DD287615A7 - Verfahren zur bandbedampfung mit einem elektronenstrahllinienverdampfer - Google Patents
Verfahren zur bandbedampfung mit einem elektronenstrahllinienverdampfer Download PDFInfo
- Publication number
- DD287615A7 DD287615A7 DD88315108A DD31510888A DD287615A7 DD 287615 A7 DD287615 A7 DD 287615A7 DD 88315108 A DD88315108 A DD 88315108A DD 31510888 A DD31510888 A DD 31510888A DD 287615 A7 DD287615 A7 DD 287615A7
- Authority
- DD
- German Democratic Republic
- Prior art keywords
- electron beam
- program
- deflection
- points
- correction program
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000010025 steaming Methods 0.000 title description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
- H01G13/06—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00 with provision for removing metal surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/547—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using optical methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Das Verfahren zur Bandbedampfung mit einem Elektronenstrahllinienverdampfer dient zum Bedampfen von Folien und Papier zur Herstellung von Wickelkondensatoren und Reflexionsfolien sowie fuer die Verpackungsindustrie. Erfindungsgemaesz wird dem zeitlich konstanten Grundprogramm fuer die Ablenkung des Elektronenstrahls auf einer geraden Ablenklinie ein zeitlich veraenderbares Korrekturprogramm mit angepaszten Verweilzeiten an einzelnen Punkten ueberlagert. Das Korrekturprogramm wirkt nur auf bestimmte Punkte, die den senkrecht zur Bandlaufrichtung verteilt angeordneten Meszsonden zugeordnet sind. Das Grundprogramm und Korrekturprogramm bilden das gesamte Verdampfungsprogramm, wobei vorteilhafter Weise im Korrekturprogramm eine Wobbelung des Elektronenstrahls moeglich ist.{Folienbedampfung; Papierbedampfung; Metallverdampfung; Bandbedampfung; Elektronenstrahllinienverdampfer; Wickelkondensator; Reflexionsfolie; Verpackungsindustrie; Grundprogramm; Elektronenstrahl; Korrekturprogramm; Meszsonden}
Description
Hierzu 1 Seite Zeichnungen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bedampfen von bandförmigem Material, insbesondere aus Kunststoffolien und Papier, mit einem Elektronenstrahllinienverdampfer. Das bedampfte Material findet insbesondere zur Herstellung von Wickelkondensatoren, Reflexionsfolien und in der Verpackungsindustrie Anwendung.
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen
In Bandbedampfungsanlagen mit Elektronenstrahllinienverdampfer wird der Elektronenstrahl längs einer Linie auf dem Verdampfeniegel hin- und zurückgeführt, um das Verdampfungsgut gleichmäßig zu erhitzen. Die Verdampfung erfolgt zum Teil von der Auftrefflinie des Elektronenstrahls, wo eine überhöhte Temperatur herrscht, und zum Teil von der übrigen Schmelzbadoberfläche. Wie die Praxis zeigt, kann allein durch gleichförmige Ablenkung des Elektronenstrahles längs des Verdampfertiegels keine gleichmäßige Schichtdicke quer zur Bandlaufrichtung erzeugt werden. Die Ursache hierfür ist die unterschiedliche Fokussierung des Elektronenstrahles längs der Auftrefflinie. Dadurch ist die Leistungsdichte und somit die Verdampfungsrate unterschiedlich. Ursache für eine ungleiche Schichtdicke quer zur Bandlaufrichtung können auch Temperaturunterschiede längs des Tiegels durch thermische Inhomogenitäten des Tiagelmaterials sein. Eine weitere Ursache für unterschiedliche Schichtdicken ist die begrenzte Länge dos Verdampfertiegels und damit ein Schichtdickenabfall am Bandrand.
Es ist bekannt, zeitlich konstante Schichtdickenungleichmäßigkeiten über die Bandbreite dadurch zu korrigieren, daß die Ablenkung des Elektronenstrahls längs des Verdampfertiegels nicht gleichmäßig erfolgt, sondern daß die Ablenkgeschwindigkeit an den Stellen zu geringer Schichtdicke verringert und an den Stellen zu hoher Schichtdicke erhöht wird, bis die Schichtdickenverteilung annähernd gleichmäßig ist. Hierfür ist eine elektronisch programmierbare Ablenksteuerung erforderlich, mit deren Hilfe die Abicnkgeschwindigkeit des Elektronenstrahls längs der gesamten Ablenklinie programmiert werden kann.
Es hat auch Vorschläge gegeben, zeitlich veränderliche Schichtdickanschwankungen über die Bandbreite zu korrigieren, indem dieses Ablenkprogramm während der Bedampfung entsprechend der gemessenen Schichtdickenverteilung ständig automatisch geändert wird.
Diese Vorschläge waren bisher in der Praxis nicht realisierbar, weil sich bei Veränderung der Ablenkgeschwindigkeit in einem bestimmten Bereich der Ablcnklinio die Schichtdicke nicht nur in diesem Bereich, sondern zu stark auch in den Nachbarbereichen änderte. Die Folge war eine gegenseitige Beeinflussung und Instabilität der Regelkreise, so daß eine praktische Nutzung dieser Vorschläge nicht möglich war.
Es ist ein Verfahren zu schaffen, das mit geringem Aufwand eine gleichmäßige Schichtdickenverteilung bei der Bandbedampfung mittels Elektronenstrahl gewährleistet und schnell bei Schichtdickenschwankungen reagiert. Die Ausschußquote soll gesenkt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Bandbedampfung mit dem Elektronenstrahl mittels Lininnverdampfer zu schaffen, das sowohl in der Anfahrphase der Bedampfung, als auch bei lokalen Änderungen der Verdampfungsrate eine gleichmäßige Schichtdickenverteilung garantiert.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe mii einem Linienverdampfer, auf dem programmiert ein Elektronenstrahl abgelenkt wird, und mit nach dem Linienverdampfer in Bandlaufrichtung angeordneten Meßsonden dadurch gelöst, daß dem Programm für die Ablenkung des Elektronenstrahles längs des Verdampfertiegels als zeitlich konstantes Grundprogramm ein zeitlich veränderbares Korrekturprogramm überlagert wird. Das Grundprogramm entspricht dem bisher bekannten Ablenkprogramm, mit dem zeitlich konstante Schichtdickenungleichmäßigkeiten, wie der Schichtdickenabfall an den Bandrändern infolge der endlichen Tiegellänge, korrigiert werden. Das überlagerte Korrekturprogramm wirkt nicht über die ganze Länge der Ablenklinie, sondern nur an den diskreten Stellen der Ablenklinie, an denen sich Schichtdickenmeßsonden befinden. Der Elektronenstrahllinionverdampfer besteht somit aus einer zeitlich konstanten Linienquelle und einer Reihe zeitlich veränbderbarer lokalisierter Quellen in Form von Punktquellen. Überraschenderweise führen diese sogenannten Korrektur-Punktquellen nicht zu dor für Punktquellen typischen Schichtdickenungleichmäßigkeit, wie sie von Bandbedampfungsanlagen mit Schiffchenverdampfern bekannt ist. Vermutlich ist das dadurch bedingt, daß der Hauptanteil des Materials von der zeitlich konstanten Linienquelle verdampft und von den zeitlich veränderbaren Punktquellen nur ein Korrekturanteil verdampft. Das zeitlich konstante Grundprogramm für die Ablenklinie kann in an sich bekannter Weise aus einer Reihe von Punkten mit programmierbarer Verweilzeit bestehen, wobei der Elektronenstrahl schnell von einem zum anderen Punkt springt. Dabei muß die Zahl dieser Punkte mindestens doppelt so groß sein, wie die Zahl der Punkte des Korrekturprogramms. Um die punktförmige Struktur der Ablenklinie zu einer annähernd homogenen Linie zu verwischen und örtliche Überhitzurjen und Spritzerbildung längs der Ablenklinie zu vermeiden, ist es vorteilhaft, der programmierten Ablenkung des Elektronenstrahls eine hochfrequente Wobbel-Ablenkung zu überlagern, durch welche die einzelnen Punkte zu kurzen Strichen auseinandergezogen werden. Wählt man die Wobbeiamplitude gleich dem Punktabstand, so entsteht eine quasikontinuiorliche Ablenklinie.
Es ist auch möglich, die Ablenklinie aus Linienabschnitten statt aus gewobbelten oder nicht gewobbelten Punkten zusammenzusetzen, wobei die Linienabschnitte vom Elektronenstrahl mit unterschiedlichen, programmierbaren Ablenkgi)schwindigkeiten durchlaufen werden. Dieses Verfahren ist aufwendiger, ergibt aber die höchste Homogenität für die Ablenklinie. In diesem Fall ist es vorteilhaft, auch das Korrekturprogramm aus Linienabschnitten zu bilden, wobei die Zahl der Linienabschnii'.e des Grundprogramms mindestens doppelt so hoch wie die Zahl der Linienabschnitte des Korrekturprogramms seinso"'e.
Es ist zwecynäßig, wenn das dem zeitlich konstanten Grundprogramm überlagerte, zeitlich veränderbare Korrekturprogramm aus so vielen gewobbelten oder nicht gewobbelten Punkten oder aus so vielen Linienabschnitten besteht, wie Schichtdicken-Meßstellen über die Bahnbreite angeordnet sind. Die Verweilzelt des Elektronenstrahls an den einzelnen Punkten bzw. die Ablenkgeschwindigkeit innerhalb der einzelnen Linienabschnitte des Korrekturprogramms wird direkt durch das Meßsignal der jeweils zugeordneten Schichtdicken-Meßsonde in der Weise gesteuert, daß an allen Meßstellen die gleiche Schichtdicke erreicht wird.
Die zugehörigen Zeichnungen zeigen in
Fig. 1: eine Anordnung des Elektronenstrahl-Linienverdampfers als Draufsicht, Fig. 2: ein Diagramm des Grundprogramms und Korrekturprogramms.
Durch programmierte Ablenkung des in einer Elektronenkanone 1 erzeugten Elektronenstrahls 2 längs der Ablenklinie 3 auf der Oberfläche des Verdampfertiegels 4 wird das Verdampfungsgut b aufgeschmolzen und verdampft. Dadurch entsteht auf der über dem Verdampfertiegel 4 geführten bandförmigen Kunststoffolie 6 eine Aufdampfschicht., deren Dicke in sechs nebeneinanderliegenden Spuren A bis F durch sechs nebeneinanderliegende Meßsonden 7 (optische Transmissions-Meßsonden) gemessen wird.
Die Ablenklinie 3 besteht aus 13 Punkten, Pi-Pn, die . om Elektronenstrahl 2 nacheinander durchlaufen werden, wobei der Elektronenstrahl 2 mit seiner maximalen Ablenkgeschwindigkeit von Punkt zu Punkt springt und an jedem Punkt eine programmierbare Zeit toi bis to 13 entsprechend dem im Diagramm dargestellten Grundprogramm I verweilt. Die Zeiten toi bis te u des Grundprogramms I werden so programmiert, daß abgesehen von zeitlichen Schwankungen im Mittel eine gute SchichtdickonkOiistanz erreicht wird.
Diesem zeitlich konstanten Grundprogramm I wird ein zeitlich veränderbares Korrekturprogramm Il überlagert (s. Fig. 2). Dieses Korrekturprogramm wirkt nur auf die den sechs Spuren A bis F geometrisch exakt zugeordneten sechs Verdampfungspunkten Pj; P<; P«; Pe; Ρίο; Pu. Entsprechend den an den Meßsonden 7 gemessenen Schichtdicken in den Spuren A bis F werden zu den Verweilzeiten to2 bis ton der sechs zugehörigen Verdampfungspunkte P] bis P)2 entsprechende Korrekturzeiten tK2 bis tKi2 addiert, bis in allen sechs Spuren A bis F die gleiche Schichtdicke erreicht ist. Als Bezugsspur dient dabei die Spur, an der trotz
kurzer Verweilzeit die größte Schichtdicke gemessen wird. Im vorliegenden Beispiel ist das zum Zeitpunkt der Darstellung die
anderen fünf Verdampfungspunkten werden zu den Zeiten ta j bis tau des Grundprogramms I entsprechende Korrekturzeiten t<2bis tKt2 hinzugefügt, bis die Schichtdicke in allen sechs Spuren A bis F gleich ist.
bis ton und des Korrekturprogramms Il tK2 bis t*» ergeben, sind in Diagramm III des Gesamtprogrammes dargestellt. Damit die
sich bekannterWeise die Leistung der Elektronenkanone 1 oder die Transpurtgeschwindigkeit der bandförmigen
hochfrequenten Wobbeiablenkung die Ablenkpunkte zu kurzen Strichen auseinandergezogen werden können, um die
gewobbelten Punkte Linienabschnitte vorgesehen sind, die vom Elektronenstrahl 2 gleichmäßig mit programmierbarer
daß die für das Durchlaufen eines Linienabschnittes erforderlichen Zeiten gleich den genannten Verweilzeiten tG ι bis te η bzw. Uibis tK12 bei punktförmiger Ablenkung sind.
Claims (4)
1. Verfahren zur Bandbedampfung mit einem Elektronenstrahllinienverdampfer, auf dem der Elektronenstrahl senkrecht zur Bandlaufrichtung programmiert abgelenkt wird, wobei zurKontrolle und Steuerung der Schichtdickenverteilung mehrere Meßsonden senkrecht zur Bandlaufrichtung angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß dem zeitlich konstanten Grundprogramm für die Ablenkung des Elektronenstrahles ein zeitlich veränderbares Korrekturprogramm überlagert wird, welches entsprechend der gemessenen Schichtdickenverteilung ständig automatisch korrigiert wird, wobei das Grundprogramm auf alle Punkte der Ablenklinie und das Korrekturprogramm nur auf bestimmte, den Meßsonden räumlich zugeordnete Punkte wirkt, daß zwischen je zwei vom Korrekturprogramm durch den Elektronenstrahl beaufschlagten Punkten mindestens ein Punkt liegt, der nur vom Grundprogramm beaufschlagt wird und daß die Verweilzeiten des Grundprogrammes so eingestellt werden, daß im zeitlichen Mittel eine annähernd gleichmäßige Schichtdickenverteilung erreicht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verweilzeiten des Korrekturprogramms zu den Verweilzeiten des Grundprogramms addiert werden, wobei die Verweilzeit des Korrekturprogramms für den Punkt mit der größten gemessenen Schichtdicke gleich Null gesetzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Ablenkung des Elektronenstrahls von Punkt zu Punkt längs der Ablenklinie eine hochfrequente Wobbel-Ablenkung überlagert wird, wobei die Wobbeiamplitude maximal gleich dem Abstand zwischen zwei Punkten und die Periodendauer einer Wobbeischwingung maximal gleich der kürzesten einstellbaren Verweilzeit des Grundprogramms eingestellt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ablenklinie statt aus Punkten aus Linienabschnitten zusammengesetzt wird, wobei die Ablenkgeschwindigkeit für jeden Linienabschnitt so programmiert wird, daß die Zeit zum Durchlaufen eines Linienabschnittes der Verweilzeit des entsprechenden Punktes bei punktförmiger Ablenkung entspricht.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD88315108A DD287615A7 (de) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | Verfahren zur bandbedampfung mit einem elektronenstrahllinienverdampfer |
US07/335,345 US4960607A (en) | 1988-04-27 | 1989-04-10 | Method for web coating by means of an electron beam |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD88315108A DD287615A7 (de) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | Verfahren zur bandbedampfung mit einem elektronenstrahllinienverdampfer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DD287615A7 true DD287615A7 (de) | 1991-03-07 |
Family
ID=5598724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DD88315108A DD287615A7 (de) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | Verfahren zur bandbedampfung mit einem elektronenstrahllinienverdampfer |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4960607A (de) |
DD (1) | DD287615A7 (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4113364C1 (de) * | 1991-04-24 | 1992-04-02 | Forschungsgesellschaft Fuer Elektronenstrahl- Und Plasmatechnik Mbh, O-8051 Dresden, De | |
EP1275750B1 (de) * | 2001-07-11 | 2009-07-01 | Carl Zeiss Vision GmbH | Bedampfungsanlage |
WO2019239185A1 (en) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | Arcelormittal | Vacuum deposition facility and method for coating a substrate |
WO2019239184A1 (en) | 2018-06-13 | 2019-12-19 | Arcelormittal | Vacuum deposition facility and method for coating a substrate |
WO2019239186A1 (en) | 2018-06-13 | 2019-12-19 | Arcelormittal | Vacuum deposition facility and method for coating a substrate |
-
1988
- 1988-04-27 DD DD88315108A patent/DD287615A7/de not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-04-10 US US07/335,345 patent/US4960607A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4960607A (en) | 1990-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3330092C2 (de) | ||
DE2828651C2 (de) | Vakuum-Aufdampfeinrichtung | |
DE2918283C2 (de) | Gerät zur Substratbehandlung mit einem Drehspiegel od. dgl. | |
DE3306981C2 (de) | Vorrichtung zur Photokoagulation von biologischem Gewebe | |
DE2711714A1 (de) | Vakuum-aufdampfvorrichtung | |
EP0045058B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Schichtkondensatoren | |
DE2143553A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Kristallstäben | |
DE69522295T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines beschichteten substrats | |
EP3124648B1 (de) | Verdampfersystem sowie verdampfungsverfahren für die beschichtung eines bandförmigen substrats | |
DD287615A7 (de) | Verfahren zur bandbedampfung mit einem elektronenstrahllinienverdampfer | |
EP2510535B1 (de) | Ablenkvorrichtung für elektronenstrahlen | |
DE2852583A1 (de) | Energieschweissverfahren und einrichtung zu seiner durchfuehrung | |
DE3424530C2 (de) | ||
DE19651515C1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Folienaufheizung sowie Meßeinrichtung zur Messung der Folientemperatur | |
DE102007008674B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur langzeitstabilen Beschichtung flächiger Substrate | |
DE2113720B2 (de) | Verfahren zur Durchmesserregelung beim tiegellosen Zonenschmelzen von Halbleiterstäben | |
DE102009005513B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur langzeitstabilen Beschichtung von Substraten mittels Elektronenstrahlverdampfung | |
DE4338907C2 (de) | Meßeinrichtung zur Bestimmung von Schichtdicken | |
DE69222476T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen Elektronen-Bestrahlen von Metallbändern | |
DE3428802A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur steuerung des fokussierungszustandes eines abgelenkten elektronenstrahls | |
EP2903016A1 (de) | Elektronenstrahleinheit mit schräg zur Transportrichtung ausgerichteten Heizkathodendrähten | |
DE1521174A1 (de) | Verfahren fuer die thermische Aufdampfung von Stoffgemischen im Vakuum | |
DE1295957B (de) | Verfahren zum Herstellen einer duennen elektrisch leitenden Metallschicht geringer Breitenausdehnung durch Aufdampfen im Hochvakuum | |
DE102022100820B3 (de) | Stabilisierungsvorrichtung und Sensoraufbau für fortlaufend bewegte Metallbänder | |
DE2916080C2 (de) | Verfahren zum Molekular-Aufdampfen von Halbleiterschichten und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ENJ | Ceased due to non-payment of renewal fee |