DD159003A3 - Verfahren zur herstellung von aufdampfmaterial zur erzeugung von siliziummonoxidschichten durch vakuumverdampfung - Google Patents

Verfahren zur herstellung von aufdampfmaterial zur erzeugung von siliziummonoxidschichten durch vakuumverdampfung Download PDF

Info

Publication number
DD159003A3
DD159003A3 DD22759181A DD22759181A DD159003A3 DD 159003 A3 DD159003 A3 DD 159003A3 DD 22759181 A DD22759181 A DD 22759181A DD 22759181 A DD22759181 A DD 22759181A DD 159003 A3 DD159003 A3 DD 159003A3
Authority
DD
German Democratic Republic
Prior art keywords
silicon
silicon monoxide
producing
layers
silicon dioxide
Prior art date
Application number
DD22759181A
Other languages
English (en)
Inventor
Heinz Schicht
Hagen Hildebrand
Ulrich Szymanski
Manfred Krueger
Hans-Joachim Becker
Rudolf Tuemmler
Wolfgang Engemann
Dieter Lambrecht
Original Assignee
Heinz Schicht
Hagen Hildebrand
Ulrich Szymanski
Manfred Krueger
Becker Hans Joachim
Rudolf Tuemmler
Wolfgang Engemann
Dieter Lambrecht
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heinz Schicht, Hagen Hildebrand, Ulrich Szymanski, Manfred Krueger, Becker Hans Joachim, Rudolf Tuemmler, Wolfgang Engemann, Dieter Lambrecht filed Critical Heinz Schicht
Priority to DD22759181A priority Critical patent/DD159003A3/de
Priority to BG5405181A priority patent/BG40863A1/xx
Priority to CS818156A priority patent/CS815681A1/cs
Priority to HU339981A priority patent/HU192077B/hu
Publication of DD159003A3 publication Critical patent/DD159003A3/de

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Aufdampfmaterials zur Erzeugung von Siliziummonoxidschichten durch Vakuumverdampfung. Siliziummonoxidschichten werden beispielsweise fuer elektronische Bauelemente oder als Interferenz- bzw. Schutzschichten fuer waermestrahlenreflektierende oder bezueglich Waermedaemmung verbesserte Thermoscheiben angewendet. Das Ziel der Erfindung ist ein Aufdampfmaterial, welches ohne gesonderten Vakuumprozess energie- und arbeitssparend herstellbar ist, eine rueckstandsfreie Verdampfung ohne Sekundaerreaktionen ermoeglicht und gegenueber stueckigem Siliziummonoxid gleichwertige oder bessere Eigenschaften der aufgedampften Siliziummonoxidschichten gewaehrleistet. Erfindungsgemaess wird dies dadurch geloest, dass ein gut homogenisiertes Gemisch aus Silizium und Siliziumdioxid grosser Reinheit bei Ueberschuss von Siliziumdioxid mit einer 10 bis 12 %igen waessrigen Polyvinylalkoholloesung versetzt wird.

Description

11 b y ι
Titel der
Verfahren zur Herstellung τοπ Aufdampfmaterial zur Erzeugung von S iliziummonozdUl schicht en durch Vakuumverdampfung
Anwendungsgebiet der Srfindung.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Aufdampfmaterials zur Erzeugung von Siliziummono^cidschichten durch Vakuumverdampfung. Siliziummonoxidschichten werden beispielsweise für elektronische Bauelemente oder als Interferenz- bzw. Schutzschichten für Vi/ärmestrahlenreflektierende oder bezüglich Wärmedämmung verbesserte Thermoscheiben angewendet.
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen
Siliziummonoxidschichten werden üblicherweise durch Verdampfung von stückigem Siliziummonoxid im Vakuum bzw, Hochvakuum hergestellt. Dieses stückige Siliziummonoxid wird in jedem Fall durch einen vom Siliziummonoxidschichtenherstellungsverfahren gesonderten Vakuumprozeß hergestellt, bei dem entweder ein loses oder gesintertes Gemisch aus Silizium und Siliziumdioxid verdampft, auf einer Kondensationsfläche'niedergeschlagen und das Kondensat entsprechend dem Verwendungszweck zerkleinert wirdo Dieses stückige Silisiummonoxid zur Herstellung von Siliziummonoxidschichten in der Vakuumtechnik hat den Nachteil, daß es in einem gesonderten, energie- und arbeitsaufwendigen Vakuumprozeß hergestellt wird»
rrninO1.L
2 2 7 5 9 1
Weiterhin wurde versucht, den gesonderten Vakuumprozeß durch Verwendung eines aua Silizium und Siliziutndioxid bestehenden Gemisches, das mit anorganischen Bindemitteln, z. B. Wasserglas, oder organischen, z. B, Terephthal- bzw. Phthalsäureester oder Lacke auf Nitrozellulosebasis angemacht wird, zu umgehen. Derartige Gemische haben aber den Nachteil, daß bei ihrer Verdampfung Sekundär reaktionen einsetzen, die den Vakuumprozeß u. a. durch pyrophores Verhalten der Verdampfungsrückstände bzw, durch Abspalten von aggressiven Radikalen negativ beeinflussen, damit ist insbesondere keine großtechnische Anwendung möglich und sind keine reproduzierbaren SiIiziummonoxidschichten zu erzielen*
Ziel der Erfindung
Es soll ein Aufdampfmaterial zur Herstellung von SiIiziummonoxidschichten in der Vakuumtechnik geschaffen werden, welches ohne gesonderten Vakuumprozeß energie- und arbeitssparend herstellbar ist, eine rückstandsfreie Verdampfung ohne Sekundärreaktionen ermöglicht und gegenüber stückigem Siliziummonoxid gleichwertige oder bessere Eigenschaften der aufgedampften Siliziummonoxidschichten gewährleistet .
Darlegung; des Wesens der Erfindung . .
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Aufdarapfmaterial zur Herstellung von Siliziummonoxidschichten in der Vakuumtechnik zu schaffen, welches einfach ist', keinen gesonderten Vakuumprozeß erfordert, eine rückstandsfreie Verdampfung ohne Sekundärreaktionen, beispielsweise pyrophores Verhalten der Verdampfung3rückstände, Abspalten von aggressiven Radikalen, ermöglicht und gegenüber stückigem Siliziummonoxid gleichwertige oder bessere Eigenschaften der aufgedampften Siliziummonoxidschichten erzeugt.
2759
Erfindungggemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß ein gut homogenisiertea Gemisch aus Silizium und Siliziumdioxid großer Reinheit bei Überschuß von Siliziumdioxid mit einem organischen Reagens in wäßriger Lösung versetzt wird. Dabei erweist es sich als besonders vorteilhaft, als organisches Reagens eine 10...12%ige wäßrige Polyvinylalkohollösung mit einem Anteil von ca» 9 Masse-% Polyvinylalkohol, bezogen auf das Gemisch aus Silizium und Siliziumdioxid, zu verwenden. Das organische Reagens in wäßriger Lösung besitzt offenbar u. ao die Eigenschaft, daß es die Silizium- und Siliziumdioxidteilchen sehr gut ummantelt und so einen innigen Verbund zwischen den Teilchen, deren Größe vorteilhafterweise mit 4S. '!-OX-tn gewählt wird, gewährleistete Es hat 3ich ferner als vorteilhaft erwiesen, einen Überschuß an Silisiumdioxid von ca. 10 Masse-%, bezogen auf flaa Gemisch aus Silizium und Siliziumdioxid, zu verwenden.
Das mit einem organischen Reagens in wäßriger Lösung versetzte Gemisch aus Silizium und Siliziumdioxid wird an Luft bei Raumtemperatur vorgetrocknet, erreicht bei ca. 18O..e2G?G in einem sich anschließenden weiteren Trocknungsprözeß an Luft seine größte !Festigkeit und kann danach auf die gewünschte Größe oder Form zerkleinert werden.
Bei Verwendung des erfindungsgemäßen Aufdampfmaterials zur Herstellung von Siliziummonoxidschichten in der Vakuumtechnik wirkt das organische Reagens offenbar katalytisch, da Verdampf ungste^era türen erreicht werden, die weit unter den Siedetemperaturen des Siliziums und Siliziuradioxids und deutlich unter denen von stückigem Siliziummonoxid bei sonst gleichen Bedingungen liegen»
Aueführungabelapiel
400 g Siliziumpulver'(Siliziumscheibenachrott) und 920 g Siliziumdioxid (chemisch gefälltes Siliziumdioxid) werden getrennt voneinander zu einer Teilchengröße von s. gemahlen« Nach dem Mahlprozeß v/erden beide Komponenten homogen vermischt und mit 1056 ml einer 11%igen wäßrigen Polyvinylalkohollöaung zu einem Brei verrührt, der in einen 14· mm hohen Teflonhohlzylinder von 50 mm Durchmesser eingebracht wird« Nach einer Vortrocknung an Luft bei Raumtemperatur (ca· 8o.e10 h) wird daa Gemisch dann. 1 h bei 1900G an Luft gründlich getrocknet und bindet ab, Daa trockene Aufdampfmaterial wird der Form entnommen, zerkleinert und bei der Beschichtung von Tafelglas in einer kontinuierlich arbeitenden Anlage zur Herstellung von wärmestrahlenreflektierenden Thermoseheiben eingesetzt. Das Aufdampfmaterial verdampft rückstandsfrei, ruft keine Sekundärreaktionen hervor, und es werden Siliziummonoxidschichten mit gleichen oder besseren Eigenschaften gegenüber stückigem Siliziummonoxid erzielt.
Die Verdampfungstemperaturen liegen beim erfindungsgemäßen Aufdampfmaterial um ca. 100 K niedriger als beim stückigen Siliziummonoxid»

Claims (3)

  1. Jirf indungsanspruch
    Verfahren zur Herstellung von Auf da rupf material zur Erzeugung von Siliziummonoxidschichten durch Vakuumverdampfung, bei dera Silizium und Siliziumdioxid großer B.einheit und geringer Teilchengröße mit einem Bindemittel versetzt, an der Luft vorgetrocknet und hei erhöhter Temperatur nachgetrocknet wird, gekennzeichnet dadurch, daß als Bindemittel wäßrige Polyvinylalkohollösung verwendet wird, daß die Teilchengröße des Siliziums und Siliziumdioxids - 4-0 jxm beträgt, Siliziumdioxid im Überschuß zugesetzt wird und die Nachtrocknung bei einer Temperatur von ISO - 2000C erfolgt.
  2. 2. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß 10 12 %ige wäßrige Polyvinylalkohollösung verwendet wird und der Anteil des Polyvinylalcohols 9 Masse-», bezogen auf das Gemisch aus Silizium und Siliziumdioxid, beträgt,
  3. 3* Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß der Überschuß an SiIiziumdioxid 10 Masse-%, bezogen auf das Gemisch aus Silizium und Siliziumdioxid, beträgt.
DD22759181A 1981-02-12 1981-02-12 Verfahren zur herstellung von aufdampfmaterial zur erzeugung von siliziummonoxidschichten durch vakuumverdampfung DD159003A3 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD22759181A DD159003A3 (de) 1981-02-12 1981-02-12 Verfahren zur herstellung von aufdampfmaterial zur erzeugung von siliziummonoxidschichten durch vakuumverdampfung
BG5405181A BG40863A1 (en) 1981-02-12 1981-11-04 Method for preparing powderous material for obtaining layers of silicon monooxide in vacuum
CS818156A CS815681A1 (en) 1981-02-12 1981-11-05 Vstrikovaci latka k ziskani vrstev z kyslicniku kremnateho ve vakuove technice
HU339981A HU192077B (en) 1981-02-12 1981-11-13 Process for preparing evaporation agent in order to form silicon monoxide layers by evaporation in vacuum

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD22759181A DD159003A3 (de) 1981-02-12 1981-02-12 Verfahren zur herstellung von aufdampfmaterial zur erzeugung von siliziummonoxidschichten durch vakuumverdampfung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DD159003A3 true DD159003A3 (de) 1983-02-16

Family

ID=5529078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DD22759181A DD159003A3 (de) 1981-02-12 1981-02-12 Verfahren zur herstellung von aufdampfmaterial zur erzeugung von siliziummonoxidschichten durch vakuumverdampfung

Country Status (4)

Country Link
BG (1) BG40863A1 (de)
CS (1) CS815681A1 (de)
DD (1) DD159003A3 (de)
HU (1) HU192077B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0636589A1 (de) * 1993-07-20 1995-02-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Quellen für Siliziumoxidbeschichtung
EP1112981A1 (de) * 1999-12-30 2001-07-04 Norbert Couget Verfahren zur Herstellung einer optischen Schicht auf ein Substrat durch Vakuumverdampfung eines Pulvers

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0636589A1 (de) * 1993-07-20 1995-02-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Quellen für Siliziumoxidbeschichtung
EP1112981A1 (de) * 1999-12-30 2001-07-04 Norbert Couget Verfahren zur Herstellung einer optischen Schicht auf ein Substrat durch Vakuumverdampfung eines Pulvers
FR2803289A1 (fr) * 1999-12-30 2001-07-06 Norbert Couget Procede de preparation d'un revetement optique sur un substrat par evaporation sous vide d'une poudre

Also Published As

Publication number Publication date
HU192077B (en) 1987-05-28
CS815681A1 (en) 1985-04-16
BG40863A1 (en) 1987-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1997010187A1 (de) Aerogel- und klebstoffhaltiges verbundmaterial, verfahren zu seiner herstellung sowie seine verwendung
CH625886A5 (de)
DE2728776C2 (de) Anorganische feuerfeste Klebemasse
DE1036220B (de) Verfahren zur Herstellung feinteiliger anorganischer Oxydgele
DE2626548A1 (de) Adsorbensmaterial
EP0288070B1 (de) Tonhaltiges Material und Verfahren zur Herstellung desselben
CH646126A5 (de) Graphitkoerper mit korrosionsfester schutzschicht sowie verfahren zu dessen herstellung.
DE2904412C3 (de) Thermische Schüttisolierung aus Teilchen aus durch Bindemittel klebrig gemachtem expandiertem Perlit
DE19616217A1 (de) Schutzbeschichtung für Werkstücke, insbesondere aus Kohlenstoff-Verbundwerkstoff, Werkstücke mit einer solchen Schutzbeschichtung und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Schutzbeschichtung
DD159003A3 (de) Verfahren zur herstellung von aufdampfmaterial zur erzeugung von siliziummonoxidschichten durch vakuumverdampfung
DE2244181A1 (de) Gesinterte chromatographische elemente in stabform zur duennschichtchromatographie und verfahren zu ihrer herstellung
DE2925314C2 (de) Verfahren zur Herstellung von für die Schichtchromatographie geeignetem Aluminiumoxyd und dessen Verwendung
DE1814113C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines bindemittelfreien Pb3 O4 -Granulats
DE10053832A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer SiC-Vorform mit hohem Volumengehalt
DE4330990A1 (de) Selektive Kohlefilter
DE2015672C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Platten und Folien für die Chromatographie, insbesondere für die Dünnschichtchromatographie, und Adsorbens zur Durchführung des Verfahrens
DE1669631A1 (de) Bornitridhaltige feste Dielektrika und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2718332A1 (de) Hitzebestaendiges poroeses verbundmaterial
EP0951461A1 (de) Bornitrid-dichtungskörper
DD152120A1 (de) Verfahren zur herstellung von siliziumoxid als aufdampfmaterial
DE1571399A1 (de) Verfahren zur Verbesserung der Formbestaendigkeit von Koerpern aus oxydhaltigen anorganischen Stoffen und Kunstharzbindemitteln bei Einwirkung von Feuer und/oder hohen Temperaturen
DE68910937T2 (de) Herstellungsverfahren von Beschichtungen auf mechanischen Teilen durch P/M-Techniken.
DE4106516C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer pulverförmigen, homogenen, feindispersen Dispersion sowie die Verwendung danach erhaltener Produkte
DE2627912C3 (de) Poröser Hochtemperatur-Konstruktionswerkstoff
DE1567770C3 (de) Verfahren zur Herstellung von geformten Molekularsieben

Legal Events

Date Code Title Description
ENJ Ceased due to non-payment of renewal fee