CS215019B2 - Method of galvanoplastic production of precise flat objects - Google Patents
Method of galvanoplastic production of precise flat objects Download PDFInfo
- Publication number
- CS215019B2 CS215019B2 CS793795A CS379579A CS215019B2 CS 215019 B2 CS215019 B2 CS 215019B2 CS 793795 A CS793795 A CS 793795A CS 379579 A CS379579 A CS 379579A CS 215019 B2 CS215019 B2 CS 215019B2
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- photoresist
- template
- carrier
- illuminated
- support
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 45
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005246 galvanizing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/201—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
- C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
- C03C2218/33—Partly or completely removing a coating by etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu výroby přesnýchplochých předmětů jako jsou masky, šablo-ny, clony, tryskové desky s nejmenšími ot-vory a detaily obrysů při velké tloušťce ma-teriálu a vysokých nárocích na tvar obrysůa konstantní rozměry.
Ploché předměty s uvedenými vlastnostminelze často vyrobit leptáním ani jinou zná-mou technikou. Proto se k tomuto účelu po-užívá galvanoplastiky, která probíhá v prin-cipu takto: nejprve se na kovovém pomoc-ném nosiči fbtolitograficky vytvoří fotorezis-tová struktura, která udává obrysy plochéhopředmětu, a oformuje se galvanickým nane-sením kovu na nosič. Galvanický povlak sepak uvolní od nosiče nebo se nosič chemic-ky rozpustí, načež následuje odstranění fo-torezistu z galvanického povlaku.
Jemnost detailů vyrobeného plochéhopředmětu je omezena rozlišovací schopnostífotorezistu, to znamená fotolaku nebo foto-fólie. Tloušťka plochého předmětu je omeze-na tloušťkou fotorezistu, jehož tloušťka arozlišovací schopnost spolu vzájemně souvi-sí tak, že zvětšující se tloušťka má za ná-sledek klesající rozlišovací schopnost.
Práce při běžné galvanické výrobě plo-chých předmětů, naznačená na obr. 1, zdale-ka nestačí ke skutečnému využití rozlišovacíschopnosti fotorezistu. Účelem vynálezu je realizovat s co nejjed-noduššími prostředky zmíněné galvanicképokokování a zvýšit přitom rozlišovací schop-nost fotorezistu.
Podstata vynálezu spočívá v tom, že na ro-vinném nosiči úplně propouštějícím světlo,například na skleněné desce, a povlečenémz jedné strany kovovým povlakem submikro-nové tloušťky, se v kovovém povlaku leptá-ním nebo jinou technologií vytvoří vzor plo-chého předmětu tvořící šablonu, fotorezistnanesený na šablonu se nejméně jednou o-svítí přes nosič a vyvolá, prostory nepokrytéfotorezistem se vyplní galvanickým pokove-ním a po odstranění galvanického povlaku znosiče se odstraní i šablona.
Osvit fotorezistu, který se při dosavadníchzpůsobech provádí přes masku, položenouna nosič a fotorezist, je při způsobu podlevynálezu nahrazen osvitem přes skleněnýnosič, takže světlo přichází jen na ty plo-chy fotorezistu, které nejsou zakryty šablo-nou. Nosič tvoří současně osvitovou masku. Tímto způsobem osvitu se dosáhne téměřteoretického maxima rozlišovací schopnostifotorezistu. Definuje-li se rozlišovací schop-nost jako poměr tloušťky fotorezistu k ma-ximálně možné jemnosti struktury, zvýší serozlišovací schopnost na několikanásobek.Důvodem toho je skutečnost, že mezi osvi-tovou maskou, to znamená nosičem, a foto-rezistem je dokonalý styk. Naproti tomu uznámých postupů zůstává mezi maskou, kte-rá není úplně rovinná, a fotorezistem vždyc-ky nepatrná vzduchová mezera. Kromě to-ho je při použití suchého fotorezistu, které-mu se dává přednost, mezi ním a maskou jis- tá vzdálenost, která je dána nezbytnou o-chrannou fólií na suchém fotorezistu.
Mimo to dostává při způsobu podle vyná-lezu fotorezfstová struktura na své základ-ně plnou intenzitu světla, a v důsledku tohomá maximální adhezi k nosiči. Konvenčníosvit má naproti tomu za následek nedosta-tečné osvětlení na nosiči a tedy adhezi kle-sající s rostoucí výškou fotorezistu. Nedosta-tečný osvit způsobuje kromě toho zužovánífotorezistové struktury a tím zmenšování je-jí základny na nosiči. Při způsobu podle vy-nálezu nastává při výstupu světla z fotore-zistu minimální odraz světla, použije-li sematové černé podložky a stáhne-li se u su-chých fotorezistu ochranná fólie přetí osvi-tem. Při běžných způsobech zmenšuje odrazod kovového nosiče značně rozlišovacíschopnost.
Cetíné ploché předměty, například trysko-vé otvory, povlékací masky se šikmými plo-chami a pod. vyžadují vytvoření šikmýchhran. Je známé, že sklon boků fotorezisto-vých struktur lze nepatrně ovlivnit provede-ním světelného zdroje a tloušťkou a druhemfotorezistu, avšak negativní rezistová struk-tura, která pro tloušťky asi nad 10 μΐη při-chází dnes v úvahu jako jediná, se vždyckyzužuje směrem ke straně odvrácené od svě-telného zdroje a tím klesá její odolnost. Přizpůsobu pbdle vynálezu mohou být naprotitomu boky libovolně skloněné, poněvadž zá-kladna zůstává nezměněna. V krajním pří-padě lze vyrobit kuželové tvary s dobře vy-tvořeným vrcholem.
Podle dalšího význaku vynálezu se foto-rezist dvakrát nebo několikrát osvítí odliš-nými světelnými zdroji. Tím lze vyrobit bo-ky s nekonstantním průběhem v průřezu.Takový tvar může být žádoucí pro určité tva-ry otvorů v plochém předmětu, napříkladpro tryskové otvory.
Podle ještě dalšího význaku vynálezu senosič jednou nebo několikrát nakloní vůčisměru světelných paprsků a osvíťí. Tímtozpůsobem lze tédy vyrobit ploché předmětyse šikmými hranami. Rovněž lze postupovattak, že při osvitu se nosič spojitě naklání ko-lem jedné nebo několika os otáčení kolmok dopadajícímu světlu.
Alternativně se nosič při osvitu naklonívůči dopadajícímu světlu a stejnoměrně seotáčí kolem osy kolmé k nosiči. Pro tryskovéotvory nebo šablony jsou žádoucí definovaněšikmé struktury, které lze způsobem podlevynálezu vytvořit velmi snadno.
Podle dalšího vytvoření vynálezu se na no-sič a osvětlenou nevyvolanou fotorezistovouvrstvu nalaminuje další fotorezist a, ještějednou osvítí s menším sklonem. Tímto způ-sobem vzniknou dvě superponovaná rotačněsouměrná tělesa s různým sklonem povrcho-vých ploch.
Podle výhodného provedení vynálezu senejprve na kovovém povlaku nosiče vytvořígalvanoplasticky první jemná maska, zbývá-
Claims (12)
- 21 5 jící volné části kovového povlaku se selek-tivně odstraní, ina jemnou masku se nanesefotorezist, který se přes nosič a jemnou mas-ku osvítí ke galvanoplastickému vytvořenídruhé opěrné masky, načež se další oblastifotorezistu osvítí přes osvitovou masku nafotorezistu. Tím se zcela odstraní polohovéodchylky obou masek, ke kterým docházípři jejich obvyklém optickém nastavování. Další význak vynálezu spočívá v tom, žefotorezist na nosiči se osvítí ze dvou stran,a to nejprve přes šablonu a podruhé obvyk-lým způsobem přes nasazenou masku. Mas-ka se v tomto případě nasadí na fotorezista vyrovná se vzhledem k šabloně soustavounapříklad registračních kolíků. Přitom lzepoužít například stejné masky, které bylopoužito k vytvoření šablony s pozitivním fo-torezistem. Nepatrná velikost přesných plochých před-mětů oproti substrátu umožňuje často umís-tění několika předmětů na nosiči. Přitom mu-sejí být předměty spolu spojeny vodivě, tedymůstky, které jsou vytvořeny v šabloně. Podle vynálezu se šablona na nosiči poko-vuje kovem, který se snadno odděluje od ma-teriálu šablony. Při vhodné kombinaci kovo-vého povlaku nosiče a galvanicky nanesené-ho povlakového kovu lze galvanický povlakstáhnout, aniž by se šablona poškodila. Sta-žení galvanického povlaku lze rovněž us-nadnit tím, že se šablona povleče tenkou dě-licí vrstvou. Tím lze dosáhnout toho, že šab-lona se dá použít několikrát. Další význak způsobu výroby plochýchpředmětů spočívá v tom, že při osvitu se nastranu fotorezistu odvrácenou od nosiče vlo-ží matná černá podložka a z fotofólií se předosvitem odstraní ochranná fólie. Takovéstruktury nacházejí uplatnění zejména v in-tegrované optice. Vynález je vysvětlen v souvislosti s výkre-sy, kde obr. la a 1b ukazují běžný způsoba obr. 2 a, 2b a 2c způsob podle vynálezu. Podle obr. la je na kovovém nosiči 1 na-nesen negativní fotorezist 2. Tato světlocitli- 019 6 vá vrstva se zakryje osvitovou maskou 3 aosvítí ultrafialovým světlem 4 kopírovacíhopřístroje. Světlo dopadající transparentnímiskvrnami 5, 6 vyvolá v oblastech fotorezis-tu 2 ležících pod nimi polymerační reakce,které vytvoří latentní obraz. Neosvětlenéčásti fotorezistu 2 se odstraní, takže na no-siči 1 zůstanou jen zbytky 7 (obr. lh) foto-rezistu 2, které tvoří obrys vyráběného plo-chého předmětu. Z obr. 1b je zřejmé, že podmenší transparentní skvrnou 5 nedošlo k do-statečnému osvitu a tedy k vytvoření foto-rezistové struktury. Na povrch nosiče 1 sepo odstranění neosvětlené části světlocitlivévrstvy galvanicky nanese například niklovýfilm 8. Podle obr. 2a je nosič 9 ze skla opatřen ko-vovým povlakem 10, sestávající například ztitanové adhezní vrstvy, na kterou je napa-řena měď. V kovovém povlaku 10 se vytvořífotolitograficky a leptáním žádaný vzor plo-chého předmětu, který slouží jako šablona.Tenkou vrstvou 11 fotorezistu se dosáhne vy-soké rozlišovací schopnosti a tedy vysokékvality šablony. Potom se (obr. 2 b) vrstva 11 fotorezistuodstraní a na šablonu se nanese fotofólie 12jako fotorezist. Osvit se provádí přes skleně-ný nosič 9 ve směru šipek 13. Při osvitu do-jde k přesnému rozlišení všech detailů, takžez fotofólie 12 zůstanou (obr. 2c) fotore-zistové struktury 14, 15. Mezi ně se pakgalvanicky nanese kovová vrstva 16. Po tétofázi následuje oddělení galvanicky vyrobe-ného plochého předmětu nebo uvolnění no-siče 9. Mezery mezi fotorezistovými struktura-mi 14, 15 lze místo pokovením vyplnit napří-klad nalitím plastické hmoty. Vzniklý plochýpředmět se oddělí analogicky jako galvanic-ká kopie od nosiče 9. Když se materiál na-nese ve větší tloušťce než mají fotorezisto-vé struktury 14, 15, dají se vyrobit desky spovrchovým reliéfem, jaké se například po-užívají v tiskové technice. předmEt1. Způsob galvanoplastické výroby přes-ných plochých předmětů jako jsou masky,šablony, clony, tryskové desky s nejmenšímiotvory a detaily obrysů při velké tloušťce ma-materiálu a vysokých nárocích na tvar ob-rysů a konstantní rozměry, vyznačený tím,že na rovinném nosiči úplně propouštějícímsvětlo, například na skleněné desce, a povle-čeném z jedné strany kovovým povlakemsubmikronové tloušťky, se v kovovém povla-ku leptáním nebo jinou technologií vytvořívzor plochého předmětu tvořící šablonu, fo-torezist nanesený na šablonu se nejménějednou osvítí přes nosič a vyVolá, prostorynepokryté fotorezistem se vyplní galvanic-kým pokovením a po odstranění galvanické-ho povlaku z nosiče se odstraní i šablona. VYNÁLEZU
- 2. Způsob podle bodu 1, vyznačený tím, žefotorezist se nejméně dvakrát osvítí odliš-nými světelnými zdroji.
- 3. Způsob podle bodu 1, vyznačený tím, ženosič se nejméně jednou nakloní vůči smě-ru světelných paprsků a osvítí.
- 4. Způsob podle bodů 1 a 3, vyznačenýtím, že při osvitu se nosič spojitě naklání ko-lem jedné nebo několika os otáčení kolmok dopadajícímu světlu.
- 5. Způsob podle bodu 1, vyznačený tím, ženosič se při osvitu naklání vůči dopadající-mu světlu a stejnoměrně se otáčí kolem osykolmé k nosiči.
- 6. Způsob podle bodu 5, vyznačený tím, žena nosič a osvětlenou nevyvolanou fotore- 215019 zistovou vrstvu se nalaminuje další fotore-zist a ještě jednou osvítí s menším, sklonem.
- 7. Způsob podle bodů 1 až 6, vyznačenýtím, že nejprve se na kovovém povlaku nosi-če vytvoří galvanoplasticky první jemná mas-ka, zbývající volné části kovového povlakuse selektivně odstraní, na jemnou masku senanese fotorezist, který se přes nosič ajemnou masku osvítí ke galvanoplastickémuvytvoření druhé opěrné masky, načež se dal-ší oblasti fotorezistu osvítí přes osvitovoumasku na fotorezistu.
- 8. Způsob podle bodu 1, vyznačený tím, žefotorezist na nosiči se osvítí ze dvou strad,a to nejprve přes šablonu a podruhé obvyk-lým způsobem přes nasazenou mabku. 3
- 9. Způsob podle bodů 1 až 8, vyznačenýtím, že šablona na nosiči se pokovuje ko-vem, který se snadno odděluje od materiálušablony.
- 10. Způsob podle jednoho' z bodů 1 až 9,vyznačený tím, že při osvitu se na stranu fo-torezistu odvrácenou od nosiče vloží matnáčerná podložka a z fotofólií se před osvitemodstraní ochranná fólie.
- 11. Způsob podle bodu 1, vyznačený tím,že mezery fotorezistové struktury na nosičise vyplní zalitím až do výšky fotorezistovéstruktury.
- 12. Způsob podle bodu 11, vyznačený tím,že zalévací materiál se nanese přes výškufotorezistové struktury. 1 list výkresů
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2828625A DE2828625C2 (de) | 1978-06-29 | 1978-06-29 | Verfahren zur galvanoplastischen Herstellung von Präzisionsflachteilen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS215019B2 true CS215019B2 (en) | 1982-06-25 |
Family
ID=6043130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS793795A CS215019B2 (en) | 1978-06-29 | 1979-06-01 | Method of galvanoplastic production of precise flat objects |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4264714A (cs) |
| EP (1) | EP0006459B1 (cs) |
| JP (1) | JPS557799A (cs) |
| BR (1) | BR7904111A (cs) |
| CS (1) | CS215019B2 (cs) |
| DE (1) | DE2828625C2 (cs) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2933570C3 (de) * | 1979-08-18 | 1982-02-25 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zum Herstellen von Trenndüsenelementen |
| DE3115116A1 (de) * | 1980-05-07 | 1982-02-04 | The Perkin-Elmer Corp., 06856 Norwalk, Conn. | Verfahren zur herstellung eines maskensubstrats zur anwendung bei der roentgenstrahlen-lithographie |
| US4404060A (en) * | 1981-05-08 | 1983-09-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for producing insulating ring zones by galvanic and etch technologies at orifice areas of through-holes in a plate |
| JPS5848055A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-19 | Mizuho Shoji Kk | 彫刻機用原版の製造方法 |
| DE3151290C2 (de) * | 1981-12-24 | 1986-08-14 | Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar | Lamelle für lichtoptische Verschlüsse optischer Geräte |
| DE3315665A1 (de) * | 1983-04-29 | 1984-10-31 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Herstellung von galvanoplastischen flachteilen mit totationsunsymmetrischen, kegelfoermigen strukturen |
| DE3401963A1 (de) * | 1984-01-20 | 1985-07-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von fotoresiststrukturen mit gestuften flanken |
| US4490217A (en) * | 1984-02-24 | 1984-12-25 | Armstrong World Industries, Inc. | Method of making a stencil plate |
| BR8501941A (pt) * | 1984-04-30 | 1985-12-24 | Ppg Industries Inc | Metodo de producao de objetos por eletrodeposicao,e mandril |
| DE3842354A1 (de) * | 1988-12-16 | 1990-06-21 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur lithographischen herstellung von galvanisch abformbaren mikrostrukturen mit dreieckigem oder trapezfoermigem querschnitt |
| US5560837A (en) * | 1994-11-08 | 1996-10-01 | Hewlett-Packard Company | Method of making ink-jet component |
| DE69712654T2 (de) * | 1996-02-22 | 2002-09-05 | Seiko Epson Corp., Tokio/Tokyo | Tintenstrahlaufzeichnungskopf, Tintenstrahlaufzeichnungsgerät damit versehen und Herstellungsverfahren eines Tintenstrahlaufzeichnungskopfes |
| US6179978B1 (en) | 1999-02-12 | 2001-01-30 | Eastman Kodak Company | Mandrel for forming a nozzle plate having a non-wetting surface of uniform thickness and an orifice wall of tapered contour, and method of making the mandrel |
| US6350558B1 (en) | 1999-10-05 | 2002-02-26 | Rainer Gocksch | Method of making decorative panels |
| CN1298893C (zh) * | 2000-03-22 | 2007-02-07 | 西铁城时计株式会社 | 孔结构及其加工方法 |
| US7025865B2 (en) * | 2000-09-26 | 2006-04-11 | Eastman Kodak Company | Method for producing metal mask and metal mask |
| JP2002245947A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-08-30 | Canon Inc | 細線を有する基板及びその製造方法及び電子源基板及び画像表示装置 |
| JP4582494B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2010-11-17 | ウシオ電機株式会社 | コンタクト露光装置 |
| JP2007245364A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-27 | Fujifilm Corp | ノズルプレートの製造方法及び液滴吐出ヘッド並びに画像形成装置 |
| JP4911682B2 (ja) | 2006-07-20 | 2012-04-04 | 富士フイルム株式会社 | 露光装置 |
| US7828417B2 (en) * | 2007-04-23 | 2010-11-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Microfluidic device and a fluid ejection device incorporating the same |
| US7749883B2 (en) | 2007-09-20 | 2010-07-06 | Fry's Metals, Inc. | Electroformed stencils for solar cell front side metallization |
| EP2658719B1 (en) * | 2010-12-28 | 2018-08-29 | Stamford Devices Limited | Photodefined aperture plate and method for producing the same |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2559389A (en) * | 1942-04-02 | 1951-07-03 | Keuffel & Esser Co | Method of producing precision images |
| US3507654A (en) * | 1966-12-29 | 1970-04-21 | Corning Glass Works | Stencil screen and method |
| US3703450A (en) * | 1971-04-01 | 1972-11-21 | Dynamics Res Corp | Method of making precision conductive mesh patterns |
| SU484816A1 (ru) * | 1972-06-16 | 1976-08-05 | Предприятие П/Я А-1631 | Способ изготовлени цветных фотошаблонов |
| US3900359A (en) * | 1973-02-26 | 1975-08-19 | Dynamics Res Corp | Method and apparatus for television tube shadow mask |
| JPS51117033A (en) * | 1975-04-07 | 1976-10-14 | Hitachi Ltd | Photograph processing method |
| JPS52106805A (en) * | 1976-03-04 | 1977-09-07 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | Stabilization of 1,1,1-trichloroethane |
| FR2356975A1 (fr) * | 1976-06-30 | 1978-01-27 | Ibm | Procede d'impression photolithographique du type a contact permettant d'obtenir des profils a resolution elevee et appareil utilisant un tel procede |
| JPS5357973A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | Preparation of photo mask |
| US4115120A (en) * | 1977-09-29 | 1978-09-19 | International Business Machines Corporation | Method of forming thin film patterns by differential pre-baking of resist |
-
1978
- 1978-06-29 DE DE2828625A patent/DE2828625C2/de not_active Expired
-
1979
- 1979-05-29 EP EP79101647A patent/EP0006459B1/de not_active Expired
- 1979-06-01 CS CS793795A patent/CS215019B2/cs unknown
- 1979-06-11 US US06/047,475 patent/US4264714A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-06-28 BR BR7904111A patent/BR7904111A/pt unknown
- 1979-06-29 JP JP8253779A patent/JPS557799A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0006459A2 (de) | 1980-01-09 |
| DE2828625B1 (de) | 1979-09-13 |
| US4264714A (en) | 1981-04-28 |
| JPH0232619B2 (cs) | 1990-07-23 |
| EP0006459A3 (en) | 1980-01-23 |
| JPS557799A (en) | 1980-01-19 |
| BR7904111A (pt) | 1980-03-11 |
| EP0006459B1 (de) | 1982-06-09 |
| DE2828625C2 (de) | 1980-06-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CS215019B2 (en) | Method of galvanoplastic production of precise flat objects | |
| EP0090924B1 (en) | Method of increasing the image resolution of a transmitting mask and improved masks for performing the method | |
| US7922960B2 (en) | Fine resist pattern forming method and nanoimprint mold structure | |
| JP4262271B2 (ja) | インプリント方法、インプリント装置および構造体の製造方法 | |
| JPH10305670A (ja) | メタルマスク及びその製造方法 | |
| JPH0142134B2 (cs) | ||
| JP2009127105A (ja) | 電鋳部品の製造方法 | |
| JP2003266486A (ja) | 光学パネル成形用型並びにその製造及び使用 | |
| KR102855787B1 (ko) | 스텐실 보호 브리지가 구비된 미세 패턴 인쇄용 금속 스텐실 마스크 및 그의 제조방법 | |
| JPH08227851A (ja) | ホトリソグラフィ方法及びそれに使用するホトリソグラフィシステム | |
| KR100432794B1 (ko) | 배선 패턴을 형성하는 공정 | |
| JPH04202677A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| CN118311827A (zh) | 一种纳米压印方法及反射光栅板 | |
| KR100318545B1 (ko) | 액정소자의 백 라이트 유닛 금형 제조방법 | |
| KR20080062154A (ko) | 마이크로 렌즈 제조방법 및 마이크로 렌즈용 마스터제조방법 | |
| EP0051402B1 (en) | A photomask for, and a method of, producing semiconductor devices | |
| CN218298763U (zh) | 一种微纳结构的拼版结构 | |
| JPH0664337B2 (ja) | 半導体集積回路用ホトマスク | |
| JP7329359B2 (ja) | スクリーン印刷用マスク | |
| JP2001350269A (ja) | 半田印刷用マスクの製造方法 | |
| JPH09260258A (ja) | Ｘ線リソグラフィ用マスク | |
| JPS62245251A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS6249094B2 (cs) | ||
| JPH05173335A (ja) | フォトレジスト等の露光方法 | |
| JP3047603B2 (ja) | 印刷版の製造方法 |