DD250247A3 - Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens chipgeklebter Halbleiterkörper - Google Patents
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Abstract
Ziel und Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren anzugeben, die Ausbeute bei chipgeklebten Halbleiterkoerpern durch Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens zu erhoehen. Dies wird erfindungsgemaess erreicht durch eine gezielte wahlweise ein- oder mehrmalige elektrische Impulsbeanspruchung, wobei die Beanspruchung durch Impulshoehe, Tastverhaeltnis und Impulsdauer dem einzelnen Bauelementetyp angepasst wird. Nach Anwendung des Verfahrens haben die behandelten Halbleiterbauelemente stabile Kennlinienverlaeufe ICf(UCE).
Description
Vor der Endmessung erfolgte eine Vorbehandlung der Fototransitoren durch eine Impulsbeanspruchung
!Kollektor-Emitter = 500 ITiA, Tastverhältnis = 1:1 000,
Impulsdauer =10~3s, bzw.
iKoiiektor-emitter = 700 ITiA, Impulsdauer = 10-4 s, Einzel impuls
Zur Erzielung möglichst hoher Stromimpulse, ohne die Grenzbelastbarkeit der Bauelemente zu überschreiten, war die elektrische Impulsfolge bzw. der elektrische Impuls so gerichtet, daß der Emitter der Transistoren positiv gepolt wurde.
Eigenschaften der Fototransistoren ohne erfindungsgemäße Behandlung:
Hohe Sättigungsspannung und teilweise starke Instabilität der Sättigungsspannung UcEsat· Bei einem Hellstrom von Ic = 200 μΑ (E = 1000Ix) wurden Sättigungsspannungen von UCEsat = 0,1 ...2,5V gemessen.
Eigenschaften der Fototransistoren mit erfindungsgemäßer Behandlung:
Stabiler Kennlinienverlauf lc = f(UCE)/ wobei die Sättigungsspannungen im Bereich von UCEsat = 0,1 ...0,2V lagen.
Charakteristische Kennlinienverläufe mit und ohne Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in beiliegender Figur dargestellt.
Claims (4)
- -1- 250 24 Patentanspruch:1. Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens chipgeklebter Halbleiterkörper, insbesondere Strahlungsempfänger, gekennzeichnet dadurch, daß das geklebte Kontaktsystem durch einen gerichteten elektrischen Impuls im Bereich seiner Grenzbeanspruchung belastet wird
- 2. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß ein Einzelimpuls angewendet wird.
- 3. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß eine elektrische Impulsfolge angewendet wird.
- 4. Verfahren gemäß Punkt 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der elektrische Impuls so gerichtet is1 daß bei Transistoren am Emitter ein positives Potential anliegt.Hierzu 1 Seite ZeichnungAnwendungsgebiet der ErfindungDie Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens chipgeklebter Halbleiterkörper, bei denen die Standard-Chipklebetechnologie mit Leitkleber Verwendung findet. Das erfindungsgemäße Verfahren kann als ständiger Bestandteil des Produktionsprozesses oder als nachträglicher Teilschritt zur Ausbeuteerhöhung angewendet werdeCharakteristik der bekannten technischen LösungenFür die Fertigung von Halbleiterbauelementen ist es notwendig, die ungekapselten Halbleiterchips auf geeigneten Trägermaterialien so zu befestigen, daß die Verbindung den Chips eine hinreichende Festigkeit auch unter extremen Bedingungen gibt, sowie eine genügende Wärmeableitung und einen geringen Übergangswiderstand garantiert. Im Fall optoelektronischer Bauelemente dürfen zusätzlich die elektrooptischen Eigenschaften wie beispielsweise die Strahlstärke bei Senderbauelementen oder die Fotoempfindlichkeit bei Empfängerbauelementen, aber auch das Degradationsverhalten nicht negativ beeinflußt werden.Während früher Halbleiterchips gewöhnlich mit der metallisierten p- oder η-Seite auf metallischen oder metallisierten nichtmetallischen Substratträgern leitend befestigt wurden, ist gegenwärtig besonders bei mikrooptoelektronischen Bauelementen Stand der Technik, daß rückseitengegetterte nichtmetallisierte Halbleiterchips auf leitende Trägermaterialien vermittels Leitklebern aufgebracht werden, wobei diese Verbindung ohmsches Leitfähigkeitsverhalten zeigt. Als nachteilig erweist sich bei dieser Verfahrensweise, daß vor allem bei Temperaturbelastungen der Halbleiterbauelemente besonders durch Diffusionsprozesse an der geklebten nichtmetallisierten Halbleiterrückseite deutliche Verschlechterungen d( elektrischen Eigenschaften, besonders des ohmschen Verhaltens auftreten, die zu einem erheblichen Anteil an Ausfallbauelementen führen.Gegenwärtig ist kein Verfahren bekannt, das für chipgeklebte, drahtgebondete und umhüllte Halbleiterkörper, vorzugsweise Si-Strahiungsempfängerohne Rückseitenmetallisierung, in diesem Fertigungsstadium noch eine Ausbeuteerhöhung bewirkt. Die bekannte Technologie bei z. B. Ge-Spitzendioden zur Herstellung einer charakteristischen Halbleiterstruktur, bewirkt keine Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens und steht somit in keiner Beziehung zur Problematik der Technologie zur Herstellung chipgeklebter Halbleiterbauelemente.Ziel der ErfindungZiel der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Erhöhung der Ausbeute chipgeklebter Halbleiterbauelemente mit niederohmigem Kontaktverhalten anzugeben.Darlegung des Wesens der ErfindungDer Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens chipgeklebter Halbleiterkörper anzugeben. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß chipgeklebte, drahtgebondete und umhüllte Halbleiterkörper, vorzugsweise Si-Strahlungsempfänger ohne Rückseitenmetallisierung, einer gezielten wahlweise ein- oder mehrmaligen elektrischen Impulsbeanspruchung unterzogen werden, wobei die Beanspruchung durch Impulshöhe Tastverhältnis und Impulsbreite angepaßt ist.Bei der Behandlung von Transistoren mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist der elektrische Impuls so gerichtet, daß am Emitter ein positives Potential anliegt.AusführungsbeispielDie Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Für die erfindungsgemäße Behandlung wurden Si-Fototransistoren in plastumhüllter Trägerstreifenbauform verwendet. Die Montage erfolgte durch Chipkleben der nichtmetallisierten Rückseite mit silberhaltigem Epoxidharzkleber und einer Golddrahtbondung und Klarplastumhüllung.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD26237384A DD250247A3 (de) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens chipgeklebter Halbleiterkörper |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DD26237384A DD250247A3 (de) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens chipgeklebter Halbleiterkörper |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DD250247A3 true DD250247A3 (de) | 1987-10-08 |
Family
ID=60099704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DD26237384A DD250247A3 (de) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens chipgeklebter Halbleiterkörper |
Country Status (1)
Country | Link |
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DD (1) | DD250247A3 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102016009560A1 (de) | 2016-08-02 | 2018-02-08 | Aic Hörmann Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens zwischen einem Kontaktgitter und einer Emitterschicht einer Siliziumsolarzelle |
DE102018001057A1 (de) | 2018-02-07 | 2019-08-08 | Aic Hörmann Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens zwischen einem Kontaktgitter und einer Ermitterschicht einer Siliziumsolarzelle |
-
1984
- 1984-04-26 DD DD26237384A patent/DD250247A3/de unknown
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE102016009560A1 (de) | 2016-08-02 | 2018-02-08 | Aic Hörmann Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens zwischen einem Kontaktgitter und einer Emitterschicht einer Siliziumsolarzelle |
WO2018024274A1 (de) | 2016-08-02 | 2018-02-08 | Aic Hörmann Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur verbesserung des ohmschen kontaktverhaltens zwischen einem kontaktgitter und einer emitterschicht einer siliziumsolarzelle |
DE102016009560B4 (de) | 2016-08-02 | 2022-09-29 | Ce Cell Engineering Gmbh | Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens zwischen einem Kontaktgitter und einer Emitterschicht einer Siliziumsolarzelle |
DE102018001057A1 (de) | 2018-02-07 | 2019-08-08 | Aic Hörmann Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens zwischen einem Kontaktgitter und einer Ermitterschicht einer Siliziumsolarzelle |
WO2019154450A1 (de) | 2018-02-07 | 2019-08-15 | Aic Hörmann Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur verbesserung des ohmschen kontaktverhaltens zwischen einem kontaktgitter und einer emitterschicht einer siliziumsolarzelle |
US11784263B2 (en) | 2018-02-07 | 2023-10-10 | Ce Cell Engineering Gmbh | Method for improving ohmic-contact behaviour between a contact grid and a emitter layer of a silicon solar cell |
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