CS241850B1 - Způsob výroby křemíkové rozkladové elektrody - Google Patents
Způsob výroby křemíkové rozkladové elektrody Download PDFInfo
- Publication number
- CS241850B1 CS241850B1 CS848920A CS892084A CS241850B1 CS 241850 B1 CS241850 B1 CS 241850B1 CS 848920 A CS848920 A CS 848920A CS 892084 A CS892084 A CS 892084A CS 241850 B1 CS241850 B1 CS 241850B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- parts
- silicon
- etching
- layer
- gaps
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910017665 NH4HF2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
Vynález řeší způsob výroby křemíkové rozkladové elektrody tvořené křemíkovou deskou, opatřenou z jedné strany systémem fotodiod, překrytých systémem vzájemně odizolovaných, na svém obvodu podleptaných ostrůvků polovodivé vrstvy polýkrystalického křemíku.
Nynější způsob výroby křemíkové rozkladové elektrody s větší citlivostí, v jedné z posledních výrobních operací, to je vytvoření systému ostrůvků polykrystalického křemíku, se provádí zpravidla plasmatickým vyleptáním systému ostrůvků v souvislé polovodivé vrstvě .naneseného polykrystalicikého křemíku.
Postup je zpravidla takový, že se na křemíkovou desku s vytvořeným systémem fotodiod nanese souvislá polovodivá vrstva polykrystalického křemíku ze strany fotodiod. Tato souvislá vrstva se namaskuje systémem ostrůvků odpovídajících uspořádání fotodiod tak, že každý ostrůvek samostatně překrývá jednu fotodiodu, přičemž mezery mezi ostrůvky mají přibližně konstantní šířku.
V takto vytvořeném systému se pak plasmaticky odleptá obnažený polykrystalický křemík, čímž vznikne systém vzájemně odizolovaných ostrůvků vrstvy polykrystalického křemíku.
Tento způso-b výroby je poměrně dobře propracován a v literatuře popsán. Například: Jacob A. The Versatile Technique of RF Plasma Etching. Solid State Technology 1978, 9. Nebo jiné pojednání: Kumar R. Characterizaton of Plasma Etching for Semiconductor Aplications. Solid State Technology 1976, 10.
Podstata způsobu výroby křemíkové rozkladové elektrody v jedné z posledních výrobních operací, při níž se vytvoří systém ostrůvků polovodivé vrstvy, spočívá podle vynálezu v procesu, při kterém se nejprve lepitá polovodivá vrstva polykrystalického křemíku v mezerách systému,, vymezených maskou z pozitivního· fotorezistu, a to lepitadlem na křemík, nejlépe o složení 10 objemových dílů CHsCOOH -j- 1 objemový díl HF -j- 50 objemových dílů HNO3 po dobu 30 až '120 s při teplotě v rozmezí 18 až 215 °C, talk, aby šířka mezery mezi ostrůvky polovodivé vrstvy byla u základny ostrůvků •menší než 3 <um, nejvýhodněji však menší než čtyřnásobek tlouštíky polovodivé vrstvy.
Takto vytvořené ostrůvky polovodivé vrstvy polykrystalického křemíku se na svém obvodu podleptají leptáním podložního kysličníku křemičitého v mezerách obnažených předchozím leptáním, a to leptadlem ina kysličník křemičitý, nejlépe o složení 3 váhové díly NH4HF2 + 4 váhové díly NH4F + + 10 váhových dílů H2O při 'teplotě 19 až 23 C,C po dobu 120 až 180 s při šířce mezer do· 1,5 μπι a po dobu 180 až 300 s při mezerách širších než 1,5 μπι.
Jednou z výhod způsobu výroby podle vynálezu je možnost dosáhnout značné přesnosti zvolené geometrie uspořádání ostrůvků polovodivé vrstvy. Leptání křemíku a kysličníku křemičitého, v úpravě leptadel a postupem stanoveným ve vynálezu, umožňuje tak dosáhnout zvolené optimální vzdálenosti mezi ostrůvky polovodivé vrstvy i vhodné vytvarování stěn ostrůvků, to znamená, že okraje ostrůvků jsou souvislé, bez nežádoucích výstupků a rovněž hloubka a tvar podleptání jsou rovnoměrné.
Touto cestou je možno· zamezit funkčním závadám při provozu snímací elektronky se zabudovanou křemíkovou rozkladovou elektrodou. Jde o závady způsobené například nadměrným hromaděním náboje na kysličníku křemičitém v mezerách mezi ostrůvky polovodivé vrstvy, nebo jde o závady způsobené propojením polovodivých ostrůvků vodivou vrstvou nekondenzovanou na povrchu se systémem ostrůvků, vrstvou, vzniklou při getraci nebo jiných procesech při výrobě snímací elektronky.
•Další výhodou uvedeného způsobu výroby podle vynálezu, zvláště ve srovnání s plasmatickým leptáním je, že nezhoršuje vyso·kou kvalitu elektrických vlastností povrchu křemíkové desky se systémem ostrůvků.
Poměrně velká energie dopadajících iontů při plasmiaticlkém leptání sice u mnoha jiných polovodičových součástek není .na závadu, ale v případě křemíkové rozkladové elektrody β větší citlivostí, kde vystupuje náročný požadavek velmi nízkých proudů za tmy, způsobuje proud dopadajících iontů při plasmatickém nébo jiném podobném způsobu leptání zhoršení elektrických parametrů rozkladové elektrody. Způsobem podle vynálezu lze docílit hustotu závěrných proudů za tmy až kolem 1 n,A/cm2.
Jako příklad lze uvést způsob výroby křemíkové rozkladové elektrody s větší'Citlivostí, kde jedna z posledních operací, to je zhotovení systému ostrůvků polovodivé vrstvy polykrystalického křemíku se provede talk, že se nejprve na křemíkovou desku se systémem do čtvercové sítě uspořádaných fotodiod nanese rozkladem sílánu 0,5 μιη tlusitá vrstva polykrystalického křemíku.
Po nemaskování systému čtvercově uspořádaných ostrůvků pozitivním fotorezistem, kde každá fotodioda je překryta ostrůvkem ve tvaru čtverce, se leptá ve vytvořené mříži o· šířce mezer 1 //m obnažený polykrystalický křemík leptadlem na křemík o složení: 10 objemových dílů CHsCOOH (98%) + + 1 objemový díl HF (39%) + ‘50 objemových dílů HNO3 (65·%).
Leptá se po dobu 70 s, při teplotě 20 °C. Po odstranění fotorezistu se leptá v mezerách mezi ostrůvky vrstvy polykrystalického křemíku obnažený kysličník křemičitý, leptadlem o složení: 3 hmot. díly NH4HF2 + —4 hmot. díly NH4F -j- 10 hmot. dílů HaO. Leptá se po dobu 160 s, při teplotě 20 °C. Takto vznikne systém čtvercově uspořádané sítě podleptaných ostrůvků polovodivé vrstvy polykrystalického křemíku.
Claims (1)
- PŘEDMĚTZpůsob výroby křemíkové rozkladové elektrody tvořené křemíkovou deskou, opatřenou z jedné strany systémem fotodiod, překrytých systémem vzájemně odizolovaných, na svém obvodu podleptaných ostrůvků polovodivé vrstvy polykrystalického křemíku, vyznačený tím, že systém podleptaných ostrůvků polovodivé vrstvy polykrystalického křemíku se vytvoří tak, že se leptá polovodivá vrstva v mezerách systému vytvořeného maskou z pozitivního fotorezistu, a to leptadlem na křemík, výhodně o složení 10 objemových dílů CHsCOOH + 1 objemový díl HF 50 objemových dílů HNO3 po dobu 30 až 120 s při teplotě nastavynalezu vené v rozmezí 18 až 25 °C, tak, aby šířka mezery mezi ostrůvky polovodivé vrstvy byla u základny ostrůvků menší než 3 ^m, nejvýhodněji však menší než čtyřnásobek tloušťky polovodivé vrstvy a v takto vytvořeném systému se ostrůvky polovodivé vrstvy na svém· obvodu podleptají v mezerách obnažených předchozím leptáním, leptáním podložního kysličníku křemičitého leptadlem na kysličník křemičitý, výhodně o složení 3 hmot. díly NH4HF2 -j- 4 hmot. díly NH4F + 10 hmot. dílů H2O při teplotě 19 až 23 °C po dobu 120 až 180 s při šířce mezer do 1,5 μηι a po dobu 180 až 300 s při mezerách širších než 1,5 μτη.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS848920A CS241850B1 (cs) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | Způsob výroby křemíkové rozkladové elektrody |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS848920A CS241850B1 (cs) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | Způsob výroby křemíkové rozkladové elektrody |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS892084A1 CS892084A1 (en) | 1985-08-15 |
| CS241850B1 true CS241850B1 (cs) | 1986-04-17 |
Family
ID=5440436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS848920A CS241850B1 (cs) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | Způsob výroby křemíkové rozkladové elektrody |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS241850B1 (cs) |
-
1984
- 1984-11-21 CS CS848920A patent/CS241850B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS892084A1 (en) | 1985-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4880493A (en) | Electronic-carrier-controlled photochemical etching process in semiconductor device fabrication | |
| US3486892A (en) | Preferential etching technique | |
| US3909304A (en) | Method of doping a semiconductor body | |
| CS241850B1 (cs) | Způsob výroby křemíkové rozkladové elektrody | |
| US3436285A (en) | Coatings on germanium bodies | |
| TW367616B (en) | Manufacturing method for cylindrical capacitor | |
| US5647954A (en) | Manufacture of etched substrates such as infrared detectors | |
| JPS5624937A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| RU1102433C (ru) | Способ изготовлени кристаллов полупроводниковых приборов | |
| JPS57176742A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPS54157496A (en) | Manufacture of tunnel junction | |
| JPS6134671B2 (cs) | ||
| RU980568C (ru) | Способ получени кристаллов полупроводниковых структур | |
| EP0432789A1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor element with the extrinsic gettering process | |
| KR100365421B1 (ko) | 반도체소자의콘택홀형성방법 | |
| JPS5676534A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR20000074199A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| KR920008037B1 (ko) | 반도체 제조공정의 식각공정방법 | |
| KR930000875B1 (ko) | 드라이 에치를 이용한 질화막 제거방법 | |
| JPS5990942A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03274720A (ja) | 半導体装置の形成方法 | |
| JPS54133086A (en) | Semiconductor device and its manufacture | |
| JPS62211926A (ja) | 化合物半導体基板の製造方法 | |
| JPS6346152B2 (cs) | ||
| JPS5493969A (en) | Production of compound semiconductor device |