CS215019B2 - Method of galvanoplastic production of precise flat objects - Google Patents

Method of galvanoplastic production of precise flat objects Download PDF

Info

Publication number
CS215019B2
CS215019B2 CS793795A CS379579A CS215019B2 CS 215019 B2 CS215019 B2 CS 215019B2 CS 793795 A CS793795 A CS 793795A CS 379579 A CS379579 A CS 379579A CS 215019 B2 CS215019 B2 CS 215019B2
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
photoresist
template
carrier
illuminated
support
Prior art date
Application number
CS793795A
Other languages
English (en)
Inventor
Guenter-Elmar Trausch
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CS215019B2 publication Critical patent/CS215019B2/cs

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/06Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • C25D1/10Moulds; Masks; Masterforms
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/201Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/30Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32After-treatment
    • C03C2218/328Partly or completely removing a coating
    • C03C2218/33Partly or completely removing a coating by etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Description

Vynález se týká způsobu výroby přesnýchplochých předmětů jako jsou masky, šablo-ny, clony, tryskové desky s nejmenšími ot-vory a detaily obrysů při velké tloušťce ma-teriálu a vysokých nárocích na tvar obrysůa konstantní rozměry.
Ploché předměty s uvedenými vlastnostminelze často vyrobit leptáním ani jinou zná-mou technikou. Proto se k tomuto účelu po-užívá galvanoplastiky, která probíhá v prin-cipu takto: nejprve se na kovovém pomoc-ném nosiči fbtolitograficky vytvoří fotorezis-tová struktura, která udává obrysy plochéhopředmětu, a oformuje se galvanickým nane-sením kovu na nosič. Galvanický povlak sepak uvolní od nosiče nebo se nosič chemic-ky rozpustí, načež následuje odstranění fo-torezistu z galvanického povlaku.
Jemnost detailů vyrobeného plochéhopředmětu je omezena rozlišovací schopnostífotorezistu, to znamená fotolaku nebo foto-fólie. Tloušťka plochého předmětu je omeze-na tloušťkou fotorezistu, jehož tloušťka arozlišovací schopnost spolu vzájemně souvi-sí tak, že zvětšující se tloušťka má za ná-sledek klesající rozlišovací schopnost.
Práce při běžné galvanické výrobě plo-chých předmětů, naznačená na obr. 1, zdale-ka nestačí ke skutečnému využití rozlišovacíschopnosti fotorezistu. Účelem vynálezu je realizovat s co nejjed-noduššími prostředky zmíněné galvanicképokokování a zvýšit přitom rozlišovací schop-nost fotorezistu.
Podstata vynálezu spočívá v tom, že na ro-vinném nosiči úplně propouštějícím světlo,například na skleněné desce, a povlečenémz jedné strany kovovým povlakem submikro-nové tloušťky, se v kovovém povlaku leptá-ním nebo jinou technologií vytvoří vzor plo-chého předmětu tvořící šablonu, fotorezistnanesený na šablonu se nejméně jednou o-svítí přes nosič a vyvolá, prostory nepokrytéfotorezistem se vyplní galvanickým pokove-ním a po odstranění galvanického povlaku znosiče se odstraní i šablona.
Osvit fotorezistu, který se při dosavadníchzpůsobech provádí přes masku, položenouna nosič a fotorezist, je při způsobu podlevynálezu nahrazen osvitem přes skleněnýnosič, takže světlo přichází jen na ty plo-chy fotorezistu, které nejsou zakryty šablo-nou. Nosič tvoří současně osvitovou masku. Tímto způsobem osvitu se dosáhne téměřteoretického maxima rozlišovací schopnostifotorezistu. Definuje-li se rozlišovací schop-nost jako poměr tloušťky fotorezistu k ma-ximálně možné jemnosti struktury, zvýší serozlišovací schopnost na několikanásobek.Důvodem toho je skutečnost, že mezi osvi-tovou maskou, to znamená nosičem, a foto-rezistem je dokonalý styk. Naproti tomu uznámých postupů zůstává mezi maskou, kte-rá není úplně rovinná, a fotorezistem vždyc-ky nepatrná vzduchová mezera. Kromě to-ho je při použití suchého fotorezistu, které-mu se dává přednost, mezi ním a maskou jis- tá vzdálenost, která je dána nezbytnou o-chrannou fólií na suchém fotorezistu.
Mimo to dostává při způsobu podle vyná-lezu fotorezfstová struktura na své základ-ně plnou intenzitu světla, a v důsledku tohomá maximální adhezi k nosiči. Konvenčníosvit má naproti tomu za následek nedosta-tečné osvětlení na nosiči a tedy adhezi kle-sající s rostoucí výškou fotorezistu. Nedosta-tečný osvit způsobuje kromě toho zužovánífotorezistové struktury a tím zmenšování je-jí základny na nosiči. Při způsobu podle vy-nálezu nastává při výstupu světla z fotore-zistu minimální odraz světla, použije-li sematové černé podložky a stáhne-li se u su-chých fotorezistu ochranná fólie přetí osvi-tem. Při běžných způsobech zmenšuje odrazod kovového nosiče značně rozlišovacíschopnost.
Cetíné ploché předměty, například trysko-vé otvory, povlékací masky se šikmými plo-chami a pod. vyžadují vytvoření šikmýchhran. Je známé, že sklon boků fotorezisto-vých struktur lze nepatrně ovlivnit provede-ním světelného zdroje a tloušťkou a druhemfotorezistu, avšak negativní rezistová struk-tura, která pro tloušťky asi nad 10 μΐη při-chází dnes v úvahu jako jediná, se vždyckyzužuje směrem ke straně odvrácené od svě-telného zdroje a tím klesá její odolnost. Přizpůsobu pbdle vynálezu mohou být naprotitomu boky libovolně skloněné, poněvadž zá-kladna zůstává nezměněna. V krajním pří-padě lze vyrobit kuželové tvary s dobře vy-tvořeným vrcholem.
Podle dalšího význaku vynálezu se foto-rezist dvakrát nebo několikrát osvítí odliš-nými světelnými zdroji. Tím lze vyrobit bo-ky s nekonstantním průběhem v průřezu.Takový tvar může být žádoucí pro určité tva-ry otvorů v plochém předmětu, napříkladpro tryskové otvory.
Podle ještě dalšího význaku vynálezu senosič jednou nebo několikrát nakloní vůčisměru světelných paprsků a osvíťí. Tímtozpůsobem lze tédy vyrobit ploché předmětyse šikmými hranami. Rovněž lze postupovattak, že při osvitu se nosič spojitě naklání ko-lem jedné nebo několika os otáčení kolmok dopadajícímu světlu.
Alternativně se nosič při osvitu naklonívůči dopadajícímu světlu a stejnoměrně seotáčí kolem osy kolmé k nosiči. Pro tryskovéotvory nebo šablony jsou žádoucí definovaněšikmé struktury, které lze způsobem podlevynálezu vytvořit velmi snadno.
Podle dalšího vytvoření vynálezu se na no-sič a osvětlenou nevyvolanou fotorezistovouvrstvu nalaminuje další fotorezist a, ještějednou osvítí s menším sklonem. Tímto způ-sobem vzniknou dvě superponovaná rotačněsouměrná tělesa s různým sklonem povrcho-vých ploch.
Podle výhodného provedení vynálezu senejprve na kovovém povlaku nosiče vytvořígalvanoplasticky první jemná maska, zbývá-

Claims (12)

  1. 21 5 jící volné části kovového povlaku se selek-tivně odstraní, ina jemnou masku se nanesefotorezist, který se přes nosič a jemnou mas-ku osvítí ke galvanoplastickému vytvořenídruhé opěrné masky, načež se další oblastifotorezistu osvítí přes osvitovou masku nafotorezistu. Tím se zcela odstraní polohovéodchylky obou masek, ke kterým docházípři jejich obvyklém optickém nastavování. Další význak vynálezu spočívá v tom, žefotorezist na nosiči se osvítí ze dvou stran,a to nejprve přes šablonu a podruhé obvyk-lým způsobem přes nasazenou masku. Mas-ka se v tomto případě nasadí na fotorezista vyrovná se vzhledem k šabloně soustavounapříklad registračních kolíků. Přitom lzepoužít například stejné masky, které bylopoužito k vytvoření šablony s pozitivním fo-torezistem. Nepatrná velikost přesných plochých před-mětů oproti substrátu umožňuje často umís-tění několika předmětů na nosiči. Přitom mu-sejí být předměty spolu spojeny vodivě, tedymůstky, které jsou vytvořeny v šabloně. Podle vynálezu se šablona na nosiči poko-vuje kovem, který se snadno odděluje od ma-teriálu šablony. Při vhodné kombinaci kovo-vého povlaku nosiče a galvanicky nanesené-ho povlakového kovu lze galvanický povlakstáhnout, aniž by se šablona poškodila. Sta-žení galvanického povlaku lze rovněž us-nadnit tím, že se šablona povleče tenkou dě-licí vrstvou. Tím lze dosáhnout toho, že šab-lona se dá použít několikrát. Další význak způsobu výroby plochýchpředmětů spočívá v tom, že při osvitu se nastranu fotorezistu odvrácenou od nosiče vlo-ží matná černá podložka a z fotofólií se předosvitem odstraní ochranná fólie. Takovéstruktury nacházejí uplatnění zejména v in-tegrované optice. Vynález je vysvětlen v souvislosti s výkre-sy, kde obr. la a 1b ukazují běžný způsoba obr. 2 a, 2b a 2c způsob podle vynálezu. Podle obr. la je na kovovém nosiči 1 na-nesen negativní fotorezist 2. Tato světlocitli- 019 6 vá vrstva se zakryje osvitovou maskou 3 aosvítí ultrafialovým světlem 4 kopírovacíhopřístroje. Světlo dopadající transparentnímiskvrnami 5, 6 vyvolá v oblastech fotorezis-tu 2 ležících pod nimi polymerační reakce,které vytvoří latentní obraz. Neosvětlenéčásti fotorezistu 2 se odstraní, takže na no-siči 1 zůstanou jen zbytky 7 (obr. lh) foto-rezistu 2, které tvoří obrys vyráběného plo-chého předmětu. Z obr. 1b je zřejmé, že podmenší transparentní skvrnou 5 nedošlo k do-statečnému osvitu a tedy k vytvoření foto-rezistové struktury. Na povrch nosiče 1 sepo odstranění neosvětlené části světlocitlivévrstvy galvanicky nanese například niklovýfilm 8. Podle obr. 2a je nosič 9 ze skla opatřen ko-vovým povlakem 10, sestávající například ztitanové adhezní vrstvy, na kterou je napa-řena měď. V kovovém povlaku 10 se vytvořífotolitograficky a leptáním žádaný vzor plo-chého předmětu, který slouží jako šablona.Tenkou vrstvou 11 fotorezistu se dosáhne vy-soké rozlišovací schopnosti a tedy vysokékvality šablony. Potom se (obr. 2 b) vrstva 11 fotorezistuodstraní a na šablonu se nanese fotofólie 12jako fotorezist. Osvit se provádí přes skleně-ný nosič 9 ve směru šipek 13. Při osvitu do-jde k přesnému rozlišení všech detailů, takžez fotofólie 12 zůstanou (obr. 2c) fotore-zistové struktury 14, 15. Mezi ně se pakgalvanicky nanese kovová vrstva 16. Po tétofázi následuje oddělení galvanicky vyrobe-ného plochého předmětu nebo uvolnění no-siče 9. Mezery mezi fotorezistovými struktura-mi 14, 15 lze místo pokovením vyplnit napří-klad nalitím plastické hmoty. Vzniklý plochýpředmět se oddělí analogicky jako galvanic-ká kopie od nosiče 9. Když se materiál na-nese ve větší tloušťce než mají fotorezisto-vé struktury 14, 15, dají se vyrobit desky spovrchovým reliéfem, jaké se například po-užívají v tiskové technice. předmEt
    1. Způsob galvanoplastické výroby přes-ných plochých předmětů jako jsou masky,šablony, clony, tryskové desky s nejmenšímiotvory a detaily obrysů při velké tloušťce ma-materiálu a vysokých nárocích na tvar ob-rysů a konstantní rozměry, vyznačený tím,že na rovinném nosiči úplně propouštějícímsvětlo, například na skleněné desce, a povle-čeném z jedné strany kovovým povlakemsubmikronové tloušťky, se v kovovém povla-ku leptáním nebo jinou technologií vytvořívzor plochého předmětu tvořící šablonu, fo-torezist nanesený na šablonu se nejménějednou osvítí přes nosič a vyVolá, prostorynepokryté fotorezistem se vyplní galvanic-kým pokovením a po odstranění galvanické-ho povlaku z nosiče se odstraní i šablona. VYNÁLEZU
  2. 2. Způsob podle bodu 1, vyznačený tím, žefotorezist se nejméně dvakrát osvítí odliš-nými světelnými zdroji.
  3. 3. Způsob podle bodu 1, vyznačený tím, ženosič se nejméně jednou nakloní vůči smě-ru světelných paprsků a osvítí.
  4. 4. Způsob podle bodů 1 a 3, vyznačenýtím, že při osvitu se nosič spojitě naklání ko-lem jedné nebo několika os otáčení kolmok dopadajícímu světlu.
  5. 5. Způsob podle bodu 1, vyznačený tím, ženosič se při osvitu naklání vůči dopadající-mu světlu a stejnoměrně se otáčí kolem osykolmé k nosiči.
  6. 6. Způsob podle bodu 5, vyznačený tím, žena nosič a osvětlenou nevyvolanou fotore- 215019 zistovou vrstvu se nalaminuje další fotore-zist a ještě jednou osvítí s menším, sklonem.
  7. 7. Způsob podle bodů 1 až 6, vyznačenýtím, že nejprve se na kovovém povlaku nosi-če vytvoří galvanoplasticky první jemná mas-ka, zbývající volné části kovového povlakuse selektivně odstraní, na jemnou masku senanese fotorezist, který se přes nosič ajemnou masku osvítí ke galvanoplastickémuvytvoření druhé opěrné masky, načež se dal-ší oblasti fotorezistu osvítí přes osvitovoumasku na fotorezistu.
  8. 8. Způsob podle bodu 1, vyznačený tím, žefotorezist na nosiči se osvítí ze dvou strad,a to nejprve přes šablonu a podruhé obvyk-lým způsobem přes nasazenou mabku. 3
  9. 9. Způsob podle bodů 1 až 8, vyznačenýtím, že šablona na nosiči se pokovuje ko-vem, který se snadno odděluje od materiálušablony.
  10. 10. Způsob podle jednoho' z bodů 1 až 9,vyznačený tím, že při osvitu se na stranu fo-torezistu odvrácenou od nosiče vloží matnáčerná podložka a z fotofólií se před osvitemodstraní ochranná fólie.
  11. 11. Způsob podle bodu 1, vyznačený tím,že mezery fotorezistové struktury na nosičise vyplní zalitím až do výšky fotorezistovéstruktury.
  12. 12. Způsob podle bodu 11, vyznačený tím,že zalévací materiál se nanese přes výškufotorezistové struktury. 1 list výkresů
CS793795A 1978-06-29 1979-06-01 Method of galvanoplastic production of precise flat objects CS215019B2 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2828625A DE2828625C2 (de) 1978-06-29 1978-06-29 Verfahren zur galvanoplastischen Herstellung von Präzisionsflachteilen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS215019B2 true CS215019B2 (en) 1982-06-25

Family

ID=6043130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS793795A CS215019B2 (en) 1978-06-29 1979-06-01 Method of galvanoplastic production of precise flat objects

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4264714A (cs)
EP (1) EP0006459B1 (cs)
JP (1) JPS557799A (cs)
BR (1) BR7904111A (cs)
CS (1) CS215019B2 (cs)
DE (1) DE2828625C2 (cs)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2933570C3 (de) * 1979-08-18 1982-02-25 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zum Herstellen von Trenndüsenelementen
DE3115116A1 (de) * 1980-05-07 1982-02-04 The Perkin-Elmer Corp., 06856 Norwalk, Conn. Verfahren zur herstellung eines maskensubstrats zur anwendung bei der roentgenstrahlen-lithographie
US4404060A (en) * 1981-05-08 1983-09-13 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing insulating ring zones by galvanic and etch technologies at orifice areas of through-holes in a plate
JPS5848055A (ja) * 1981-09-17 1983-03-19 Mizuho Shoji Kk 彫刻機用原版の製造方法
DE3151290C2 (de) * 1981-12-24 1986-08-14 Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar Lamelle für lichtoptische Verschlüsse optischer Geräte
DE3315665A1 (de) * 1983-04-29 1984-10-31 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Herstellung von galvanoplastischen flachteilen mit totationsunsymmetrischen, kegelfoermigen strukturen
DE3401963A1 (de) * 1984-01-20 1985-07-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von fotoresiststrukturen mit gestuften flanken
US4490217A (en) * 1984-02-24 1984-12-25 Armstrong World Industries, Inc. Method of making a stencil plate
BR8501941A (pt) * 1984-04-30 1985-12-24 Ppg Industries Inc Metodo de producao de objetos por eletrodeposicao,e mandril
DE3842354A1 (de) * 1988-12-16 1990-06-21 Kernforschungsz Karlsruhe Verfahren zur lithographischen herstellung von galvanisch abformbaren mikrostrukturen mit dreieckigem oder trapezfoermigem querschnitt
US5560837A (en) * 1994-11-08 1996-10-01 Hewlett-Packard Company Method of making ink-jet component
DE69712654T2 (de) * 1996-02-22 2002-09-05 Seiko Epson Corp., Tokio/Tokyo Tintenstrahlaufzeichnungskopf, Tintenstrahlaufzeichnungsgerät damit versehen und Herstellungsverfahren eines Tintenstrahlaufzeichnungskopfes
US6179978B1 (en) 1999-02-12 2001-01-30 Eastman Kodak Company Mandrel for forming a nozzle plate having a non-wetting surface of uniform thickness and an orifice wall of tapered contour, and method of making the mandrel
US6350558B1 (en) 1999-10-05 2002-02-26 Rainer Gocksch Method of making decorative panels
CN1298893C (zh) * 2000-03-22 2007-02-07 西铁城时计株式会社 孔结构及其加工方法
US7025865B2 (en) * 2000-09-26 2006-04-11 Eastman Kodak Company Method for producing metal mask and metal mask
JP2002245947A (ja) * 2000-12-15 2002-08-30 Canon Inc 細線を有する基板及びその製造方法及び電子源基板及び画像表示装置
JP4582494B2 (ja) * 2003-12-10 2010-11-17 ウシオ電機株式会社 コンタクト露光装置
JP2007245364A (ja) * 2006-03-13 2007-09-27 Fujifilm Corp ノズルプレートの製造方法及び液滴吐出ヘッド並びに画像形成装置
JP4911682B2 (ja) 2006-07-20 2012-04-04 富士フイルム株式会社 露光装置
US7828417B2 (en) * 2007-04-23 2010-11-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Microfluidic device and a fluid ejection device incorporating the same
US7749883B2 (en) 2007-09-20 2010-07-06 Fry's Metals, Inc. Electroformed stencils for solar cell front side metallization
EP2658719B1 (en) * 2010-12-28 2018-08-29 Stamford Devices Limited Photodefined aperture plate and method for producing the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2559389A (en) * 1942-04-02 1951-07-03 Keuffel & Esser Co Method of producing precision images
US3507654A (en) * 1966-12-29 1970-04-21 Corning Glass Works Stencil screen and method
US3703450A (en) * 1971-04-01 1972-11-21 Dynamics Res Corp Method of making precision conductive mesh patterns
SU484816A1 (ru) * 1972-06-16 1976-08-05 Предприятие П/Я А-1631 Способ изготовлени цветных фотошаблонов
US3900359A (en) * 1973-02-26 1975-08-19 Dynamics Res Corp Method and apparatus for television tube shadow mask
JPS51117033A (en) * 1975-04-07 1976-10-14 Hitachi Ltd Photograph processing method
JPS52106805A (en) * 1976-03-04 1977-09-07 Toagosei Chem Ind Co Ltd Stabilization of 1,1,1-trichloroethane
FR2356975A1 (fr) * 1976-06-30 1978-01-27 Ibm Procede d'impression photolithographique du type a contact permettant d'obtenir des profils a resolution elevee et appareil utilisant un tel procede
JPS5357973A (en) * 1976-11-05 1978-05-25 Mitsubishi Electric Corp Preparation of photo mask
US4115120A (en) * 1977-09-29 1978-09-19 International Business Machines Corporation Method of forming thin film patterns by differential pre-baking of resist

Also Published As

Publication number Publication date
EP0006459A2 (de) 1980-01-09
DE2828625B1 (de) 1979-09-13
US4264714A (en) 1981-04-28
JPH0232619B2 (cs) 1990-07-23
EP0006459A3 (en) 1980-01-23
JPS557799A (en) 1980-01-19
BR7904111A (pt) 1980-03-11
EP0006459B1 (de) 1982-06-09
DE2828625C2 (de) 1980-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CS215019B2 (en) Method of galvanoplastic production of precise flat objects
EP0090924B1 (en) Method of increasing the image resolution of a transmitting mask and improved masks for performing the method
US7922960B2 (en) Fine resist pattern forming method and nanoimprint mold structure
JP4262271B2 (ja) インプリント方法、インプリント装置および構造体の製造方法
JPH10305670A (ja) メタルマスク及びその製造方法
JPH0142134B2 (cs)
JP2009127105A (ja) 電鋳部品の製造方法
JP2003266486A (ja) 光学パネル成形用型並びにその製造及び使用
KR102855787B1 (ko) 스텐실 보호 브리지가 구비된 미세 패턴 인쇄용 금속 스텐실 마스크 및 그의 제조방법
JPH08227851A (ja) ホトリソグラフィ方法及びそれに使用するホトリソグラフィシステム
KR100432794B1 (ko) 배선 패턴을 형성하는 공정
JPH04202677A (ja) レジストパターンの形成方法
CN118311827A (zh) 一种纳米压印方法及反射光栅板
KR100318545B1 (ko) 액정소자의 백 라이트 유닛 금형 제조방법
KR20080062154A (ko) 마이크로 렌즈 제조방법 및 마이크로 렌즈용 마스터제조방법
EP0051402B1 (en) A photomask for, and a method of, producing semiconductor devices
CN218298763U (zh) 一种微纳结构的拼版结构
JPH0664337B2 (ja) 半導体集積回路用ホトマスク
JP7329359B2 (ja) スクリーン印刷用マスク
JP2001350269A (ja) 半田印刷用マスクの製造方法
JPH09260258A (ja) X線リソグラフィ用マスク
JPS62245251A (ja) レジストパタ−ン形成方法
JPS6249094B2 (cs)
JPH05173335A (ja) フォトレジスト等の露光方法
JP3047603B2 (ja) 印刷版の製造方法