DD134331B1 - Verfahren zur montage von halbleiterbauelementen mittels weichloetung - Google Patents

Verfahren zur montage von halbleiterbauelementen mittels weichloetung Download PDF

Info

Publication number
DD134331B1
DD134331B1 DD20220877A DD20220877A DD134331B1 DD 134331 B1 DD134331 B1 DD 134331B1 DD 20220877 A DD20220877 A DD 20220877A DD 20220877 A DD20220877 A DD 20220877A DD 134331 B1 DD134331 B1 DD 134331B1
Authority
DD
German Democratic Republic
Prior art keywords
gold
semiconductor components
mounting semiconductor
ethanol
soldering
Prior art date
Application number
DD20220877A
Other languages
English (en)
Other versions
DD134331A1 (de
Inventor
Wolfgang Grobe
Hans-Friedrich Hadamovsky
Wolfgang Hirsch
Dieter Loof
Gerhard Sachse
Ulrich Mohr
Original Assignee
Wolfgang Grobe
Hadamovsky Hans Friedrich
Wolfgang Hirsch
Dieter Loof
Gerhard Sachse
Ulrich Mohr
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wolfgang Grobe, Hadamovsky Hans Friedrich, Wolfgang Hirsch, Dieter Loof, Gerhard Sachse, Ulrich Mohr filed Critical Wolfgang Grobe
Priority to DD20220877A priority Critical patent/DD134331B1/de
Publication of DD134331A1 publication Critical patent/DD134331A1/de
Publication of DD134331B1 publication Critical patent/DD134331B1/de

Links

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

Grobe, Wolfgang ßtahnsdorf, den 15. 5« 1980
155 Ialtow, L-Herrmann-Str. 3 a
Hirsch, Wolfg uig
153 Teltow, E^-Thälmann-Str. 93 a
Dr· Hadamovskr/t Hans-Friedrich 1532 ICleiniaachnow, Steinweg 25
Loof, Dieter
153 Teltow, Elbestr· 11 Б
Dr. Mohr, Ulrich
1532 Kleiniiiachnow, Ph.-Müller-Allee 159
ßachse, Gerhard
1532 Kleirimachnow, Kiefernweg 38
Verfahren zur Montage von Halbleiterbauelementen mittels Weichlot ung
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Montage von Kochspannungstransistoren mittels Weichlötungo
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen
Die Montage von metallisierten Si-Slementen auf Trägerscheiben oder Sockel mittels Weichlötung ist bekannt und wird z, B* in
der DE-AS 1 207 501 beschrieben.
Weiterhin ist auch das DD-WP 105 744 bekannt, in dem die elektronischen Bauelemente mittels eines rückstandslos verdampfenden Flußmittels, z. B· einer alkoholhaltigen Adipinsäurelösung, aufgelötet werden·
In der DE-AS 2 2J8 874 wird ein Lötverfahren angegeben, bei dem ein in einer Trägersubstanz gelöstes Reduktionsmittel als Flußmittel verwendet wird. Als Trägersubstanz dient hier gemäß Anspruch. 5 Äthylalkohol«
Schließlich ist durch die KB-OS 1 552 980 ein Verfahren bekannt, durch das, unter Verwendung von Stickstoff als Schutzgas, die Ausbildung von Verfärbungen geglühter Metalle durch Eintauchen in eine Flüssigkeit mit geringer Oberflächenspannung, z. B, Spiritus, verhindert wird· Bei allen genannten Schriften sind die zu lötenden Flächen oxidierbar·
Bei der Montage von Hochsparmungstransistoren ist ѳб schwierig, vergoldete Si-Elemente mit einer ungeschützten Fase auf einen vergoldeten Sockel aufzulöten. Die Elemente sind auf einer Seite ganzflächig vergoldet· Hierbei ist die Verwendung von Flußmitteln nicht möglich, da bei den bisher bekannten Flußmitteln eine Kontaminier ong der ungeschützten Fasenflächen und damit verbunden eine schädliche Beeinflussung der Sperreigenschaften das Bauelementes nicht zu, vermeiden ist· Die Lotung im Schutzgas ohne Flußmittel führt ebenfalls zu unbefriedigenden Resultaten,, Hierbei zeigt sich ebenfalls ein nachteiliger Einfluß des Wasserstoffs auf die Sperrcharakteristik· Bei Verwendung von N0 als Schutzgas treten ein träger Lotfluß und Benetzungsfehlstellen auf, die zu einem Anstieg des Wärmewiderstandes führen·
Ziel der Erfindung
Ziel der Erfindung ist gs, bei Hochspannungsbauelementen den inneren Wärmewid er stand S4.. A zu verringern und eine höhere
— 35 —
Ausbeute zu erreichen,
Darlegung des Wesens dor Erfindung
Ausgehend vom Ziel der Erfindung» stellt sich die technische Aufgab©, ein Verfahren zur fehlerfreien Montage von Hochspannungsbauelementen zu schaffen, bei dem die Sperrcharakteristik des Bauelementes erhalten bleibt.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die geätzten, auf der Fase ungeschützten Elemente, die einseitig ganzflächig vergoldet sind, unmittelbar vor der Lötung in einer Hg-AtmoSphäre kurz in Äthanol getaucht werden und danach in bekannter· Weise unter Beibehaltung der Np-Schutzgasatmosphäre bei Temperaturen zwischen 200 und 500 0CJ mit einem bleihaltigen Zinnlot auf den träger oder Sockel aufgelötet v/erden· Die Wirkung der dargelegten erfinderischen Maßnahme ist für den Fachmann überraschend ι da bei den vergoldeten Bauteilen Oxidschicht©n, wie sie bei anderen Metallen auftreten, hier nicht vorhanden sind« Der Wirkungsmechanismus muß sich von dem, der bei der Verwendung von alkoholhaltigen Flußmitteln bei anderen Metallen auftritt, unterscheiden, da die Fachwelt bei Goldoberflächen nicht von einer Aktivierung durch Äthanol sprechen würde und Äthanol in den bekannten Fällen immer nur in Verbindung mit weiteren Mitteln (Säuren) zur Anwendung gelangt ist. Obwohl der Wirkungsmechanismus des erfindungsgemäßen Verfahrens nicht voll·« kommun geklärt ist, wird angenommen, daß die bei der Temperaturerhöhung entstehende Alkoholwolke eine Art gasförmiger Schutzschicht auf der vergoldeten Elementoberfläche bildet, unter deren Einfluß sich ein besserer Lotfluß und dadurch weniger Benetsungsfehlstellen ergeben«
AusführanKSbeispiel
Geätzte, gespülte und getrocknete Si-Elemente für Hochspannung— transistoren werden am Lötplatz unter Ng etwa 5 Sekunden in Äthanol (99 %) getaucht und innerhalb von 20 Sekunden auf den vorhar
auf eine Löttemperatur von ca. 270 0C gebrachten Sockel gelegt. Gleichzeitig wird dabei das Lot (z. B. PbSn 60) zugeführt, welches sofort zwischen Element und Sockel fließt. Nach Herstellung der Stromzuführungen wird das Bauelement mit einem geeigneten Abdeckstoff stabilisiert·

Claims (1)

  1. Anspruch
    Yerfehren zur Montage von elektronischen Kochspannungßbaueleiaeri- tont insbesondere Hochspannungstraasistorent mittels Weichlötung der vergoldeten Si-Slemente in oiner Np-Schutzgasatmosphäre, dadurch gekennzeichnet, daß die vergoldeten auf der Fase ungoschützten Si-Eiemante vor der Lotung für die Bauer einiger Sekunden in Äthanol getaucht und anschließend innerhalb von 20 Sekunden nut einem Blei-Zinnlot bei Temperaturen im Bereich 200-500 0O mit dem Sockel verlötet worden.
    In betracht gezogene Druckschriften: DD-PS 105 744 (B 23 K, 1/20) DE-OS 1552980 {B 29 K+ 1/12) DE-AS 2238374 (B 23 K, 1/12)
DD20220877A 1977-11-23 1977-11-23 Verfahren zur montage von halbleiterbauelementen mittels weichloetung DD134331B1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD20220877A DD134331B1 (de) 1977-11-23 1977-11-23 Verfahren zur montage von halbleiterbauelementen mittels weichloetung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD20220877A DD134331B1 (de) 1977-11-23 1977-11-23 Verfahren zur montage von halbleiterbauelementen mittels weichloetung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DD134331A1 DD134331A1 (de) 1979-02-21
DD134331B1 true DD134331B1 (de) 1980-11-26

Family

ID=5510557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DD20220877A DD134331B1 (de) 1977-11-23 1977-11-23 Verfahren zur montage von halbleiterbauelementen mittels weichloetung

Country Status (1)

Country Link
DD (1) DD134331B1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3824861A1 (de) * 1988-07-21 1990-01-25 Productech Gmbh Verfahren zur herstellung von loetverbindungen

Also Published As

Publication number Publication date
DD134331A1 (de) 1979-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19916618A1 (de) Bleifreies Lötmittel und gelöteter Gegenstand
DE2032872B2 (de) Verfahren zum Herstellen weichlötfähiger Kontakte zum Einbau von Halbleiterbauelementen in Gehäuse
DE2428373C2 (de) Verfahren zum Herstellen von weichlötbaren Anschlußkontakten auf einer Halbleiteranordnung
DE1614306C3 (de) Verfahren zur Herstellung elektrischer Anschlüsse auf einer Oberfläche eines elektronischen Bauelementes und durch Anwendung dieses Verfahrens hergestelltes Bauelement
DE10020932C5 (de) Temperaturmessfühler und Verfahren zur Herstellung desselben
WO2008014866A1 (de) Verfahren zur herstellung eines temperaturmessfühlers
DE2550275A1 (de) Verfahren zum herstellen von barrieren fuer loetzinn auf leiterzuegen
DD134331B1 (de) Verfahren zur montage von halbleiterbauelementen mittels weichloetung
WO1995009255A1 (de) Verfahren zum schutz von lötfähigen kupfer- und kupferlegierungsoberflächen vor korrosion
DE2550512A1 (de) Verfahren zur herstellung einer metallisierung auf einem substrat
DE3407784C2 (de)
DE2039887A1 (de) Sockel fuer elektronische Vorrichtungen und Verfahren fuer deren Herstellung
DE2327878C3 (de) Verfahren zum Ätzen von mit Elektroden versehenen Halbleiterscheiben für Halbleiterbauelemente
EP2957366A1 (de) Metallpaste und deren Verwendung zum Verbinden von Bauelementen
DE3523808A1 (de) Verfahren zum loeten von teilen aus unterschiedlichen werkstoffen
DE2825212C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mittels eines kurzen, intensiven Laserlichtpulses
DE3146020A1 (de) "temperaturabhaengiger widerstand"
DE1665740C3 (de) Verfahren zur Kontaktierung eines elektrischen Bauelementes
DE3135720C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Aufbaus von Metallschichten für Dünnschichtleiterbahnen
DE2104847A1 (de) Dickfilmschaltung
DE2722899B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Fest-Elektrolytkondensators
DE2750805A1 (de) Verfahren zur herstellung metallhaltiger schichten auf oberflaechen von halbleiterbauelementen
DE2606029C3 (de) Composit-Passivierungsglas auf der Basis PbO - B2 O3 - (SiO2 - Al2 O3 ) mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten (20-300 Grad C) von bis zu 75 mal 10 7 /Grad C für Silicium-Halbleiterbauelemente mit
DD140941A1 (de) Verfahren zum kontaktieren von halbleiterbauelementen
DE1614893C3 (de) Verfahren zum Verbessern und Stabilisieren des Kennlinienverlaufes eines Halbleiterbaueiementes und Anwendungen hiervon