CZ305763B6 - Kondenzátorový prášek - Google Patents
Kondenzátorový prášek Download PDFInfo
- Publication number
- CZ305763B6 CZ305763B6 CZ2002-4219A CZ20024219A CZ305763B6 CZ 305763 B6 CZ305763 B6 CZ 305763B6 CZ 20024219 A CZ20024219 A CZ 20024219A CZ 305763 B6 CZ305763 B6 CZ 305763B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- niobium
- vanadium
- powder
- ppm
- anode
- Prior art date
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 53
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 102
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 97
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 91
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 10
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 17
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 15
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002822 niobium compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- MAKKVCWGJXNRMD-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] MAKKVCWGJXNRMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003682 vanadium compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 13
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000756 V alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O azanium;oxido(dioxo)vanadium Chemical compound [NH4+].[O-][V](=O)=O UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GVGLGOZIDCSQPN-PVHGPHFFSA-N Heroin Chemical compound O([C@H]1[C@H](C=C[C@H]23)OC(C)=O)C4=C5[C@@]12CCN(C)[C@@H]3CC5=CC=C4OC(C)=O GVGLGOZIDCSQPN-PVHGPHFFSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical class O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- -1 vanadium disulfate pentahydrate Chemical compound 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910003206 NH4VO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019704 Nb2O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- NQKXFODBPINZFK-UHFFFAOYSA-N dioxotantalum Chemical compound O=[Ta]=O NQKXFODBPINZFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005551 mechanical alloying Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 210000003739 neck Anatomy 0.000 description 1
- HFLAMWCKUFHSAZ-UHFFFAOYSA-N niobium dioxide Inorganic materials O=[Nb]=O HFLAMWCKUFHSAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
- H01G9/0525—Powder therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G33/00—Compounds of niobium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B34/00—Obtaining refractory metals
- C22B34/20—Obtaining niobium, tantalum or vanadium
- C22B34/24—Obtaining niobium or tantalum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B5/00—General methods of reducing to metals
- C22B5/02—Dry methods smelting of sulfides or formation of mattes
- C22B5/12—Dry methods smelting of sulfides or formation of mattes by gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/50—Solid solutions
- C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
- C01P2002/54—Solid solutions containing elements as dopants one element only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
Vynález se týká vanad obsahujícího prášku na bázi niobu, způsobu jeho výroby, anody z tohoto prášku získatelné a kondenzátoru s anodou, získatelného z prášku na bázi niobu s kapacitou nezávislou na předpětí.
Description
Kondenzátorový prášek
Oblast techniky
Vynález se týká prášku pro výrobu elektrolytických kondenzátorů, speciálně prášku pro výrobu anod elektrolytických kondenzátorů.
Dosavadní stav techniky
Jako výchozí materiály pro výrobu takových kondenzátorů jsou v literatuře popsány niob a tantal. Výroba kondenzátorů se provádí slinováním jemně rozdružených prášků do tvaru pelet za vzniku struktury' s velkou povrchovou plochou, anodickou oxidaci povrchové plochy těchto slinutých tělísek za vzniku nevodivé izolační vrstvy (dielektrikum) a nanesením protielektrody ve formě vrstvy z oxidu manganičitého nebo vodivého polymeru. Obzvláštní způsobilost uvedených kovových prášků se odvozuje od vysokých relativních dielektrických konstant oxidů pětimocných kovů.
Technického významu pro výrobu kondenzátorů dosáhl až dosud pouze tantalový prášek. Důvodem toho je jednak reprodukovatelná vyrobitelnost jemně rozdruženého tantalového prášku a jednak skutečnost, že izolační oxidová vrstva z oxidu tantaličného má obzvláště výraznou stabilitu. To pravděpodobně spočívá v tom, že tantal na rozdíl od niobu netvoří žádný stabilní suboxid.
V průběhu razantního rozvoje mikroelektroniky se rostoucí měrou uplatňují také nevýhody tantalu. Tantal patří k řídce se vyskytujícím kovům (zaujímá 54. místo, pokud jde o pořadí výskytu prvků v zemské kůře, s obsahovou hodnotou 2,1 g/t) v obtížně dobývaných ložiscích (jen hard rock mining) a kromě toho se nachází ve svých rudách pouze ve velmi nízkých koncentracích. Takto v současnosti obsahují vytěžené tantalové rudy (například v Austrálii) často méně než 0,1 % Ta2Os (asi 300 ppm Ta).
Niob, který stojí ve stejné skupině Periodického systému prvků nad tantalem a má podobné vlastnosti jako tantal, má 10 až 12 krát vyšší výskyt v příznivěji dobyvatelných ložiscích (33. místo pokud jde o pořadí výskytu prvků v zemské kůře, s obsahovou hodnotou 24 g/t). Komerčně nejdůležitější těžební ložiska niobu se nacházejí v Brasilii (78 % celosvětových rezerv), kde se povrchově těží ruda s obsahem více než 3 % Nb2O5. Další těžební ložiska niobu se nacházejí v Kanadě, Nigerii a Zaire. V souvislostí s tím jsou ceny koncentrátů niobové rudy výrazně nižší než ceny požadované za koncentráty tantalové rudy a tyto ceny nepodléhají navíc častému kolísání.
Kromě toho zde existují u tantalového prášku přirozené meze při zvyšování specifické kapacity. Aby se totiž u tantalového prášku dosáhlo vyšší kapacity C, musí být zvětšen specifický povrch tantalového prášku (C = SqCt* A/d), což při určité geometrii částic prášku souvisí se zmenšováním velikosti částic prášku. Jestliže střední velikost částic v případě anodicky vyrobené dielektrické vrstvy v nanometrickém rozmezí leží rovněž v nanometrickém rozmezí, znamená to, že jsou kovová slinutá tělíska „proanodizována“, což znamená, že zejména v úzkých profilech, jakými jsou například krčky mezi slinutými částicemi, již není žádný vodivý materiál. V důsledku toho jsou dílčí oblasti anody neúčinné.
Kromě toho schopnost oxidace tantalového prášku výrazně klesá se zmenšující se velikostí částic prášku a tím i se zvětšujícím se specifickým povrchem.
Z těchto důvodů a vzhledem k výrazně vyšším dielektrickým konstantám niobu (e2 asi 42) oproti dielektrickým konstantám tantalu (eT asi 27) bylo cílem mnoha výzkumníků vyvanout niobové
- 1 CZ 305763 B6 kondenzátory. Použití niobových kondenzátorů je však až dosud vyhrazeno pro rozmezí nižších specifických kapacit s menším specifickým povrchem a menší kvalitou.
Důvodem toho je, že čistý niob má ve srovnání s tantalem dvě nevýhody, týkající se použití v kondenzátorech. První z nich je tendence anodicky vyrobeného oxidového filmu ke krystalizaci polem, které je výraznější ve srovnání s tantalem. Radiální rychlost růstu krystalických ploch je totiž 1000 větší než u tantalu za stejných podmínek anodizace (N. J. Jackson, J. C. Hendy, Electrocomponent Science & Tech. 1974, 1, 27-37), což však může být z velké míry potlačeno anodizací při nízké teplotě (Y. Pozdeev: „Comparison of tantalum and niobům solid electrolytic capacitors“ TOC 1997; filmy musí být amorfní, krystalické oblasti ve filmu vykazují zvýšenou vodivost). Druhá nevýhoda spočívá ve vyšší citlivosti anodicky vyrobených Nb2O5 filmů vůči tepelnému zpracování.
Jedním z kroků výroby pevných elektrolytických kondenzátorů je nanesení polovodivého katodového materiálu MnO2. To se provádí ponořením anodového tělíska do roztoku dusičnanu manganatého za vzniku tenké vrstvy MnNO3, který se následně tepelně rozloží na MnO2. Při tom se systém Ta-Ta2O5 vystaví teplotám 250 až 450 °C po dobu 10 až 30 minut. Toto tepelné zpracování však může vést ke zvýšené závislosti kapacity na frekvenci, teplotě a předpětí. Předpokládá se, že příčina toho je skutečnost, že při teplotách vyšších než 300 °C může tantalový podklad odvádět atomy kyslíku z anodicky vyrobené vrstvy oxidu tantalu, což vede k exponenciálnímu gradientu míst s nedostatkem kyslíku v oxidovém filmu. Tato deficitní místa způsobují přechod vodivostního chování oxidového filmu od dielektrika k n-polovodiči, popřípadě k vodiči v případě, že uvedená deficitní místa mají dostatečně vysokou koncentraci. To je schematicky znázorněno na připojeném obr. 1. Kritická vodivost CJ0 odděluje izolační část oxidového filmu od vodivé části oxidového filmu. Když se zvyšuje teplota, rozšiřuje se polovodivá vrstva v oxidovém filmu, zatímco účinná izolační vrstva se stává užší. To způsobuje nezávisle na teplotní závislosti dielektrické konstanty, vzrůst kapacity. V takovém případě způsobuje přiložení předpětí, že elektrony přecházejí z deficitních míst do kovového tantalu. Tím se tvoří elektrická dvojvrstva, která je určena na straně kovu elektrony na hraniční ploše a na straně polovodiče pozitivním prostorovým nábojem v hraniční vrstvě ochuzené o nosiče náboje (Schottky-Mottova bariéra). To způsobuje zvýšení strmosti vodivostního gradientu a zvětšení účinné tloušťky dielektrika, což však souvisí se snížením kapacity podle C = £osT* A/d.
Zatímco anodicky vyrobené oxidové filmy z tantalu jsou dielektrické a teprve při zvýšené teplotě u nich dochází k vytvoření polovodičových oblastí, chovají se anodicky vyrobené oxidové filmy z niobu již při okolní teplotě jako n-polovodič (A. D. Modestov, A. D. Dadydov, J. Electroanalytical Chera. 1999, 460, str. 214-225) a mají na hraniční ploše Nb2O5/elektrolyt Shottkyho bariéru (K. E. Heusler, M. Schulze, Electrochim. Acta 1975, 20, str. 237; F. Di Quarto, S. Piazza, C. Sunseri, J. Electroanalytical Chem. 1990, 35, str. 99). Příčinou toho může být, že niob tvoří na rozdíl od tantalů různé stabilní suboxidy. Takto je známo z literatury, že u oxidových filmů na niobu existuje jen vnitřní vrstva zNb2°5-x (M. Grundner, J. Halbritter, J. Appl. Phys. 1980, 51(1), str. 397-405, který kromě toho nemá zcela stechiometrické složení a který vykazuje kyslíkový deficit x. Mezi vrstvou Nb2O5_x a kovovým niobovým podkladem se nachází vrstva zNbO, která je termodynamicky stabilní fází ve styku s kyslíkem nasyceným kovovým niobem a tato fáze takto není tvořena pentoxidem, jako je tomu u tantalu (K. E. Heusler, P. Schliiter, Werkstoffe & Korrosion 1969, 20(3), str. 195-199).
Obsah kyslíku v povrchové pasivační vrstvě u niobu činí asi 3500 až 4500 ppm na m2 specifického povrchu. Při slinování Nb-anod difunduje kyslík v uvedené povrchové pasivační vrstvy do vnitřku kovu a rozdělí se tam pravidelně. Přitom se také zvětšuje tloušťka vrstvy NbO úměrně k povrchové ploše použitého prášku, což lze velmi dobře sledovat ohybem rentgenových paprsků na slinutých niobových anodách. To v krajním případě při velmi vysokém specifickém povrchu a tím i při velmi vysokém obsahu kyslíku prášku vede k tomu, že anodová tělíska jsou po slinování vytvořena hlavně z NbO a nikoliv již z kovového niobu. Tento přírůstek kyslíku se však neprojevuje na rozdíl od tantalu významným zvýšením zbytkového proudu anod z takových prášků. Dal
-2CZ 305763 B6 ší skutečností je, že MnO2 katoda působící jako pevný elektrolyt funguje jako donor kyslíku a je schopna vyrovnat deficit kyslíku ve vrstvě Nb2O5_x. To však není monotónní proces, poněvadž v sousedství mezní plochy MnO2/Nb2O5 vznikají nízké nevodivé magnanooxidové fáze (Mn2O3, Mn3O4, MnO), které brání další difúzi kyslíku z katody z MnO2 do polovodičové vrstvy z Nb2O5_x. To potom vede ke vzrůstu deficitních míst x, urychlenému vzrůstu zbytkového proudu a konečně k výpadku kondenzátoru (Y. Pozdeev on CARTS-EUROPE '97: IIth European Passive Components Symposium). Z tohoto důvodu mají niobové kondenzátory značně kratší dobu životnosti ve srovnání s tantalovými kondenzátory.
Toto polovodičové chování anodicky vyrobené závěrné vrstvy na niobu má za následek, že se za účelem měření přesných kapacitních hodnot niobových anod, které jsou později také v hotovém kondenzátoru dosaženy, musí na anody vložit kladné předpětí, poněvadž jinak by nebylo možné pravdivé měření, přičemž by byly naměřeny falešné, příliš vysoké hodnoty.
Srovnávacími měřeními kapacity anod z kovového niobu, popřípadě oxidu dvojmocného niobu a také slitin niobu a tantalu (90:10, 80:20, 70:30) a nich vyrobených kondenzátorů bylo zjištěno, že je nezbytné anodicky přiložené předpětí větší nebo rovné 1,5 V, aby bylo možné měřit přesné kapacitní hodnoty pro anody, které se později opětovně vyskytují v hotovém kondenzátoru, a že bez přiloženého předpětí naměřené kapacity takových anod jsou 3 až 4krát vyšší než hodnoty, které byly naměřeny s alespoň předpětím 1,5 V, a že takto naměřené hodnoty neodpovídají skutečnému stavu. Podle toho vyplývají také pro specifický zbytkový proud vzhledem ke kapacitám, které byly naměřeny bez předpětí, hodnoty, které jsou 3 až 4krát nižší než skutečný specifický zbytkový proud.
Velmi důležitým kritériem vhodnosti prášku jako kondenzátorového materiálu je jeho chemická čistota, neboť jak kovové, tak i nekovové nečistoty mohou vést k chybám projevujícím se ve snížené stabilitě dielektrické vrstvy. Kritické se pro zbytkový proud tantalových anod ukázaly zejména prvky Na, K, Fe, Cr, Ni a C. Plynulým zlepšováním čistoty tantalového prášku se dosáhlo toho, že se v současnosti obsah těchto nečistot pohybuje u prášků vyrobených redukci K2TaF7 sodíkem v blízkosti meze stanovitelnosti.
Odpovídající proces přes K2NbF7 však naproti tomu neexistuje v případě výroby vysoce čistých niobových prášků v důsledku vysoké agresivity odpovídajících heptafluomiobových solí, které částečně rozpouštějí materiál retorty, následkem čehož jsou takto vyrobené niobové prášky silně znečištěny železem, chromém, niklem a dalšími obdobnými nečistotami. Pro výrobu vysoce kapacitních Nb-kondenzátorů nejsou také vhodné tak zvané EB-prášky, které jsou vyrobeny zkřehnutím pomocí elektronového svazku roztaveného niobového ingotu vodou, rozemletím a následnou dehydratací. V případě, že se výše uvedené rozemletí v mlecím zařízení provádí například pod alkoholem, získají se niobové vločky, které však většinou mají velmi vysoký obsah kovových nečistot, jakými jsou například Fe, Cr, Ni a C, které jsou při mlecím procesu mechanickým legováním uzavřeny v niobovém prášku a nenechají se již takto později vymýt minerálními kyselinami.
Nicméně velmi čisté jsou však niobové prášky, které se získají podle DE 19831280 Al, popřípadě WO 00/67936 dvoustupňovou redukcí oxidu niobičného vodíkem, popřípadě plynným hořčíkem. Tyto prášky obsahují například kovové nečistoty, jakými jsou Fe, Cr, Ni, AI, Na a K v množství menším než 25 ppm.
Vedle chemické čistoty, která je rozhodující pro elektrické vlastnosti, musí kondenzátorový prášek splňovat také požadavky kladené na jeho fyzikální vlastnosti. Takto musí mít například určitou tekutost, v důsledku čehož může být zpracován plně automatickým lisováním anod. Dále je nezbytná určitá pevnost za syrová vylisovaných anodových tělísek, aby se tato tělíska ihned znovu nerozpadla, a dostatečně vysoká distribuce pórů, aby byla zajištěna dokonalá impregnace dusičnanem manganatým.
-3CZ 305763 B6
Cílem vynálezu je eliminovat výše popsané nevýhody známých kondenzátoru na bázi niobu. Cílem vynálezu je zejména zlepšit izolační chování a tepelnou stabilitu závěrné vrstvy z oxidu niobičného u kondenzátorů na bázi niobu do té míry, aby bylo dosaženo dlouhé doby životnosti takových kondenzátorů při vyšší kapacitě a nižším zbytkovém proudu.
Podstata vynálezu
Nyní bylo zjištěno, že takové kondenzátory na bázi niobu, u nichž bylo provedeno legování/dotování alespoň závěrné vrstvy vanadem, vykazují výrazně zlepšené vlastnosti anodicky vyrobeného oxidového filmu. Zejména bylo zjištěno pomocí impedančně-spektroskopických měření a vyhodnocení pomocí Schottky-Mottových diagramů, že koncentrace deficitních míst v anodicky vyrobených oxidačních vrstvách takových kondenzátorových anod je výrazně snížena a je obdobně nízká jako u odpovídajících vrstev z Ta2O5. Rovněž jsou zde náznaky toho, že se dosáhne dlouhodobé stability nových niobových anod srovnatelné se stabilitou tantalových anod, přičemž takové stability nemohlo být dosaženo u až dosud známých kondenzátorových anod na bázi niobu.
Předmětem vynálezu jsou vanad obsahující prášky na bázi niobu, sestávající z kovového niobu, slitin niobu a tantalu s obsahem niobu alespoň 50 % hmotn., oxidu niobu NbOx s x = 0 až 2, nitridu niobu a/nebo oxynitridu niobu, které se vyznačují tím, že obsahují 10 až 100 000 vanadu.
Výhodně obsahuje tento prášek 500 až 10 000 ppm vanadu.
Výhodně rovněž uvedené prášky na bázi niobu mají obsahy nečistot Fe, Cr, Ni, AI, Na a K nižší než 25 ppm, obzvláště výhodně celkově nižší než 100 ppm.
Předmětem vynálezu je také způsob výroby vanad obsahujícího prášku na bázi niobu, jehož podstata spočívá v tom, že se práškový vanad, oxid vanadu a/nebo sloučenina vanadu, která může být hydrolýzou nebo tepelným rozkladem převedena na oxid vanadu, smísí s kovovým niobem a/nebo hydrátem oxidu niobu, načež se získaná směs případně vysuší a kalcinuje a směsný oxid se redukuje na suboxid niobu nebo kovový niob, který se případně nitriduje.
S výhodou se redukce vanad obsahujícího směsného oxidu na vanad obsahující NbO2 provádí v proudu vodíku při teplotě 1000 až 1500 °C.
Dále výhodně se reakce vanad-obsahujícího Nb2O5, popřípadě NbO2 s případně rovněž vanadobsahujícím niobovým práškem na vanad obsahující NbO provádí zahříváním v proudu vodíku nebo za vakua na teplotu 900 až 1600 °C.
Rovněž výhodně se redukce vanad obsahujícího oxidu niobu na kovový niob provádí zahříváním v přítomnosti par hořčíku pod atmosférou ochranného plynu. Nitridace se provádí s výhodou zahříváním vanad obsahujícího prášku kovového niobu nebo prášku suboxidu niobu v atmosféře obsahující dusík.
Předmětem vynálezu je také anoda, získatelná z výše popsaného prášku na bázi niobu a/nebo sloučenin niobu pro použití v kondenzátorech na bázi niobu nebo jeho sloučenin s na BIAS nezávislou kapacitou, přičemž tento prášek obsahuje 10 až 100 000 vanadu, s výhodou 200 až 20 000 ppm vanadu.
S výhodou uvedená anoda obsahuje povrchové ovrstvení z 10 až 10 000 ppm vanadu, vztaženo na hmotnost anody.
Předmětem vynálezu jsou dále kondenzátory s anodou na bázi niobu a/nebo sloučenin niobu s na BIAS nezávislou kapacitou, přičemž prášek pro použití v kondenzátoru je výše popsaný prášek.
-4CZ 305763 B6
Kondenzátory na bázi niobu ve smyslu vynálezu jsou kondenzátory, které mají anodu ze slinutých jemnozmných prášků na bázi niobu, přičemž specifikace „na bázi niobu“ zahrnuje prášky, sestávající z kovového niobu, slitin niobu a tantalu s obsahem niobu alespoň 50 % hmotn., oxidu niobu NbOx s x = 0 až 2, nitridu niobu a/nebo oxynitridu niobu, které se vyznačují tím, že obsahují 10 až 100 000 vanadu.
Vhodnými niobovými slitinami jsou zejména slitiny Nb/Ta s obsahem niobu alespoň rovným 50 % hmotnostních.
V rámci vynálezu je výhodný kovový niob (s obsahem kyslíku podmíněným způsobem výroby 3000 až 4500 ppm na m specifického povrchu) a NbO, kde x = 0,8 až 1,2.
Dále výhodné kondenzátory na bázi niobu mají niobové jádro, mezivrstvu ze suboxidu niobu a dielektrikum z oxidu niobičného.
Rovněž výhodné katalyzátory se vyznačují tím, že závěrná vrstva obsahuje 10 až 10 000 ppm vanadu, vztaženo na celkovou hmotnost anody.
Výhodně činí obsah vanadu u takových kondenzátorů na bázi niobu 10 až 100 000 ppm (hmotn.), vztaženo na niob a případně tantal. Zejména činí obsah vanadu 200 až 20 000 ppm.
Jako sloučeniny vanadu jsou vhodné oxidy vanadu, jako V2O5, VO2, V2O3 a VO, přičemž V2O5 je obzvláště výhodný. Dále jsou vhodné všechny sloučeniny vanadu, které mohou být hydrolyzovány nebo tepelně rozloženy na oxidy, jakými jsou například metavanadičnan amonný, oxidacetylacetonát vanadičitý, pentahydrát oxidsíranu vanadičitého a halogenidy vanadu. Obzvláště výhodný je metavanadičnan amonný.
Jako niobové složky jsou výhodné jemnozmné prášky zNb2O5, přičemž obzvláště výhodný je hydrát oxidu niobičného Nb2O5 x H2O.
Jako niobové prášky jsou obzvláště vhodné vysoce porézní prášky, které se připraví podle US 6,171,363, Bl, DE 19831280 AI, DE 19847012 AI a WO 00/67936 redukci oxidu niobičného v tekutém nebo plynném hořčíku, případně po předcházející redukci na suboxid vodíkem. Takové prášky kovového niobu se získají s extrémně nízkým obsahem nečistot, škodlivých pro kondenzátorové aplikace.
Provádí-li se kalcinace s oxidy vanadu za použití Nb2O5 nebo Nb2O5 x H2O, může být redukce v rámci výroby vanad obsahujícího NbO2 provedena zahřátím v atmosféře vodíku na teplotu 950 až 1500 °C.
Redukce vanad obsahujícího NbO2 nebo Nb2O5 na prášek kovového niobu obsahující vanad se výhodně provádí podle DE 19 831 280 AI, DE 19 847 012 AI nebo PCT/US 99/09 772. Výhodná je redukce prováděná parami hořčíku pod atmosférou ochranného plynu v pevném loži. Obzvláště výhodně se redukce provádí ve fluidním loži za použití argonu jako nosného plynu, přičemž se tento nosný plyn před zavedením do reaktoru s fluidním ložem vede přes taveninu hořčíku mající teplotu blízkou teplotě varu hořčíku.
Redukce kalcinačního produktu z nebo NbjO; x H2O a oxidu vanadu nebo V-obsahujícího NbO2 na vanad-obsahující NbO může být dále výhodně provedena smíšením vanad obsahujícího NbO2- popřípadě Nb2O5-prášku s (výhodně vanad obsahujícím) práškem kovového niobu a následným zahřátím v proudu vodíku nebo za vakua na teplotu mezi 950 a 1600 °C.
Výroba nitridovaného nebo oxynitridovaného vanad obsahujícího prášku na bázi niobu se provádí zahřátím vanad obsahujícího prášku kovového vanadu nebo NbO-prášku, kde x výhodně znamená 0,1 až 0,5, v atmosféře obsahující dusík na teplotu až 1000 °C.
-5CZ 305763 B6
Kondenzátorové prášky na bázi niobu podle vynálezu mají výhodně velikost primárních částic 300 až 1500 nm, obzvláště výhodně 400 až 600 nm. Uvedené prášky jsou výhodně ve formě aglomerátů s velikostí zrn 40 až 400 mikrometrů. Za účelem nastavení velikosti aglomerátů může být provedena deoxidační aglomerace zahřátím na teplotu 800 až 1000 °C v přítomnosti malého 5 množství hořčíku, načež se získaný produkt následně mele skrze síto s velikostí ok 250 až 400 mikrometrů o sobě známým způsobem.
Další zpracování prášku za účelem získání kondenzátorových anod se provádí lisováním a slinováním při teplotě 1050 až 1350 °C k dosažení slinovací hustoty odpovídající 50% a 70% vyplněio ní prostoru.
Další zpracování anod na kondenzátory se provádí „anodizací“, což je elektrochemické vytvoření vrstvy oxidu niobičného v elektrolytu, jakým je například zředěná kyselina fosforečná, až k dosažení požadovaného anodizačního napětí, které představuje 1,5 až 4násobek požadovaného 15 pracovního napětí kondenzátoru,
Testovací podmínky
Výroba, formování a měření anod popsaných v následujících příkladech, se provádí za použití 20 následujících podmínek, pokud není v uvedených příkladech výslovně uvedeno jinak.
Parametry anod:
| hmotnost bez drátu: průměr: 25 délka: lisovací hustota: Slinovací anod: 1250 °C 30 1 45 0 °C 1600 °C Anodizace: formovací napětí: 35 formovací proud: formovací doba: elektrolyt: teplota 40 Měřená kapacity: elektrolyt: teplota: frekvence: předpětí: 45 Měření zbytkového proudu: elektrolyt: teplota: doba nabíjení: 50 napětí: | 0,072 g, 3,00 mm, 3,25 mm, 3,14 g/cm 20 minut, 20 minut, 20 minut 40 V, případě 60 V (viz příklady), 100 mA/g 2 h, popřípadě 4 h (viz příklady), 0,1% HjPO4 (vodivost při 25 °C: 2,5 mS/cm), 80 °C. 18%H2SO4, 23 °C, 120 Hz, 1,5 V (pokud uvedeno) 18%H2SO4, 23 °C, 2 minuty, 70% formovacího napětí (28, popřípadě 42 V). |
-6CZ 305763 B6
V následující části popisu bude vynález blíže objasněn pomoci konkrétních příkladů jeho provedení, přičemž tyto příklady mají pouze ilustrační charakter a nikterak neomezují rozsah vynálezu, který je jednoznačně vymezen definicí patentových nároků a obsahem popisné části.
Příklady uskutečnění vynálezu
Příklad 1
Slitina niobu a vanadu s obsahem 0,894 % vanadu se vyrobí následujícím způsobem: 897,9 g hydrátu oxidu niobičného Nb2O5*x H2O (obsah Nb2O5: 63,09 %) a 9,2 g metavanadičnanu amonného NH4VO3 rozpuštěného v 1000 ml vody se důkladně smísí a získaná směs se důkladně promísí a potom suší po dobu 24 hodin při teplotě 110 °C a následně kalcinuje po dobu 3,5 hodiny při teplotě 950 °C. N2O5 x H2O má velikost primárních částic asi 600 nm. Takto připravený směsný oxid se potom uloží do molybdenové lodičky a udržuje se pod pozvolna proudící vodíkovou atmosférou po dobu 4 hodin při teplotě 1450 °C. Takto získaný suboxid má složení NbO2 (stanovené ohybem rentgenového záření) a obsahuje 0,716 % vanadu. Tento produkt se potom zavede na jemný rošt s malou velikostí ok, pod kterým je uspořádán kelímek, který obsahuje hořčík v 1,1- násobném stechiometrickém přebytku, vztaženo na obsah kyslíku v uvedeném suboxidu, přičemž obsah kelímku se zahřívá pod argonovou atmosférou po dobu 6 hodin na teplotu 1000 °C. Při této teplotě se hořčík odpařuje a vytvořené hořčíkové páry reagují s výše uloženým suboxidem. Po ochlazení na okolní teplotu se pomalu přivádí vzduch za účelem pasivace kovového povrchu. Redukovaný prášek se potom promyje kyselinou sírovou, načež se promyje vodou kvality VE až do neutrální reakce a vysuší.
Analýza niobového prášku poskytuje následující výsledky
O
N Mg C
Fe, Cr, Ni, AI, Ta
8940 ppm,
000 ppm (3 289 ppm/m2), 342 ppm
190 ppm ppm vždy < 20 ppm.
Specifický povrch prášku podle BET činí 4,56 m/g. V rentgenovém difrakčním spektrogramu je možné pozorovat jen lehké, k menším úhlům posunuté reflexy pro niob, což ukazuje na pevný roztok vanadu v niobu.
Z tohoto prášku tvořeného slitinou niobu a vanadu (prášek A) a z prášku vyrobeného podle DE 19831280 AI (prášek B, srovnávací pokus) a majícího následující složení:
N
Mg
Celkem (Fe, Cr, Ni)
C <1 ppm, 16 000 ppm
180 ppm
300 ppm <15 ppm ppm, a specifický povrch podle BET 4,32 m/g se připraví anody slinováním při teplotě 1150 °C a formováním na 40 V. U některých anod byl před formováním stanoven specifický povrch podle BET (Quantasorb) 0,83 + 0,2 m2/g.
Následující tabulky 1 a 2 ukazují měření specifických kapacit u anod z obou prášků v různých elektrolytech při různých předpětích.
| Tabulka 1 | |||||
| Měření v 18% H2SO4 Elektrolyt Předpětí 0 V | Prášek A 2 V | 4 V | OV | Prášek B 2V | 4V |
| Kapacita F 241 | 241 | 241 | 881 | 238 | 235 |
| Spec, kapacita pFV/g 133 889 | 133 889 133 889 | 489 444 | 132 222 13 055 617 | ||
| Zbytkový proud μΑ Spec, zbytkový proud nA/pFV 0,31 | 0,31 | 2,97 0,31 | 0,09 | 0,32 | 3,04 0,32 |
| Tabulka 2 Měření v 10% H3PO4 Elektrolyt Předpětí 0 V | Prášek A 2 V | 4 V | OV | Prášek B 2V | 4V |
| Kapacita pF 159 | 159 | 159 | 559 | 151 | 149 |
| Spec, kapacita pFV/g 88 333 | 88 333 | 88 333 | 310 556 | 83 889 | 82 778 |
| Zbytkový proud μΑ Spec, zbytkový proud nA/pFV 0,43 | 2,72 0,43 | 0,43 | 0,13 | 2,81 0,47 | 0,47 |
Příklad 2
Slitina niobu a vanadu s obsahem 1,26 % vanadu se vyrobí následujícím způsobem: 1104,3 g hydrátu oxidu niobičného Nb2O5*x H2O (obsah Nb2O5: 67,1 %) a 322,7 g hydrátu oxidu tantaličitého Ta2O5 x H2O (obsah Ta2O5: 75,4 %) a 28,93 metavanadičnanu amonného NH4VO3 se důkladně promísí a potom suší po dobu 24 hodin při teplotě 110 °C a následně kalcinuje po dobu 12 hodin při teplotě 1150 °C. Takto připravený směsný oxid se potom vloží do molybdenové lodičky a udržuje se pod pozvolna proudící vodíkovou atmosférou po dobu 6 hodin při teplotě 1500 °C. Takto získaný suboxid má složení NbO2 (ohyb rentgenové záření ukazuje jen k nižším úhlům posunuté reflexy pro NbO2) a obsahuje 21,13 % tantalu a 1,05 % vanadu. Tento produkt se potom zavede nájemný rošt s malou velikostí ok, pod kterým je uspořádán kelímek, který obsahuje hořčík v 1,2 násobném stechiometrickém přebytku, vztaženo na obsah kyslíku v uvedeném suboxidu, přičemž obsah kelímku se zahřívá pod argonovou atmosférou po dobu 4 hodin na teplotu 1050 °C. Při této teplotě se hořčík odpařuje a vytvořené hořčíkové páry reagují s výše uloženým suboxidem. Po ochlazení na okolní teplotu se pomalu přivádí vzduch za účelem pasivace kovového povrchu. Redukovaný prášek se potom promyje kyselinou sírovou, načež se promyje vodou kvality VE až do neutrální reakce a vysuší.
Analýza získaného prášku tvořeného slitinou Nb/Ta/V poskytla následující obsahy jednotlivých kovů:
Ta 24,33 %
V 12 600 ppm,
-8CZ 305763 B6
| O N Mg C Fe, Cr, Ni, AI, Ta | 12 325 ppm (3322 ppm/m2), 92 ppm 45 ppm 24 ppm < 20 ppm. |
Specifický povrch uvedeného prášku podle BET činí 3,71 m/g. V rentgenovém difrakčním spektrogramu je možné pozorovat mírně k nižším úhlům posunuté reflexy pro niob, což ukazuje na pevný roztok tantalu a vanadu v niobu.
Z tohoto prášku tvořeného slitinou Nb/Ta/V (prášek A) z analogického prášku, vyrobeného bez přísady metavanadičnanu amonného ze slitiny niobu a tantalu (prášek B, srovnávací pokus) a majícího následující složení
| Ta V O N Mg Celkem (Fe, Cr, Ni) C | 22,14%, <1 ppm, 13 120 ppm (3390 ppm/m2), 112 ppm, 67 ppm, <15 ppm, 41 ppm, |
a specifický povrch podle BET 3,87 m2/g, se vyrobí anody slinováním při teplotě 1200 °C a formováním na 40 V. U některých anod byl formováním stanoven specifický povrch podle BET (Quantasorb) 0,91 + 0,4 m2/g.
Následující tabulky 3 a 4 ukazují měření specifických kapacit pro anody z obou prášků v různých elektrolytech při různých předpětích
Tabulka 3
Měření v 18% H2SO4
| Elektrolyt | Prášek A | Prášek B | ||||
| Předpětí 0 V | 2 V | 4 V | OV | 2V | 4V | |
| Kapacita pF 379 | 379 | 379 | 1319 | 372 | 367 | |
| Spec, kapacita pFV/g 210 556 | 210 556 | 210 556 | 732 778 | 206 667 | 203 889 | |
| Zbytkový proud μΑ Spec, zbytk. proud nA/pFV 0,46 | 7,1 0,46 | 0,46 | 0,16 | 8,4 | 0,56 | 0,57 |
| Tabulka 4 Měření v 10% H3PO4 Elektrolyt Předpětí 0 V | Prášek A 2 V | 4 V | 0 V | Prášek B 2 V | 4 V | |
| Kapacita pF 237 | 237 | 237 | 859 | 231 | 227 |
-9CZ 305763 B6
| Spec, kapacita pFV/g 1 316 667 Zbytkový proud μΑ Spec, zbytkový proud nA/pFV 0,65 | 131 667 131 667 477 222 128 333 126 111 6,2 6,5 0,65 0,65 0,19 0,70 0,72 |
Příklad 3
Vanadem dotovaný NbO (prášek A) se připraví následujícím způsobem: 657,3 g práškové slitiny Nb/V, připravené podle příkladu 1 s následující čistotou a fyzikálními vlastnostmi:
| V O Mg C celkem (Fe, Cr, Ni, Al, Ta) N specifický povrch podle BET sypná hmotnost podle Scotta tekutost podle Hall Flow velikost částic podle Master- | 6047 ppm, 14 500 ppm, 380 ppm, 44 ppm <25 ppm, 79 ppm, 4,34 mg, 0,87 g/cm3, 22 s, |
sizer: D10 = 65,1, D50 = 170,7, D90 = 292,7 ppm, se důkladně smísí s 566,5 g oxidu niobičného Nb2O5 <45 obsahujícího:
| (V,Zr) C S | <25 ppm, <10 ppm, <10 ppm, |
a získaná směs se uloží na molybdenovou lodičku. Obsah lodičky se potom zahřívá pod mírně proudícím vodíkem po dobu 6 hodin na teplotu 1250 °C. Takto získaný produkt (prášek A) je tvořen oxidem dvojmocného niobu NbO a má následující složení a fyzikální vlastnosti:
| V O Mg C Celkem (Fe, Cr, Ni) N specifický povrch podle BET sypná hmotnost podle Scota tekutost podle Hall Flow velikost částic podle Master- | 3110 ppm, 14,71 %, 90 ppm, 14 ppm, <15 ppm, 45 ppm, 2,31 m/g, 0,85 g/cm, 29 s |
sizer: D10 = 22,2, D50 = 123,4, D90 = 212,7 pm.
Analogicky byl z niobového prášku vyrobeného podle DE 19831280 Al a majícího následující složení a fyzikální vlastnosti:
| V O Mg C | <1 ppm, 13 200 ppm, 386 ppm, 47 ppm, |
- 10CZ 305763 B6
| Celkem (Fe, Cr, Ni) N specifický povrch podle BET sypná hmotnost podle Scota tekutost podle Hall Flow velikost částic podle Master- | <25 ppm, 84 ppm, 4,01 m2/g, 0,83 g/cm, 30 s, |
sizer: DIO = 44,7, D50 = 156,2, D90 = 283,9 gm, a z oxidu niobičného Nb2O5 <45 gm majícího následující složení:
celkem (Al,As,Ca,CO,Cr,Cu,Fe,Ga,K,Mg,Mn,Mo,Na,Ni,Pb,Sb,Si,Sn,Ta,Ti,W,V,Zr) <25 ppm,
| C S | <10 ppm, <10 ppm, |
připraven jako srovnávací prášek nedotovaný NbO (prášek B) mající následující čistotu a fyzikální vlastnosti:
| V O Mg C Celkem (Fe, Cr, Ni, AI, Ta) N specifický povrch podle BET sypná hmotnost podle Scota tekutost podle Hall Flow | <1 ppm, 14,62 %, 54 ppm, 14 ppm, <20 ppm, 56 ppm, 2,47 m/g, 0,83 g/cm, 30 s, |
velikost částic podle Mastersizer: D10 = 27,7, D50= 131,9, D90 = 221,1 gm.
Z obou výše uvedených prášků se vylisují anody, které se potom slinují po dobu 20 minut při teplotě 1350 °C a formují na 40 V. Tabulka 5 ukazuje měření specifických kapacit pro anody z obou prášků v 18% H2SO4 při různém předpětí.
Tabulka 5
Měření v 10% H3PO4
| Elektrolyt | Prášek A | Prášek B | ||||
| Předpětí | 0 V | 2 V | 4 V | OV | 2 V | 4 V |
| Kapacita pF | 346 | 346 | 346 | 1261 | 349 | 341 |
| Spec, kapacita pFV/g | 192 222 | 192 222 | 192 222 | 700 556 | 193 889 | 189 444 |
| Zbytkový proud μΑ | 1,1 | 1,3 | ||||
| Spec, zbytkový proud nA/pFV | 0,08 | 0,08 | 0,08 | 0,03 | 0,09 | 0,10 |
Příklad 4
Postupem podle příkladu 1 byly vyrobeny niobové prášky s různými obsahy vanadu (viz následující tabulka prášky 2 až 6). Z těchto prášků a z niobového prášku připraveného podle
- 11 CZ 305763 B6
DE 19831280 (viz následující tabulka, prášek 1) byly vyrobeny anody slinováním při teplotě 1150 °C a formováním na 40 V. Dále zařazená tabulka ukazuje výsledky měření kapacit u anod ze všech uvedených prášků, která byla provedena bez přiloženého předpětí a při přiloženém předpětí 2,0 V.
| 5 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | |
| 0 ppm | 13 800 | 12 000 | 15 100 | 14 800 | 15 300 | 13 200 | |
| Nppm | <300 | <300 | <300 | <300 | <300 | <300 | |
| Hppm | 225 | 189 | 315 | 237 | 262 | 201 | |
| 10 | C ppm | 36 | 25 | 29 | 35 | 28 | 31 |
| Celkem (Fe,Cr,NI) | 9 | 7 | 9 | 6 | 8 | 8 | |
| Mg ppm | 135 | 195 | 94 | 130 | 160 | 155 | |
| V ppm | <1 | 77 | 298 | 371 | 644 | 942 | |
| spec.povrch | 4,01 | 3,39 | 4,36 | 4,11 | 4,21 | 3,53 | |
| 15 | BET m2/g kapacita bez předpětí pF | 680 | 400 | 214 | 206 | 209 | 198 |
| kapacita s předpětím pF | 214 | 194 | 205 | 200 | 207 | 198 | |
| 20 | spec, kapacita pFV/g | 119 450 | 107 780 | 113 890 | 111 100 | 115 000 | 110 000 |
| Zbytkový proud pA | 4,4 | 4,2 | 4,3 | 4,7 | 4,1 | 4,0 | |
| spec, zbytkový | 62 | 58 | 61 | 65 | 57 | 56 | |
| 25 | proud pA/g |
Claims (21)
1. Vanad obsahující prášek na bázi niobu, sestávající z kovového niobu, slitin niobu a tantalu s obsahem niobu alespoň 50 % hmotn., oxidu niobu NbOx s x = 0 až 2, nitridu niobu a/nebo oxy-
35 nitridu niobu, vyznačující se tím, že obsah vanadu je 10 až 100 000 ppm.
2. Prášek podle nároku 1, vyznačující se tím, že obsahuje 500 až 10 000 ppm vanadu.
40
3. Způsob výroby vanad obsahujícího prášku na bázi niobu, vyznačující se tím, že se práškový vanad, oxid vanadu a/nebo sloučenina vanadu hydrolýzou nebo tepelně rozložitelná na oxid vanadu, smísí s kovovým niobem, oxidem niobu a/nebo hydrátem oxidu niobu, načež se získaná směs případně vysuší a kalcinuje a směsný oxid se redukuje na vanad obsahující suboxid niobu nebo kovový niob, který se případně nitriduje.
4. Způsob podle nároku 3, vyznačující se tím, že se redukce vanad obsahujícího směsného oxidu na vanad obsahující NbO2 provádí v proudu vodíku při teplotě 1000 až 1500 °C.
5. Způsob podle nároku 3 nebo 4, vyznačující se tím, že se reakce vanad obsahuj í50 čího Ν62Ο5, popřípadě NbO2 s případně rovněž vanad obsahujícím niobovým práškem na vanadobsahující NbO, provádí zahříváním v proudu vodíku nebo za vakua na teplotu 900 až 1600 °C.
-12CZ 305763 B6
6. Způsob podle nároku 3 nebo 4, vyznačující se tím, že se redukce vanad obsahujícího oxidu niobu na kovový niob provádí zahříváním v přítomnosti par hořčíku pod atmosférou ochranného plynu.
7. Způsob podle některého z nároků 3až6, vyznačující se tím, že se nitridace provádí zahříváním vanad obsahujícího prášku kovového niobu nebo prášku suboxidu niobu v atmosféře obsahující dusík.
8. Anoda získatelná z prášku na bázi niobu a/nebo sloučenin niobu pro použití v kondenzátorech na bázi niobu nebo jeho sloučenin s na BIAS nezávislou kapacitou, vyznačující se tím, že prášek pro použití v kondenzátorech je prášek podle alespoň jednoho z nároků 1 nebo 2.
9. Anoda na bázi niobu podle nároku 8, vyznačující se tím, že obsahuje 10 až 100 000 ppm vanadu.
10. Anoda na bázi niobu podle nároku 8, vyznačující se tím, že obsahuje 200 až 20 000 ppm vanadu.
11. Anoda na bázi niobu a/nebo sloučenin niobu, vyznačující se tím, že obsahuje povrchové ovrstvení z 10 až 10 000 ppm vanadu, vztaženo na hmotnost anody.
12. Kondenzátor s anodou, získatelný z prášku na bázi niobu a/nebo sloučenin niobu s na BIAS nezávislou kapacitou, vyznačující se tím, že prášek pro použití v kondenzátorech je prášek podle alespoň jednoho z nároků 1 nebo 2.
13. Kondenzátor podle nároku 12 s anodou na bázi niobu a se závěrnou vrstvou na bázi oxidu niobičného, vyznačující se tím, že obsahuje vanad alespoň v závěrné vrstvě.
14. Kondenzátor podle nároku 13, vyznačující se tím, že obsah vanadu činí 10 až 100 000 ppm.
15. Kondenzátor podle nároku 14, vyznačující se tím, že obsah vanadu činí 500 až 10 000 ppm.
16. Kondenzátor podle některého z nároků 12ažl5, vyznačující se tím, že anoda je vytvořena z kovového niobu, suboxidu niobu, nitridu niobu a/nebo oxynitridu niobu.
17. Kondenzátor podle některého z nároků 12 až 15, vyznačující se tím, že anoda je vytvořena ze slitiny niobu a tantalu.
18. Kondenzátor podle nároku 16, vyznačující se tím, že anoda je vytvořena z niobového jádra a suboxidové vrstvy.
19. Kondenzátor podle některého z nároků 16ažl8, vyznačující se tím, že anoda obsahuje 10 až 100 000 ppm vanadu.
20. Kondenzátor podle nároku 19, vyznačující se tím, že anoda obsahuje 500 až 10 000 ppm vanadu.
21. Kondenzátor podle některého z nároků 16 až 18, vyznačující se tím, že závěrná vrstva obsahuje 10 až 10 000 ppm vanadu, vztaženo na celkovou hmotnost anody.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10030387A DE10030387A1 (de) | 2000-06-21 | 2000-06-21 | Kondensatorpulver |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ20024219A3 CZ20024219A3 (cs) | 2003-05-14 |
| CZ305763B6 true CZ305763B6 (cs) | 2016-03-09 |
Family
ID=7646403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ2002-4219A CZ305763B6 (cs) | 2000-06-21 | 2001-06-08 | Kondenzátorový prášek |
Country Status (15)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6992881B2 (cs) |
| JP (1) | JP5464682B2 (cs) |
| KR (1) | KR100915729B1 (cs) |
| CN (1) | CN100423145C (cs) |
| AU (2) | AU6906201A (cs) |
| BR (1) | BRPI0112389B1 (cs) |
| CA (1) | CA2413453A1 (cs) |
| CZ (1) | CZ305763B6 (cs) |
| DE (1) | DE10030387A1 (cs) |
| GB (2) | GB2403216B (cs) |
| IL (2) | IL153356A0 (cs) |
| MX (1) | MXPA02012723A (cs) |
| RU (2) | RU2284602C2 (cs) |
| SV (1) | SV2002000501A (cs) |
| WO (1) | WO2001099130A1 (cs) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6322912B1 (en) | 1998-09-16 | 2001-11-27 | Cabot Corporation | Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide |
| US6416730B1 (en) | 1998-09-16 | 2002-07-09 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides |
| JP4562986B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2010-10-13 | 昭和電工株式会社 | ニオブ粉、その焼結体及びそれを用いたコンデンサ |
| US6652619B2 (en) | 2000-08-10 | 2003-11-25 | Showa Denko K.K. | Niobium powder, sintered body thereof, and capacitor using the same |
| US6639787B2 (en) | 2000-11-06 | 2003-10-28 | Cabot Corporation | Modified oxygen reduced valve metal oxides |
| US7737066B2 (en) * | 2001-05-15 | 2010-06-15 | Showa Denko K.K. | Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered body and capacitor using the sintered body |
| KR100663735B1 (ko) * | 2001-05-15 | 2007-01-03 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 니오브 분말, 니오브 소결체 및 이 소결체를 사용한 콘덴서 |
| JP2003213301A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-30 | Kawatetsu Mining Co Ltd | ニオブ粉末及び固体電解コンデンサ |
| JP2003342603A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-12-03 | Kawatetsu Mining Co Ltd | ニオブ粉末及び固体電解コンデンサ |
| US7655214B2 (en) | 2003-02-26 | 2010-02-02 | Cabot Corporation | Phase formation of oxygen reduced valve metal oxides and granulation methods |
| US20060275204A1 (en) * | 2003-05-05 | 2006-12-07 | Companhia Brasileira De Metalurgia E Mineracao | Process for the production of niobium oxide powder for use in capacitors |
| US7445679B2 (en) | 2003-05-16 | 2008-11-04 | Cabot Corporation | Controlled oxygen addition for metal material |
| CN101676217A (zh) | 2003-05-19 | 2010-03-24 | 卡伯特公司 | 生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物 |
| DE10333156A1 (de) * | 2003-07-22 | 2005-02-24 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Niobsuboxid |
| US7142409B2 (en) * | 2003-07-28 | 2006-11-28 | Cabot Corporation | Nitrided valve metal material and method of making same |
| US7952853B2 (en) | 2004-04-27 | 2011-05-31 | Medtronic, Inc. | Capacitor electrolyte |
| US7286336B2 (en) * | 2004-05-14 | 2007-10-23 | Greatbatch Ltd. | Plasma treatment of anodic oxides for electrolytic capacitors |
| US20080011124A1 (en) * | 2004-09-08 | 2008-01-17 | H.C. Starck Gmbh & Co. Kg | Deoxidation of Valve Metal Powders |
| US9548166B2 (en) | 2005-06-30 | 2017-01-17 | Medtronic, Inc. | Capacitor electrolyte |
| US20070174027A1 (en) * | 2006-01-26 | 2007-07-26 | Aleksey Moiseyev | Synchronized architectural and structural CAD models |
| GB0613491D0 (en) * | 2006-07-06 | 2006-08-16 | Avx Ltd | Binder removal particulate bodies |
| JP2008047576A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 電解コンデンサ |
| DE102007018959A1 (de) | 2007-04-21 | 2008-10-30 | Advanced Display Technology Ag | Schichtaufbau eines Elektrowetting-Systems |
| WO2009012124A2 (en) * | 2007-07-18 | 2009-01-22 | Cabot Corporation | Niobium suboxide- and niobium-tantalum-oxide-powders and capacitor anodes produced thereof |
| JP5028289B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2012-09-19 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| GB0818414D0 (en) * | 2008-10-08 | 2008-11-12 | Intrinsiq Materials Ltd | Nanoparticle purification |
| US8684260B2 (en) | 2011-04-01 | 2014-04-01 | Reynolds Consumer Products Inc. | Paperboard plate with corner walls |
| WO2014131151A1 (zh) * | 2013-02-26 | 2014-09-04 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 一种电容器级钽铌合金丝及其制造方法 |
| US10329644B2 (en) | 2014-09-11 | 2019-06-25 | Ishihara Chemical Co., Ltd. | Ta—Nb alloy powder and anode element for solid electrolytic capacitor |
| CN105916616B (zh) * | 2014-11-03 | 2018-09-14 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 钽粉及其制造方法和由其制成的烧结阳极 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3710474A (en) * | 1970-05-22 | 1973-01-16 | Fansteel Inc | Vanadium-modified tantalum foil |
| US3984208A (en) * | 1973-02-19 | 1976-10-05 | Societe Lignes Telegraphiques Et Telephoniques | Anodes for solid electrolyte capacitors |
| DE2636279B1 (de) * | 1976-08-12 | 1978-06-08 | Standard Elek K Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung von poroesen Anodenkoerpern |
| EP0268102A1 (en) * | 1986-10-22 | 1988-05-25 | S.E.R.E. S.r.l. | Anode and electrochemical cell for the recovery of metals from aqueous solutions |
| CA2341233A1 (en) * | 1998-07-30 | 2000-02-10 | Moltech Invent S.A. | Multi-layer non-carbon metal-based anodes for aluminium production cells |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1728941A (en) * | 1927-02-19 | 1929-09-24 | Westinghouse Lamp Co | Production of rare metals |
| US3203793A (en) * | 1963-01-28 | 1965-08-31 | Du Pont | Porous columbium and tantalum materials |
| US3564348A (en) * | 1969-04-07 | 1971-02-16 | Sprague Electric Co | Titanium-antimony alloy electrode electrical capacitor |
| US3867129A (en) * | 1974-02-05 | 1975-02-18 | Metallurgie Hoboken | Anodically oxidizable metal powder |
| SU505045A1 (ru) * | 1974-04-03 | 1976-02-28 | Институт электрохимии АН СССР | Электролитический конденсатор |
| JPS6026288B2 (ja) * | 1979-04-10 | 1985-06-22 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサ用焼結電極 |
| RU2033899C1 (ru) * | 1992-05-20 | 1995-04-30 | Воробьева Наталья Сергеевна | Способ изготовления объемно-пористых анодов электролитических и оксидно-полупроводниковых конденсаторов |
| US5448447A (en) * | 1993-04-26 | 1995-09-05 | Cabot Corporation | Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom |
| DE4404747C2 (de) * | 1994-02-15 | 1995-12-14 | Starck H C Gmbh Co Kg | Herstellung von Reinstmetallpulver aus Metallalkoxiden |
| SV1997000092A (es) * | 1996-11-07 | 1998-08-17 | Cabot Corp | Polvos de niobio y condensadores electroliticos de niobio |
| US6051044A (en) * | 1998-05-04 | 2000-04-18 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| DE19831280A1 (de) * | 1998-07-13 | 2000-01-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Verfahren zur Herstellung von Erdsäuremetallpulvern, insbesondere Niobpulvern |
| WO2000067936A1 (en) * | 1998-05-06 | 2000-11-16 | H.C. Starck, Inc. | Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium |
| JP4202609B2 (ja) * | 1998-05-06 | 2008-12-24 | エイチ・シー・スタルク・インコーポレーテツド | 気体状マグネシウムを用いる酸化物の還元により製造される金属粉末 |
| US6576038B1 (en) * | 1998-05-22 | 2003-06-10 | Cabot Corporation | Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties |
| US6322912B1 (en) * | 1998-09-16 | 2001-11-27 | Cabot Corporation | Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide |
| DE19847012A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US6515846B1 (en) * | 1999-02-08 | 2003-02-04 | H.C. Starck, Inc. | Capacitor substrates made of refractory metal nitrides |
| JP2004500480A (ja) * | 1999-03-19 | 2004-01-08 | キャボット コーポレイション | 粉砕によるニオビウムおよびその他の金属粉末の製造 |
| US6558447B1 (en) * | 1999-05-05 | 2003-05-06 | H.C. Starck, Inc. | Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium |
| DE10044450C1 (de) * | 2000-09-08 | 2002-01-17 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung einer Elektrode für Kondensatoren und zur Herstellung eines Kondensators |
| US20030104923A1 (en) * | 2001-05-15 | 2003-06-05 | Showa Denko K.K. | Niobium oxide powder, niobium oxide sintered body and capacitor using the sintered body |
-
2000
- 2000-06-21 DE DE10030387A patent/DE10030387A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-06-08 CN CNB018115179A patent/CN100423145C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-08 US US10/311,115 patent/US6992881B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-08 BR BRPI0112389A patent/BRPI0112389B1/pt not_active IP Right Cessation
- 2001-06-08 AU AU6906201A patent/AU6906201A/xx active Pending
- 2001-06-08 KR KR1020027017384A patent/KR100915729B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-08 GB GB0422194A patent/GB2403216B/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-08 GB GB0229143A patent/GB2382464B/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-08 RU RU2003101696/06A patent/RU2284602C2/ru active IP Right Revival
- 2001-06-08 JP JP2002503889A patent/JP5464682B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-08 WO PCT/EP2001/006525 patent/WO2001099130A1/de active Application Filing
- 2001-06-08 MX MXPA02012723A patent/MXPA02012723A/es active IP Right Grant
- 2001-06-08 CA CA002413453A patent/CA2413453A1/en not_active Abandoned
- 2001-06-08 IL IL15335601A patent/IL153356A0/xx active IP Right Grant
- 2001-06-08 CZ CZ2002-4219A patent/CZ305763B6/cs not_active IP Right Cessation
- 2001-06-08 AU AU2001269062A patent/AU2001269062B2/en not_active Ceased
- 2001-06-20 SV SV2001000501A patent/SV2002000501A/es active IP Right Grant
-
2002
- 2002-12-10 IL IL153356A patent/IL153356A/en not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-12-03 US US11/004,091 patent/US20050094354A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-05-29 RU RU2006118262/09A patent/RU2391731C9/ru active
-
2008
- 2008-10-30 US US12/261,635 patent/US7833511B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3710474A (en) * | 1970-05-22 | 1973-01-16 | Fansteel Inc | Vanadium-modified tantalum foil |
| US3984208A (en) * | 1973-02-19 | 1976-10-05 | Societe Lignes Telegraphiques Et Telephoniques | Anodes for solid electrolyte capacitors |
| DE2636279B1 (de) * | 1976-08-12 | 1978-06-08 | Standard Elek K Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung von poroesen Anodenkoerpern |
| EP0268102A1 (en) * | 1986-10-22 | 1988-05-25 | S.E.R.E. S.r.l. | Anode and electrochemical cell for the recovery of metals from aqueous solutions |
| CA2341233A1 (en) * | 1998-07-30 | 2000-02-10 | Moltech Invent S.A. | Multi-layer non-carbon metal-based anodes for aluminium production cells |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2382464A (en) | 2003-05-28 |
| RU2391731C2 (ru) | 2010-06-10 |
| SV2002000501A (es) | 2002-12-02 |
| BRPI0112389B1 (pt) | 2016-01-19 |
| RU2006118262A (ru) | 2007-12-20 |
| AU6906201A (en) | 2002-01-02 |
| US20040028922A1 (en) | 2004-02-12 |
| GB2403216A (en) | 2004-12-29 |
| WO2001099130A1 (de) | 2001-12-27 |
| CN1437753A (zh) | 2003-08-20 |
| GB0229143D0 (en) | 2003-01-15 |
| GB2403216B (en) | 2005-02-23 |
| RU2391731C9 (ru) | 2011-05-20 |
| CZ20024219A3 (cs) | 2003-05-14 |
| US6992881B2 (en) | 2006-01-31 |
| IL153356A0 (en) | 2003-07-06 |
| US20050094354A1 (en) | 2005-05-05 |
| US20090278095A1 (en) | 2009-11-12 |
| KR20030014719A (ko) | 2003-02-19 |
| IL153356A (en) | 2008-08-07 |
| CA2413453A1 (en) | 2001-12-27 |
| MXPA02012723A (es) | 2003-05-14 |
| RU2284602C2 (ru) | 2006-09-27 |
| JP5464682B2 (ja) | 2014-04-09 |
| JP2003535981A (ja) | 2003-12-02 |
| GB0422194D0 (en) | 2004-11-03 |
| KR100915729B1 (ko) | 2009-09-04 |
| US7833511B2 (en) | 2010-11-16 |
| BR0112389A (pt) | 2003-06-10 |
| AU2001269062B2 (en) | 2006-07-20 |
| DE10030387A1 (de) | 2002-01-03 |
| CN100423145C (zh) | 2008-10-01 |
| GB2382464B (en) | 2005-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CZ305763B6 (cs) | Kondenzátorový prášek | |
| AU2004203145B2 (en) | Niobium suboxide powder | |
| KR101129764B1 (ko) | 아산화 니오븀의 제조 방법 | |
| JP5124578B2 (ja) | 構造化した焼結活性表面を有する半製品およびその製造方法 | |
| RU2678220C2 (ru) | Способ изготовления спеченных изделий из вентильного металла, обладающих большой удельной поверхностью и низким содержанием кислорода | |
| US9085468B2 (en) | Inorganic compounds | |
| US11393638B2 (en) | Ti—Zr alloy powder and anode containing the same | |
| US20080011124A1 (en) | Deoxidation of Valve Metal Powders | |
| AU2006203068B2 (en) | Capacitor powder | |
| DE10192560B4 (de) | Kondensatorpulver | |
| JP5613862B2 (ja) | コンデンサの陽極体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MK4A | Patent expired |
Effective date: 20210608 |