DE10031207A1 - Integrierte Schaltung mit einer Spannungspumpenschaltung - Google Patents
Integrierte Schaltung mit einer SpannungspumpenschaltungInfo
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Abstract
Eine integrierte Schaltung (1) weist eine Spannungspumpenschaltung (2) auf zur Erzeugung einer Pumpspannung (Vpp), die an einer ersten und zweiten Ladekapazität (C1, C2) jeweils abgreifbar ist. Eine Steuerungsschaltung (3) dient zur Steuerung der Erzeugung der Pumpspannung (Vpp). Die integrierte Schaltung (1) ist in einer ersten Betriebsart oder zweiten Betriebsart betreibbar, die sich in der Leistungsaufnahme der integrierten Schaltung (1) unterscheiden. Die Steuerungsschaltung (3) ist mit einem Betriebsartensignal (SB) verbunden und derart ausgebildet, daß in einer der Betriebsarten ein Anschluß (21) der zweiten Ladekapazität (C2) dauerhaft mit einer festen Versorgungsspannung (GND) verbunden ist. Dadurch ist die Stromaufnahme in einer der Betriebsarten im Vergleich zur anderen Betriebsart reduzierbar.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung
mit einer Spannungspumpenschaltung, die mit einem Anschluß
für eine Versorgungsspannung verbunden ist, zur Erzeugung ei
ner Pumpspannung, die dem Betrag nach größer als die Versor
gungsspannung ist, bei der die Pumpspannung an einer Ladeka
pazität abgreifbar ist, wobei die integrierte Schaltung in
einer ersten Betriebsart oder zweiten Betriebsart betreibbar
ist, die sich in der Leistungsaufnahme der integrierten
Schaltung unterscheiden.
In integrierten Schaltungen sind oftmals Schaltungsgruppen
oder Funktionsgruppen vorgesehen, die eine dem Betrag nach
höhere Versorgungsspannung benötigen als von einer Hauptspan
nungsversorgung zur Verfügung gestellt wird. Dies kann im
allgemeinen mittels einer sogenannten Spannungspumpenschal
tung oder Ladungspumpenschaltung erfolgen, die mit Hilfe ei
ner Ladekapazität eine sogenannte Pumpspannung erzeugt, die
dem Betrag nach größer als eine an der Spannungspumpenschal
tung anliegende Versorgungsspannung ist.
Eine derartige Spannungspumpenschaltung ist aus DE 197 52 985 A1
bekannt. Die in einer Halbleiterschaltungsanordnung mono
lithisch integrierte Spannungspumpenschaltung weist eine La
dekapazität und eine der Ladekapazität zugeordnete und diese
steuernde Schalteinrichtung auf. Die Pumpspannung ist dabei
an der Ladekapazität abgreifbar. Die Spannungspumpenschaltung
ist zur Erzeugung der Pumpspannung mit einer von außen zuge
führten externen Versorgungsspannung verbunden. Die Span
nungspumpenschaltung dient zur Spannungsversorgung von eben
falls monolithisch integrierten Schaltkreisen.
Eine integrierte Schaltung, wie beispielsweise eine Speicher
schaltung vom Typ RAM (Random Access Memory), kann oftmals in
unterschiedlichen Betriebsarten betrieben werden, die sich
insbesondere in der Leistungsaufnahme der integrierten Schal
tung unterscheiden. Eine Betriebsart mit einer relativ gerin
gen Leistungsaufnahme ist beispielsweise eine sogenannte
Stand-by-Betriebsart, in der sich die integrierte Schaltung
in einem Ruhezustand befindet. Im Gegensatz zu einem Normal
betrieb der integrierten Schaltung müssen in dieser Betriebs
art durch eine Spannungspumpenschaltung oftmals nur ver
gleichsweise geringe Ladungsverluste in den Versorgungsnetzen
einer Spannungsversorgung ersetzt werden. Bei Einsatz der be
schriebenen Spannungspumpenschaltung für beide Betriebsarten
ist die Stromaufnahme der Spannungspumpenschaltung in beiden
Betriebsarten im wesentlichen unverändert, trotz geringerer
zu deckender Ladungsverluste der integrierten Schaltung im
Stand-by-Betrieb.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine inte
grierte Schaltung mit einer Spannungspumpenschaltung der ein
gangs genannten Art anzugeben, bei der die Stromaufnahme in
einer der Betriebsarten im Vergleich zur anderen Betriebsart
reduzierbar ist.
Die Aufgabe wird gelöst durch eine integrierte Schaltung mit
einer Spannungspumpenschaltung, die mit einem Anschluß für
eine erste Versorgungsspannung verbunden ist, zur Erzeugung
einer Pumpspannung, die dem Betrag nach größer als die erste
Versorgungsspannung ist, mit einer ersten und zweiten Ladeka
pazität, an denen jeweils die Pumpspannung abgreifbar ist;
mit einer Steuerungsschaltung, die mit den Ladekapazitäten
verbunden ist, zur Steuerung der Erzeugung der Pumpspannung;
die in einer ersten Betriebsart oder zweiten Betriebsart be
treibbar ist, die sich in der Leistungsaufnahme der inte
grierten Schaltung unterscheiden; die einen Anschluß für ein
Betriebsartensignal aufweist, das einen Betrieb der inte
grierten Schaltung in einer der Betriebsarten anzeigt; und
bei der die Steuerungsschaltung mit dem Anschluß für das Be
triebsartensignal verbunden und derart ausgebildet ist, daß
in einer der Betriebsarten ein Anschluß der zweiten Ladekapa
zität dauerhaft mit einem Anschluß für eine feste zweite Ver
sorgungsspannung verbunden ist.
Die erfindungsgemäße integrierte Schaltung weist also zwei
Ladekapazitäten auf, an denen jeweils die zu erzeugende Pump
spannung abgreifbar ist. Dabei ist die mit den Ladekapazitä
ten verbundene Steuerungsschaltung derart ausgebildet, daß in
einer der Betriebsarten nur eine der beiden Ladekapazitäten
aktiv betrieben wird. Bei dieser Betriebsart handelt es sich
beispielsweise um eine Stand-by-Betriebsart, in der die Lei
stungsaufnahme der integrierten Schaltung im Vergleich zu ei
nem Normalbetrieb reduziert ist. Da die andere der Ladekapa
zitäten dauerhaft mit einem Anschluß für eine feste Versor
gungsspannung verbunden ist, wird diese Ladekapazität in die
ser Betriebsart nicht zur Erzeugung der Pumpspannung herange
zogen. Da im Vergleich zum Normalbetrieb nur eine der beiden
Ladekapazitäten aktiv betrieben wird, ist die Stromaufnahme
der Spannungspumpenschaltung im wesentlichen halbiert. Dies
kann mit einem relativ geringen zusätzlichen Schaltungsauf
wand in der Steuerungsschaltung realisiert werden. Die Steue
rungsschaltung ist dabei mit dem Betriebsartensignal verbun
den, das beispielsweise mit einem aktiven Zustand den Stand
by-Betrieb der integrierten Schaltung anzeigt.
Außerdem wird im Vergleich zu einem Normalbetrieb die pro
Zeiteinheit gelieferte Ladungsmenge verringert. Dies ist ins
besondere von Vorteil, wenn ein Regler für die Stand-by-
Betriebsart eine vergleichsweise große Totzeit aufweist.
Durch die verringerte gelieferte Ladungsmenge werden damit
vorteilhaft Spannungsschwankungen der Pumpspannung verrin
gert, da eine vorhandene Totzeit eines Reglers beispielsweise
einen weniger starken Spannungsüberhub auslöst.
Bei der erfindungsgemäßen integrierten Schaltung ist es ins
besondere nicht notwendig, daß zur Reduzierung der Stromauf
nahme in der Stand-by-Betriebsart beispielsweise eigens vor
gesehene Spannungspumpenschaltungen der eingangs beschriebe
nen Art mit verkleinerter Ladekapazität und/oder geringerer
Pump-Frequenz im Vergleich zu Spannungspumpenschaltungen für
den Normalbetrieb eingesetzt werden. Im Vergleich zur erfin
dungsgemäßen integrierten Schaltung ist in diesem Fall der
benötigte Schaltungsaufwand im allgemeinen deutlich erhöht,
da zusätzliche Schaltungsblöcke mit zusätzlich vorzusehenden
Spannungspumpen und/oder Oszillatoren notwendig sind.
In einer Weiterbildung der Erfindung weist die Spannungspum
penschaltung ein Schaltmittel auf, das die zweite Ladekapazi
tät mit einem Anschluß zum Abgriff der Pumpspannung verbin
det. Ein Steueranschluß des Schaltmittels ist von der Steue
rungsschaltung ansteuerbar. Die Steuerungsschaltung ist dabei
derart ausgebildet, daß in einer der Betriebsarten der Steu
eranschluß des Schaltmittels dauerhaft mit einer festen drit
ten Versorgungsspannung ansteuerbar ist. Durch geeignete Wahl
der dritten Versorgungsspannung ist es also möglich, daß die
beispielsweise in einer Stand-by-Betriebsart nicht aktiv be
triebene zweite Ladekapazität von dem Anschluß zum Abgriff
der Pumpspannung durch das Schaltmittel getrennt ist.
Die Erfindung ist insbesondere vorteilhaft für Speicherschal
tungen vom Typ RAM einsetzbar. In einer integrierten Schal
tung mit einer derartigen Speicherschaltung treten im Stand
by-Betrieb oder Ruhezustand im allgemeinen nur relativ gerin
ge Ladungsverluste auf, die von einer Spannungspumpenschal
tung zu ersetzen sind. Es reicht in diesem Fall daher aus,
nur eine der Ladekapazitäten aktiv zu betreiben.
Weitere vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen sind in Un
teransprüchen gekennzeichnet.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der in der Zeichnung
dargestellten Figuren, die jeweils Ausführungsbeispiele der
erfindungsgemäßen integrierten Schaltung darstellen, näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen
integrierten Schaltung,
Fig. 2 und 3 jeweils Ausführungsformen einer Spannungs
pumpenschaltung nach Fig. 1,
Fig. 4 bis 6 jeweils Ausführungsformen einer Steuerungs
schaltung nach Fig. 1.
Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen
integrierten Schaltung 1, die eine Spannungspumpenschaltung 2
und eine Steuerungsschaltung 3 aufweist, die mit der Span
nungspumpenschaltung 2 verbunden ist. Die Spannungspumpen
schaltung 2 ist mit einem Anschluß für eine erste Versor
gungsspannung V1 verbunden, die beispielsweise von außerhalb
der integrierten Schaltung 1 zugeführt ist. Die Spannungspum
penschaltung 2 dient dabei zur Erzeugung einer Pumpspannung
Vpp, die dem Betrag nach größer als die erste Versorgungs
spannung V1 ist. Zum Abgriff der Pumpspannung Vpp weist die
Spannungspumpenschaltung 2 einen Anschluß 30 auf. Die Pump
spannung Vpp wird jeweils über die Ladekapazitäten C1 und C2
erzeugt, die durch die Steuerungsschaltung 3 angesteuert wer
den. Dabei ist ein Anschluß 12 der Ladekapazität C1 über ei
nen Transistor T12 und ein Anschluß 22 der Ladekapazität C2
über den Transistor T22 mit dem Anschluß 30 verbunden. Die
Anschlüsse 12 und 22 sind außerdem über die Transistoren T11
beziehungsweise T21 mit der Versorgungsspannung V1 verbunden.
Die Transistoren T11, T12, T21 und T22 sind NMOS-
Transistoren. Die jeweiligen Steueranschlüsse der Transisto
ren sind mit der Steuerungsschaltung 3 verbunden.
Die integrierte Schaltung 1 ist in einer ersten Betriebsart
oder zweiten Betriebsart betreibbar, die sich in der Lei
stungsaufnahme der integrierten Schaltung 1 unterscheiden.
Bei der ersten Betriebsart handelt es sich beispielsweise um
einen Normalbetrieb der integrierten Schaltung 1, bei der
zweiten Betriebsart um eine sogenannte Stand-by-Betriebsart,
in der sich die integrierte Schaltung 1 in einem Ruhezustand
mit verringerter Leistungsaufnahme befindet. Die Betriebsar
ten der integrierten Schaltung 1 werden hier von einem Con
troller 4 gesteuert, der dazu ein Betriebsartensignal SB auf
weist. Das Betriebsartensignal SB zeigt dabei einen Betrieb
der integrierten Schaltung 1 in einer der beiden Betriebsar
ten an. Die Steuerungsschaltung 3 ist mit dem Controller 4
verbunden zum Übertragen des Signals SB vom Controller 4 zur
Steuerungsschaltung 3.
Die Steuerungsschaltung 3 ist weiterhin mit dem periodischen
Taktsignal CK verbunden. Der Steuerungsschaltung 3 werden au
ßerdem die Signale ST und EN von dem Controller 4 zugeführt.
Das Signal EN zeigt dabei an, daß eine Initialisierung der
umgebenden integrierten Schaltung 1 beziehungsweise der Span
nungspumpenschaltung 2 abgeschlossen ist. Das Signal ST zeigt
an, wenn die Spannung Vpp unter einen vorgegebenen Wert (bei
spielsweise 3,3 V) gefallen ist, so daß die Spannungspumpen
schaltung 2 zur Erzeugung einer vorgegebenen Pumpspannung Vpp
aktiviert wird. Die Steuerungsschaltung 3 ist schließlich mit
einem Anschluß für eine zweite Versorgungsspannung GND ver
bunden, die in Fig. 1 ein Bezugspotential der integrierten
Schaltung 1 darstellt.
Die Funktionsweise der in der Fig. 1 dargestellten Schal
tungsanordnung in einem Normalbetrieb der integrierten Schal
tung 1 läßt sich anhand der Funktionsweise der Spannungspum
penschaltung aus DE 197 52 985 A1 ableiten. Dabei werden die
Ladekapazitäten C1 und C2 jeweils von der Steuerungsschaltung
3 um 180 Grad versetzt angesteuert. Jede der beiden bezüglich
des Anschlusses 30 symmetrisch angeordneten Teilschaltungen
mit der Ladekapazität C1 beziehungsweise Ladekapazität C2 ar
beitet in einem Normalbetrieb dabei nach dem in DE 197 52 985 A1
dargestellten Funktionsprinzip der Spannungspumpenschal
tung.
Die Transistoren T21 und T22 werden wechselseitig in zeitli
chen Abständen zueinander angesteuert. Zuerst wird über den
Transistor T21 der Anschluß 22 der Ladekapazität C2 mit der
Versorgungsspannung V1 beaufschlagt, danach wird der Transi
stor T21 wieder geschlossen. Der vorgeladene Anschluß 21 der
Ladekapazität C2 wird anschließend mit einer gegenüber der
Vorladespannung höheren Spannung beaufschlagt, so daß sich am
Anschluß 22 eine um diesen Differenzbetrag erhöhte Pumpspan
nung Vpp einstellt. Diese Pumpspannung wird durch Öffnen des
Transistors T22 an den Anschluß 30 der Spannungspumpenschal
tung 2 übertragen. Hierdurch fließt die in der Ladekapazität
C2 gespeicherte Ladung über den Anschluß 30 in ein Versor
gungsnetz ab, das an dem Anschluß 30 angeschlossen ist.
Diese kurz beschriebene Funktionsweise wird durch das Taktsi
gnal CK gesteuert. Der beschriebene Ladevorgang der Ladekapa
zität C2 läuft dabei periodisch ab. Die Ansteuerung der Lade
kapazität C1 und der Transistoren T11 und T12 ist dabei ana
log, jedoch um 180 Grad phasenverschoben. Dadurch wird der
Anschluß 30 wechselseitig durch die Ladekapazitäten C1 bezie
hungsweise C2 mit der Pumpspannung Vpp versorgt.
Fig. 2 zeigt eine Ausführungsform der Spannungspumpenschal
tung 2 nach Fig. 1. Der Transistor T12 wird über eine Lade
kapazität C4 von einem Signal BV1 der Steuerungsschaltung 3
angesteuert. Der Steueranschluß des Transistors T12 ist au
ßerdem über einen Transistor T13 mit der Ladekapazität C1
verbunden. Der Transistor T13 wird dabei durch ein Signal BE1
der Steuerungsschaltung 3 angesteuert. Über den Transistor
T13 und die Ladekapazität C4 beziehungsweise mit den Signalen
BE1 und BV1 wird während des Betriebs sichergestellt, daß der
Transistor T12 vollständig leitet. Dazu wird die Steuerspan
nung des Transistors T12 auf einen geeignet hohen Wert einge
stellt. Die Ladekapazität C1 wird an dem Anschluß 11 durch
das Signal BM1 und der Transistor T11 durch das Signal BG1
der Steuerungsschaltung 3 angesteuert.
In Fig. 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Span
nungspumpenschaltung 2 gemäß Fig. 1 für die andere der bei
den Teilschaltungen gezeigt. Die in Fig. 3 bezüglich der La
dekapazität C2 gezeigte Schaltung ist analog zu der in Fig.
2 bezüglich der Ladekapazität C1 gezeigten Schaltung. Die
Steuerspannung des Transistors T22 wird über die Ladekapazi
tät C3 beziehungsweise das Signal BV2 und den Transistor T23
beziehungsweise das Signal BE2 auf einen geeigneten Wert ge
bracht. Die Signale BE2 und BV2 sind dabei aus der Steue
rungsschaltung 3 zugeführt. Der Anschluß 21 der Ladekapazität
C2 wird durch das Signal BM2, der Steueranschluß des Transi
stors T21 wird von dem Signal BG2 der Steuerungsschaltung 3
angesteuert.
Die Fig. 4 bis 6 zeigen jeweils Ausführungsbeispiele für
die Steuerungsschaltung 3 zur Erzeugung der Signale BV2, BM1
und BM2. Die Taktsignale CK1 und CK2 werden in der Steue
rungsschaltung 3 aus dem Taktsignal CK erzeugt. Gemäß Fig.
3 und 4 wird mittels des ersten Taktsignals CK1 der Steueran
schluß des Transistors T22 über die dritte Ladekapazität C3
angesteuert. Über das Taktsignal CK1 wird der Transistor T22
in den vorgegebenen Zeitintervallen geöffnet beziehungsweise
geschlossen. Die Schaltung nach Fig. 4 weist weiterhin ein
Steuersignal 51 auf, das zur Freischaltung der Ansteuerung
des Transistors T22 dient. Nur wenn das Signal 51 einen be
stimmten Zustand einnimmt, wird der Steueranschluß des Tran
sistors T22 durch das Taktsignal CK1 angesteuert. Das Signal
51 und das Taktsignal CK1 sind über ein NAND-Gatter miteinan
der verknüpft. Das Signal 51 wird über eine NAND-Verknüpfung
aus den Signalen EN, ST und dem Betriebsartensignal SB abge
leitet. Das Signal BV2 nimmt dauerhaft den Wert einer dritten
Versorgungsspannung, hier den Wert der Bezugsspannung GND an,
wenn das Signal SB den Stand-by-Betrieb der integrierten
Schaltung 1 anzeigt. Dadurch wird der Transistor T22 im
Stand-by-Betrieb dauerhaft im nicht leitenden Zustand gehal
ten. Dadurch ist die Ladekapazität C2 von dem Anschluß 30 der
Spannungspumpenschaltung 2 getrennt. Im Normalbetrieb kann
das Signal BV2 auch den Wert der Versorgungsspannung V4 an
nehmen.
Fig. 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel zur Erzeugung des Si
gnals BM1 zur Ansteuerung der Ladekapazität C1. Da die Lade
kapazität C1 im Stand-by-Betrieb nicht passiv geschaltet
wird, wird das Signal SB nicht zur Erzeugung des Signals BM1
herangezogen. Die zeitliche Abfolge des Signals BM1 wird
durch das zweite Taktsignal CK2 gesteuert. Das Signal BM1
kann die Spannungen GND und V5 annehmen.
Fig. 6 zeigt ein Ausführungsbeispiel zur Erzeugung des Si
gnals BM2. Danach wird die Ladekapazität C2 gemäß Fig. 3
ebenfalls durch das Taktsignal CK2 angesteuert. Dazu wird die
Ansteuerung der Ladekapazität C2 beziehungsweise das Signal
BM2 durch ein zweites Steuersignal 52 freigeschaltet. Das
zweite Taktsignal CK2 und das zweite Steuersignal 52 sind
über eine NAND-Verknüpfung miteinander verknüpft. Über die
nachgeschalteten Inverter nimmt der Anschluß 21 der Ladekapa
zität C2 gemäß Fig. 3 eine definierte Versorgungsspannung V6
beziehungsweise GND an. Das zweite Steuersignal 52 ist dabei
aus einer NAND-Verknüpfung der Signale EN, ST und des Be
triebsartensignals SB abgeleitet. Zeigt das Signal SB einen
Stand-by-Betrieb an, so nimmt das Signal BM2 dauerhaft den
Wert der Versorgungsspannung GND an. Dadurch liegt gemäß
Fig. 3 der Anschluß 21 der Ladekapazität C2 dauerhaft an der
Versorgungsspannung GND an. Die Ladekapazität C2 ist daher im
Stand-by-Betrieb passiv geschaltet und wird für die Erzeugung
der Pumpspannung Vpp nicht herangezogen. Da die Ladekapazität
C2 in dieser Betriebsart nicht auf- und entladen wird, ist
die Stromaufnahme der Spannungspumpenschaltung 2 im Vergleich
zu einem Normalbetrieb reduziert.
Claims (8)
1. Integrierte Schaltung
mit einer Spannungspumpenschaltung (2), die mit einem An schluß für eine erste Versorgungsspannung (V1) verbunden ist, zur Erzeugung einer Pumpspannung (Vpp), die dem Betrag nach größer als die erste Versorgungsspannung (V1) ist, mit einer ersten und zweiten Ladekapazität (C1, C2), an denen jeweils die Pumpspannung (Vpp) abgreifbar ist,
mit einer Steuerungsschaltung (3), die mit den Ladekapazi täten (C1, C2) verbunden ist, zur Steuerung der Erzeugung der Pumpspannung (Vpp),
die in einer ersten Betriebsart oder zweiten Betriebsart betreibbar ist, die sich in der Leistungsaufnahme der inte grierten Schaltung (1) unterscheiden,
die einen Anschluß für ein Betriebsartensignal (SB) auf weist, das einen Betrieb der integrierten Schaltung (1) in einer der Betriebsarten anzeigt,
bei der die Steuerungsschaltung (3) mit dem Anschluß für das Betriebsartensignal (SB) verbunden und derart ausgebildet ist, daß in einer der Betriebsarten ein Anschluß (21) der zweiten Ladekapazität (C2) dauerhaft mit einem Anschluß für eine feste zweite Versorgungsspannung (GND) verbunden ist.
mit einer Spannungspumpenschaltung (2), die mit einem An schluß für eine erste Versorgungsspannung (V1) verbunden ist, zur Erzeugung einer Pumpspannung (Vpp), die dem Betrag nach größer als die erste Versorgungsspannung (V1) ist, mit einer ersten und zweiten Ladekapazität (C1, C2), an denen jeweils die Pumpspannung (Vpp) abgreifbar ist,
mit einer Steuerungsschaltung (3), die mit den Ladekapazi täten (C1, C2) verbunden ist, zur Steuerung der Erzeugung der Pumpspannung (Vpp),
die in einer ersten Betriebsart oder zweiten Betriebsart betreibbar ist, die sich in der Leistungsaufnahme der inte grierten Schaltung (1) unterscheiden,
die einen Anschluß für ein Betriebsartensignal (SB) auf weist, das einen Betrieb der integrierten Schaltung (1) in einer der Betriebsarten anzeigt,
bei der die Steuerungsschaltung (3) mit dem Anschluß für das Betriebsartensignal (SB) verbunden und derart ausgebildet ist, daß in einer der Betriebsarten ein Anschluß (21) der zweiten Ladekapazität (C2) dauerhaft mit einem Anschluß für eine feste zweite Versorgungsspannung (GND) verbunden ist.
2. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die zweite Versorgungsspannung (GND) eine Bezugsspannung der
integrierten Schaltung (1) ist.
3. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Spannungspumpenschaltung (2) ein Schaltmittel (T22) aufweist, das die zweite Ladekapazität (C2) mit einem An schluß (30) zum Abgriff der Pumpspannung (Vpp) verbindet,
ein Steueranschluß des Schaltmittels (T22) von der Steue rungsschaltung (3) ansteuerbar ist und
die Steuerungsschaltung (3) derart ausgebildet ist, daß in einer der Betriebsarten der Steueranschluß des Schaltmittels (T22) dauerhaft mit einer festen dritten Versorgungsspannung (GND) ansteuerbar ist.
die Spannungspumpenschaltung (2) ein Schaltmittel (T22) aufweist, das die zweite Ladekapazität (C2) mit einem An schluß (30) zum Abgriff der Pumpspannung (Vpp) verbindet,
ein Steueranschluß des Schaltmittels (T22) von der Steue rungsschaltung (3) ansteuerbar ist und
die Steuerungsschaltung (3) derart ausgebildet ist, daß in einer der Betriebsarten der Steueranschluß des Schaltmittels (T22) dauerhaft mit einer festen dritten Versorgungsspannung (GND) ansteuerbar ist.
4. Integrierte Schaltung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Steueranschluß des Schaltmittels (T22) über eine dritte
Ladekapazität (C3) ansteuerbar ist.
5. Integrierte Schaltung nach Anspruch 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
die dritte Versorgungsspannung (GND) eine Bezugsspannung der
integrierten Schaltung ist.
6. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 3 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Steuerungsschaltung (3) einen Anschluß für ein erstes Taktsignal (CK1) aufweist zur Ansteuerung des Steueranschlus ses des Schaltmittels (T22) und einen Anschluß für ein erstes Steuersignal (51) zur Freischaltung der Ansteuerung des Schaltmittels (T22),
das erste Taktsignal (CK1) und das erste Steuersignal (51) miteinander verknüpft sind,
das erste Steuersignal (51) aus dem Betriebsartensignal (SB) abgeleitet ist.
die Steuerungsschaltung (3) einen Anschluß für ein erstes Taktsignal (CK1) aufweist zur Ansteuerung des Steueranschlus ses des Schaltmittels (T22) und einen Anschluß für ein erstes Steuersignal (51) zur Freischaltung der Ansteuerung des Schaltmittels (T22),
das erste Taktsignal (CK1) und das erste Steuersignal (51) miteinander verknüpft sind,
das erste Steuersignal (51) aus dem Betriebsartensignal (SB) abgeleitet ist.
7. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Steuerungsschaltung (3) einen Anschluß für ein zweites Taktsignal (CK2) aufweist zur Ansteuerung der zweiten Ladeka pazität (C2) und einen Anschluß für ein zweites Steuersignal (52) zur Freischaltung der Ansteuerung der zweiten Ladekapa zität (C2),
das zweite Taktsignal (CK2) und das zweite Steuersignal (52) miteinander verknüpft sind,
das zweite Steuersignal (52) aus dem Betriebsartensignal (SB) abgeleitet ist.
die Steuerungsschaltung (3) einen Anschluß für ein zweites Taktsignal (CK2) aufweist zur Ansteuerung der zweiten Ladeka pazität (C2) und einen Anschluß für ein zweites Steuersignal (52) zur Freischaltung der Ansteuerung der zweiten Ladekapa zität (C2),
das zweite Taktsignal (CK2) und das zweite Steuersignal (52) miteinander verknüpft sind,
das zweite Steuersignal (52) aus dem Betriebsartensignal (SB) abgeleitet ist.
8. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
die integrierte Schaltung (1) eine Speicherschaltung vom Typ
RAM enthält.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10031207A DE10031207A1 (de) | 2000-06-27 | 2000-06-27 | Integrierte Schaltung mit einer Spannungspumpenschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10031207A DE10031207A1 (de) | 2000-06-27 | 2000-06-27 | Integrierte Schaltung mit einer Spannungspumpenschaltung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10031207A1 true DE10031207A1 (de) | 2002-01-10 |
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ID=7646926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10031207A Ceased DE10031207A1 (de) | 2000-06-27 | 2000-06-27 | Integrierte Schaltung mit einer Spannungspumpenschaltung |
Country Status (1)
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---|---|
DE (1) | DE10031207A1 (de) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2111336A (en) * | 1981-12-17 | 1983-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | Substrate biassing |
US5509141A (en) * | 1994-11-07 | 1996-04-23 | Baby Biz Products, Inc. | Insulated bib apparatus |
EP0798845A2 (de) * | 1996-03-26 | 1997-10-01 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Spannungsüberhöhungsschaltung mit Modussignal |
DE19752985A1 (de) * | 1997-11-28 | 1999-06-02 | Siemens Ag | Halbleiterschaltungsanordnung mit monolithisch integrierten Schaltkreisen und einer Spannungspumpenschaltung |
US5929694A (en) * | 1997-04-10 | 1999-07-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having voltage generation circuit |
US6023187A (en) * | 1997-12-23 | 2000-02-08 | Mitsubishi Semiconductor America, Inc. | Voltage pump for integrated circuit and operating method thereof |
-
2000
- 2000-06-27 DE DE10031207A patent/DE10031207A1/de not_active Ceased
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2111336A (en) * | 1981-12-17 | 1983-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | Substrate biassing |
US5509141A (en) * | 1994-11-07 | 1996-04-23 | Baby Biz Products, Inc. | Insulated bib apparatus |
EP0798845A2 (de) * | 1996-03-26 | 1997-10-01 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Spannungsüberhöhungsschaltung mit Modussignal |
US5929694A (en) * | 1997-04-10 | 1999-07-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having voltage generation circuit |
DE19752985A1 (de) * | 1997-11-28 | 1999-06-02 | Siemens Ag | Halbleiterschaltungsanordnung mit monolithisch integrierten Schaltkreisen und einer Spannungspumpenschaltung |
US6023187A (en) * | 1997-12-23 | 2000-02-08 | Mitsubishi Semiconductor America, Inc. | Voltage pump for integrated circuit and operating method thereof |
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