CS243998B1 - Zapojení krystalového oscilátoru - Google Patents
Zapojení krystalového oscilátoru Download PDFInfo
- Publication number
- CS243998B1 CS243998B1 CS84681A CS68184A CS243998B1 CS 243998 B1 CS243998 B1 CS 243998B1 CS 84681 A CS84681 A CS 84681A CS 68184 A CS68184 A CS 68184A CS 243998 B1 CS243998 B1 CS 243998B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- transistor
- collector
- pole
- emitter
- base
- Prior art date
Links
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
Podstata řešení spočívá v tom, že kolektor prvního tranzistoru je spojen přímou vazbou s bázi drhhého tranzistoru. Emitor druhého tranzistoru je připojen k druhému pólu napájecího zdroje emitorovým odporem, na kterém vzniká z porna proudová zpětná vazba. K bázi prvního tranzistoru je připojen zpětnovazebním odporem, kterým se zavádí záporná napěíová zpětná vazba. Kolektor druhého tranzistoru je pomocí sériově spojeného kondenzátoru a krystalu propojen s bází prvního tranzistoru. Tím se vytváří selektivní střídavá kladná zpětná vazba. Kolektorové odpory obou tranzistorů jsou připojené z kolektorů k prvnímu pólu napájecího zdroje, emitor prvního tranzistoru je připojen k druhému pólu zdroje. Řešení může byt využito všude tam, kde je žádán přesný oscilátor s rychlým náběhem a spolehlivou funkcí i při . zvýšené vlhkosti, například v mobilních nebo přenosných zařízeních v systémech selektivní volby, přenosu dat a v jiných podobných aplikacích.
Description
(51) Int. Cl u
H OJ B 5/00
Podstata řešení spočívá v tom, že kolektor prvního tranzistoru je spojen přímou vazbou s bázi drhhého tranzistoru. Emitor druhého tranzistoru je připojen k druhému pólu napájecího zdroje emitorovým odporem, na kterém vzniká z porna proudová zpětná vazba. K bázi prvního tranzistoru je připojen zpětnovazebním odporem, kterým se zavádí záporná napěíová zpětná vazba. Kolektor druhého tranzistoru je pomocí sériově spojeného kondenzátoru a krystalu propojen s bází prvního tranzistoru. Tím se vytváří selektivní střídavá kladná zpětná vazba. Kolektorové odpory obou tranzistorů jsou připojené z kolektorů k prvnímu pólu napájecího zdroje, emitor prvního tranzistoru je připojen k druhému pólu zdroje. Řešení může byt využito všude tam, kde je žádán přesný oscilátor s rychlým náběhem a spolehlivou funkcí i při . zvýšené vlhkosti, například v mobilních nebo přenosných zařízeních v systémech selektivní volby, přenosu dat a v jiných podobných aplikacích.
243 998
243 998
Vynález se týká zapojení krystalového oscilátoru.
Existuje mnoho zapojení krystalových oscilátorů. V zařízeních s číslicovými obvody jsou převážně používána zapojení s logickými hradly různé složitosti. V jednodušších zapojeních není možné nastavit přesně pracovní bod a nelze zajistit opakovatelnost v sériové výrobě, ve složitějších zapojeních se ztrácí výhoda použití hradel. V obou případech je nutné v zapojeních používat vysoké impedance, což je značnou překážkou jejich použití v mobilních a přenosných zařízeních, které musí spolehlivě fungovat i při vysoké relativní vlhkosti, kdy na deskách tištěných spojů vznikají svody. Svodové proudy mohou být v těchto yysokoimpedančních zapojeních větší než pracovní a zapojení přestane fungovat. Časy rozběhu těchto oscilátorů bývají řádově několik sekund, což neumožňuje jejich vypínání během provozu. Tranzistorové oscilátory s jedním tranzistorem mají poměrně mnoho doplňujících součástek. Jejich jednoduchost je tedy relativní. Přitom zisk zpětnovazební smyčky není nikdy natolik velký, aby umožnil rychlý rozběh oscilátoru. V zapojení je nutná použít rovněž poměrně vysoké impedance, proto je zatěžovací schopnost takových oscilátorů malá. Chceme-li jimi řídit číslicová obvody, musíme jejich výstupní signál zesílit a tvarovat. Tranzistorové oscilátory se dvěma tranzistory disponují velikým ziskem a umožňují různě složitá zapojení s parametry vhodnými pro daný účel.
Podstata zapojení krystalového oscilátoru spočívá v tom, Se emitor prvního tranzistoru je připojen přímo k druhému pólu napájecího zdroje, zatím co jeho kolektor je připojen přímo k bázi druhého tranzistoru a přes první kolektorový odpor k prvnímu pólu napájecího zdroje, přičemž báze prvního tranzistoru je propojena přes zpětnovazební odpor s emitorem druhého
243 998 tranzistoru, který je dále připojen přes emitorový odpor k druhému pólu napájecího zdroje, zatím co kolektor tohoto druhého tranzistoru je přes druhý kolektorový odpor připojen k prvnímu pólu napájecího zdroje a přes sériově spojený kondenzátor a krystal je tento kolektor propojen s bázi prvního tranzistoru.
Výhodou zapojení podle vynálezu je jeho spolehlivá funkce s širokém rozsahu napájecích napětí. V zapojení je možné použít relativně nízké impedance, což umožňuje použití oscilátoru v podmínkách zvýšené relativní vlhkosti. Rovněž zatížitelnost tohoto oscilátoru je značná. Velký zisk v obvodu střídavé kladn zpětné vazby zajišťuje rychlý rozběh oscilátoru, což umožňuje jeho použití vjs spínaném režimu. Zapojení obsahuje pouze minimální množství součástek, kromě dvou tranzistorů a krystalu pouze čtyři odpory a jeden kondenzátor s běžnými výrobními tolerancemi.
Vynález je podrobněji vysvětlen na připojených kde na obr. 1 je příklad zapojení oscilátoru podle vynálezu a na obr. 2 je příklad zapojení oscilátoru s omezovacím odporem
Zapojení podle obr. 1 sestává ze dvou tranzistorů, čtyř odporů, jednoho krystalu a jednoho kondenzátoru. První tranzistor 1 je připojen emitorem přímo k druhému pólu napájecího zdroje 10. Kolektor tohoto tranzistoru 1 je připojen přes první kolektorový odpor J k prvnímu pólu napájecího zdroje 2 a ďe př*í mo propojen s bází druhého tranzistoru 2. Emitor druhého tranzi toru 2 je připojen pomocí emitorového odporu b k druhému pólu napájecího zdroje 10 a pomocí zpětnovazebního odporu % je propo jen s bází prvního tranzistoru 1. Kolektor druhého tranzistoru 2 je přes druhý kolektorový odpor 4 připojen k prvnímu pólu napájecího zdroje 2. a pomocí sériově spojeného kondenzátoru £ a krystalu 2. Ďe tento kolektor propojen s bází prvního tranzistoru 1.
Činnost zapojení podle obr. 1 probíhá následovně:
Kolektor prvního tranzistoru 1 je spojen přímou vazbou s bází druhého tranzistoru 2. Na emitorovém odporu 6 vzniká záporná
243 998 proudová zpětná vazba. Z emitoru druhého tranzistoru 2 je přes zpětnovazební odpor % zavedená záporná napéíová zpětná vazba do báze prvního tranzistoru 1. Obě tyto záporné zpětné vazby zajištuji stabilní pracovní body obou tranzistorů ve velkém rozsahu napájecích napětíja při všech kombinacích tolerancí použitých součástek. Z kolektoru druhého tranzistoru 2 je do báze prvního tranzistoru 1 zavedena přes sériově zapojený kondenzétor 8 a krystal 2 selektivní střídavá kladná zpětná vazba, která zajistí rozkmitání oscilátoru na frekvenci krystalu. Hodnotami součástek se nastaví taková velikost zpětných vazeb, aby nebyl přebuzován krystal a aby přitom doba rozběhu vyhovovala danému použití.
činnost zapojení podle obr. 2 probíhá stejně jako u zapojení podle obr. 1. Omezovači odpor 11jzapojený do série s krystalem 2 a kondenzátorem 8γomezuje velikost selektivní kladné zpětné vazby.
Zapojení je možné použít jako řídící oscilátor v systémech selektivní volby, v systémech přenosu dat a v jiných podobných aplikacích.
řftl DMÍT VYNÁLEZU
243 998
Claims (2)
1. Zapo jení krystalového oscilátoru, vyznačené tím, že emitor prvního tranzistoru (1) je připojen přímo k.druhému pólu napájecího zdroje (10), zatím co jeho kolektor je připojen přímo k bázi druhého tranzistoru (2) a přes první kolektorový odpor (3) k prvnímu pólu napájecího zdroje (9), přičemž báze prvního tranzistoru (1) je propojena přes zpětnovazební odpor (5) e emitorem druhého tranzistoru (2), který je dále připojen přes emitorový odpor (6) k druhému pólu napájecího zdroje (10), zatím co kolektor tohoto druhého tranzistoru (2) je přes druhý kolektorový odpor (4) připojen X prvnímu pólu napájecího zdroje (9) a přes sériově spojený kondenzátor (8) a krystal (7) je tento kolektor propojen s bází prvního tranzistoru (1).
2· Zapojení krystalového oscilátoru podle bodu lf vyznačené tím, že do série s krystalem (7) a kondenzátorem (8) je zapojen omezovači odpor (11).
1 výkres
243 998
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS84681A CS243998B1 (cs) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | Zapojení krystalového oscilátoru |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS84681A CS243998B1 (cs) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | Zapojení krystalového oscilátoru |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS68184A1 CS68184A1 (en) | 1985-09-17 |
| CS243998B1 true CS243998B1 (cs) | 1986-07-17 |
Family
ID=5339383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS84681A CS243998B1 (cs) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | Zapojení krystalového oscilátoru |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS243998B1 (cs) |
-
1984
- 1984-01-31 CS CS84681A patent/CS243998B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS68184A1 (en) | 1985-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE34808E (en) | TTL/CMOS compatible input buffer with Schmitt trigger | |
| EP0032588A2 (en) | Substrate bias generation circuit | |
| KR840000112A (ko) | 펄스폭 변조 신호 증폭기 | |
| JP3493215B2 (ja) | チャージポンプ回路 | |
| KR970031341A (ko) | 클록신호에 의하여 제어되는 레벨변환회로(level conversion circuit controlled by colck signal) | |
| JPH02149013A (ja) | 発振回路 | |
| US4599526A (en) | Clocked latching circuit | |
| KR890005992A (ko) | 상보신호 출력회로 | |
| JP2888182B2 (ja) | フリップフロップ回路 | |
| US3914711A (en) | Gated oscillator having constant average d.c. output voltage during on and off times | |
| EP0312141A1 (en) | Oscillator circuit comprising a phase control loop | |
| JP2743401B2 (ja) | Ecl回路 | |
| CS243998B1 (cs) | Zapojení krystalového oscilátoru | |
| US3183370A (en) | Transistor logic circuits operable through feedback circuitry in nonsaturating manner | |
| US2892100A (en) | Power transistor switching circuits | |
| KR890013767A (ko) | biCMOS 인터페이스 회로 | |
| KR900001746B1 (ko) | 바이 씨 모스에 의한 고전압 대전력 구동회로 | |
| KR900015449A (ko) | 리액턴스 제어회로 | |
| US5059826A (en) | Voltage threshold generator for use in diode load emitter coupled logic circuits | |
| US6087903A (en) | Voltage-controlled oscillator with variable output frequency from oscillation circuit | |
| US5012130A (en) | Small area and low current drain frequency divider cell for integrated circuits | |
| JPH0236610A (ja) | マスタースレーブ型dタイプフリップフロップ回路 | |
| KR100256229B1 (ko) | 저전력소모를갖는d-형플립플롭회로 | |
| SU860231A1 (ru) | Устройство дл управлени силовым транзистором | |
| JPH10336002A (ja) | 半導体集積回路装置 |