CS244084B1 - Způsob pasivace povrchu zahloubení vertikálně členěné struktury polovodičové součástky - Google Patents

Abstract

Účelem řeěení je odstraněni možnosti elektrického zkratu mezi přilehlou a povrchovou polovodičovou vrstvou u polovodičových součástek s vertikálně členěnou strukturou. Uvedeného účelu se dosáhne způsobem, kde po posledním fotolitografickem zpracová­ ní kontaktu a smytí fotoresistu se celá struktura znovu opatří vrstvou fotoresistu, přes masku exponuje a vyvolá. Vrstva fotoresistu zbylá na povrchu zahloubení se vytvrdí a slouží jako ochranná pasivační vrstva přilehlé polovodičové vrstvy.

Description

Vynález se týká způsobu pasivace povrchu zahloubení vertikálně členěné struktury polovodičové součástky, kde zahloubené části plochy struktury zasahují do přilehlé polovodičové vrstvy k povrchové polovodičové vrstvě.

U vícevrstvých polovodičových součástek s vertikálně členěnou strukturou, kde zahloubené části plochy struktury zasahují až do přilehlé polovodičové vrstvy k povrchové polovodičové vrstvě, přičemž obě polovodičové vrstvy jsou opačné elektrické vodivosti, často dochází vlivem mechanického prohnutí systému polovodič dilatační elektroda k elektrickému zkratu mezi přilehlou a povrchovou polovodičovou vrstvou. Ke zkratu dochází též vlivem různého znečištění povrchu přilehlé polovodičové vrstvy. Zkrat působí většinou horní dilatační vložka polovodičové součástky, přiložená volně na okontaktovanou povrchovou polovodičovou vrstvu při zatížení celé polovodičové součástky mechanickým kolmým tlakem.

Způsobený elektrický zkrat je příčinou degradace elektrických parametrů polovodičové součástky.

Pro odstranění těchto elektrických zkratů se přilehlá polovodičová vrstva obnažená zahloubením odděluje pasivací od povrchové polovodičové vrstvy. U polovodičových součástí stávajícího provedení se používá pasivace rostlými nebo nanášenými oxidy, nitridy, pasivačními skly apod.

244 084

Nevýhodou těchto způsobů pasivace povrchu zahloubení je složitá a drahá příprava pasivační vrstvy. Často jsou pro přípravu nanášené nebo narostlé pasivační vrstvy potřebná drahá technologická zařízení. Dále je nezbytné následné zpracování standartním fotolitografickým postupem.

Uvedené nevýhody odstraňuje způsob pasivace povrchu zahloubení vertikálně členěné struktury polovodičové součástky, kde zahloubené části plochy struktury zasahují ďo přilehlé polovodičové vrstvy k povrchové polovodičové vrstvě, přičemž tyto vrstvy jsou opačné elektrické vodivosti. Po posledním fotolitografickém zpracování kontaktu a smytí fotoresistu se celá struktura znovu opatří vrstvou fotoresistu, která se přes masku exponuje, vyvolá a vrstva fotoresistu zbylá na povrchu zahloubení se vytvrdí.

Výhodou způsobu pasivace podle vynálezu je zjednodušení a zkrácení přípravy pasivační vrstvy a úspora technologického zařízení.

Na připojeném výkresu je znázorněna část vertikálně členěné struktury polovodičové součástky v řezu.

Příklad provedení

Na křemíkové desce o průměru 40 mm je vytvořena tyristorové čtyřvrstvá PNPN⁺ struktura, s proleptaným emitorem N⁺ přes fotoreslstovou maskující vrstvu a naneseným kontaktem rovněž zpracovaným fotolitografickým způsobem. Po poslední opeeci,tj. smytí fotoresistu, se celý polovodičový systém znovu opatří vrstvou foto resistu a exponuje přes masku vytvořenou tak, aby vrstva fotoresistu zůstala na ploše zahloubení 2, tvořené přilehlou polovodičo vou vrstvou 2 a hranami povrchové polovodičové vrstvy 1.

Po vyvolání a vytvrzení vzniklé vrstvy 4 následují obvyklé operace broušení fazety, povrchová ochrana a měření.

Vrstva 4 fotoresistu na přilehlé polovodičové vrstvě 2 a hranách povrchové polovodičové vrstvy 1 slouží jako ochranná pasivační vrstva přilehlé polovodičové vrstvy 2.

Způsob pasivace povrchu zahloubení podle vynálezu je vhodný pro všechny vícevrstvé výkonové polovodičové součástky s vertikálně členěnou strukturou.

Claims (1)

1. Způsob pasivace povrchu zahloubení vertikálně členěné struktury polovodičové součástky* kde zahloubené části plochy struktury zasahují db přilehlé polovodičové vrstvy k povrchové polo-» vodičové vrstvě* přičemž tyto vrstvy jsou opačné elektrické vodivosti* vyznačený tím * že po posledním fotolito grafickém zpracování kontaktu a smytí fotoresistu se celá struktura znovu opatři vrstvou fotoresistu* přes masku exponuje* vyvolá a vrstva /4/ fotoresistu zbylá na povrchu zahloubení /3/ se vytvrdí.