CS270880B1 - Method of especially for silicon plates cleaning - Google Patents
Method of especially for silicon plates cleaning Download PDFInfo
- Publication number
- CS270880B1 CS270880B1 CS888807A CS880788A CS270880B1 CS 270880 B1 CS270880 B1 CS 270880B1 CS 888807 A CS888807 A CS 888807A CS 880788 A CS880788 A CS 880788A CS 270880 B1 CS270880 B1 CS 270880B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- cleaning
- cleaning solution
- silicon plates
- silicon wafers
- high frequency
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 12
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 abstract 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- -1 1 part of pproxide Substances 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004577 thatch Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
Vynález sa týká spósobu čistenia najmá křemíkových dosiek. Čistenie křemíkových dosiek sa v súčasnosti vykonává na mechanických čističkách, ktoré majú rotačně kartáče, alebo přívod tlakovej čistiacej kvapaliny. Su známe aj sprejové čističky používajúce pri čistění aerosol čistiaceho roztoku. Velmi rozšířený je ponorný spósob čistenia křemíkových dosiek. Ponorný spósob čistenia sa používá v kombinácii s vysokofrekvenčným ultrazvukovým žiarením, čo čistenie podstatné urýchluje. Týmto spósobom sa dobře odstraňuje chemická kontaminácia, nečistoty mastného charakteru, odtlačky prstov i mechanické častíce. Uvedené spósoby čistenia majú radu nevýhod, pričom odstraňovanie mechanickej kontaminácie neprebieha dokonale. Čistiace zariadenia používajúce rotačně kartáče alebo tiež prúd tlakovej kvapaliny zanechávajú na křemíkových doškách zbytky kartáčov. Mechanickým čistěním dochádza k poškodzovaniu a lámaniu křemíkových dosiek. Sprejové čističky splňajú požiadavky na odstraňovanie chemickej kontaminácie, ale mechanické nečistoty odstraňujú nedostatočne.
Vyššie uvedené nedostatky zmierňuje a technický problém rieši sposob čistenia najmá křemíkových dosiek podl’a vynálezu, ktorého podstata spočívá v tom, že na povrch křemíkových dosiek sa pósobí čistiacim roztokom pozostávajúcim po 4 až 7 dielov deionizovanej vody, 1 diela hydroxidu amonného, 1 diela peroxidu vodíka, tenzidu v koncentrácii 0,01 až 4% objemu čistiaceho roztoku za spolupósobenia vysokofrekvenčných ultrazvukových kmitov o frekvencii 0,2 až 1,2 MHz.
Spósobom čistenia křemíkových dosiek sa docieli urýchlenie čistia celého procesu a dokonalého odstránenia chemických a mechanických nečistót z křemíkových dosiek. Příkladné riešenie spósobu čistenia křemíkových dosiek je následovně: Na povrch křemíkových dosiek sa pósobí čistiacim roztokbm, ktorý pozostáva z 5 dielov deionizovanej « vody, 1 diela hydroxidu amonného, 1 diela pproxidu vodíka, tenzidu v koncentrácii 0,1 % objemu čistiaceho roztoku. Na čistiaci roztok sa pósobí vysokof rekKíenčnými ultrazvukovými kmitmi o frekvenici 0,7 MHz.
Claims (1)
- PREDMET VYNÁLEZU Spósob čistenia najmá křemíkových dosiek vyznačujúci sa tým, že na povrch křemíkových dosiek sa pósobí čistiacim roztokom pozostávajúcim zo 4 až' 7 dielov deionizovanej vody, 1 diela hydroxidu amonného, 1 diela peroxidu vodíka, tenzidu v koncentrácii 0,01 až 4% objemu čistiaceho roztoku za spolupósobenia vysokofrekvenčných ultrazvukových kmitov o frekvencii 0,2 až 1,2 MHz.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS888807A CS270880B1 (en) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | Method of especially for silicon plates cleaning |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS888807A CS270880B1 (en) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | Method of especially for silicon plates cleaning |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS880788A1 CS880788A1 (en) | 1989-12-13 |
| CS270880B1 true CS270880B1 (en) | 1990-08-14 |
Family
ID=5439151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS888807A CS270880B1 (en) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | Method of especially for silicon plates cleaning |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS270880B1 (cs) |
-
1988
- 1988-12-27 CS CS888807A patent/CS270880B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS880788A1 (en) | 1989-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI224031B (en) | Cleaning apparatus | |
| US3033710A (en) | Method of surface cleaning using ultrasonic energy | |
| TWI447799B (zh) | 基板洗淨方法及基板洗淨裝置 | |
| KR100271190B1 (ko) | 진공 부식 챔버 및 진공 부식 챔버의 교체가능한 부분을 처리하기 위한 방법 | |
| Mayer et al. | Megasonic cleaning: A new cleaning and drying system for use in semiconductor processing | |
| EP1044467A1 (en) | Post-lapping cleaning process for silicon wafers | |
| US7104268B2 (en) | Megasonic cleaning system with buffered cavitation method | |
| CN109860085A (zh) | 一种硅片cmp后加工设备及加工流程 | |
| CN109290279A (zh) | 一种玻璃导光板霉斑清洗工艺 | |
| CN108296216A (zh) | 一种硅片清洗方法 | |
| US5820688A (en) | Method for the treatment of semiconductor material | |
| JPH07159980A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JP4482844B2 (ja) | ウェハの洗浄方法 | |
| CN210160074U (zh) | 具有清洁功能的研磨装置 | |
| US6973934B2 (en) | Method for removing particles on semiconductor wafers | |
| JPH05175184A (ja) | ウエハの洗浄方法 | |
| CA2311650A1 (en) | Method and apparatus for the ultrasonic cleaning of a wire-drawing die | |
| JP4683314B2 (ja) | 半導体用シリコン基板の洗浄方法 | |
| JP3871748B2 (ja) | プラズマ処理装置の電極板洗浄方法 | |
| JP2000040684A5 (ja) | 洗浄装置および洗浄方法 | |
| JP3349299B2 (ja) | ウエット処理方法及び処理装置 | |
| JP2005150768A (ja) | 洗浄方法および電子部品の洗浄方法 | |
| JPH08155408A (ja) | 精密部品の洗浄方法 | |
| RU97112783A (ru) | Способ обработки поверхности металлической аппаратуры, предназначенной для эксплуатации в растворах перекиси водорода | |
| KR20110000147A (ko) | 실리콘 태양광 웨이퍼 제조 세정장치 |