CS270017B1 - Paelvačnl vretva referenční povrchové diody - Google Patents
Paelvačnl vretva referenční povrchové diody Download PDFInfo
- Publication number
- CS270017B1 CS270017B1 CS88455A CS45588A CS270017B1 CS 270017 B1 CS270017 B1 CS 270017B1 CS 88455 A CS88455 A CS 88455A CS 45588 A CS45588 A CS 45588A CS 270017 B1 CS270017 B1 CS 270017B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- diode
- nitride
- paelvacel
- reference diode
- spindle reference
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Řešeni ee týká paelvačnl vretvy referenční povrchové diody pro monolitické integrované obvody peeivovené nitridovými vratvarní. Podetete řečeni epočlvé v tom, že nad polovodičovým PN přechodem (9) je v pesivečnlch nitridových vretvách (8) Vytvořeno okno (7).
Description
Vynález ee týká paelvečni vrstvy referenční povrchová diody pro monolitická integrovaná obvody paeivovaná nitridovými vrstvami·
U velká Čáeti Integrovaných obvodů je základním prvkem zdroje referenčního nepiti povrchová dioda,' tvořená přechodem PN, polarizovaným v závěrném aairu. Stabilita závěrného nepčtl táto referenční povrohodá diody rozhodujícím způsobem určuje výslednou stabilitu zdroje referenčního napiti. V eoučeenoetl používaná konetrukoe referenčních povrchových diod nezaručuje; v připadá použiti paalvačnloh nitridových vrstev; etabllltu závěrného napětí přechodu PN· Ooeud ee tento problém řeči náhradou peeivačnlch nitridových vrstev vrstvami oxidovými; použitím podpovrchových referenčních diod nebo náhradou křemíkových desek e krystalografickou rovinou 111 deskami e rovinou 100. Náhradou nitridových peeivačnlch vrstev vrstvami oxidovými je dosaženo zvýěeni stability závěrného napětí až ne úroveň danou principem povrchového průrazu diod· Tuto náhradu věak nelze použit u těch integrovaných obvodů; kde pouze aplikaci nitridových vrstev lze splnit požadavky na výaledná parametry vertikální struktury. Nevýhodou použiti podpovrehová referenční diody mleto povrchová referenční diody Je odlliný tvar závěrná charakteristiky, což oaezuje možnosti použiti těchto diod. Oblaetl aplikace podpovrchových stabilizačních diod jsou integrovaná obvody e nejvyěělml nároky na četovou etabllltu referenčního napětí. U křemíkových desek e rovinou 100 dochází v porovnáni e rovinou 111 sice ke zlepšeni časová stability závěrného napětí; ověem ne tak výraznému jako při aplikaci popisovaného vynálezu, navíc Jeou ovlivněny parametry vertikální struktury.
Uvedená nevýhody odstraňuje paelvečni vretva referenční povrchová diody podle vynálezu; Jejíž podstata epočlvá v tom; že nad polovodičovým přechodem PN je v peeivačnlch nitridových vretvách vytvořeno okno.
Výhodou paelvečni vrstvy referenční povrchová diody vyrobená podle vynálezu Je, že stabilita závěrného napětí táto diody dosáhne úrovně daná principem povrchového průrazu a výsledná parametry vertikální struktury doeahujl hodnot parametrů vrstev e paslvačnlmi nitridovými vretveml.
Na výkresu je znázorněn přiklad provedeni paelvečni vretvy referenční povrchová diody pro monolitická integrovaná obvody podle vynálezu, vytvořená přechodem emitor báze, kde na obr. 1 Je vertikální struktura v řezu a na obr. 2 je horizontální struktura.
Referenční povrchová dioda podle obr. 1 a obr· 2 má kátodu 2 umístěnou v oblaetl ano dy JL. Katoda 2 je vyvedena kontektea 3 e metelizeol 6» Anoda JL je vyvedena kontaktem 4 e metelizeol 6. Okno 7 je vytvořeno v peeivačnlch nitridových vrstvách 8 nad polovodičovým PN přechodem 9.
Okno 7 vytvořená v parelvačnich nitridových vretvách 8 zabraňuje nabíjeni těchto vrstev při provozu diody a tlm zajišťuje etabllltu referenčního nepětl.
Paelvečni vretva referenční povrchová diody podle vynálezu je vhodná pro integrovaná obvody; kde Je požadována stabilita referenčního napětí e současně je nutno použit peaivačnl nitridová vretvy. Zároveň Ji lze využit při výrobě diskrétních polovodičových referenčních diod.
Claims (1)
- Paelvečni vretva referenční povrchová diody pro monolitické integrovaná obvody paeivovaná nitridovými vretveml, vyznačující ee tle, že ned polovodičový· PN přechodem (9) je v paslvečnlch-nitridových vretvách (8) vytvořeno okno (7),
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS88455A CS270017B1 (cs) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | Paelvačnl vretva referenční povrchové diody |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS88455A CS270017B1 (cs) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | Paelvačnl vretva referenční povrchové diody |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS45588A1 CS45588A1 (en) | 1989-10-13 |
| CS270017B1 true CS270017B1 (cs) | 1990-06-13 |
Family
ID=5336648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS88455A CS270017B1 (cs) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | Paelvačnl vretva referenční povrchové diody |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS270017B1 (cs) |
-
1988
- 1988-01-25 CS CS88455A patent/CS270017B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS45588A1 (en) | 1989-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102322968B (zh) | 沟槽式多晶硅二极管 | |
| US8975721B2 (en) | Integrated circuit having an edge passivation and oxidation resistant layer and method | |
| US4881112A (en) | IC with recombination layer and guard ring separating VDMOS and CMOS or the like | |
| US7943954B2 (en) | LED fabrication via ion implant isolation | |
| US4016593A (en) | Bidirectional photothyristor device | |
| US20050029533A1 (en) | LED fabrication via ion implant isolation | |
| US20090104726A1 (en) | LED Fabrication Via Ion Implant Isolation | |
| EP2722899B1 (en) | Light emitting device | |
| KR20160001717A (ko) | 전계 효과에 의해 도펀트들을 이온화하기 위한 p-n 접합 광전 소자 | |
| JPH10321877A5 (cs) | ||
| GB2137811A (en) | High power mosfet with direct connection from connection pads to underlying silicon | |
| US3628106A (en) | Passivated semiconductor device with protective peripheral junction portion | |
| US20050212075A1 (en) | Power semiconductor component in the planar technique | |
| KR950034864A (ko) | 발광 다이오드 장치와 그 장치의 제조방법 | |
| CN103489926A (zh) | 半导体器件 | |
| US20180204876A1 (en) | Optoelectronic component and a method of producing an optoelectronic component | |
| CN109427706B (zh) | 用于pfc应用的封装的快速反向二极管组件 | |
| KR20110014681A (ko) | 대향 표면들과 결합된 전기적 콘택들을 구비하는 활성영역을 갖는 발광소자 및 그 형성방법 | |
| KR970063421A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JP2007324591A (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
| US5109266A (en) | Semiconductor integrated circuit device having high breakdown-voltage to applied voltage | |
| JP2022533022A (ja) | 半導体部品および半導体部品の製造方法 | |
| CS270017B1 (cs) | Paelvačnl vretva referenční povrchové diody | |
| JPH07193257A (ja) | 双方向ショックレイダイオード型保護コンポーネント | |
| US8704270B2 (en) | Shockley diode having a low turn-on voltage |