CS221497B1 - Způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého - Google Patents
Způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého Download PDFInfo
- Publication number
- CS221497B1 CS221497B1 CS178582A CS178582A CS221497B1 CS 221497 B1 CS221497 B1 CS 221497B1 CS 178582 A CS178582 A CS 178582A CS 178582 A CS178582 A CS 178582A CS 221497 B1 CS221497 B1 CS 221497B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- silicon dioxide
- thin layers
- silica
- sihcl
- making
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title abstract description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 12
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims abstract description 9
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims description 3
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 5
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 3
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 229910003818 SiH2Cl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003822 SiHCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Vynález se týká způsobu výroby tenkých
vrstev kysličníku křemičitého chemickou
depozicí z plynné fáze za sníženého tlaku
na povrchu pevných těles. Kysličník křemičitý
vzniká reakcí plynného trichlorsilanu
SiHCh s plynným kysličníkem dusným NzO
při teplotách pevných těles 20 až 1000 :C,
objemovém poměru N2O/SÍHCI3 > 1 a celkovém
tlaku 1 až 200 Pa.
Vynález lze využít při výrobě integrovaných
obvodů v pevné fázi
Description
Vynález se týká způsobu výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého na povrchu pevných těles.
Pro výrobu tenkých vrstev kysličníku křemičitého chemickou depozicí z plynné fáze na povrchu pevných těles, například na křemíku, existuje řada metod. Výběr metody depozice pro danou! aplikaci je dán především požadavkem kvality tenké vrstvy a teploty jejího vzniku. Jednou z používaných metod výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého chemickou depozicí z plynné fáze za sníženého tlaku je reakce dichlorsilanu SiHaClž s kysličníkem dusným NžO, která probíhá při tlaku 50 — 100 Pa a teplotě 800 až 1000 °C.
Tato metoda má značnou nevýhodu v tom, že výchozí materiál dlchlorsilan S1H2CI2 je drahý, obtížně dostupný a požárně značně nebezpečný. Bod vznícení dichlorsilanu S1H2CI2 je 100 °C.
Uvedené nevýhody odstraňuje způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého chemickou depozicí z plynné fáze za sníženého tlaku na povrchu pevných těles, jehož podstata spočívá v tom, že kysličník křemičitý vzniká reakcí plynného trichlorsllanu SiHCh s plynným kysličníkem dusným NzO při teplotách pevných těles 20 až 1000 °C a celkovém tlaku 1 až 200 Pa a objemovém poměru N2O/SÍHCI3 > 1. Jestliže je teplota povrchu pevného tělesa nižší než 800 °C, musí být reagujícímu systému dodávána ještě jiná energie než tepelná.
Způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého podle vynálezu odstraňuje nevýhody použití dichlorsilanu S1H2CI2 tím, že jako výchozí surovinu používá trichlorsilan SiHCh, který je podstatně levnější, dostupnější a požárně méně nebezpečný než dichlorsilan SÍH2CI2. Bod vznícení trichlorsilanu SiHCh je 230°C. Další výhodou použití trichlorsilanu SiHCh je, že tato surovina, běžně používaná pro výrobu polykrystalického křemíku pro polovodiče, má podstatně nižší obsah elektricky aktivních nečistot ve srovnání s nejčistším dostupným trichlorsilanem SÍH2CI2. Tato výhoda se uplatní zejména při depozici vrstev kysličníku křemičitého na polovodičové substráty, kde se vyžaduje co nejvyšší čistota tenkých vrstev. Příklad
Příklad využití vynálezu lze uvést při depozici tenkých vrstev kysličníku křemičitého na křemíkové destičky ve výrobě integrovaných obvodů v pevné fázi. Křemíkové destičky jsou uloženy kolmo ve vzájemné vzdálenosti 5 mm ve vodorovném křemenném reaktoru odporově zevně vytápěném, umožňujícím pracovat za sníženého tlaku. Reaktorem proudí plynná směs složená z trichlorsilanu SiHCh a kysličníku dusného N2O o objemovém poměru N2O/SÍHCI3 = 6 při průtoku par trichlorsilanu SiHCh 25 cm3/min. Tenze par trichlorsilanu při teplotě okolí je dostatečná pro měření a regulaci uvedeného průtoku hmotovým regulátorem průtoku plynů. Celkový tlak v reaktoru při depozici je 80 Pa, teplota povrchu křemíkových destiček je 900 °C. Za těchto podmínek je rychlost depozice vrstvy kysličníku křemičitého 3 nm/min. Typický rozptyl tloušťky vrstvy kysličníku křemičitého na křemíkové destičce o průměru 63,5 mm je ± 2 % a mezi několika desítkami křemíkových destiček ve várce ± 3 °/o. Typický index lomu vrstvy kysličníku křemičitého je 1,460 pro A = 632,8 nm.
Claims (2)
1. Způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého chemickou depozicí z plynné fáze za sníženého tlaku na povrchu pevných těles, vyznačený tím, že kysličník křemičitý vzniká reakcí plynného trichlorsilanu SiHCh a plynného kysličníku dusného N2O při teplotách pevných těles 20 až 1000 °C,
VYNALEZU objemovém poměru N2O/SÍHCI3 > 1 a celkovém tlaku 1 až 200 Pa.
2. Způsob podle bodu 1, vyznačený tím, že pří teplotách pevných těles nižších než 800 CC se reakčnímu systému dodává ještě jiná energie než tepelná.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS178582A CS221497B1 (cs) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | Způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS178582A CS221497B1 (cs) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | Způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS221497B1 true CS221497B1 (cs) | 1983-04-29 |
Family
ID=5353115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS178582A CS221497B1 (cs) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | Způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS221497B1 (cs) |
-
1982
- 1982-03-15 CS CS178582A patent/CS221497B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0010910B1 (en) | Method for forming an insulating film layer on a semiconductor substrate surface | |
| Joyce et al. | Epitaxial growth of silicon from the pyrolysis of monosilane on silicon substrates | |
| US4217375A (en) | Deposition of doped silicon oxide films | |
| WO1994011901A1 (fr) | Appareil et procede pour former des films d'oxyde a basse temperature | |
| US3171755A (en) | Surface treatment of high-purity semiconductor bodies | |
| EP0470661B1 (en) | Method of providing a silicion dioxide layer on a substrate by means of chemical reaction from the vapour phase at a low pressure (LPCVD) | |
| JPS6345371A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| US6893749B2 (en) | SiC-formed material | |
| US3669774A (en) | Low temperature silicon etch | |
| US3476640A (en) | Smooth surfaced polycrystals | |
| US3503798A (en) | Silicon nitride film deposition method | |
| Regolini et al. | Silicon selective epitaxial growth at reduced pressure and temperature | |
| CS221497B1 (cs) | Způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého | |
| JP2000073171A (ja) | 化学蒸着法多層ＳｉＣ膜の製造方法 | |
| US3867497A (en) | Process of making hollow bodies or tubes of semi-conducting materials | |
| Kim et al. | Low Pressure Chemical Vapor Deposition of Si1− xGex Films Using Si2 H 6 and GeH4 Source Gases | |
| US3734770A (en) | Nitrogen nucleation process for the chemical vapor deposition of polycrystalline silicon from sici4 | |
| CS221496B1 (cs) | Způsob výroby tenkých vrstev nitridu křemíku | |
| US3518115A (en) | Method of producing homogeneous oxide layers on semiconductor crystals | |
| JPH10189582A (ja) | シリコン系絶縁膜の製造方法 | |
| JPH04332115A (ja) | Ｘ線リソグラフィ−マスク用ｘ線透過膜 | |
| EP0240314B1 (en) | Method for forming deposited film | |
| US3152932A (en) | Reduction in situ of a dipolar molecular gas adhering to a substrate | |
| GB2058731A (en) | Method of making semiconductor devices | |
| EP0240305A2 (en) | Method for forming a deposited film |