CS268584B1 - Sposob tepelného spracovania vysokoteplotných supravodivých tenkých vrstiev - Google Patents
Sposob tepelného spracovania vysokoteplotných supravodivých tenkých vrstiev Download PDFInfo
- Publication number
- CS268584B1 CS268584B1 CS879534A CS953487A CS268584B1 CS 268584 B1 CS268584 B1 CS 268584B1 CS 879534 A CS879534 A CS 879534A CS 953487 A CS953487 A CS 953487A CS 268584 B1 CS268584 B1 CS 268584B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- temperature
- mpa
- oxygen
- minutes
- layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 title 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 abstract 1
- 230000000384 rearing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 2
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical group [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
RieSenie sa týká spósobu spracovania
vysokoteplotných supravodivých tenkých
vrstiev, ktorého podstata je v tom, že
vrstva připravená na báze oxidov prvkov
vzácných zemin sa žíhá vo vákuu s parciálnym
tlakom kyslíka menSom ako 10 Pa,
výhodné 5 Pa, po dobu 5_ až 15 minut při
teplote 700 až 7 50 °C, ďalej sa vrstva
žíhá v kyslíku pri tlakuo0,l MPa až 0,5
MPa pri teplote pod 700 C, výhodné pri
teplote 650 až 700 °C, po dobu 3 až 30
minut, potom sa vrstva žíhá pri tlaku
kyslíka 0,1 MPa až 0,5 MPa pri teplote
400 C až 500 °C po dobu 5 až 15 minut
a nakonicc sa vrstva ochladí na izbovú
teplotu. Rieáenie takto připravených
supravodivých vrstiev má využitie v
oblasti kryoelekironických Struktur,
pri přípravě zariadení pre detekovanie
slabých megnetických polí a pri přípravě
Struktur pre rýchly přenos a spracovanie
elektrických signálov.
Description
Vynález sa týká spůsobu tepelného spracovania vy suko tep 1 o tných supravodivých tenkých vrstlev na báze oxidov prvkov vzácných zemin.
Příprava tenkých vrstiev na báze oxidov prvkov vzácných zemin, napr. Y, Ba, La, Lu atď., s cleíom získat vysokoteplotně supravodivé vrstvy s kritickou teplotou 30 až 95 Kelvin vyžaduje po nanesení vrstvy vo vákuovom zariadení dodatečné tepelné žíhanie v kyslíkovej atmosféře pri teplotách do 900 °C a žíhacích časoch do 11 hodin za účelom kryštalizacie vrstvy v tetragonálnej štruktúre s následným prechodotn do órtorombickej štruktúry, počas pomalého och1adzovan i a na izbovú teplotu, pričem táto je zodpovědná za supravodivost vrs ti cv.
Známe žfhacie postupy v kyslíkovej atmosféře sú napr. po přípravě vrstvy so zložením YjBa^CujO^, kedy sa táto vrstva žíh:i pri teplete 9110 °C po dobu 30 miniil s následným žíháním při teplote 540 °C po dobu 10 hodin, viz Oijkkamp, 0. - Venkatesan, 1. - Wu,X.D. and al.: Preparation of Y-Da-Cu-0xide superconductor thin films using pulsed laser evaporation from high Tc bulk material. Appl.phys.1c11., 1987, 51, s.619-629 alebo podia uvedenej literatury po přípravě vrstvy so zloženim YjOa^Cu^O^ sa táto vrstva žíhá při teplote 900°C po dobu 2 hodiny a následné sa žíhá při teplote 540 °C po dobu 2 hodin.
Pri tepelnom spracovaní vrstiev podlá uvedených postupov ide o dlhé žíhacie časy pri vysokých teplotách, takže difúznymi procesmi dochádza k interakci! podložky a vrstvy, čím sa zhoršujú základné kritické parametre supravodiče, najma jeho kritická teplota a kritická prúdová hustota vrstiev.
Zmíenené nedostatky v podstatnej miere odstraňuje spósob tepelného spracovania vysokoteplotných supravodivých tenkých vrstiev na báze oxidov prvkov vzácných zemin podía vynálezu, ktorého podstata spočívá v tom, že vrstva sa žíhá vo vákuu s parclálnym tlakom kyslíka B.lO'^a až 10 Pa po dobu 5 až 15 minut pri teplote 700 °C až 750 °C, ďalej sa vrstva žíhá v kyslíku pri tlaku 0,1 MPa až 0,5 MPa priřteplote 650 °C až 700 °C, po dobu 3 až 30 minut, potom sa vrstva žíhá při tlaku kyslíka 0,1 MPa až 0,5 MPa při teplote 400 °C až 500 °C po dobu 5 až 10 minut a nakoniec sa vrstva v kyslíkovom prostředí ochladí na izbovú teplotu.
Výhoda tepelného spracovania vrstiev podía vynálezu spočívá v podstatné kratších časoch pri nižších žíhacích teplotách a tým aj menšej degradácii kritickej teploty supravodivých vrstiev. Podstatu vynálezu dokumentují nasledujúce příklady.
Tenká vrstva hrůbky 0.7 ýjm so zložením blízkým V^a^Cu^O* připravená kodepozíciou z troch zdrojov vákuovým naparováním pri tlaku kyslíka 10 Pa na safirovú podložku pri teplote 550 °C o hrúbke 0,7 um, sa žíhá 5 min pri teplote 700 °C vo vákuu s parciálnym tlakom kyslíka 5 Pa. Následovalo žíhanie při 700 °C v kyslíku pri tlaku 0,1 MPa po dobu 3 min. Tepelné spracovanie bolo završené 5 minutovým žíháním při teplote 400 °C a tlaku kyslíka 0,1 MPa. Nakoniec vzorka bola v kyslíku ochladená na izbovú teplotu. Takto připravená vzorka vykazovalá supravodivé vlastnosti s kritickou teplotou 70 K.
V druhom příklade sa tenká vrstva s hrubkou 0.7 um, připravená ako v prvom příklade, žíhá pri teplote 750 0 C vo vákuu s parciálnym tlakom kyslíka 8.10 Pa po dobu 15 minut. Následovalo žíhanie při 650 °C po dobu 15 minut pri tlaku kyslíka 0,15 MPa. Ďalej bola vzorka žíhaná pri teplote 500 °C a tlaku kyslíka 0,15 MPa po dobu 10 minut. Nakoniec bola vzorka v kyslíku ochladená na izbovú teplotu a vykazovala supravodivé vlastnosti s kritickou teplotou blízkou 70 K.
Vynález má využitie v přípravě vysokotep1 otných supravodivých vrstiev na báze oxidov prvkov vzácných zemin, na ktorých je možné připravovat supravodivé kryoelektronické Struktury na rýchly přenos informácií, meranie slabých magnetických polí a pod.
Claims (1)
- Spůsot) tepelného spracovania vysokoteplotných supravodivých tenkých vrstiev na báze oxidov prvkov vzácných zemin, vyznačujúci sa tým, že vrstva sa žíhá vo vákuu s parciálnym tlakom kyslíka 0.10'^Pa až 10 Pa po dobu 5 až 15 minut pri teplote 700 až 750 °C, ďalej sa vrstva žíhá v kyslíku při tlaku 0,1 .MPa až 0,5 MPa pri teplote 650 °C až 700 °C, po dobu 3 až 15 minut, potom sa vrstva žíhá pří tlaku kyslíka 0,1 MPa až 0,5 MPa pri teplote 400 °C až 500 °C po dobu 5 až 30 minut a ďalej sa vrstva v kyslíku ochladí na izbovú teplotu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS879534A CS268584B1 (sk) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | Sposob tepelného spracovania vysokoteplotných supravodivých tenkých vrstiev |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS879534A CS268584B1 (sk) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | Sposob tepelného spracovania vysokoteplotných supravodivých tenkých vrstiev |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS953487A1 CS953487A1 (en) | 1989-08-14 |
| CS268584B1 true CS268584B1 (sk) | 1990-03-14 |
Family
ID=5445262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS879534A CS268584B1 (sk) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | Sposob tepelného spracovania vysokoteplotných supravodivých tenkých vrstiev |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS268584B1 (sk) |
-
1987
- 1987-12-21 CS CS879534A patent/CS268584B1/sk unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS953487A1 (en) | 1989-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3889024T2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer supraleitenden Dünnschicht. | |
| JP2711253B2 (ja) | 超伝導膜及びその形成方法 | |
| US5882536A (en) | Method and etchant to join ag-clad BSSCO superconducting tape | |
| CS268584B1 (sk) | Sposob tepelného spracovania vysokoteplotných supravodivých tenkých vrstiev | |
| Doi et al. | A new type of Superconducting wire; Biaxially oriented Tl1 (Ba0. 8Sr0. 2) 2Ca2Cu3O9 on {100}< 100> textured silver tape | |
| EP0293836B1 (en) | Method for preparing thin film of superconductor | |
| Rowell | The status, recent progress and promise of superconducting materials for practical applications | |
| Mao et al. | Oxidation and reduction during fabrication of high quality Nd/sub 1.85/Ce/sub 0.15/CuO/sub 4-y/superconducting thin films | |
| Ōgushi et al. | La-Sr-Nb-O film as a candidate for superconductor with T ce up to 255 K | |
| US5206214A (en) | Method of preparing thin film of superconductor | |
| CS267358B1 (cs) | Spósob přípravy vysokoteplotných supravodivých tenkých vrstiev | |
| JPH1112094A (ja) | 希土− バリウム− キュプレート系超伝導体の製造方法 | |
| US5236892A (en) | Method for manufacturing oxide superconducting article | |
| JPH01176216A (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
| McGinn | Progress in the melt texturing of RE-123 superconductors | |
| JPH0337913A (ja) | 酸化物超電導体薄膜材料 | |
| JP2577056B2 (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH03109204A (ja) | 超電導薄膜の製造方法 | |
| Kúš et al. | Preparation of Gd-Ba-Cu-O superconducting thin films on silicon substrates by magnetron sputtering | |
| JPH0227612A (ja) | 酸化物系超電導線材 | |
| Yokoyama et al. | Flux density distribution in Bi2Sr2CaCu2Ox and its critical current | |
| JPH04342497A (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法 | |
| Cheng et al. | Growth of Ca‐doped large grain Gd–Ba–Cu–O superconductors | |
| JPH0534287B2 (sk) | ||
| JP2501609B2 (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の作製方法 |