DE10005680A1 - Trägermaterial für eine flexible, bandförmige CIS-Solarzelle und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Trägermaterial für eine flexible, bandförmige CIS-Solarzelle und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Abstract
Bisherige Trägermaterialien für flexible CS-Solarzellen weisen eine Reihe von Nachteilen auf. DOLLAR A Das vorliegende Trägermaterial ist eine durch elektrolytisches Abscheiden hergestellte Kupferfolie. Die Kupferfolie kann als Endlosband durch Abscheiden aus einem elektrolytischen Bad hergestellt werden, wobei dem Bad Legierungsbestandteile zugesetzt werden, die in der auf der Kupferfolie die Zugfestigkeit und/oder Temperaturbeständigkeit erhöhen und/oder Ausdehnungskoeffizienten vermindern.
Description
Die Erfindung betrifft ein Trägermaterial für eine flexible,
bandförmige CIS-Solarzelle und ein Verfahren zu dessen Her
stellung.
In den letzten Jahren haben Dünnschichtsolarmodule auf der
Basis von Kupfer-Indium-Diselenid oder Kupfer-Indium-
Schwefel (abgekürzt CIS) erhebliche Bedeutung gewonnen.
Üblicherweise wird die CIS-Schicht auf Glas abgeschieden,
nachdem dieses im Sputterverfahren zunächst mit Molybdän be
schichtet wurde. Es sind wegen der Nachteile von Glas als
Trägermaterial jedoch verschiedene Anstrengungen unternommen
worden, um flexible Trägermaterialien einsetzen zu können.
So ist bei Siliziumdünnschichtzellen die Verwendung von
Edelstahlband (Chrom-Nickel-Stahl) bekannt, das wegen der
Empfindlichkeit der Halbleiter-Schicht gegenüber eindiffun
dierenden Molekülen aus dem Trägermaterial zunächst mit ei
ner Diffusionssperre, z. B. TCO/ITO (transparente, elek
trisch leitfähige Metalloxide) beschichtet werden muß.
Der Aufbau dieser Schichtfolge auf dem Edelstahlband erfor
dert wie bei Glas als Trägermaterial eine Vakuumbehandlung,
was entsprechend teure Anlagen voraussetzt. Der hohe Inve
stitionsaufwand steht der Zielsetzung, Solarstrom ähnlich
preiswert wie Strom aus fossilen Energieträgern zu erzeugen,
konträr entgegen.
In der Überlegung, daß die Verwendung von Kupfer als Träger
material das elektrochemische Abscheiden der CIS-Schicht er
lauben würde und Kupfer selbst Bestandteil der CIS-Schicht
ist, wurde mit der DE-A 196 34 580 vorgeschlagen, ein Kup
ferband als Trägermaterial zu verwenden. Zunächst wird auf
dem Kupferband Indium elektrochemisch abgeschieden. In einem
zweiten Schritt wird das Band aufgeheizt und auf die aufge
heizte Indium-Schicht in der Dampfphase vorliegendes Selen
oder Schwefel aufgebracht, wobei Kupfer in die Indiumschicht
eindiffundieren und dort zusammen mit dem Selen/Schwefel die
CIS-Schicht bilden soll. Das Verfahren erfordert eine genaue
Einhaltung des Temperaturbereiches und der Prozeßzeiten bei
der Selenisierung bzw. Sulfudisierung. Außerdem bildet sich
an der Oberfläche Kupferselenid bzw. Kupfersulfid, das die
Reinheit der CIS-Schicht stören würde und deshalb ätztech
nisch wieder entfernt werden muß. Schließlich kann nicht
ausgeschlossen werden, daß im Verlauf der Zeit weiteres Kup
fer in die CIS-Schicht eindiffundiert und die für den photo
voltaischen Effekt nötige Zusammensetzung ändert und somit
die Funktion der Solarzelle zunehmend vermindert.
Darüber hinaus ist die Verwendung von gewalztem Kupferband
insofern problematisch, als daß dieses durch den Verhüt
tungsprozeß ein Reihe von Verunreinigungen aufnimmt. Zwar
wird es einer elektrolytischen Raffination unterzogen, die
erzielbaren Reinheiten von 99,99% müssen jedoch im Sinn der
solaren Halbleitertechnologie als "stark verunreinigt" gel
ten. Es sind zwar sauerstoffreie Qualitäten lieferbar, sie
enthalten jedoch noch eine nicht bestimmbare Anzahl anderer,
im Sinne der Halbleitertechnologie nicht geringfügiger Bei
mengungen. Außerdem muß das Kupferband während des Walzpro
zesses nach jedem Walzgang zwischengeglüht werden. Hierbei
entstehen möglicherweise weitere Verunreinigungen der Kup
feroberfläche. Dünn gewalztes Kupferband ist also einmal re
lativ teuer und enthält zum zweiten Verunreinigungen, die
sich beim Aufbringen einer CIS-Schicht als störend erweisen.
Ein grundsätzlicher Nachteil von Kupfer ist, daß der thermi
sche Ausdehnungskoeffizient der kristallinen CIS-Schicht von
dem des Kupferbandes derart verschieden ist, daß es bei der
Wärmebehandlung, der nach dem Aufbringen der CIS-Schicht erforderlich
ist, leicht zur Rißbildung in der CIS-Schicht
kommt, womit jede photovoltaische Funktion zunichte gemacht
wird.
Deshalb wurde auch bereits vorgeschlagen, die CIS-Schicht
elektrochemisch auf ein Band aus Chrom-Nickel-Stahl aufzu
bringen. Chrom-NickelStahl ist jedoch einmal relativ teuer
und neigt zum anderen dazu, Wasserstoff aufzunehmen, das auf
der Oberfläche Bläschen bildet, die bei der Abscheidung der
CIS-Schicht zu sogenannten "pin holes" in der CIS-Schicht
führen, wodurch es bei der Aufbringung der leitend
transparenten Deckschicht auf dem CIS-Absorber zu Kurz
schlüssen kommt, welche die Solarzelle unbrauchbar machen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein geeigneteres
Trägermaterial für eine flexible Solarzelle und ein Verfah
ren zu seiner Herstellung anzugeben, das das galvanische
Aufbringen der CIS-Schicht erlaubt.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Merkmale
der Ansprüche 1 und 3. Zweckmäßige Ausgestaltungen der Er
findung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Danach wird als Trägermaterial durch elektrolytisches Ab
scheiden hergestellte Kupferfolie verwendet.
Überraschend hat sich gezeigt, daß elektrolytisch abgeschie
dene Kupferfolie, die bisher traditionell ausschließlich für
die Leiterplattenfertigung benutzt wurde, eine Reihe von
bisher bei anderen Anwendungen nicht genutzten bzw. dort
nicht gefragten Vorteilen aufweist, die sich hier als rele
vant erweisen. Elektrolytisch abgeschiedene Kupferfolie kann
für die Leiterplattenfertigung mit bestimmter Rauhigkeit
hergestellt werden. Auch gewalztes Kupferband weist eine be
stimmte Rauhigkeit auf. Solche Rauhigkeit ist für die Wei
terverarbeitung, nämlich für eine Verklebung, von Vorteil.
Elektrolytisch abgeschiedene Kupferfolie ist aber auch mit
sehr geringer Rauhigkeit herstellbar, was für Solarzellen
von großem Vorteil ist.
Die Kupferfolie wird als Endlosband durch Abscheiden aus ei
nem elektrolytischen Bad hergestellt. Es können dem Bad Bestandteile
zugesetzt werden, deren Abscheidungen in der Kup
ferfolie die Zugfestigkeit und/oder Temperaturbeständigkeit
erhöhen und/oder den Ausdehnungkoeffizienten der Kupferfolie
vermindern. Zusätzlich oder alternativ dazu kann die Kupfer
folie anschließend an den ersten Abscheideprozeß durch wei
tere galvanische Behandlung mit weiteren metallischen
Schichten versehen werden.
Auch ein gleichzeitiges Abscheiden von Substanzen, die ge
zielt in kleinen Mengen in die CIS-Schicht eindiffundieren
sollen ist möglich. Beispielsweise wandert Natrium später
bei einer Wärmebehandlung, die zur Aktivierung der CIS-
Schicht nötig ist, in gezielter Menge in die CIS-Schicht ein
und begünstigt dort in der Art eines Flußmittels die Kri
stallisation.
Geeignete Badzusätze zur gleichzeitigen Abscheidung sind z. B
solche, die ein Abscheiden von Nickel, Zink, Zinn u. ä.
bewirken. Insbesondere Nickel bewirkt die Erhöhung der Zufe
stigkeit der Kupferfolie, die ansonsten bei den folgenden
Wärmebehandlungsprozessen verloren gehen würde, und stellt
eine Diffusionsbarriere dar.
Ein nachfolgender Schichtaufbau durch galvanische Abschei
dung kann beispielsweise die Folge Kupferfolie/Nickel oder
Kupferfolie/Invar (Nickeleisen) sein.
Die Verwendung von elektrolytisch abgeschiedener Kupferfolie
für den Aufbau flexibler CIS-Solarzellen hat verschiedenen
Vorteile. Neben der angesprochenen Möglichkeit einer geziel
ten Legierungsbildung ist die Folie auch in großer Reinheit
herstellbar, was für die bisherige Anwendung in der Leiter
plattenfertigung allerdings kein Rolle spielte und dort
nicht genutzt wurde. Der Preis für galvanisch abgeschiedene
Kupferfolie liegt nicht höher als der für vergleichbares ge
walztes Kupferband.
Die Kupferfolie wird im Gegensatz zu Kupferfolie, die für
die Leiterplattenindustrie zum Einsatz kommt, mit geringer
Oberflächenrauhigkeit hergestellt, kann zur Maximierung der
späteren Lichtaufnahme zugleich oberflächenvergrößert sein,
indem während des Abscheidens bereits Auswölbungen eingebracht
werden, ohne daß dabei herstellungstechnisch ein be
sonderer Mehraufwand entsteht. Die Dimension dieser Auswöl
bungen ist makroskopisch. Solche, z. B. halbkugligen Auswöl
bungen in der Größenordnung von ca. 2 mm lassen sich durch
entsprechende Gestaltung der Abscheidetrommel realisieren.
Hierdurch wird bei schräg auf die Solarzelle auftreffender
Strahlung die Lichtabsorption und damit der Zellen-
Wirkungsgrad erhöht. Zudem vermindern die Aufwölbungen eine
Längenausdehnung des Kupfers unter Temperatureinfluß und
stellen somit eine wünschenswerte Anpassung an das Verhalten
der CIS-Schicht (vermeiden von Rißbildung) dar.
Schließlich können bei der galvanischen Abscheidung auch
noch andere Forderungen bezüglich der Form ohne wesentlichen
Mehraufwand realisiert werden, wie beispielsweise Abgrenzun
gen der eigentlichen Zellenflächen auf der Kupferfolie oder
Nocken, die ähnlich den Kontaktflächen eines Relais bei der
späteren Verschaltung der Solarzellen zu Solarzellenmodulen
für die kontaktierende Stromführung vorteilhaft sind.
Auf das Trägermaterial kann die CIS-Schicht dann in bekann
ter Weise ebenfalls galvanisch aufgebracht werden, so daß
insgesamt ein galvanischer Prozeß vorliegt und innerhalb ei
nes Bandprozesses der Solarzellenherstellung keine Vakuuman
lagen benötigt werden.
Die Erfindung soll nachstehend anhand eines Ausführungsbei
spiels näher erläutert werden. In den zugehörigen Zeichnun
gen zeigen
Fig. 1 schematisch eine Anlage zum Abscheiden einer Kup
ferfolie aus einem elektrolytischen Bad und
Fig. 2 die damit abgeschiedene Kupferfolie im Quer
schnitt.
Die Anlage besteht gemäß Fig. 1 aus einer Trommel 1, die in
einem Becken 2, in dem sich ein Elektrolyt 3 befindet, dreh
bar gelagert ist. Die Trommel 1 bildet die Kathode, das Bec
ken 2 die Anode. Das Becken 2 ist mit einem Zulauf 4 für den
Elektrolyten 3 versehen, während ein Ablauf 5 an dem das
Becken 2 umschließenden Behälter 8 vorgesehen ist. Durch
Drehen der Trommel 1 bei angelegter Spannung wird Kupfer auf
der Trommel 1 abgeschieden, das als Kupferfolie 6 mit ca. 35 mm
Breite und in einer Dicke von ca. 0,2 mm von der Trommel
1 abgehoben und auf eine Haspel 7 aufgewickelt werden kann.
Dem Elektrolyten kann ein geeignetes Nickelsalz in einer
solchen Konzentration beigemischt werden, daß sich die Kup
ferfolie 6 mit einer Legierungszusammensetzung gewünschter
Art bildet. Durch den Nickelgehalt wird bei der nachfolgen
den Wärmebehandlung die ansonsten stark verminderte Zugfe
stigkeit der Kupferfolie 6 erhöht.
Fig. 2 zeigt einen Querschnitt durch eine solchermaßen her
gestellte Kupferfolie 6 und eine später aufgebrachte CIS-
Schicht 13. Durch die Strukturierung der Trommel 1 weist die
Kupferfolie 6 halbkugelförmigen Aufwölbungen 12 auf, die bei
einem fertigen Solarmodul die Lichtabsorption erhöhen. Auf
die möglichst glatt gehaltenen konvexe Seite 9 dieser Auf
wölbungen wird später die photovoltaisch wirksame CIS-
Schicht 13 aufgebracht. Die andere, konkave Seite 14 kann
degegen eine gewisse Rauhigkeit aufweisen. Die konvexe Seite
9 weist aufgrund der polierten Oberfläche der Trommel 1 nur
eine geringe Rauhigkeit auf.
Zur Verschaltung von mehreren Solarzellen zu einem Solarmo
dul ist kann eine besondere Randgestaltung, z. B. zur Unter
teilung des Trägermaterials in einzelne Solarzellen, vorge
sehen sein, die sich im Herstellungsprozeß gleich mit ein
bringen läßt. Zur Auflage einer nächsten Solarzelle dient in
dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel ein abgebogener Rand
streifen 11, während an der anderen Randseite, die mit einem
Randstreifen 11 einer nächsten Solarzelle kontaktiert wird,
zur Kontaktverbesserung aufgewölbte Kontaktpunkte 10 vorge
sehen sind.
Zugleich dient der Randstreifen zur Eingrenzung der eigent
lichen, mit der CIS-Schicht 13 beschichteten -Zellenfläche.
Er kann, die Kontaktpunkte 10 ausgenommen, mit einem Iso
liermaterial beschichtet sein.
1
Trommel
2
Becken
3
Elektrolyt
4
Zulauf (für Elektrolyt)
5
Ablauf (für Elektrolyt)
6
Kupferfolie
7
Haspel
8
Behälter
9
Konvexe Seite (der Kupferfolie)
10
Kontaktpunkte
11
Randstreifen
12
Aufwölbungen
13
CIS-Schicht
14
Konkave Seite (der Kupferfolie)
Claims (11)
1. Trägermaterial für eine flexible, bandförmige CIS-
Solarzelle
gekennzeichnet durch
die Verwendung einer durch elektrolytisches Abscheiden
hergestellten Kupferfolie.
2. Trägermaterial nach Anspruch 1,
gekennzeichnet dadurch, daß
die Oberfläche der Kupferfolie (6) durch Auswölbungen
(12) vergrößert ist.
3. Verfahren zur Herstellung eines Trägermaterials für eine
flexible CIS-Solarzelle,
gekennzeichnet dadurch, daß
eine Kupferfolie als Endlosband durch Abscheiden aus ei
nem elektrolytischen Bad hergestellt wird und daß dem
Bad Legierungsbestandteile zugesetzt werden, die in der
Kupferfolie die Zugfestigkeit und/oder Temperaturbestän
digkeit erhöhen und/oder den Ausdehnungkoeffizienten
vermindern.
4. Verfahren nach Anspruch 3,
gekennzeichnet dadurch, daß
als Legierungsbestandteil Nickel verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 3,
gekennzeichnet dadurch, daß
als Legierungsbestandteil Zink verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 3,
gekennzeichnet dadurch, daß
als Legierungsbestandteil Eisen verwendet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 3,
gekennzeichnet dadurch, daß
dem Bad Substanzen zugesetzt werden, die später in die
CIS-Schicht eindiffundieren sollen.
8. Verfahren nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
als zugesetzte Substanz Natrium verwendet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1 bis 8,
gekennzeichnet dadurch, daß
die Kupferfolie beim Abscheiden an einer oberflächen
strukturierten Trommel mit Auswölbungen versehen wird.
10. Verfahren nach Anspruch 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Kupferfolie beim Abscheiden an einer oberflächen
strukturierten Trommel mit Strukturen versehen wird, die
die Solarzelle begrenzen oder unterteilen.
11. Verfahren nach Anspruch 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Kupferfolie beim Abscheiden an einer oberflächen
strukturierten Trommel mit Kontaktnocken versehen wird.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10005680A DE10005680B4 (de) | 2000-02-07 | 2000-02-07 | Trägermaterial für eine flexible, bandförmige CIS-Solarzelle |
PCT/EP2001/001313 WO2001057932A1 (de) | 2000-02-07 | 2001-02-07 | Flexibles metallisches substrat für cis-solarzellen und verfahren zu seiner herstellung |
AU2001240599A AU2001240599A1 (en) | 2000-02-07 | 2001-02-07 | Flexible metal substrate for cis solar cells, and method for producing the same |
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DE10005680B4 DE10005680B4 (de) | 2005-03-31 |
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ID=7630318
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DE102011014795B4 (de) | 2011-03-15 | 2021-05-06 | Hegla Boraident Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Herstellen von flexiblen Dünnschicht-Solarzellen |
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DE19634580C2 (de) * | 1996-08-27 | 1998-07-02 | Inst Solar Technologien | Verfahren zur Herstellung einer CIS-Bandsolarzelle und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
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2000
- 2000-02-07 DE DE10005680A patent/DE10005680B4/de not_active Expired - Fee Related
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