für Magnetrons in Vakuumbeschichtungsanlagen oder kurz der RF-Arc-Detector wird in unmittelbarer Nähe der Kathode angebracht und wurde deshalb emv-dicht mit mehreren Kammern aufgebaut. Der Eingangskontakt ist direkt mit der Kathode 1 verbunden.
Der Ausgang ist über ein BNC-Kabel mit dem Arc-Eingang des RF-Generators 2 verbunden.
Das in dem unabhängigen Anspruch beschriebene erste Mittel 12 ist in 2 mit einer Strichlinie dargestellt und besteht in diesem Ausführungsbeispiel im Wesentlichen aus Spannungsteiler 3 und RF-Filter 4. Das zweite Mittel 13 besteht im wesentlichen aus dem ersten Eingangsverstärker 5, dem Differenzverstärker 7, dem zweiten Schwellwertschalter 8 und schließt die Logik 11 mit ein.
Bezugszeichenliste

1: Kathode
2: RF-Generator
3: Spannungsteiler
4: RF-Filter
5: erster Eingangsverstärker
6: erster Schwellwertschalter
7: Differenzverstärker
8: zweiter Schwellwertschalter
9: zweiter Eingangsverstärker
10: dritter Schwellwertschalter
11: Logik
12: erstes Mittel
13: zweites Mittel

Claims

Anordnung zur Steuerung eines RF-Generators für ein Magnetron in Vakuumbeschichtungsanlagen mit mindestens einer Kathode, die mit einer durch den RF-Generator erzeugten Spannung beaufschlagbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass ein die Spannung an der Kathode in einen Gleichspannungsteil und einen Hochfrequenzteil aufteilendes erstes Mittel (12) und ein den Gleichspannungsteil bewertendes zweites Mittel (13) vorgesehen ist, das einen Steuerausgang aufweist, der mit einem Steuerausgang des RF-Generators (2) verbunden ist und über diese Verbindung der RF-Generator (2) ausschaltbar ist, sobald ein von dem zweiten Mittel (13) aus der DC-Spannung Ūc des Gleichspannungsteils ermittelter zeitlicher Gradient d|Ūc|/dt des Betrages |Ūc| der Spannung Ūc oder der Betrag |dŪc/dt| der über eine Zeitspanne T hinweg mit seinem Betrag einen Schwellwert unterschreitet; dass an die Kathode (1) ein kapazitiver Spannungsteiler (3) und ein RF-Filter (4) angeschlossen ist, dass sich an das RF-Filter (4) ein erster Eingangsverstärker (5) anschließt dessen am Ausgang des ersten Eingangsverstärkers (5) anliegendes Signal an einen ersten Schwellwertschalter (6) und an einen Differenzverstärker (7) geführt wird, dessen Ausgang mit einem zweiten Schwellwertschalter (8) verbunden ist, dass sich an den kapazitiven Spannungsteiler (3) ein zweiter Eingangsverstärker (9) mit Doppelweggleichrichtung anschließt, so dass am Ausgang des zweiten Eingangsverstärkers (9) die gleichgerichtete und geglättete Spitzenspannung Ûc der Hochfrequenz erscheint, und an dem zweiten Eingangsverstärker (9) ein dritter Schwellwertschalter (10) angeschlossen ist und die Schwellwertschalter (6; 8; 10) mit einer Logik (11) verbunden sind, die einen Impuls an den Eingang des RF-Generators (2) sendet, wenn Bedingungen für eine Abschaltung gefunden wurden.
Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als RF-Filter (4) ein Butterworth-Tiefpass 4. Ordnung eingesetzt wird, dessen Grenzfrequenz auf 1 MHz gelegt wird.
Verfahren zur Steuerung eines RF-Generators mit einer Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, wobei ein elektrisches Charakteristikum, das eine Arc-Entladung kennzeichnet, ermittelt wird und bei einem Auftreten eines solchen Charakteristikums der RF-Generator ausgetastet wird, dadurch gekennzeichnet, dass eine Spannung an der Kathode in einen Gleichspannungsteil mit einer Spannung Ūc und einen Hochfrequenzteil mit einer Spannung Ũc aufgeteilt wird, aus dem Gleichspannungsteil ein zeitlicher Gradient, der dem Gradienten des Betrages der DC-Spannung U entspricht, ermittelt wird, dieser Gradient mit einem Schwellwert verglichen wird und bei Feststellen einer Unterschreitung dieses Schwellwertes über eine Zeitspanne T hinweg ein Ausschaltvorgang des RF-Generators eingeleitet wird.
Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Gradient d|Ūc|/dt des Betrages |Ūc| der Spannung Ūc oder der Betrag |dŪc/dt| mit dem Schwellwert verglichen wird.
Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein den Ausschaltvorgang auslösender Ausschaltimpuls erzeugt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Auslösung eines Ausschaltvorganges erst ab einem Mindestwert für die Spannung Ũc des RF-Teiles erfolgt.