CS271925B1 - Method of semiconductor device's p-n junction - Google Patents
Method of semiconductor device's p-n junction Download PDFInfo
- Publication number
- CS271925B1 CS271925B1 CS887434A CS743488A CS271925B1 CS 271925 B1 CS271925 B1 CS 271925B1 CS 887434 A CS887434 A CS 887434A CS 743488 A CS743488 A CS 743488A CS 271925 B1 CS271925 B1 CS 271925B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- followed
- junction
- carboxylic acid
- solution
- polyamide
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 7
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 4
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N dimethylformamide Substances CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 244000166124 Eucalyptus globulus Species 0.000 claims 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 claims 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960001760 dimethyl sulfoxide Drugs 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- ZHDTXTDHBRADLM-UHFFFAOYSA-N hydron;2,3,4,5-tetrahydropyridin-6-amine;chloride Chemical compound Cl.NC1=NCCCC1 ZHDTXTDHBRADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNMAQDVPSHMBPO-UHFFFAOYSA-N 1-methylpyrrolidin-2-one;propan-2-one Chemical compound CC(C)=O.CN1CCCC1=O XNMAQDVPSHMBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002614 Polyether block amide Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- IDGUHHHQCWSQLU-UHFFFAOYSA-N ethanol;hydrate Chemical compound O.CCO IDGUHHHQCWSQLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- VCCPBPXMXHHRLN-UHFFFAOYSA-N methylsulfinylmethane;propan-2-one Chemical compound CC(C)=O.CS(C)=O VCCPBPXMXHHRLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 235000014594 pastries Nutrition 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- KIDBBTHHMJOMAU-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol;hydrate Chemical compound O.CCCO KIDBBTHHMJOMAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTUSEBKMEQERQV-UHFFFAOYSA-N propan-2-ol;hydrate Chemical compound O.CC(C)O XTUSEBKMEQERQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- VOVUARRWDCVURC-UHFFFAOYSA-N thiirane Chemical compound C1CS1 VOVUARRWDCVURC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
(57) Způsob pasivace apočívá v tom, že na povrch aoučáatky aa nanese 20 až 30 % hmot. roztok polyanidkarboxylová kyaeliny o Molekulové hmotnosti 2,0 až 7.D.104 g«ol’A, následuje euáeni po dobu nejméně 1 h při teplotách 40 až 100 °C, popřipadé ve vakuu a inidizaoe. Rozpouštědlo · výhodou obsahuje 0,^1 až 6,0 % cyklopentanonu.
<o
OJ «Η
CM
CS 271925 Bl
Vynález se týká způsobu paeivece Jednoduchého nebo vícenásobného elektronového a dérového přechodu PN polovodičových součástek polymery na bázi polyimidů.
K dosileni stabilních elektrických parametrů téchto součástek ee používají různé anorganlqké a organické paaivačni vratvy. Jako nepřiklad oxid křemičitý,' nitrid křemíku,: bezalkalické olovneto borité skle', polykrystalický křemík,' silikony,' epoxidy, polyimidy,' na nichž vytvářejí přilnavý a homogenní film definovaných elektroieolačních a dielektrickýoh vlaetnoeti, který chréni polovodič před působením vnějšího prostředí a umožňuje mechanickou manipulaci,
Rozhodujícími požadavky na vytvořeni paaivačni vratvy Jaou mimořádné nízký obaah iontových a polarizovatelných nečistot,' teplotní okolnost,1 dlelektrlcké charakteristiky, enedné zpracovatelnost,dostatečné přilnavost k substrátu,' například k povrchu křemíku a oxidu křemikul možnost vytvářeni vodivých oeat a podobně.
Tyto požadavky do značné miry splňuje polymer na bázi polyimidu^ využitý Jako paeivačni vrstva PN přechodu obvykle a promotorem adheee a nanášený na pečlivě očiětěný povrch aoučáetky. Výhodou polyimidů je Jeho vyeoké teplotní odolnost,'* lepě! dielektrické parametry než máji anorganické ochranné vrstvy,1 velmi dobré bariérové vlastnosti, lepši než saji nepřiklad silikony β možnost vytvářeni vodivých ceat, Oako surovin k synthéze zpracovatelného polylmidového prekuraoru kyeeliny polyamidka rboxy lové , je využíváno zejména dlenhydridů aromatických kyselin e aromatických dieminů,' u kterých bývá preferován obsah éterových můstků pro zajiětění snížené eorbce polymerem při vlaatni aplikaci, přičemž mohou být 1 tyto složky kombinovány va vhodných molárních poměrech. Po naneseni roztoku 10 až 15 % hmot, polyamid karboxylové kyseliny,' například v Ν,'Ν-dimethylformamidu, N-methyl-2-pyrrolidonu,! dimethylsulfoxidu nebo N,!N-dimethylacetsmidu ne součástku následuje tepelná imidlzace při teplotách 100 až 400 °C, Přitom se předpokládá odstraněni těkavých nízkomolekulárních eložek a prakticky 100% průběh imidlzace. Nesplněni těchto požadavků negativně ovlivňuje požadované vlaetnoeti finálního produktu,' polylmidového filmu, □e známo,' ža imidlzačni cyklua v tomto teplotním rozmezí nezaručuje dodrženi klasických nároků zejména proto,: že počáteční teplota imidizačnlho cyklu minimálně 100 °c způsobí rychlé vytvořeni rigidní povrchové vrstvy,' které ztěžuje difúzi rozpouštědla i kondenzační vody,
Výěe popsaný imidlzačni cyklua a polyamidkarboxylová kyselina s nedefinovanou molekulovou hmotnosti nezaručuje dodržení požadovaných vlaetnoeti polyimidů a navic polyimidový lak va výěe popsaných rozpouštědlech může být nestabilní a tim může měnit při skladováni evé vlaetnoeti. Při použiti koncentrace v rozmezí 10 až 15 % dochází ke stékání nanášeného polymerního roztoku zejména ze skosených ploch fazety PN přechodu výkonových polovodičových prvků.
Tyto nevýhody odstraňuje způeob pasivace PN přechody polovodičové součástky podle vynálezu, Jeho podstata spočívá v tom,· že na povrch součástky ae nanese 20 až 30 % hmot. roztok polyamidkarboxylové kyeeliny o molekulové hmotnosti 2,104 až 7,104 g mol1, následuje sušeni po dobu nejméně 1 h při teplotách 40 až 100 °C e déle následuje imidizece.
Výhodně obsahuje rozpouštědlo 0,1 až 6,0 % cyklopentanonu.
Výhodou způaobu provedeni pasivace PN přechodu podle vynálezu je prakticky úplný průběh imidlzace,' zlepšené ochranné vlastnosti povlaku,' Jakož i větší stabilita vlaetnoeti polymerního roztoku v průběhu skladováni, což Je zajištěno přídavkem cyklopentononu,
Oalši přednosti přídavku cyklopentanonu do rozpouětěciho syetému Je snadnější odstraněni rozpouštědla během sušeni vlivem potlačeni Interakce mezi polymerem a rozpouštědlem. Po~ užiti polyamidkarboxylové kyeeliny s molekulovou hmotnoeti 2.104 až 7.104 g mol1 umožňuje snažší filmotvornoet. Zároveň použiti vyěěi koncentrace zaručuje lepši nanášeni polymerniho roztoku,! možnost naneseni silnější vretvy e doetetečné kryti oetrých hran. Ne
CS 271925 Bl šikmých plochách nedochází ke stékáni polymerniho roztoku.
Zpfleob peelvece podle vynálezu je blíže vysvětlen v následujících příkladech.
Přiklad 1
Výkonová polovodičová diodě s jedni· přechode» PN,' kde oleptaný PN přechod je upraven eměei N-methylpyrrolidonaceton', potom opláchnut deionizovenou vodou, vysušen 0,2 h při 300 °C a ochlazen ne pokojoveu teplotu, ne tento povrch Je nanesen promotor edheze 0/1% hmot. roztok gaaa-aminopropyltrlethoxyellanu v deionizované vodě,* povlak ee nechá reagovat 30 8 e následuje sušeni 0,5 h při 110 °C. Po ochlazeni na pokojovou teplotu následuje naneseni 23 % hmot. roztoku polyamid karboxylové kyseliny vzniklé * reakci dienhydridu kyseliny pyromellitovó a 4,4-dianinodifenylmetanu s molární hmotnosti
70.103 gmol“1 v N-methylpyrrolidonu e l',5 % hmot. cyklopentanonu. Následuje sušeni ve vakuu při tlaku 1 kPa, 60 °C po dobu 5 h e vytvrzeni v atmosféře dusiku při 150 °C, pek při 200 °C e nakonec při 300 °C,< vždy po dobu 1 h.
Přiklad 2
Výkonový polovodičový tyristor ee třeai přechody PN,' kde oleptaný PN přechod je upraven směsi dime thy leulf oxidace to n,' potom opláchnut čistým methanolem,' vysušen 0,5 h při 250 °C a ochlazen na pokojovou teplotu,' na tento povrch je naneeen 0/6 % hmot. roztok gama-aminopropyltriethoxyeilenu ve směsi propanol-voda/ povlek se nechá reagovat 15 a a následuje euěeni 1 h při 90 °C. Po ochlazeni ne pokojovou teplotu následuje naneseni 20 % hmot. roztoku polyamid karboxylové kyseliny vzniklé reakci dianhydridu kyeeliny pyromellitovó a 4/4-diaminodifenylmetanu e molární hmotností 55,10 gmol v dimethylsulfoxidu. Následuje suěeni při 76 °C po dobu 10 h a vytvrzeni při 180 °C,< pek při 250 °C a nakonec při 350 °C, vždy po dobu 1 h.
Přiklad 3
Výkonová polovodičová dioda 8 jednim přechodem PN,: kde oleptaný PN přechod je upraven saěsi N-methylpyrrolidoneceton,' potom opláchnut deionizovenou vodou,' vysušen 0,5 h při 300 °C a oohlazen na pokojovou teplotu,' na tento povrch Je naneeen 0,3 % hmot, roztok gaaa-aminopropyltrlethoxysilenu ve směei izopropanol-voda,1 povlak se nechá reagovat 60 e a následuje sušeni 0,5 h při 120 °C. Po ochlazeni ne pokojovou teplotu následuje naneseni 27 % hmot. roztoku polyamid karboxylové kyseliny vzniklé reakci dianhydri3 «·!
du kyseliny pyromellitovó e 4,4-diaminodifenyletheru s molární hmotnosti 35.10 gmol ve eašei N-methylpyrrolidonu β 1,5 % hmot, cyklopentanonu. Následuje sušeni 2 h při 50 °C a 4 h při 100 °C β vytvrzeni v atmosféře dusíku při 150 °C, pak při 200 °C β nakonec při 300 °C,· vždy po dobu 1 h a 30 min. při 400 °C.
Přiklad 4
Výkonový polovodičový tyristor se třemi přechody PN,’ kde oleptaný PN přechod je upraven směsi dimethylsulfoxidaceton, potom opláchnut ethanolem,' vysušen 40 min. při 0 '
280 C e ochlazen na pokojovou teplotu, na tento povrch Je nanesen 0,8 % hmot. roztok geme-emlnopropyltrlethoxy8llenu ve sešel ethanol-vode· povlek se nechá reagovat 20 s , a následuje sušeni 15 min při 130 °C. Po ochlazeni na pokojovou teplotu následuje naneseni 30 % hmot. roztoku polyamid karboxylové kyseliny vzniklá reakci dianhydridu kyseliny pyromellitové a 4,4-diaminodifenyletheru s molárni hmotnosti 20,103 gmol“1 ve směsi N-methylpyrrolldonu sa 4 % hmot. cyklopentanonu. Následuje sušeni 3 h při 80 °C β vytvrzeni v atmosféře dusíku při 170 °C, pak při 250 °C a nakonec při 360 °C, vždy po dobu 1 h.
Způsob podle vynálezu lze využit v polovodičové technice.
Claims (2)
- PŘEDMĚT VYNALEZU1· ZpOeob paeivace PN přechodu polovodičová součástky polyimidových polymerem na bázi roztoku polyamidkarboxylová kyseliny eynthetlzovaná z dianhydrldu aromatická kyseliny a aromatického diamlnu v rozpouětědle N-methyl-2-pyrrolidonu, N«N-dlmethylformamidu* dlmethylaulfoxldu nebo Ν,Ν-dimethylacetamidu a následnou imldlzaci vyznačený tlm*' že ee na povrch součástky nanese 20 až 30 % hmot* roztok polyamidkarboxylová kyseliny o molekulová hmotnosti 2*0 až 7*10* 104 gmol\ následuje sušeni po dobu nejmáná 1 h při teplotách 40 až 100 °C a dále následuje Imldlzace*
- 2* Způsob provedeni paeivace PN přechodu polovodičová eoučáatky podle bodu l*1 vyznaču- .jící ae tim;l že rozpouštědlo obsahuje 0*1 až 6,9 % cyklopentanonu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS887434A CS271925B1 (en) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | Method of semiconductor device's p-n junction |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS887434A CS271925B1 (en) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | Method of semiconductor device's p-n junction |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS743488A1 CS743488A1 (en) | 1990-03-14 |
| CS271925B1 true CS271925B1 (en) | 1990-12-13 |
Family
ID=5423470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS887434A CS271925B1 (en) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | Method of semiconductor device's p-n junction |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS271925B1 (cs) |
-
1988
- 1988-11-14 CS CS887434A patent/CS271925B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS743488A1 (en) | 1990-03-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5321839B2 (ja) | ポリイミド前駆体及びポリイミド並びに画像形成下層膜塗布液 | |
| EP1448669B1 (en) | Adhesive composition comprising a polyimide copolymer and method for preparing the same | |
| TWI568757B (zh) | 聚伸芳基材料 | |
| JPH04224824A (ja) | 低ｔｃｅポリイミド | |
| KR101421913B1 (ko) | 유전체로서의 폴리이미드 | |
| JP5445788B2 (ja) | 画像形成用下層膜組成物 | |
| ATE305057T1 (de) | Durch polymerabbau erhältliches nano-poröses material mit niedriger dielektrizitätskonstante | |
| CN104558608A (zh) | 一种新型结构的聚酰亚胺及其透明薄膜的制备方法 | |
| US6589662B1 (en) | Composite film | |
| JPH0284434A (ja) | ３，５‐ジアミノベンゾトリフルオライドを用いたポリイミドポリマーおよびコポリマー | |
| EP0621888B1 (en) | Laminate on the basis of a strengthened polyimide film containing organometallic compounds for improving adhesion | |
| JPH0292535A (ja) | 金属とポリイミドの複合成形体 | |
| CN110408206B (zh) | 聚酰胺酸树脂组合物、其制备方法和由该组合物形成的薄膜 | |
| Matsutani et al. | Low temperature curing of polyimide precursors by variable frequency microwave | |
| CS271925B1 (en) | Method of semiconductor device's p-n junction | |
| JPS62135529A (ja) | ポリイミド前駆体 | |
| JP5895660B2 (ja) | 半導体用コーティング剤 | |
| KR102479024B1 (ko) | 플렉시블 기판용 폴리이미드 바니쉬 조성물 및 이를 이용한 폴리이미드 필름 | |
| JPH04226544A (ja) | ポリアミド酸構造物およびその製造方法 | |
| JPH02167741A (ja) | 金属／ポリイミド複合体の製造方法 | |
| JPH04206638A (ja) | 配線構造体とその製造方法 | |
| CN114957660B (zh) | 聚酰亚胺树脂组合物、聚酰亚胺树脂黏着层、积层体、以及电子组件的制造方法 | |
| KR100700749B1 (ko) | 이미드 올리고머, 그 제조방법 및 상기 이미드 올리고머의 가교반응을 통해서 제조된 폴리이미드 박막 | |
| JP2621180B2 (ja) | ポリイミド組成物 | |
| JP2843333B2 (ja) | 低熱膨張性ポリイミド |