DE1000863B - Elektronischer Schaltkontakt - Google Patents

Elektronischer Schaltkontakt

Info

Publication number
DE1000863B
DE1000863B DEN11152A DEN0011152A DE1000863B DE 1000863 B DE1000863 B DE 1000863B DE N11152 A DEN11152 A DE N11152A DE N0011152 A DEN0011152 A DE N0011152A DE 1000863 B DE1000863 B DE 1000863B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
collector
transistor
electrode
emitter
base electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN11152A
Other languages
English (en)
Inventor
Johannes Wilhelmus Ma Adrianus
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1000863B publication Critical patent/DE1000863B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/68Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors specially adapted for switching ac currents or voltages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L25/00Baseband systems
    • H04L25/02Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
    • H04L25/20Repeater circuits; Relay circuits
    • H04L25/24Relay circuits using discharge tubes or semiconductor devices
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q3/00Selecting arrangements
    • H04Q3/42Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker
    • H04Q3/52Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements
    • H04Q3/521Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements using semiconductors in the switching stages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Processing Of Solid Wastes (AREA)
  • Debarking, Splitting, And Disintegration Of Timber (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Schließen und Unterbrechen einer Leitung, über welche in beiden Richtungen Wechselströme, z. B. Sprechströme, übertragbar sind. Es ist bereits eine derartige Vorrichtung vorgeschlagen worden mit einem Zonentransistor, der eine Emitterelektrode, eine Kollektorelektrode und eine Basiselektrode besitzt, wobei die beiden erstgenannten Elektroden in Reihe mit der Leitung geschaltet sind. Eine solche Vorrichtung kann z. B. in einer Schaltungsanordnung für den Selbstanschlußbetrieb, z. B. als Glied eines elektronischen Wählers, benutzt werden.
Die Vorrichtung nach der Erfindung weist das Merkmal auf, daß sie einen zweiten gleichartigen Zonentransistor mit einer Emitterelektrode, einer Kollektorelektrode und einer Basiselektrode enthält, von denen der Kollektor mit der Basiselektrode des ersten Transistors und der Emitter mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden und die Basiselektrode des zweiten Transistors mit dem Kollektor des ersten Transistors gekoppelt ist, so daß die beiden Transistoren abwechslungsweise einen hohen und einen niedrigen Differentialwiderstand zwischen Kollektorelektrode und Emitterelektrode aufweisen und bei unterbrochener Leitung die Übertragung über diese durch den hohen Differentialwiderstand des als Längsglied geschalteten Kollektor-Emitter-Kreises des ersten Transistors und durch den niedrigem Differentialwiderstand des als Querglied wirkenden Kollektor-Emitter-Kreises des zweiten Transistors gedämpft wird.
Es sei bemerkt, daß einei Kippschaltanordnung mit zwei gleichartigen Transistoren, bei denen die Basiselektroden mit den Kollektorelektroden des anderen Transistors gekoppelt sind, an sich bereits bekannt ist.
Im unterbrochenen Zustand übertragen die bekannten Vorrichtungen einen nicht vernachlässigbaren Teil des Signals, welcher an einen Teil der Leitung gelegt wird, auf den anderen Teil dieser Leitung, die sie ausschalten sollten. Daraus folgt, daß der Wert des Emitter-Kollektor-Widerstandes des Transistors nicht groß genug ist und/oder daß dieser Transistor nicht vernachlässigbare Kollektorbasis- und Emitterbasiskapazitäten besitzt. In dem unterbrochenen Zustand bildet die Vorrichtung eigentlich ein aus Widerständen bestehendes T-Glied, wovon das Querelement einen verhältnismäßig hohen Wert aufweist und dessen Längselemente durch kleine Kapazitäten überbrückt sind. Das unvermeidliche Ergebnis davon ist ein gewisses Maß von Übersprechen, welches die Erfindung vermeidet.
Die Erfindung wird an Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles näher erläutert.
Elektronischer Sdialtkontakt
Anmelder:
N. V. Philips1 Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dipl.-Ing. K. Lengner, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7 V
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 8. September 1964
Adrianus Johannes Wilhelmus Marie van Overbeek,
Eindhoven (Niederlande),
ist als Erfinder genannt worden
Die Zeichnung stellt einen elektronischen Schalter dar zum Schließen und Unterbrechen einer nicht abas gebildeten, an die Klemmen X1 und K2 angeschlossenen Leitung. Die Vorrichtung besitzt zwei Zonentraneistoren T1 und T2 vom p-n-p-Typ je mit einer Emitterelektrode ex bzw. e2, einer Basiselektrode ^1 bzw. b2 und einer Kollektorelektrode C1 bzw. C2. Der Transistör T1 bildet den eigentlichen Schaltkontakt. Sein Kollektor C1 ist über einen Kopplungskondensator CC1 mit der Klemme K1 verbunden, der Emitter ex über den Kondensator CC2 mit der Klemme K2 gekoppelt. Die Kollektorelektrode C1 ist weiter an einen Anzapfungspunkt des Spannungsteilers R1, R2, Rs angeschlossen, der zwischen einem Speisepunkt P1 mit einem Potential von —20 Volt und einem Speisepunkt P2 mit einem Potential· von + 12 Volt liegt. Die Basiselektrode b2 des Transistors T2 ist mit einem zweiten Anzapfungspunkt des genannten Spannungsteilers verbunden. Die. Emitterelektrode e2 liegt unmittelbar an Erde* Die Basiselektrode bt des Transistors T1 ist mit dem Kollektor c2 des Transistors T2 und weiter über den Widerstand Rt mit dem Speisepunkt P1 verbunden. Die Emitterelektrode ex wird über den Spannungsteiler R6, Re vorgespannt. Die Schaltanordnung kann sich in zwei verschiedenen, elektrisch stabilen Zuständen befinden. Im ersten Zustand ist der elektrische Kontakt »geschlossen«, d. k, daß der Tran-SiStOrT1 leitend ist; der Differentialwiderstand zwischen dem Kollektor C1 und dem Emitter ex ist dann verhältnismäßig niedrig. Das Potential der Punkte A, B, C und D ist hierbei z. B. gleich + 1, —6,1, —6,4 und —6,1 Volt. Die Spannung der Basiselektrode b2
«09 T66/149
ist dann also positiv in bezug auf die des Kollektors C2 und des Emitters e2, so daß der Transistor T2 gesperrt ist und einen hohen Ableitungswiderstand, z, B. 100000 Ohm oder höher, von der Basiselektfode Jb1 zur Erde darstellt. Wenn die Belastung an dem Klemmen K1 und .KT2 z. B. gleich 600 Ohm ist, entsprechend dem Wellenwiderstand einer Übertragungsleitung, kann nach angestellten Messungen die Dämpfung durch den elektronischen Kontakt in beiden Richtungen kleiner als 0,5 dB, se in.
Im anderen Zustand ist der elektrische Kontakt geöffnet. Die Spannungen an den Punkten A, B, C und D betragen dann z,B> ί—0,1, —10, —0,2 und—2,5 Volt. Bei diesen Werten ist der Transistor T1 gesperrt, der Transistor T2 leitend. In nichtleitendem Zustand hat der Transistor T1 einen hohen Differentialwiderstand zwischen dem Kollektor C1 und dem Emitter ex in bezug auf Gleichspannungsänderungen. Es könnte aber über die kapazitive Kopplung zwischen dem Kollektor C1 und der Basiselektrode bx sowie zwischen ao der Basiselektrode b1 und dem Emitter ex immer noch eine gewisse Übertragung ton Wechselströmen zwischen den Klemmen. JC1 und K2 stattfinden. Im vorliegenden Fall ist aber der Transistor T2 leitend, und es tritt ein verhältnismäßig niedriger Differential·- as widerstand zwischen dem Kollektor C2 und dem Emitter ez auf, so daß die Basiselektrode Jb1 für Wechselspannung wirksam geerdet ist.
Die Vorrichtung kann aus dem leitenden Zustand in den nichtleitenden Zustand, oder umgekehrt, unter Steuerung von Impulsen an der Klemme K3 übergeführt werden. Gegebenenfalls kann die Vorrichtung auch von Impulsen gesteuert werden, die über die Leitung selbst, 2. B. über die Klemme K1, zugeführt werden; in diesem Fall ist der Punkte kapazitiv mit der Klemme K1 zu koppeln.

Claims (1)

  1. Patentanspruch
    Vorrichtung zum Schließen und Unterbrechen einer Leitung, über die in beiden Richtungen Wechselströme übertragbar sind, mit einem Zonentransistor, der eine Emitterelektrode, eine Kollektorelektrode und eine Basiselektrode besitzt, von denen die beiden erstgenannten Elektroden in Reihe mit der Leitung geschaltet sind, dadurch gekennzeichnet, daß sie einen zweiten gleichartigen Zonentransistor (T2) mit einer Emitterelektrode (e2), einer Kollektorelektrode (c2) und einer Basiselektrode (fe8) enthält, von denen der Kollektor (c2) mit der Basiselektrode (&t) des ersten Transietor (T1) und der Emitter (^2) mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden und die Basiselektrode (b2) des zweiten Transistors mit dem Kollektor (ct) des ersten Transistors gekoppelt ist, so daß die beiden Transistoren abwech&- lungsweise einen hohen und einen niedrigen Differentialwiderstand zwischen Kollektorelektrode und Emitterelektrode aufweisen und bei unterbrochener Leitung die t) bertragung über diese durch den hohen Differentialwiderstand des als Längsglied geschalteten Kollektor-Emitter-Kreises des ersten Transistors und durch den niedrigen Differentialwiderstand des als Querglied wirkenden Kollektor-Emitter-Kreises des zweiten Transistors gedämpft wird.
    In Betracht gezogene Druckschriften:
    »Electronic Engineering«, Sept. 1953, S. 363.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
    1 «09 7M/149 1.
DEN11152A 1954-09-08 1955-09-05 Elektronischer Schaltkontakt Pending DE1000863B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL334450X 1954-09-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1000863B true DE1000863B (de) 1957-01-17

Family

ID=19784490

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DENDAT100863D Active DE100863C (de) 1954-09-08
DEN11152A Pending DE1000863B (de) 1954-09-08 1955-09-05 Elektronischer Schaltkontakt

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DENDAT100863D Active DE100863C (de) 1954-09-08

Country Status (7)

Country Link
US (1) US2829281A (de)
BE (1) BE541096A (de)
CH (1) CH334450A (de)
DE (2) DE1000863B (de)
FR (1) FR1130859A (de)
GB (1) GB782780A (de)
NL (2) NL98354C (de)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL215101A (de) * 1956-03-06
US2956175A (en) * 1956-07-30 1960-10-11 Rca Corp Transistor gate circuit
US2979625A (en) * 1956-09-04 1961-04-11 Rca Corp Semi-conductor gating circuit
US2939965A (en) * 1956-12-20 1960-06-07 Abraham George Electrical switching circuit
US2931921A (en) * 1957-03-19 1960-04-05 Westinghouse Electric Corp Transistor switching circuits
US3105224A (en) * 1957-08-06 1963-09-24 Sperry Rand Corp Switching circuit in a matrix arrangement utilizing transistors for switching information
FR1185907A (fr) * 1957-11-08 1959-08-10 Cie Ind Des Telephones Dispositif de point de connexion notamment pour commutation électronique
US2945967A (en) * 1957-12-12 1960-07-19 Burroughs Corp Load switching circuit
US3015737A (en) * 1958-03-31 1962-01-02 Gen Dynamics Corp Transistorized phase discriminator
US3056064A (en) * 1958-04-08 1962-09-25 Warwick Mfg Corp Transistor switch
US3054908A (en) * 1958-06-03 1962-09-18 Galopin Anthony Selective bipolarity switching network for memory arrays
US3214678A (en) * 1958-08-25 1965-10-26 Martin Marietta Corp Transistor regulated supply employing inverse biasing networks for temperature stabilization
US3105198A (en) * 1958-08-25 1963-09-24 Martin Marietta Corp Transistor amplifier temperature stabilization circuits
CH371713A (de) * 1959-09-01 1963-08-31 Bbc Brown Boveri & Cie Ubertragungs- und Schalteinrichtung für kleine Gleichströme
US3005114A (en) * 1959-11-09 1961-10-17 Eugene J Martin Power switching device
US3149239A (en) * 1960-02-09 1964-09-15 Int Standard Electric Corp Transistor switch utilizing a control transistor and zener diode
US3109108A (en) * 1961-08-18 1963-10-29 Bell Telephone Labor Inc High speed stepping switch circuit
US3201600A (en) * 1961-09-19 1965-08-17 Sperry Rand Corp Transistor switching circuit with means to neutralize minority carrier storage
CH407216A (de) * 1962-09-20 1966-02-15 Roger Prof Dessoulavy Elektronische Unterbrecherschaltung
US3371228A (en) * 1963-06-26 1968-02-27 Gen Electric Transistor electronic switch with base control stage
US7408396B2 (en) * 2006-05-18 2008-08-05 Continental Teves, Inc. High voltage protection circuit

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US298416A (en) * 1884-05-13 Two-wheeled vehicle
US2718591A (en) * 1951-09-18 1955-09-20 Bendix Aviat Corp Function generator

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Also Published As

Publication number Publication date
BE541096A (de)
DE100863C (de)
CH334450A (de) 1958-11-30
FR1130859A (fr) 1957-02-13
NL98354C (de)
GB782780A (en) 1957-09-11
US2829281A (en) 1958-04-01
NL190621A (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1000863B (de) Elektronischer Schaltkontakt
DE2323478A1 (de) Datenuebertragungsanordnung
DE1029874B (de) Bistabile Schaltung mit in der Aufeinanderfolge ihrer Zonen verschiedener Stoerstellendichte zueinander komplementaerer Flaechentransistoren
DE1217443B (de) Impulsfrequenzteiler
DE2122292C3 (de) Treiberschaltung für eine an einer Übertragungsleitung angeschlossene externe Last
DE3019761C2 (de) Schaltungsanordnung zum Zuführen von Signalen an eine Fernsprechleitung
DE1274258B (de) Transistoranpassungsschaltung in Basisschaltung
DE1537185B2 (de) Amplitudenfilter
DE1762360A1 (de) Verstaerker fuer biologische Messungen
DE855129C (de) Schalter und Abschwaecher
DE2841537C2 (de) Integrierte Synchronsignalverarbeitungsschaltung
DE1088096B (de) Bistabiler binaerer Transistorschaltkreis
DE2322783C3 (de) Elektronischer Schalter zum Durchschalten von Hochfrequenzsignalen
DE1271214B (de) Frequenzmodulationsschaltung
DE2016589A1 (de) Variables Dampfungsglied mit niedn ger Eingangsimpedanz und einem Verstarker
DE1249922B (de) Schaltungsanordnung zum wahlweisen Durchschalten zweier je an einem Eingangsleitungszweig anliegender Wechselspannungen zu einem Ausgangsklemmenpaar
DE2830481A1 (de) Schutzschaltung fuer einen gegentaktleistungsverstaerker
DE1139546B (de) Relaislose Verzoegerungsschaltung mit Transistoren
DE1200881C2 (de) Regelbarer gleichstromgekoppelter Verstaerker
DE2834953C2 (de)
DE1090264B (de) Exklusives Oder-Tor mit zwei Eingangsklemmen, einer Ausgangsklemme und zwei Transistoren derselben Leitungsart
AT210473B (de) Schaltungsanordnung für einen Trägerwellenmodulator oder -demodulator
DE975754C (de) Anordnung zur Entdaempfung von UEbertragungsleitungen mittels negativer Widerstaendeunter Verwendung von Halbleiterverstaerkern
DE2461156C3 (de) Schaltungsanordnung zum Schalten von Tonmodulationssignalen und Kreuzschienenkarte mit derartigen Schaltungsanordnungen
DE1537437C (de) Monostabile Kippstufe