DE10008180A1 - Elektronische Gebereinrichtung - Google Patents

Abstract

Um bei einer Gebereinrichtung (100; 110), beispielsweise für einen Sensor (1), im Betrieb auf der Empfangsseite mittels einer Signalerkennungseinrichtung (5) einen Fehlerzustand aufgrund eines Leitungsbruches in den Versorgungszuleitungen (28, 40) zu erkennen, wird die Geberausgangsspannung (u) zwangsweise mittels eines mitintegrierten p-Kanal-Depletion-Transistors (3) in einen extremen Spannungsbereich gezogen, wodurch von der Signalerkennungseinrichtung (5) sicher das Vorliegen eines Fehlerzustandes erkannt wird.

Description

Die Erfindung betrifft eine elektronische Gebereinrichtung. Derartige Gebereinrichtungen enthalten oft einen Sensor zur Messung eines äußeren Zustandes, der mittels des Gebers als elektrisches Signal einer Signalerfassungseinrichtung zugeführt wird. Sehr störend sind bei derartig exponierten Gebern Unterbrechungen der Versorgungs­ zuleitungen, insbesondere eine Unterbrechung der Massezuleitung. Derartige Unterbrechungen müssen in vielen Fällen von der Signalerfassungseinrichtung erkannt werden, um nicht fehlerhaft als korrektes Gebersignal interpretiert zu werden.

Derartige Gebereinrichtungen werden beispielsweise ersatzweise für Potentiometeranordnungen verwendet, mit denen die jeweilige Position einer mechanischen Stelleinrichtung von einer elektronischen Verarbeitungseinrichtung, z. B. einem Prozessor, abgefragt werden kann. Breite Anwendungen finden sich beispielsweise im Kraftfahrzeug, wenn die Stellung von Motorsteuereinrichtungen, Bremsen, Scheinwerfern, Sitzen usw. auszuwerten oder zu speichern sind. Da der mechanische Verschleiß derartiger Potentiometeranordnungen im Laufe der Zeit zu fehlerhaften Messungen oder gar Betriebsausfällen führen kann, werden zunehmend berührungsfreie Meßverfahren unter Verwendung von Sensoren zur Erfassung der jeweiligen Position verwendet. Eine ähnliche Anwendung derartiger Gebereinrichtungen betrifft die Messung und Weitergabe von Temperatur, Druck, Feuchtigkeit, Helligkeit und anderen physikalischen Größen über entsprechende Sensoren.

In DE 197 51 519 A1 ist beispielsweise eine Gebereinrichtung mit einem Hallsensor für einen Linearsensor beschrieben, der zwei gegeneinander verschiebbare mechanische Teile enthält, deren Relativposition durch die Gebereinrichtung gemessen wird. Die Gebereinrichtung enthält eine Fehlermeldeschaltung zur Ausgabe eines definierten Spannungssignals bei Unterbrechung der Masseverbindung. Die Unterbrechung einer der drei Anschlußleitungen der Gebereinrichtung kann in den vorgesehenen Anwendungs­ fällen im Kraftfahrzeug leicht auftreten, weil der Linearsensor hohen Vibrationen ausge­ setzt ist und die Gebereinrichtung über drei Anschlußleitungen mit einer Steckverbindung auf dem Linearsensor verbunden sind, von der aus dann drei Leitungen an die Auswerte- und Versorgungsschaltung gehen. Die Fehlermeldeschaltung enthält einen steuerbaren Widerstand, einen n-Kanal-Depletion-MOS-Feldeffekt-Transistor, der zwischen die posi­ tive Betriebsspannungsleitung und die Ausgangsleitung der Gebereinrichtung geschaltet ist. Die Gate-Elektrode des Depletion-Transistors ist mittels eines von der Betriebsspan­ nung gespeisten Gleichspannungswandlers im normalen Betriebszustand - also ohne Leitungsunterbrechung - auf ein ausreichend tiefes Potential gelegt, so daß der Depletion-Transistor sperrt. Das Gate-Potential liegt dabei beispielsweise 1 V unterhalb des Massepotentials. Bei einer Unterbrechung der Masseleitung ist der Gleichspannungs­ wandler außer Funktion und seine Ausgangsspannung entspricht damit der Betriebs­ spannung. Dadurch befindet sich der Depletion-Transistor im voll leitenden Zustand, so daß dieser das Potential der Ausgangsleitung etwa auf das Potential der Betriebsspan­ nung hochzieht, was für die Signalerfassungseinrichtung als fehlerhaftes Signal erkenn­ bar ist. Die Unterbrechung der Betriebsspannungsleitung ist weniger kritisch, weil in diesem Fall der Geberausgang das Massepotential annimmt, das auf der Empfangsseite leicht als fehlerhaftes Signal erkennbar ist. Es wird ferner angegeben, daß die gesamte Gebereinrichtung mit Fehlermeldeschaltung auch als mikroelektronischer Schaltkreis integrierbar ist und dies eine bevorzugte Ausgestaltung darstellt.

In EP 0 648 019 A2 (eigenes Aktenzeichen: C-1463EP) ist ein monolithisch integrierter Spannungsregler in CMOS-Technik beschrieben, der als Verpolungsschutz eine in Reihe zum Spannungsregler geschaltete MOS-Transistorstruktur enthält, die im Verpolungsfall den resultierenden Verpolungsstrom soweit reduziert, daß eine Zerstörung der monolithisch integrierten Schaltung verhindert wird. Ferner enhält das beschriebene Ausführungsbeispiel auch Schaltungsmaßnahmen, um den Betrieb an einer Versorgungsspannung zu ermöglichen, deren Spannung höher ist, als nach dem zugrundeliegenden Herstellungsstandard, beipielsweise eine standardisierte CMOS- Technik, an sich zulässig wäre.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die bekannte Gebereinrichtung an einen standardisierten Herstellungsprozeß für monolithisch integrierte Schaltungen, insbesondere ein CMOS-Herstellungsprozeß, anzupassen. Als eine zusätzliche Aufgabe sind Vorkehrungen zu treffen, die eine Zerstörung der monolithisch integrierten Schaltung beim Anlegen einer Überspannung und/oder bei der Vertauschung oder Verpolung der Anschlüsse verhindern.

Als Lösung wird vorgeschlagen, daß in der monolithisch integrierten Gebereinrichtung außer der üblichen Betriebsschaltung ein von einer Ladungspumpe gesteuerter p-Kanal-Depletion-Transistor in einer eigenen n-Wanne zwischen den Betriebsspannungsanschluß und den Signalausgang eingefügt ist, der im normalen Betriebsfall, bei dem die Betriebsspannung und das Massepotential an der Gebereinrichtung und damit an der Ladungspumpe anliegen, gesperrt und bei Unterbrechung der Massezuleitung leitend ist. Die n-Wanne im p-leitenden Substrat ist über einen mitintegrierten Widerstand mit dem Betriebsspannungsanschluß verbunden. Die Ladungspumpe und der Depletion-Transistor bilden die Fehlermeldeschaltung. Durch die Verwendung des p-Kanal-Depletion-Transistors in der eigenen Wanne wird erreicht, daß dieser Transistor mit einer positiven Spannung gesperrt werden kann und damit alle Spannungen höher als das Potential am Substrat der monolithisch integrierten Schaltung sind.

Der Schutz der Gebereinrichtung gegen das Vertauschen der Anschlüsse beim Anlegen der Betriebsspannung ist bei der Umsetzung der Gebereinrichtung in eine monolithisch integrierte Schaltung zu beachten. Denn durch eine falsch angelegte Betriebsspannung werden in der monolithisch integrierten Schaltung ansonsten gesperrte Zonen in Flußrichtung gebracht, die unter Umständen einen hohen Stromfluß zur Folge haben, der letztendlich zur Zerstörung des Bauelements führt. Um den vorgesehenen Schutz gegen das Vertauschen der Anschlüsse der Betriebsspannung zu ermöglichen, sieht die Erfindung vor, daß die n-Wanne des MOS-Depletion-Transistors nicht wie üblich direkt, sondern über einen mitintegrierbaren Widerstand mit dem Betriebsspannungsanschluß verbunden ist. Ein im Verpolungsfall über die Wanne fließender Strom wird somit mindestens durch diesen Widerstand begrenzt. Damit ist der zwischen dem Betriebsspannungsanschluß und dem Signalausgang liegende Depletion-Transistor auch gegen das versehentliche Anlegen der Betriebsspannung an den Signalausgang geschützt.

Um eine Unterbrechung der Betriebsspannungzuleitung auf der Empfängerseite zu erkennen, sieht eine Weiterbildung der Erfindung vor, daß der Signalausgang der Gebereinrichtung und/oder der Signaleingang der Empfangseinrichtung über einen mitintegrierten oder externen Widerstand mit dem Massepotential verbunden ist, der den Signalausgang unabhängig von parasitären Strömen oder Kapazitäten rasch auf das Massepotential zieht. Mittels des Widerstandes nach Masse am Signaleingang der Empfangseinrichtung wird dort auch eine Unterbrechung der externen Signalleitung als fehlerhafter Betrieb der gesamten Anordnung sicher erkannt. Die Widerstände nach Masse sind dabei wesentlich hochohmiger als der Innenwiderstand der Gebereinrichtung.

Falls die Betriebsspannung höher als die von der jeweiligen Schaltungstechnologie vorgegebenen Grenzspannungswerte sind, also auch im Fall kurzzeitiger Überspannungen, die beispielsweise während des Betriebs in einem Kraftfahrzeug auftreten können, soll der Depletion-Transistor vor zu hohen Spannungen geschützt werden. Hierfür sieht eine bevorzugte Weiterbildung der Erfindung vor, daß die zu hohe Spannung auf zwei in Reihe geschaltete p-Kanal-Depletion-Transistoren aufgeteilt wird. Im normalen Betriebsfall befindet sich der eine im Sperrzustand und der andere ist als Kaskodetransistor geschaltet und damit leitend. Sein Gate wird über eine die Kaskodesteuerspannung erzeugende Ansteuerschaltung gesteuert, deren Ausgangsspannung etwa hälftig zwischen dem jeweiligen Betriebsspannungs- und Massepotential liegt, so daß die zu hohe Betriebsspannung etwa zu gleichen Teilen auf die beiden p-Kanal-Depletion-Transistoren augeteilt wird. Wird die Masseleitung unterbrochen, dann sind durch die fehlenden Ansteuerspannungen beide p-Kanal- Depletion-Transistoren leitend und ziehen den Signalausgang etwa auf die anliegende Betriebsspannung hoch. Für den Schutz der übrigen Schaltung gegen eine zu hohe Betreibsspannung werden zweckmäßigerweise ebenfalls Kaskodestufen verwendet, die beispielsweise in der bereits genannten eigenen europäischen Patentanmeldung EP-0 648 019 A2 ausführlich beschrieben sind. Eine nochmalige Beschreibung erübrigt sich daher.

Die Erfindung und vorteilhafte Weiterbildungen werden nachstehend anhand der Figuren der Zeichnung näher erläutert. Hierbei stellen dar:

Fig. 1 als Blockschaltbild eine erfindungsgemäße Gebereinrichtung,

Fig. 2 ein Schaubild der Ausgangsspannung,

Fig. 3 in Schnittansicht den MOS-Depletion-Transistor von Fig. 1 und

Fig. 4 ein Beispiel für den Überspannungsschutz.

Fig. 1 zeigt schematisch als Blockschaltbild ein Ausführungsbeispiel für eine erfindungsgemäße Gebereinrichtung 100 mit einem Sensor 1. Über eine externe Signalleitung 60 liefert die Gebereinrichtung entsprechend dem Wert des zu messenden externen Zustandes s Sensorsignale an eine Empfangseinrichtung 50, beispielsweise als ein analoges Signal, nämlich eine Ausgangsspannung u am Signalausgang 7. Die Abhängigkeit kann dabei linear sein oder einer vorgegebenen Kurve folgen. Die Gebereinrichtung 100 enthält den schematisch dargestellten Sensor 1, der beispielsweise ein von einer Stromquelle 36 gespeister Hallsensor sein kann, einen Verstärker 2, einen p-Kanal-Depletion-Transistor 3 in MOS-Technik und eine Ladungspumpe 4. Die Betriebsspannung VDD wird über eine externe Betriebsspannungszuleitung 40 einem Betriebsspannungsanschluß 29 und das Massepotential M über eine externe Massezuleitung 28 einem Masseanschluß 30 zugeführt. Der Sensor 1 gibt an seinen Analogausgängen ein Sensorsignal als Differenzsignal ab, welches dem Differenzeingang des Verstärkers 2 zugeführt wird. Das Sensorsignal wird in dem Verstärker 2 definiert verstärkt und auf eine interne Signalleitung 6 gegeben, die mit einem Signalausgang 7 der Gebereinrichtung 100 über einen Schutzwiderstand 14 verbunden ist. Der Schutzwiderstand 14 schützt den Signalausgang 7 und die zugehörigen Schaltungsteile, falls an ihm eine negativere Spannung angelegt wird als am Anschluß 30 für das Massepotential M. Dies tritt beispielsweise beim versehentlichen Anlegen des Massepotentials M an den Signalausgang 7 und der Betriebsspannung VDD an den Masseanschluß 30 auf. In dem Blockschaltbild von Fig. 1 sind die Wanne- Substrat-Diode 23 des p-Kanal-Depletion-Transistors 3 und die Drain-Substrat-Diode des n-Kanal-Transistors, die bei einer üblichen Gegentaktendstufe des Verstärkers 2 als parasitäres Element vorhanden ist, schematisch als gestrichelte Diodensymbole dargestellt. Beim Vertauschen der Anschlüsse 29, 30, 7 sind die Flußstrecken dieser Dioden zu berücksichtigen.

Die Ausgangsspannung u wird von einer Empfangseinrichtung 50 mittels einer Signalerkennungseinrichtung 5 ausgewertet, deren Signaleingang 8 über eine mehr oder weniger lange externe Signalleitung 60 mit dem Signalausgang 7 der Gebereinrichtung 100 verbunden ist. Bei einer Betriebsspannung VDD von 5 Volt umfaßt die Ausgangsspannung u im Normalfall einen mittleren Spannungsbereich zwischen der Betriebsspannung VDD und dem Massepotential M, der beispielsweise zwischen 0.5 Volt und 4.5 Volt liegt. Ausgangsspannungen u außerhalb dieses Bereichs werden von der Signalerkennungseinrichtung 5 als Fehlersignale erkannt und weisen auf einen Fehlerzustand des Gesamtsystems, insbesondere aber der Gebereinrichtung 100 oder der Signalleitung 60 hin.

Der p-Kanal-Depletion-Transistor 3 weist einen Source-Anschluß 9, einen Drain-Anschluß 10, einen Gate-Anschluß 11 und einen Wanne-Anschluß 12 auf, wobei der Source- Anschluß 9 mit dem Betriebsspannungsanschluß 29, der Drain-Anschluß 10 mit der internen Signalleitung 6, der Gate-Anschluß 11 mit einem Ausgang der Ladungspumpe 4 und der Wannen-Anschluß 12 über einen ersten Widerstand 13 gemeinsam mit dem Source-Anschluß 9 und dem Betriebsspannungsanschluß 29 verbunden ist. Der Widerstand 13 dient wie bereits erwähnt dem Schutz gegenüber einer Vertauschung des Betriebsspannungs- und Masseanschlusses. Der Signalausgang 7 ist über einen zweiten Widerstand 15 mit dem Masseanschluß 30 verbunden und der Signaleingang 8 der Signalerkennungsschaltung 5 über einen dritten Widerstand 16 mit dem dortigen Massepotential M. Wie bereits angegeben dient dies der Erkennung einer Unterbrechung der externen Signalleitung 60.

Bei einer normalen Betriebsspannung VDD, z. B. +5 V, soll die Ladungspumpe 4 an ihrem Ausgang eine Gate-Spannung an den Transistor 3 liefern, welche höher ist als die Summe aus der positiven Betriebsspannung VDD und einer positiven Abschnürspannung VTH des Transistors 3. Dadurch wird sein p-leitender Depletion-Kanal 38 (vgl. Fig. 3) vollständig abgeschnürt und gesperrt, so daß kein Strom mehr zwischen dem Source- und Drain-Anschluß 9 bzw. 10 fließen kann. Damit ist Transistor 3 in einen nichtleitenden Zustand gebracht und das verstärkte Sensorsignal gelangt unbeeinflußt an den Signalausgang 7 und ist so einem Zustandswert s zuordenbar.

Tritt eine Unterbrechung der Zuleitung 28 für das Massepotential M auf, so wird die Ladungspumpe 4 außer Betrieb gesetzt und die Gate-Spannung am Transistor 3, die höher als die Betriebsspannung VDD ist, fällt ab. Hierdurch wird der Transistor 3 leitend und zieht den Signalausgang 7 etwa auf den Wert der Betriebsspannung VDD, beispielsweise etwa auf die üblichen 5 Volt. Die Signalerkennungseinrichtung 5 interpretiert nun diesen Wert der Ausgangsspannung u als das Vorliegen eines Fehlerzustandes. Bei einer Unterbrechung der Zuleitung 40 für die Betriebsspannung VDD wird die Ladungspumpe 4 natürlich ebenfalls außer Betrieb gesetzt. Ohne Betriebsspannung VDD nimmt der Signalausgang 7 das Massepotential M an oder bleibt ohne einen der Widerstände 15, 16 allenfalls in einem Schwebezustand.

Kommt es zu einer Unterbrechung der relativ langen Signalleitung 60, so zieht der dritte Widerstand 16 den Signaleingang 8 der Signalerkennungseinrichtung 5 gegen Masse. Die Signalerkennungseinrichtung 5 interpretiert dann diesen Wert der Ausgangsspannung u wiederum als das Vorliegen eines Fehlerzustandes.

Das in Fig. 2 dargestellte Schaubild zeigt den Verlauf der Ausgangsspannung u der Gebereinrichtung 100 in Abhängigkeit von dem zu messenden Zustandwert s. In der Regel ist der zu messende Bereich des Zustandwertes s durch physikalische und/oder mechanische Vorgaben begrenzt, was in Fig. 2 durch einen ersten und zweiten Zustandswert s1, s2 dargestellt ist. Die Verstärkung des Sensorsignals ist an diese Zustandswerte s1, s2 angepaßt, so daß der Aussteuerungsbereich der Ausgangsspannung u diese Zustandswerte s1, s2 als erster und zweiter Grenzwert u1, u2 in seinem Aussteuerbereich enthält. Beispielsweise bieten sich bei einer Betriebsspannung VDD von 5 Volt als zweckmäßige Grenzwerte 0,5 Volt bzw. 4,5 Volt an. Sieht dann die Empfangseinrichtung 50 am Signaleingang 8 eine Spannung u zwischen 0 Volt und 0.5 Volt oder eine Spannung u oberhalb von 4.5 Volt, dann werden diese Spannungen u als das Vorliegen eines Fehlerzustandes interpretiert. Bei Spannungen u zwischen 0,5 Volt und 4,5 Volt hingegen, wird die Höhe der Spannung u als ein gemessener Zustandswert s interpretiert.

Fig. 3 zeigt als übliches Schnittbild schematisch den Aufbau des monolithisch integrierten p-Kanal-Depletion-Transistors 3, im folgenden vereinfachend meist als Transistor 3 bezeichnet. In einem p-Substrat 17 ist eine n-Wanne 18 eingebettet. An einer Oberseite 19 der n-Wanne 18 befinden sich der Source-Anschluß 9, der Drain-Anschluß 10, der Gate-Anschluß 11 und der Wanne-Anschluß 12. Der Source-Anschluß 9 und der Drain- Anschluß 10 sind jeweils mit einer p+-Zone innerhalb der n-Wanne 18 kontaktiert. Der Gate-Anschluß 11 ist mit einer Gate-Elektrode aus polykristallinem Silizium 37 oder einer Metallschicht verbunden, und der Wanne-Anschluß 12 ist mittels einer n+-Zone innerhalb der n-Wanne 18 gebildet. Schematisch dargestellt sind ferner die dünne Gate- Oxidschicht 35 und die p-leitende Kanalzone 38 direkt darunter. Schließlich sind im Schnittbild zu den einzelnen Sperrschichten die Diodensymbole dargestellt, damit bei einer Vertauschung der Anschlüsse die den einzelnen Sperrschichten zugeordneten Stromflußrichtungen deutlich erkennbar sind. Dargestellt sind die Drain-Wanne-Diode 21, die Source-Wanne-Diode 22 und die Wanne-Substrat-Diode 23. Zur Isolation sind Feldoxidschichten 20, die an die n⁺- oder p⁺-Zonen angrenzen, zwischen dem Source- Anschluß 9 und dem Wanne-Anschluß 12 vorgesehen. Da der Depletion-Transistor 3 vom p-Kanal-Typ ist, nimmt der Strom zwischen Source und Drain mit zunehmender Spannung am Gate-Anschluß 11 ab.

Kommt es zu einem Vertauschen der Anschlüsse 29 bzw. 30 für die Betriebsspannung VDD und das Massepotential M, so wird die Wanne-Substrat-Diode 23 leitend. Im Verpolungsfall fließt somit ein Strom vom Substrat 17, das beispielsweise über einen eigenen Substratanschluß 30' leitend mit dem Masseanschluß 30 verbunden ist, über die Wanne-Substrat-Diode 23 zum Wanne-Anschluß 12. Ein zu starkes Ansteigen dieses Verpolungsstromes wird durch den in Fig. 1 dargestellten separaten Widerstand 13 verhindert, der beispielsweise als ein Polysiliziumwiderstand ausgebildet ist, zwischen dem Wanne-Anschluß 12 und dem Source-Anschluß 9 angeschlossen ist und durch seine strombegrenzende Wirkung im Verpolungsfall Transistor 3 gegen Zerstörung durch Überhitzung schützt.

Fig. 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Gebereinrichtung 110 mit Schutzmaßnahmen gegen Überspannungen am Betriebsspannungsanschluß 29. Um den Depletion Transistor 3 vor Überspannung zu schützen, ist zu ihm in Reihe ein p-Kanal- Depletion-Kaskodetransistor 24 angeordnet, der im folgenden vereinfachend meist als Kaskodetransistor 24 bezeichnet wird. Sein Source-Anschluß 33 ist an den Transistor 3 und sein Drain-Anschluß 31 an die interne Signalleitung 6 angeschlossen. Ein Gate- Anschluß 34 des Kaskodetransistors 24 ist mit einer Ansteuerschaltung 26 verbunden. Die Ansteuerschaltung 26 ist mit dem Betriebsspannungs- 29 und Masseanschluß 30 gekoppelt und liefert zur Ansteuerung des Kaskodetransistors 24 eine Spannung, die etwa in der Mitte zwischen der Betriebspannung VDD und dem Massepotential M liegt. Tritt im Betrieb eine Überspannung am Betriebsspannungsanschluß 29 auf, so fällt diese entsprechend der vorgegebenen Kaskodeansteuerspannung etwa hälftig über den gesperrten Transistor 3 und den im leitenden Zustand befindlichen Kaskodetransistor 24 ab, so daß eine unzulässige Überspannung am Transistors 3 und am Kaskodetransistor 24 vermieden wird. Bei der in Fig. 4 dargestellten Schaltungsanordnung mit Überspannungsschutz sind parallel zu der Reihenschaltung aus Transistor 3 und Kaskodetransistor 24 alternativ zwei in Reihe geschaltete Depletion-Sperrschicht- Feldeffekttransistoren 3', 24' angeordnet, deren Steuerelektroden von der Ladungspumpe 4 bzw. der Ansteuerschaltung 26 angesteuert sind. Diese und andere Alternativen können sich beispielsweise aus den jeweils zur Verfügung stehenden Herstellungsprozessen ergeben.

Grundsätzlich ist es auch möglich, für die monolithische Integration ein n-leitendes Substrat vorzusehen und die Leitfähigkeit der einzelnen Zonen entsprechend anzupassen. Diese Schaltungsanordnung funktioniert dann in gleicher Weise hinsichtlich des Erkennens einer Unterbrechung der Masse- oder der Signalleitung wie die vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele.

Im Ausführungsbeispiel ist die die Erkennung einer Unterbrechung in der Massezuleitung ausführlich beschrieben. Selbstverständlich läßt sich ein von einer Ladungspumpe gesteuerter p-Kanal-Depletion-Transistor auch zwischen den Masseanschluß und den Signalausgang schalten. Bei Unterbrechung der positiven Versorgungsspannung VDD liefert die Ladungspumpe keine Ausgangsspannung und somit wird über den leitenden p- Kanal-Depletion-Transistor der Signalausgang zwangsweise auf das Massepotential gezogen. Das kann dann von Interesse sein, wenn beispielsweise der Signalausgang als offener Drain-Ausgang ausgebildet ist und der Empfänger das digitale Sensorsignal über das jeweilige Potential an einem Lastwiderstand als "Hoch-" oder "Tief-Zustand" erfasst.

In diesem Fall würde dieser "pull-up"-Widerstand ein positives Potential vortäuschen, obwohl am Geber die positive Versorgungsleitung unterbrochen ist. Der Widerstand des p-Kanal-Depletion-Transistors soll im leitenden Fall klein gegen den "pull-up"-Widerstand sein, damit die Spannung am Signalausgang möglichst dicht beim Massepotential liegt, möglichst noch unterhalb des üblichen "Tief"-Wertes.

Bezugszeichenliste

1

Sensor

2

Verstärker

3

p-Kanal-Depletion-Transistor (MOS-Ausführung)

3

' erster Depletion-Sperrschicht-Feldeffekttransistor

4

Ladungspumpe

5

Signalerkennungseinrichtung

6

interne Signalleitung

7

Signalausgang

8

Signaleingang

9

Source-Anschluß (des p-Kanal-Depletion-Transistors

3

)

10

Drain-Anschluß (des p-Kanal-Depletion-Transistors

3

)

11

Gate-Anschluß (des p-Kanal-Depletion-Transistors

3

)

12

Wanne-Anschluß (des p-Kanal-Depletion-Transistors

3

)

13

erster Widerstand

14

Schutzwiderstand

15

zweiter Widerstand

16

dritter Widerstand

17

p-Substrat

18

n-Wanne (des p-Kanal-Depletion-Transistors

3

)

19

Oberseite

20

Feldoxidschicht

21

Drain-Wanne-Diode (des p-Kanal-Depletion-Transistors

3

)

22

Source-Wanne-Diode (des p-Kanal-Depletion-Transistors

3

)

23

Wanne-Substrat-Diode (des p-Kanal-Depletion-Transistors

3

)

24

p-Kanal-Depletion-Kaskodetransistor (MOS-Ausführung)

24

' zweiter Depletion-Sperrschicht-Feldeffekttransistor

26

Ansteuerschaltung

28

Masseleitung

29

Betriebsspannungsanschluß

30

Masseanschluß

30

' Substratanschluß

31

Drain-Anschluß (des p-Kanal-Depletion-Kaskodetransistors

24

)

32

n-Wanne-Anschluß (des p-Kanal-Depletion-Kaskodetransistors

24

)

33

Source-Anschluß des (p-Kanal-Depletion-Kaskodetransistors

24

)

34

Gate-Anschluß (des p-Kanal-Depletion-Kaskodetransistors

24

)

35

Gateoxid

36

Stromquelle

37

Gate-Elektrode (des p-Kanal-Depletion-Transistors

3

)

38

p-dotierter Kanal (des p-Kanal-Depletion-Transistors

3

)

39

Drain-Substrat-Diode bei n-Kanal-Transistor der CMOS-Gegentaktendstufe

40

Betriebsspannungszuleitung

50

Empfangseinrichtung

60

externe Signalleitung

100

Gebereinrichtung

110

weitere Gebereinrichtung
s (vom Sensor zu erfassender externer) Zustandswert
s1 s2 erster/zweiter Zustandswert
u Ausgangsspannung
u1 u2 erster/zweiter Grenzwert
M Massepotential
VDD Betriebsspannung

Claims (10)

1. Gebereinrichtung (100; 110) mit einer Fehlermeldeschaltung (3, 4), die bei Unterbrechung einer Massezuleitung (28) über einen steuerbaren Widerstand ein vorgegebenes Potential an einem Signalausgang (7) erzwingt, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:

• - die Fehlermeldeschaltung (3, 4) enthält als steuerbaren Widerstand einen p-Kanal- Depletion-Transistor (3), der in einer n-Wanne (18) eines p-leitenden Substrats (17) liegt und der mit einem Betriebsspannungsanschluß (29) und dem Signalausgang (7) verkoppelt ist,
• - die n-Wanne (18) des p-Kanal-Depletion-Transistors (3) ist über einen ersten, insbesondere mitintegrierten, Widerstand (13) mit dem Betriebsspannungsanschluß (29) verbunden,
• - der Gate-Anschluß (11) des p-Kanal-Depletion-Transistors (3) ist mittels einer zwischen dem Betriebsspannungs- (29) und dem Masseanschluß (30) liegenden Ladungspumpe (4) gesteuert, und
• - die Ausgangsspannung der Ladungspumpe (4) ist im normalen Betriebszustand ausreichend hoch, um den p-Kanal-Depletion-Transistors (3) zu sperren, wohingegen im Unterbrechungsfall der Massezuleitung (28) der p-Kanal-Depletion-Transistor (3) leitend ist und dadurch den Signalausgang (7) etwa auf die Betriebsspannung (VDD) zieht.

2. Gebereinrichtung (100; 110) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Signalausgang (7) mittels eines zweiten, insbesondere mitintegrierten, Widerstandes (15) mit dem Masseanschluß (30) verbunden ist.

3. Gebereinrichtung (100; 110) nach nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß in einer Signalleitung (6) der Gebereinrichtung (100; 110) ein Schutzwiderstand (14), der insbesondere mitintegiert ist, vor dem Signalausgang (7) vorgesehen ist, der den Stromfluß beim Anlegen einer Spannung an den Signalausgang (7) begrenzt.

4. Gebereinrichtung (100; 110) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:

• - ein weiterer p-Kanal-Depletion-Kaskodetransistor (24) liegt in Reihe zu dem als steuerbarer Widerstand dienenden p-Kanal-Depletion-Transistor (3),
• - eine zugehörige n-Wanne (32) ist mit einem Source-Anschluß (33) des weiteren p- Kanal-Depletion-Kaskodetransistors (24) verbunden,
• - der Gate-Anschluß (34) des weiteren p-Kanal-Depletion-Kaskodetransistors (24) ist von einer zwischen dem Betriebsspannungs- (29) und dem Masseanschluß (30) liegenden Ansteuerschaltung (26) gesteuert,
• - die Ausgangsspannung der Ansteuerschaltung (26) liegt im normalen Betriebszustand etwa auf halber Betriebsspannung (VDD).

5. Gebereinrichtung (100; 110) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der p- Kanal-Depletion-Transistor (3) durch einen ersten Depletion-Sperrschicht- Feldeffekttransistor (3') ersetzt ist.

6. Gebereinrichtung (100; 110) nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der weitere p-Kanal-Depletion-Kaskodetransistor (24) und/oder der p-Kanal-Depletion- Transistor (3) durch einen zweiten bzw. den ersten Depletion-Sperrschicht- Feldeffekttransistor (24' bzw. 3') ersetzt sind.

7. Gebereinrichtung (100; 110) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß für die monolithische Integration ein n-leitendes Substrat verwendet ist und die Leitfähigkeit der verschiedenen Zonen entsprechend angepaßt sind.

8. Gebereinrichtung (100; 110) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Signalausgang (7) über eine externe Signalleitung (60) mit einer Empfangseinrichtung (50) verbunden ist, die eine Signalerkennungseinrichtung (5) enthält und in Abhängigkeit von der jeweiligen Höhe des an einem Signaleingang (8) abgreifbaren Spannungswertes das Vorliegen eines auswertbaren Sensorsignals oder eines Fehlerzustandes erkennt.

9. Gebereinrichtung (100; 110) nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingang (8) der Signalerkennungseinrichtung (5) mittels eines dritten Widerstandes (16) mit dem Massepotential (M) verbunden ist.

10. Gebereinrichtung (100; 110) mit einer Fehlermeldeschaltung (3, 4), die bei Unterbrechung einer Versorgungszuleitung (28, 40) über einen steuerbaren Widerstand ein vorgegebenes Potential an einem Signalausgang (7) erzwingt, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:

• - die Fehlermeldeschaltung (3, 4) enthält als steuerbaren Widerstand einen p-Kanal- Depletion-Transistor (3), der in einer n-Wanne (18) eines p-leitenden Substrats (17) liegt und der mit einem, insbesondere einem nicht zu überwachenden, Versorgungsanschluß (30, 29) und dem Signalausgang (7) verkoppelt ist,
• - die n-Wanne (18) des p-Kanal-Depletion-Transistors (3) ist über einen ersten, insbesondere mitintegrierten, Widerstand (13) mit dem Betriebsspannungsanschluß (29) verbunden,
• - der Gate-Anschluß (11) des p-Kanal-Depletion-Transistors (3) ist mittels einer zwischen dem Betriebsspannungs- (29) und dem Masseanschluß (30) liegenden Ladungspumpe (4) gesteuert, und
• - die Ausgangsspannung der Ladungspumpe (4) ist im normalen Betriebszustand ausreichend hoch, um den p-Kanal-Depletion-Transistors (3) zu sperren, wohingegen im Unterbrechungsfall die Ladungspumpe (4) den p-Kanal-Depletion-Transistor (3) nicht mehr sperren kann, wodurch dieser den Signalausgang (7) etwa auf das am anderen Anschluß des p-Kanal-Depletion-Transistors (3) vorhandene Potential (VDD, M) zieht.