CS221497B1 - Způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého - Google Patents
Způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého Download PDFInfo
- Publication number
- CS221497B1 CS221497B1 CS178582A CS178582A CS221497B1 CS 221497 B1 CS221497 B1 CS 221497B1 CS 178582 A CS178582 A CS 178582A CS 178582 A CS178582 A CS 178582A CS 221497 B1 CS221497 B1 CS 221497B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- silica
- thin layers
- producing thin
- temperatures
- under reduced
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Vynález se týká způsobu výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého chemickou depozicí z plynné fáze za sníženého tlaku na povrchu pevných těles. Kysličník křemičitý vzniká reakcí plynného trichlorsilanu SiHCh s plynným kysličníkem dusným NzO při teplotách pevných těles 20 až 1000 :C, objemovém poměru N2O/SÍHCI3 > 1 a celkovém tlaku 1 až 200 Pa. Vynález lze využít při výrobě integrovaných obvodů v pevné fázi
Description
Vynález se týká způsobu výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého na povrchu pevných těles.
Pro výrobu tenkých vrstev kysličníku křemičitého chemickou depozicí z plynné fáze na povrchu pevných těles, například na křemíku, existuje řada metod. Výběr metody depozice pro danou! aplikaci je dán především požadavkem kvality tenké vrstvy a teploty jejího vzniku. Jednou z používaných metod výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého chemickou depozicí z plynné fáze za sníženého tlaku je reakce dichlorsilanu SiHaClž s kysličníkem dusným NžO, která probíhá při tlaku 50 — 100 Pa a teplotě 800 až 1000 °C.
Tato metoda má značnou nevýhodu v tom, že výchozí materiál dlchlorsilan S1H2CI2 je drahý, obtížně dostupný a požárně značně nebezpečný. Bod vznícení dichlorsilanu S1H2CI2 je 100 °C.
Uvedené nevýhody odstraňuje způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého chemickou depozicí z plynné fáze za sníženého tlaku na povrchu pevných těles, jehož podstata spočívá v tom, že kysličník křemičitý vzniká reakcí plynného trichlorsllanu SiHCh s plynným kysličníkem dusným NzO při teplotách pevných těles 20 až 1000 °C a celkovém tlaku 1 až 200 Pa a objemovém poměru N2O/SÍHCI3 > 1. Jestliže je teplota povrchu pevného tělesa nižší než 800 °C, musí být reagujícímu systému dodávána ještě jiná energie než tepelná.
Způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého podle vynálezu odstraňuje nevýhody použití dichlorsilanu S1H2CI2 tím, že jako výchozí surovinu používá trichlorsilan SiHCh, který je podstatně levnější, dostupnější a požárně méně nebezpečný než dichlorsilan SÍH2CI2. Bod vznícení trichlorsilanu SiHCh je 230°C. Další výhodou použití trichlorsilanu SiHCh je, že tato surovina, běžně používaná pro výrobu polykrystalického křemíku pro polovodiče, má podstatně nižší obsah elektricky aktivních nečistot ve srovnání s nejčistším dostupným trichlorsilanem SÍH2CI2. Tato výhoda se uplatní zejména při depozici vrstev kysličníku křemičitého na polovodičové substráty, kde se vyžaduje co nejvyšší čistota tenkých vrstev. Příklad
Příklad využití vynálezu lze uvést při depozici tenkých vrstev kysličníku křemičitého na křemíkové destičky ve výrobě integrovaných obvodů v pevné fázi. Křemíkové destičky jsou uloženy kolmo ve vzájemné vzdálenosti 5 mm ve vodorovném křemenném reaktoru odporově zevně vytápěném, umožňujícím pracovat za sníženého tlaku. Reaktorem proudí plynná směs složená z trichlorsilanu SiHCh a kysličníku dusného N2O o objemovém poměru N2O/SÍHCI3 = 6 při průtoku par trichlorsilanu SiHCh 25 cm3/min. Tenze par trichlorsilanu při teplotě okolí je dostatečná pro měření a regulaci uvedeného průtoku hmotovým regulátorem průtoku plynů. Celkový tlak v reaktoru při depozici je 80 Pa, teplota povrchu křemíkových destiček je 900 °C. Za těchto podmínek je rychlost depozice vrstvy kysličníku křemičitého 3 nm/min. Typický rozptyl tloušťky vrstvy kysličníku křemičitého na křemíkové destičce o průměru 63,5 mm je ± 2 % a mezi několika desítkami křemíkových destiček ve várce ± 3 °/o. Typický index lomu vrstvy kysličníku křemičitého je 1,460 pro A = 632,8 nm.
Claims (2)
1. Způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého chemickou depozicí z plynné fáze za sníženého tlaku na povrchu pevných těles, vyznačený tím, že kysličník křemičitý vzniká reakcí plynného trichlorsilanu SiHCh a plynného kysličníku dusného N2O při teplotách pevných těles 20 až 1000 °C,
VYNALEZU objemovém poměru N2O/SÍHCI3 > 1 a celkovém tlaku 1 až 200 Pa.
2. Způsob podle bodu 1, vyznačený tím, že pří teplotách pevných těles nižších než 800 CC se reakčnímu systému dodává ještě jiná energie než tepelná.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS178582A CS221497B1 (cs) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | Způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS178582A CS221497B1 (cs) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | Způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS221497B1 true CS221497B1 (cs) | 1983-04-29 |
Family
ID=5353115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS178582A CS221497B1 (cs) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | Způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS221497B1 (cs) |
-
1982
- 1982-03-15 CS CS178582A patent/CS221497B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4720395A (en) | Low temperature silicon nitride CVD process | |
| Joyce et al. | Epitaxial growth of silicon from the pyrolysis of monosilane on silicon substrates | |
| KR960011015B1 (ko) | 유기디실란 소오스를 사용하여 저압 화학적 증착에 의해 100°c 정도의 저온에서 이산화규소막을 증착하는 방법 | |
| EP0010910B1 (en) | Method for forming an insulating film layer on a semiconductor substrate surface | |
| US3171755A (en) | Surface treatment of high-purity semiconductor bodies | |
| EP0470661B1 (en) | Method of providing a silicion dioxide layer on a substrate by means of chemical reaction from the vapour phase at a low pressure (LPCVD) | |
| US3669774A (en) | Low temperature silicon etch | |
| US3476640A (en) | Smooth surfaced polycrystals | |
| US3503798A (en) | Silicon nitride film deposition method | |
| US3862852A (en) | Method of obtaining high-quality thick films of polycrystalline silicone from dielectric isolation | |
| Regolini et al. | Silicon selective epitaxial growth at reduced pressure and temperature | |
| CS221497B1 (cs) | Způsob výroby tenkých vrstev kysličníku křemičitého | |
| JP2000073171A (ja) | 化学蒸着法多層ＳｉＣ膜の製造方法 | |
| Kim et al. | Low Pressure Chemical Vapor Deposition of Si1− xGex Films Using Si2 H 6 and GeH4 Source Gases | |
| US3734770A (en) | Nitrogen nucleation process for the chemical vapor deposition of polycrystalline silicon from sici4 | |
| CS221496B1 (cs) | Způsob výroby tenkých vrstev nitridu křemíku | |
| US3518115A (en) | Method of producing homogeneous oxide layers on semiconductor crystals | |
| JPH10189582A (ja) | シリコン系絶縁膜の製造方法 | |
| EP0240314B1 (en) | Method for forming deposited film | |
| US3152932A (en) | Reduction in situ of a dipolar molecular gas adhering to a substrate | |
| JPH04332115A (ja) | Ｘ線リソグラフィ−マスク用ｘ線透過膜 | |
| EP0240305B1 (en) | Method for forming a deposited film | |
| GB2058731A (en) | Method of making semiconductor devices | |
| US4559219A (en) | Reducing powder formation in the production of high-purity silicon | |
| JPH02262324A (ja) | Ｘ線透過膜およびその製造方法 |