DD292549A5 - Anordnung zur daempfung des sekundaerelektronenvervielfacher-ausgangssignals - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Daempfung des Sekundaerelektronenvervielfacher-Ausgangssignals. Angewendet wird die Erfindung bei der Oberflaecheninspektion mit Streulichtabtastern, z. B. in der Halbleiterfertigung, da der Strahlungsdetektor immer dann mit intensiven Lichtimpulsen beaufschlagt wird, wenn sich der scanierende Laserstrahl ueber die abgerundete Waferkante bewegt. Wegen der hochempfindlichen Partikeldetektion im sub-mm-Bereich wird der SEV jedesmal stark geblendet. Weitere Anwendungen ergeben sich ueberall dort, wo ein Vorgang nicht nur mit einem intensiven Lichtimpuls verbunden ist, sondern durch diesen ausgeloest wird. Dazu gehoeren alle Anregungen mit gepulsten Strahlungsquellen, wie z. B. durch Beschleuniger und Impulslichtquellen. Aber auch auf die umgekehrte Strahlungssituation ist die Erfindung anwendbar, d. h., wenn eine mit viel Strahlung verbundene Reaktion durch ein schwaches Lichtsignal ausgeloest werden soll. Das ist z. B. bei der Steuerung von Blasenkammern der Fall. Die Anordnung ist dadurch gekennzeichnet, dasz die Kathode des Sekundaerelektronenvervielfachers und eine seiner Dynoden jeweils mit den Polen eines Schalters, die Ein-/Aussteuerung des Schalters mit einer Daempfungssteuerung, die Kathode des Sekundaerelektronenvervielfachers mit dem negativen Pol der Betriebsspannung verbunden ist. Fig. 1{Blendenschutz; Sekundaerelektronenvervielfacher; SEV; Daempfungssteuerung; Blendung durch intensive Lichtimpulse; Kathode; Waferkante; Strahlungsdetektor; Lichtimpuls; Dynoden}

Description

Anwendungsgebiet der Erfindung

Aus ökonomischen Gründen wird bei der Herstellung von HL-Bauelementen in der Mikroelektronik die weitestgehende Ausnutzung des Wafers bis zum Rand verlangt.

Die Oberflächeninspektion von Sl-Wafern muß dem durch eine hohe Genauigkeit der Partikelzählung über die gesamte Oberfläche bis in den Randbereich des Wafers Rechnung tragen.

Bei der Oberflächeninspektion mit Streulichtabtastern wird der Strahlungsdetektor immer dann mit intensiven Lichtimpulsen beaufschlagt, wenn sich der scanierende Laserstrahl über die abgerundete Waferkante bewegt. Wegen der hochempfindlichen Partikeldetektion im Sub^m-Bereich wird der SEV jedesmal stark geblendet. Das kann sowohl zur Lirstörung des SEV und nachfolgender elektronischer Bauelemente führen, als auch die Messung der äußerst schwachen, unmittelbar nachfolgenden Partikelsignale erschweren bzw. sogar unmöglich machen.

Weitere Anwendungen ergeben sich überall dort, wo ein Vorgang nicht nur mit einem intensiven Lichtimpuls verbunden ist, sondern durch diesen ausgelöst wird. Dazu gehören alle Anregungen mit gepulsten Strahlungsquelle^ wie z.B. durch Beschleuniger und Impulslichtquellen. Aber auch auf die umgekehrte Strahlungssituation ist die Erfindung anwendbar, d. h„ wenn eine mit viel Strahlung verbundene Reaktion durch ein schwaches Lichtsignal ausgelöst werden soll. Das ist z.B. bei der Steuerung von Blasenkammern der Fall.

Charakteristik des bekannten Standes der Technik

Das Aus- und Einschalten eines SEV (mit „Ausschalten" ist hier auch eine sehr starke Reduzierung seiner Empfindlichkeit gemeint) oder allgemein die Steuerung seiner Verstärkung bzw. seiner Empfindlichkeit in mehr oder weniger starkem Maße werden im Stand der Technik auf sehr vielfältige Weise verwirklicht. Seit den ersten Anfängen 1939 können im wesentlichen drei Hauptverfahren unterschieden werden (ohne Steuerung mit gekreuzten elektrischen oder magnetischen Feldern):

1. Steuerung der SEV-Betriebsspannung Ue-

2. Erzeugung einer Gegenspannung zwischen einer Steuerelektrode, die nicht mit einer Dynode identisch ist, und der Photokathode.

3. Kurzschluß von Dynoden bzw. Steuerung der Potentialdifferenz zwischen ihnen; Erhöhung des Widerstandes von Spannungsteilerelementen auf Unendlich. ^N

Ein hinsichtlich der Dämpfung und Umschaltzeit wirksames Ausschalten des SEV nach 1., erfordert eine sehr starke Änderung der Betriebsspannung des SEV (DE 1564097:U = 400V, 10 x). In einem anderen Beispiel verringert sich die Verstärkung eines üblichen SEV, wenn man seine Betriebsspannung von Ue = -1200V auf Ue = -600V reduziert nur um einen Faktor 4 x 10². Dieses Verfahren scheitert an bekannten technischen Grenzen, da die erforderlichen leistungsstarken, niederohmigen SEV-Stromversorgungsgeräte große Betriebsspannungsminderung nicht schnell genug zu schalten vermögen (Farinelli, Malvano, 1958). Darüber hinaus werden während der Zeit mit niedriger Betriebsspannung der Linearitätsbereich des SEV und seine obere Grenzfrequenz verringert (EP 0155377). Hinzu kommt die stark schwankende Sockeltemperatur des wärmeempfindlichen SEV infolge der starken Schwankungen des Spannungsteilerstromes.

Das Verfahren nach 2. kann auch nicht sämtliche Mängel des Standes der Technik beseitigen. Entweder sind außer der Stromversorgung für den SEV zusätzliche Spannungsquellen zur Erzeugung steiler und mitunter auch intensiver (bis 110V) Gegenspannungsimpulse notwendig (Farinelli, Malvano, 1958; US 2951941; EP 0155377) öderes werden z.B. Störimpulse am SEV-Ausgang erzeugt und/oder das Widereinschalten verläuft langsam (Hinweis in Roose, 1965; Keller, Nefkens, 1964). In 2-Gitter-Steuersystemen mit einem Vorbeschleunigungsgitter Si (positiv gegenüber Kathode) und einem Steuergitter S₂ (negativ gegenüber Kathode) entstehen störende Restimpulse durch Elektronengruppen, die ursprünglich gesperrt waren und nach dreimaligem Durchlaufen von S₁ beim erneuten Anlauf gegen S₂ in eine Öffnungszeit fallen (Pohl, 1968). Schließlich verfugen nicht alle für die Oberflächeninspektion mehr oder weniger geeigneten SEV über eine Steuerelektrode (Hamamatsu, 1988), was nicht nur durch komplizierten Aufbau und größere Herstellungskosten bedingt ist.

Das Verfahren nach 3. erspart zwar (im Fall des Kurzschlußprinzips) die zusätzliche leistungsstarke Spannungsquelle, weist aber immer nocht erhebliche Mängel auf:

- kleiner Dämpfungsfaktor des SEV-Ausgangssignais (Roose, 1965: < 90 x)

- langsames Wiedereinschalten (Roose, 1965: => 3μβ; Keller, Nfifkens, 1964: =< 30μβ)

- Störimpulse am S£V-Ausgang (Roose, 1965; Keller, Nefkens, 1964)

Weil im allgemeinen und auch bei der Oberflächeninspektion der SEV durch Einstellung unterschiedlicher Betriebsspannungen Ub unterschiedliche Meßbereiche (Empfindlichkeitsbereiche) haben muß, entfallen alle Spannungsteileranordnungen, bei denen dia nicht kurzgeschlossenen, aktiven Dynoden z.B. mittels Zener-Dioden auf stabilisierten, festen Dynodenpotentialen liegen. Das hat im Stand der Technik (bis auf DE 2353573, Unteranspruch 10) weitere Nachteile zur Folge:

- Reduzierung des Linearitätsbereiches des SEV

- Schwankung der SEV-Temperatur

Ziel der Erfindung

Es sollen mit wenig schaltungstechnischem Aufwand eine möglichst optimale Waferqusnutzung oder äquivalente gute Gebrauchseigenschaften des jeweiligen Gerätes (je nach Anwendungsfall) gewährleistet sein.

Darlegung des Wesens der Erfindung

Es bestand die Aufgabe, eine Anordnung zur Dämpfung des Sekundärelektronenvervielfacher(SEV)-Ausgangssignals zu schaffen, die eine hohe Dämpfung bei kurzen Umschaltzeiten, breitestmöglichem Linearitätsbereich, ohne Störimpulse, ohne konstruktive Zusätze wie Steuerelektroden und bei möglichst geringer Leistung der Stromversorgung realisiert. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe bei einer Anordnung zur Dämpfung des Sekundärelektronenvervielfacher(SEV)-Ausgangssignals, bei der ein SEV mit einem Spannungsteiler, einem Anodenwiderstand und einer Betriebsspannung beschaltet ist, dadurch gelöst, daß die Kathode des SEV und eine seiner kathodrnnahen Dynoden jeweils mit den Polen eines Schalters, die EinVAussteuerung des Schalters mit einer Dämpfungssteuerung die Kr'.hode des SEV mit dom negativen Pol der Betriebsspannung verbunden ist. Vorteilhaft ist das Verwenden kathodennaher Dynoden. Im Dämpfungsfall schließt der sonst offene Schalter und die Dynode wird mit dem Kathodenpotential verbunden. Dadurch wird sowohl die Anzahl der primären Photoelektroden verringert, die von der Kathode zur ersten Dynode überführt werden, als auch die Sekundärelektronenvervielfachung reduziert. Von Vorteil ist ein Einsetzen von Zener-Dioden im Spannungsteiler für die Dynoden zwischen der Kathode und der mit dem Schalter verbundenen Dynode. Dadurch werden die Umschaltzeiten (im Vergleich zu ohmschen Widerständen) verkürzt.

Die Realisierung der Anordnung zur Dämpfung des SEV-Ausgangsslgnals, bei der ein SEV mit einem Spannungsteiler, einem Anodenwiderstand und einer Betriebsspannung beschaltet Ist, kann weiterhin dadurch gelöst werden, daß die Kathode des SEV und eine seiner kathodennahen Dynoden jeweils mit den Polen eines Schalters, die Kathode des SEV über eine Spannungsquelle mit dem negativen Pol der Betriebsspannung die Spannungsquelle mit einem parallel liegenden Schalter die EirWAussteuerung beider Schalter mit einer Dämpfungssteuerung verbunden ist. Da sich nach dem ersten Realisierungsvorschlag der Strom durch den Spannungsteiler und damit die Spannungsdifferenz zwischen den nicht kurzgeschlossenen anodennahen Dynoden erhöht, was negativ auf die Dämpfung wirkt, wird ein Äquivalent der Spannung die am geöffneten Schalter anliegt, beim Schließen des selbigen zwischen Kathode und negativem Betriebsspannungspol geschaltet, z. B. indem der sonst geschlossene zweite Schalter öffnet und den kurzgeschlossenen Bauelementen gleichende freigibt.

Die Konstanz des Spannungsteilerstromes muß auch während der Schaltflanken gewährleistet sein, um kurze Umschaltzeiten zu erreichen und Störimpulse zu unterbinden. Das erfordert einen zeitgleichen Verlauf der Einschallflanke der Kompensationsspannung und der Ausschaltflanke der Spannung zwischen Dynode und Kathode (Kurzschluß) beim Zuschalten der Dämpfung und analog beim Rückschalten. Mit Transistoren als Schalter ist dies relativ aufwendig oder sogar unmöglich. Vorteilhaft ist der Ersatz der üblicherweise im Spannungsteiler verwendeten Widerstände und der zur Kompensation verwendbaren Widerstände durch Zener-Diuden gemäß dieser zweiten Lösungsvariante, weil dadurch steile, lineare Schaltflanken verwirklicht werden, ohne daß der asymptotisch langsame Einschaltverlauf des Schalttransistors mit aufwanderhöhenden schaltungstechnishen Mitteln verkürzt zu werden braucht. Ursache für diese vorteilhafte Wirkung der Zener-Diode ist die Tatsache, daß der maximale SEV-Spannungstag'lerstrom schlagartig und schon bei sehr kleinem Widerstand des Schalttransistors erreicht wird, nämlich dann, wenn der Spannungsabfall über dem Transistor der Z-Spannung der Zener-Diode entspricht. Demgegenüber wird der maximale Spannungsteilerstrom bei ohmischen Spannungsteilerwiderständen erst dann und allmählich angenommen wird, wenn der Widerstand des Schalttransistors sehr viel größer ist als die Summe der kurzgeschlossenen Spannungsteilerwiderstände, wobei diese im allgemeinen einige lOkOhm bis einige lOOkOhm betragen. Die Realisierung der Anordnung zur Dämpfung des SEV-Ausgangssignals, bei der ein SEV mit einem Spannungsteiler, einem Anodenwiderstand und einer Betriebsspannung beschaltet ist, kann weiterhin dadurch gelöst werden, daß die Kathode des SEV und mindestens eine seiner Dynoden jeweils mit den Polen eines Schalters, die Kathode des SEV über eine Spannungsquelle mit dem negativen Pol der Betriebsspannung, eine weitere Dynode des SEV über einen weiteren Schalter mit dem negativen Pol der Betriebsspannung und die Ein-/Aussteuerung beider Schalter mit einer Dämpfungssteuerung verbunden ist. Dadurch liegen alle Dynoden zwischen Kathode und der mit dem negativen Pol der Betriebsspannung beschalteten Dynode auf negativerem Potential als die Kathode, was zu einer weiteren Dämpfungserhöhung führt. Die Realisierung der Anordnung zur Dämpfung des SEV-Ausgangssignals, bei der ein SEV mit einem Spannungsteiler, einem Anodenwiderstand und einer Betriebsspannung beschaltet ist, kann weiterhin dadurch gelöst werden, daß die Kathode des SEV und mindestens eine seiner Dynoden jeweils mit den Polen eines Schalters, die Kathode des SEV über zwei in Reihe liegenden Spannungsquellan mit dem negativen Pol der Betriebsspannung, eine weitere Dynode des SEV über einen zweiten Schalter mit dem negativen Pol der kathodennäheren Spannungsquelle, die andere Spannungsquelle mit einem dritten parallel liegenden Schalter und die Ein-/Aussteuerung der drei Schalter mit ein6r Dämpfungssteuerung verbunden ist. Diese Realisierung zeigt eine mögliche Kombination der wesentlichen Merkmale aus Variante 2 und 3.

Ausführungsbeispiele

Fig. 1: SEV-Blendschutz ohne Gegenspannung und ohne Stromkompensation, Fig. 2: SEV-BS ohne Gegenspannung und mit Stromkompensation, Fig. 3: SEV-BS mit Gegenspannung und ohne Stromkompensation Fig. 4: SEV-BS mit Gegenspannung und mit Stromkompensation

Fig.5: SEV-BS mit Gegenspannung und ohne Stromkompensation bei rein ohmschem Spannungsteiler, Fig. 6: SEV-BS mit Gegenspannung und mit betriebsspannungsunabhängiger Stromkompensation bei rein ohmschem Spannungsteiler.

Die Fig. 1-3 zeigen einen Sekundärelektronenvervielfacher 1 (SEV) in üblicher Ausführung mit Photokathode K und Anode A, zwischen denen z. B. 11 Dynodenstufen D₁-D₁I angeordnet sind. Mit Hilfe eines Spannungsteilers 2 wird die Betriebsspannung so an die Dynoden des Sekundärvervielfachers 1 gelegt, daß zwischen Kathode und Anode stufenweise zunehmende Spannungen wirksam werden. In Fig. 1 und Fig. 2 werden die notwendigen Spannungen an den kathodennahen Dynodenstufen D₁-D₃ an Stelle von sonst üblichen ohmschen Widerständen durch Zener-Dioden 5, 6,7 erzeugt. Schalttransistor 3 wird über Hochfrequenzübertrager 4 von der Dämpfungssteuerung angesteuert. Der Hochfrequenzübertrager 4 gewährleistet die galvanische Entkopplung zur Hochspannungsseite des Spannungsteilers 2 und ermöglicht die Realisierung beliebiger langer Abschalt- und Einschaltzeiten des Blendschutzes. Im Normalbetrieb (ungedämpft) ist der Schalttransistor 3 gesperrt, im Dämpfungsfall durchgesteuert. Im Dämpfungsfall liegen die Dynoden 1,2 und 3 etwa auf Kathodenpotential, wodurch sich die Empfindlichkeit des SEV verringert. Dadurch, daß sich jedoch die Spannung über den restlichen Widerständen des Spannungsteilers 2 erhöht, wird diese Dämpfung durch höhere Sekundärelektronenvervielfachung teilweise kompensiert. Legt man an die Kathode in Fig. 1 z. B. eine negative

Hochspannung U = -1200V, befindet sich die Anode auf Massepotenial und haben die Zener-Dioden 5,6,7 eine Spannung U_z = 100V, so wird bei Kurzschluß Kathode-Dynode 3 der Anodenstrom eines Blendenirrmulses, der durch den Anodenwiderstand fließt, um einen Dämpfungsfaktor 10⁶x reduziert, wobei die Umschaltzeiten des Blendschutzes kleiner 1 με sind. Dämpfungsfaktoren von > 10⁹x sind bei der Oberflächeninspektion notwendig, damit der gedämpfte Blendenimpuls die Partikeldetektion an der unteren Nachweisgrenze nicht beeinträchtigt. Umschaltzeiten von < 1 με sind für einen Randausschluß 1 mm erforderlich.

Im Kurzschlußfall erhöht sich der Strom durch den Spannungsteiler 2 von I = 2mA auf I = 2,7 mA und damit auf die Spannung überjedemder9DynodenwiderständevonU = 100V auf U = 133V und die Gesamtspannung über allen Widerständen von U = 900V auf U = 1200V. Das bedingt eine Erhöhung der Sekundärvervielfachung dieser kurzschlußfreien Dynodenstufen um einen Faktor 8x. Dieser Faktor kann kompensiert werden, wenn nach Fig. 2 der Blondschutz in Stromkompensation arbeitel J. h.

der Spannungsteilerstrom auch im Kurzschlußfall unverändert I = 2mA beträgt. Durch die Stromkompensation wird außerdem erreicht, daß der Linearitätsbereich dqs ungedämpften und gedämpften SEV bis zu hohen Anodenströmen gleich ist. In Fig.2 liegt die Kathode K (im Kurzschlußfa.¹, d. h. „gedämpft") auf höherem Potential als der negative Pol der Betriebsspannungsquelle, weil zu den Zener-LModen 5,6,7 zwischen Kathode und Dynode 3 parametergleiche Zener-Dioden 8, 9,10 zwischen Kathode und negativen Pol der Betriebsspannungsquelle eingesetzt wurden. Die Ansteuerung des

Schalttransistors 11 (über Hochfrequenzübertrager 12) erfolgt invers zu Schalttransistor 3, d.h., bei Kurzschluß über den Zener-

Dioden 5,6,7 wird die überbrückte Spannung (durch Aufheben des Kurzschlusses über Zener-Dioden 8,9,10) zwischen Kathode und negativer Betriebsspannung geschaltet. Die Spannung über den restlichen Widerständen des Spannungsteilers 2 bleibt konstant. In Fig.3 sind die Z-Dioden 8,9,10 durch einen ohmschen Widerstand 14 und Schalttransistor 3/ Hochfrequenzübertrager 4 symbolisch durch Schalter 21 ersetzt. Schalttransistor 11 und Hochfrequenzsübertrager 12 entfallen. Zwischen negativer Betriebsspannung und Dynode 1 befindet sich ein Schalter 22, derzeitgleich mit Schalter 21 arbeitet. Damit wird im Dämpfungsfall Dynode 1 und 2 negativer als die Kathode, was in Kombination mit dem Kurzschluß Kathode — Dynode 3 einen sehr hohen Dämpfungswert ergibt. Zwischen Kathode und Zener-Diode 5 ist zusätzlich eine Diode 13 in Reihe geschaltet (Vermeidung von Kurzschluß zwischen Kathode und negativer Betriebsspannung bei geschlossenem Schalter 22). Wird in Fig.3 eine Betriebsspannung von U = -1600V benutzt und beträgt der ohmsche Widerstand 14 = 4 x 5OkQ und die Z-Spannung der Zener-Dioden 5,6,7 jeweils 100V, so wird bei gleichzeitigem Kurzschluß zwischen negativem Pol der Betriebsspannung und Dynode 1 mittels Schalter 22 und zwischen Kathode und Dynode 1 eine Gegenspannung von U = 220V zwischen Kathode- Dynode 1 erzeugt. Die Dynoden 2 und 3 haben'gleiches Potential wie die Kathode. Der Strom durch den Spannungsteiler 2 vergrößert sich im Kurzschlußfall von I = 2 mA auf I = 3,1 mA, was zu einer Erhöhung der Sekundärvervielfachung der kurzschlußfreien Dynodenstufen um einen Faktor 25 x führt.

Fig. 4 zeigt analog Fig. 2 die Kompensation der Spannungserhöhung an den Spannungsteilerwiderständen. Dabei werden die Zener-Dioden 16-20 durch Schalter 23 invers zugeschaltet.

Fig. 5 und Fig. 6 zeigen eine Variante, bei der die Zener-Dioden 5,6,7 und 16-20 durch ohmsche Widerstände 14,15 und 24,25,26 ersetzt werden.

Wird in Fig. 5 eine negative Spannung U = -1600V benutzt, liegt die Anode auf Massopotential, sind die ohmschen Widerstände 24,25,26 je 5OK und beträgt der ohmsche Widerstand 14 4 x 5OK, wird bei gleichzeitigem Kurzschluß zwischen Minuspol und Dynode 1 mittels Schalter 22 sowie zwischen Kathode und Dynode 3 mittels Schalter 21 eine Gegenspannung von U = 96V zwischen Kathode-Dynode 1 und eine Gegenspannung von U = 48 V zwischen Kathode-Dynode 2 erzeugt; Dynode 3 hat gleiches Potential wie die Kathode. Der Strom im Spannungsteiler vergrößert sich im Kurzschlußfall von I = 2mAaufl = 3,3mA, was zu einer Erhöhung der Sekundärvervielfachung der kurzschlußfreien Dynodenstufen D₃-D_n um einen Faktor 41 χ führt. Dieser Faktor kann kompensiert werden, wenn nach Fig. 6 zur Stromkomponsation ein sonst kurzgeschlossener ohmscher Widerstand 15 = 321 ΚΩ freigegeben wird. Die Anordnung nach Fig. 6 hat den Vorteil, daß die Stromkompensation unabhängig von der jeweils gewählten Betriebsspannung des Sekundärelektronenvervielfachers erhalten bleibt.

Claims (4)

1. Anordnung zur Dämpfung des Sekundärelektronenvervielfacher-Ausgangssignals, bei der ein Sekundärelektronenvervielfacher mit einem Spannungsteiler, einem Anodenwiderstand und einer Betriebsspannung beschaltet ist, gekennzeichnet dadurch, daß

- die Kathode des Sekundärelektronenvervielfachers (1) und eine seiner Dynoden jeweils mit den

Polen eines Schalters,

- die Ein-/Auesteuerung des Schalters mit einer Dämpfungssteuerung

- die Kathode des Sekundärelektronenvervielfachers (1) mit dem negativen Pol der

Betriebsspannung
verbunden ist.

2. Anordnung zur Dämpfung des Sekundärelektronenvervielfacher-Ausgangssignals, bei der ein Sekundärelektronenvervielfacher mit einem Spannungsteiler, einem Anodenwiderstand und einer Betriebsspannung beschaltet ist, gekennzeichnet dadurch, daß

- die Kathode des Sekundärelektronenvervielfachers (1) und eine seiner Dynoden jeweils mit den Polen eines Schalters,

- die Kathode des Sekundärelektronenvervielfachers (1) über eine Spannungsquelle mit dem negativen Pol der Betriebsspannung

- die Spannungsquelle mit einem parallel liegenden Schalter

- die Ein-/Aussteuerung beider Schalter mit einer Dämpfungssteuerung verbunden ist.

3. Anordnung zur Dämpfung des Sekundärelektronenvervielfacher-Ausgangssignals, bei der ein Sekundärelektronenvervielfacher mit einem Spannungsteiler, einem Anodenwiderstand und einer Betriebsspannung beschältet ist, gekennzeichnet dadurch, daß

- die Kathode des Sekundärelektronenvervielfachers (1) und eine seiner Dynoden jeweils mit den Polen eines Schalters,

- die Kathode des Sekundärelektronenvervielfachers (1) über eine Spannungsquelle mit dem negativen Pol der Betriebsspannung

- eine weitere Dynode des Sekundärelektronenvervielfachers (1), welche zwischen der über den ersten Schalter mit der Kathode verbundenen Dynode and der Kathode liegt, die über einen weiteren Schalter mit dem negativen Pol der Betriebsspannung

- die Ein-/Aussteuerung beider Schalter mit einer Dämpfungssteuerung verbunden ist.

4. Anordnung zur Dämpfung des Sekundärelektronenvervielfacher-Ausgangssignals, bei der ein Sekundärelektronenvervielfacher mit einem Spannungsteiler, einem Anodenwiderstand und einer Betriebsspannung beschaltet ist, gekennzeichnet dadurch, daß

- die Kathode des Sekundärelektronenvervielfachers (1) und eine seiner Dynoden jeweils mit den Polen eines Schalters,

- die Kathode des Sekundärelektronenvervielfachers (1) über zwei in Reihe liegenden Spannungsquellen mit dem negativen Pol der Betriebsspannung,

- eine weitere Dynode des Sekundärelektronenvervielfachers (1), welche zwischen der über den ersten Schalter mit der Kathode verbundenen Dynode und der Kathode liegt, über einen zweiten Schalter mit dem negativen Pol der kathodennäheren Spannungsquelle

- die andere Spannungsquelle mit einem dritten parallel liegenden Schalter

- die EinVAussteuerung der drei Schalter mit einer Dämpfungssteuerung verbunden ist.

Hierzu 6 Seiten Zeichnungen