CS214034B1 - Semiconductor modulus - Google Patents

Semiconductor modulus Download PDF

Info

Publication number
CS214034B1
CS214034B1 CS804087A CS408780A CS214034B1 CS 214034 B1 CS214034 B1 CS 214034B1 CS 804087 A CS804087 A CS 804087A CS 408780 A CS408780 A CS 408780A CS 214034 B1 CS214034 B1 CS 214034B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
semiconductor
housing
module
module according
semiconductor module
Prior art date
Application number
CS804087A
Other languages
English (en)
Inventor
Michal Pellant
Jiri Lanka
Timotej Simko
Original Assignee
Michal Pellant
Jiri Lanka
Timotej Simko
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Michal Pellant, Jiri Lanka, Timotej Simko filed Critical Michal Pellant
Priority to CS804087A priority Critical patent/CS214034B1/cs
Priority to DD81229458A priority patent/DD161115A3/de
Priority to DE19813123036 priority patent/DE3123036A1/de
Publication of CS214034B1 publication Critical patent/CS214034B1/cs

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group subclass H10D
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group subclass H10D the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Vynález ее týká polovodičového modulu alespoň s dvěma polovodičovými prvky uspořádanými ve společném pouzdru·
V nedávné době byl výrobci výkonových polovodičových součástek realizován nový koncept zapouzdřování polovodičových prvků, kde v jednom pouzdru jsou vždy umístěny alespoň dvě polovodičové destičky, které jsou od základní chladicí /zpravidla měděné/ desky elektricky odizolovány prostřednictvím tepelně dobře vodivého materiálu, například beryliové keramiky BeO nebo Alg^ a podobně· Přitom vrstva izolačního materiálu může být к základní desce připájena, přilepena anebo na ni jiným vhodným způsobem nanesena /naprášením a jinými známými technologiemi/· Z opačné strany je keramická izolační vrstva metalizována а к takto vytvořené kovové vrstvě přiléhají buň přímo nebo přes elektrické vývody polovodičové destičky, resp· systémy. Alternativně mohou být elektrické vývody připojeny к této kovové vrstvě mimo polovodičovou destičku či systém /viz např· obr. na str. 13 časopisu Electronics, June 23, 1977/· Polovodičově destičky, resp· systémy, jsou к pokovené keramické vrstvě /případně к elektrickému vývodu na této vrstvě/ buj přít1ačovány /viz str. 10 časopisu Elektronik Industrie 4-1978/ anebo připájeny /viz patent USA č. 4 047 197/· Je zřejmé, že geometrické uspořádání vývodů polovodičových destiček, respektive systémů, může být realizováno mnoha různými způsoby· Konce vývodů jsou buj vyváděny pod hlavy šroubů, jako nožové konektory a podobně· Vývody jsou zpravidla realizovány páskovými vodiči /někdy sloupky nebo pružnými členy, případně dracouny/ vhodně tvarovanými· Popisovaná sestava je pak umístěna ve skříni z umělé hmoty a zalita nebo zastříknuta umělou hmotou, případně uzavřena tvarovým víkem·
Používané sestavy polovodičových modulů v převážné většině z důvodů větší životnosti a spolehlivosti využívají pritlačovaných systémů, které se vyznačují poměrně velkým počtem dílů, technologickou náročností při montáži a obtížným nastavováním přítlačné síly na polovodičové systémy· Rovněž možnost teplotních dilataci je u většiny sestav problematické, nebol pro zapouzdření do plastické hmoty jsou pružící elementy pevné fixovány hmotou a není umožněno jejich stlačení·
Polovodičový modul podle vynálezu odstraňuje uvedené nevýhody a řeší daný úkol v podstatě tak, že na dosedací ploše vnějšího dílu pouzdra modulu jsou mezi kontaktními vývody uloženy polovodičové prvky, к nimž Jsou kontaktní vývody přitlačovány přes středící vložku systémem pružin, na který dosedá opěrná vložka a který je uložen ve vybrání vnitřního dílu pouzdra modulu, kterým procházejí kontaktní vývody· Vnější a vnitřní díl pouzdra modulu Jsou vzájemně mechanicky nerozebíratelně spojeny·
Konstrukce polovodičového modulu podle vynálezu podstatně zlepšuje technologii montáže, snižuje počet použitých dílů a zaručuje definovatelné zatížení Jednotlivých polovodičových systémů, zlepšuje odvod ztrátového tepla vznikajícího při provozu modulu na přechodech polovodičových systémů, čímž v souhrnu zvyšuje životnost a spolehlivost aplikací s polovodičovými moduly·
Universálnost konstrukčního řešení dle vynálezu jej předurčuje к širokému využití zejména v oblasti výkonové elektroniky a v dalších aplikacích, kde je třeba dosáhnout kompaktnosti konstrukcí a Jejich vysoké spolehlivosti·
Na obrázcích 1, 2, 3, 4 jsou v řezech znázorněny příklady provedení polovodičového mo2 ’ 214 034 dulu dle vynálezu·
Na obr. 1 Je zobrazen polovodičový modul v podélné· fezu a dvěma sériově zapojenými polovodičovými systémy я vyvedenými všemi vývody·
Na obr. 2 Je zobrazen polovodičový modul v podélném řezu s dvěma antlparalelně zapojenými polovodičovými systémy·
Na obr· 3 je znázorněn příčný řez polovodičovým modulem a na obr· 4 Je částečný řez modulem, lede řízení polovodičových systémů Je provedeno zdrojem záření např· luminiacenční diodou·
Polovodičový modul na obr· 1 se skládá z polovodičových prvků χ a 1*· které jsou umístěny mezi kontaktními vývody 5, 6, J umožňujícími přivedeni elektrického proudu· Tyto vývody 5, 6, 7 jsou tvořeny systémem plochých kolíků náauvných spojů nebo šroubovými svorkami· Na kontaktní vývod 5, resp. 7 přiléhají středící vložky 8, 8*, systém pružin 9, 9* a opěrná vložka 10· 10*·
Díly 8, 9, 10, resp· 8*, 9*, 10* jsou vloženy do vybrání 11, resp. 11\ vnitřního dílu pouzdra modulu· Kontaktní vývody 5, 6, 7 jsou provlečeny samostatnými otvory vo vnitřním dílu 3. Případné řídící vývody 15· 15* polovodičových prvků 1, 1* jsou protaženy dutinou 13· 13* к řídícím konektorům, svorkám, nebo pájecím bodům 16, 18*· Na straně pod polovodičovými prvky X· Г a kontaktními vývody 5 a 6 mohou být umístěny podložky 12, 12* z elektricky izolačního a tepelně vodivého materiálu umožňující odizolování polovodičových prvků 1, 1* od vnějšího dílu 2 pouzdra modulu. Vzájemné stykové plochy mohou být potřeny vrstvou tepelně vodivé vaseliny pro zlepšení přestupu tepla z polovodičových prvků χ, 1* do vnějšího dílu 2 pouzdra modulu·
V případě potřeby např· pro připojení nulového potenciálu na vnější díl 2 pouzdra Jo možné zhotovit podložku 12, resp. 12^ z tepelně i elektrioky vodivého materiálu·
Vzájemné mechanické propojení vnějšího dílu 2 a vnitřního dílu 3 pouzdra modulu Je provedeno zalitím izolační zalévací hmotou 17. Spodní část vnějšího dílu 2 pouzdra může být opatřena rovnou dosedací plochou 20 umožňující připojení к přídavnému chladiči přes otvory 21, 21*·
Na obr· 2 je znázorněno alternativní řešení polovodičového modulu z obr· 1, kde Je provedeno antiparalelní zapojení polovodičových prvků χ, 1' kontaktními vývody 5 a 6.
Na obr· 3 Jo znázorněn příčný řez polovodičovým modulem z obr· 1 a obr· 2, kde vzájemného mechanického spojení vnějšího dílu 2 a vnitřního dílu £ Je alternativně dosaženo zalitím izolační zalévací hmotou 17, nebo plastickou deformací části 18 vnějšího dílu 2 pouzdra modulu·
Pro zlepšení odvodu ztrátového tepla z polovodičových prvků χ, 1* Je vnější díl 2 pouzdra opatřen chladicími žebry 19· Pro zlepšení vyzařování tepla může být vnější díl 2 pouzdra modulu opatřen vrstvou chromátového typu, nebo černou vrstvou AlgO^·
Na obr· 4 je znázorněn částečný řez modulem z obr· 1, 2, 3, kdo Jako zdroj řídicího signálu polovodičového prvku χ Je použito zdroje záření 14 s řídicím vývodem 15 vyvedeným na konektor, svorku nebo pájecí bod 16.
Vyvození požadované přítlačné síly na polovodičové prvky 1, 1* se docílí smontováním sestavy modulu podle obr. 1 nebo obr. 2, obr. 3 nebo obr· 4, následujícím stlačením vnitřní214 034 ho dílu £ * vnějšího dílu.2 pouzdra k sobě přoa soustavu pružin 9, resp. 9' v aontážníi· přípravku a konečným zalitím zalévací izolační hmotou, resp. plastickou deformací Jednoho dílu vůči druhému. Takto vytvořené mechanicky terozebíratelté spojení ' zachycuje reakční síly od přítlaku-vyvozovaného na polovodičové prvky.
Volbou vhodných rozměrů středících vložek 8, - 8*, na které dosedají systémy pružin £, g* je. docíleno, že ' zalévací izolační hmota neriůže vniknout do vybrání 11, 11* vnitřního dílu '£ pouzdra a tak omoeit moonost pružent.. Středící vložky £, 8* mohou být po svém obvodu opatřeny pro zvýšení těsnicího účinku např. vrstvou pružné pryže nebo pryžovým kroužkem.

Claims (21)

1. Polovodičový modul alespoň s dvěma polovodičovými prvky, uspořádanými ve společném pouzdru,' sestávajícím z vnějšího s vnitřního dílu, vyznačený tím, že na dosedací ploše /4/ vnějšího dílu /2/ pouzdra modulu Jsou mezi kontaktními vývody /5,6,7/ uloženy polovodičové-prvky /1,1'/, k nimž jsou kontaktní, vývody /5,6,7/ přitlačovány přes středící vložku /8,8'/ sysémiem pružin /9,9'/, na který dosedá opěrná vložka /10,10*/ a který je uložen ve vybrání /11,11'/ vnitřního dílu /3/ pouzdra modulu, .kterým prochházJí- kontaktní vývody /5,6,7/, přičemž vnější /2/ a vnitřní /3/ díl pouzdra modulu.jsou.vzájemně mechanicky ternzebíratelté spojeny. '
2. Polovodičový modul podle bodu 1, vyznačený-tím, že mezi polovodičovými prvky./1,1*/ a dosedací plochou /4/ vnějšího dílu /2/ pouzdra' modulu je . umístěna nejméně' - Jedna elektricky izolační a tepelně vodivá podložka /12,12'/·
3. Polovodičový modul podle bodu 1, vyznačený tím, ' že mezi ' polovodičovými - prvky-/1,1*/- a do- sedací plochou /4/ vnějšího dílu /3/ pouzdra modulu Je - unístěna nejméně jedna elektricky i tepelně vodivá - podložka /12,12'/. .
4. Polovodičový modul podle bodu 1 až 3, ' vyznačený tím, 'že alespoň mm z i jednou styčnou plochou- polovodičového prvku /1,1'/ a kontaktního 'vývodu /5,6,7/, kontaktního vývodu /5,6,7/ .a ' podložky /12,12*/, resp. polovodičového prvku /1,1*/ a podložky /12,12*/, podložky y/12,12*/ a vnějšího dílu /2/ pouzdra modulu Je umístěna vrstva tepelně vodivé vazelíny.
5. Polovodičový modul podle bodu '1 až 4, vyznačený tím, že ve vnitřním dílu /3/ pouzdra mo-- -. -. dulu v ose systému pružin /9,9'/ Je vytvořena dutina /13,13'/·
6. Polovodičový modul- ' podle bodu 5, vyznačený tím, že v prostoru dutiny /13,13/ ve - vnitřním dílu /3/ pouzdra modulu je umístěn zdroj záření /14,14*/ o vlnové délce v rozm^j^í 0,5 až 1,4 nm·
7. Polovodičový modul podle bodu 1 až 6, vyznačený tím, že kontaktní vývody-/5,6,7/ tvoří proudové vývody modulu·
8. Polovodičový modul podle bodu 7, vyznačený tím, že proudové vývody /5,6,7/ Jsou tvořeny sysémnem plochých kolíků násuvných - spojů.
9. Polovodičový modul podle - bodu 7, vyznačený tím, že proudové vývody /5,6,7/ modulu - Jsou t tvořeny šroubovými svorkami.
10. Polovodičový modul podle bodu 1 až 9, vyznačený - tím, že osou syséému pružin /9,9*/ Je veden ohebný- řídicí vývod /15,15*/ polovodičového prvku /1,1*/ resp. zdroje záření /14,14*/·
11· Polovodičový modul - podle bodu 10, vyznačený tím, že ohebný řídicí vývod /15,15*/ je
214 034 v horní Části vnitřního dílu /3/ pouzdra modulu zakončen plochým kolíkem /16,16'/ násuvného spoje·
12· Polovodičový modul podle bodu 10, vyznačený tím, že ohebný řídicí vývod /15,15'/ je v horní části vnitřního dílu /3/ pouzdra modulu zakončen pájecím bodem /16,16'/·
13· Polovodičový modul podle bodu 10, vyznačený tím, že ohebný řídicí vývod /15,15*/ je v horní části vnitřního dílu /3/ pouzdra modulu zakončen šroubovou svorkou /16,16'/.
14· Polovodičový modul podle bodu 1 až 13, vyznačený tdm, že mechanicky nerozebíratelné spojení vnitřního /3/ a vnějšího /2/ dílu pouzdra modulu je vytvořeno zalitím izolační zalévací hmotou /17/ mezi oběma díly·
15· Polovodičový modul podle bodu 1 až 13, vyznačený tím, že mechanicky nerozebíratelné spojení vnitřního /3/ a vnějšího /2/ dílu pouzdra modulu je provedeno plastickou deformací části /18/ vnějšího dílu /2/ pouzdra modulu·
16· Polovodičový modul podlo bodu 1 až 15, vyznačený tím, že vnější díl /2/ pouzdra modulu Je opatřen nejméně Jedním chladicím žebrem /19/·
17· Polovodičový modul podle bodu 1 až 16, vyznačený tím, že spodní část vnějšího dílu /2/ pouzdra modulu tvoří dosedací plochu /20/ pro přestup tepla·
18· Polovodičový modul podle bodu 1 až 17, vyznačený tím, že ve vnějším dílu /2/ pouzdra Jsou vytvořeny otvory /21,21'/ pro upevnění modulu.
19· Polovodičový modul podle bodu 1 až 18, vyznačený tím, že vnější díl /2/ pouzdra modulu je opatřen ochrannou vrstvou chromátového typu·
20· Polovodičový modul podle bodu 1 až 19, vyznačený tím, že vnější díl /2/ pouzdra modulu je opatřen ochrannou vrstvou kysličníku hlinitého·
21· Polovodičový modul podle bodu 1 až 20, vyznačený tím, že systém pružin /9,9*/ Je tvořen talířovými pružinami·
CS804087A 1980-06-10 1980-06-10 Semiconductor modulus CS214034B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS804087A CS214034B1 (en) 1980-06-10 1980-06-10 Semiconductor modulus
DD81229458A DD161115A3 (de) 1980-06-10 1981-04-21 Halbleiter-modul
DE19813123036 DE3123036A1 (de) 1980-06-10 1981-06-10 Halbleitermodul

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS804087A CS214034B1 (en) 1980-06-10 1980-06-10 Semiconductor modulus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS214034B1 true CS214034B1 (en) 1982-04-09

Family

ID=5382853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS804087A CS214034B1 (en) 1980-06-10 1980-06-10 Semiconductor modulus

Country Status (3)

Country Link
CS (1) CS214034B1 (cs)
DD (1) DD161115A3 (cs)
DE (1) DE3123036A1 (cs)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3406528A1 (de) * 1984-02-23 1985-08-29 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleitermodul
DE3621994A1 (de) * 1986-07-01 1988-01-14 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul
DE9413550U1 (de) * 1994-08-23 1996-01-11 Dylec Ltd., Saint Peter Port, Guernsey Halbleiteranordnung mit wenigstens einem Halbleiterbauelement
FR2754390A1 (fr) * 1996-10-07 1998-04-10 Gec Alsthom Transport Sa Module de puissance a composants electroniques semi-conducteurs de puissance et interrupteur de forte puissance comportant au moins un tel module de puissance
DE102004058946B4 (de) * 2004-12-08 2009-06-18 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Hilfsanschluss
EP2489956B2 (de) * 2011-02-21 2020-09-09 Gerdes Holding GmbH & Co. KG Kühleinrichtung eines elektrischen, sich erwärmenden Bauelements

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3363150A (en) * 1964-05-25 1968-01-09 Gen Electric Glass encapsulated double heat sink diode assembly
GB1183291A (en) * 1968-02-14 1970-03-04 Siemens Ag Rectifier Arrangement
DE2456955A1 (de) * 1974-12-02 1976-07-08 Licentia Gmbh Anordnung fuer aus leiterplatten zusammengesetzte dioden- und gleichrichterschaltungen
JPS583386B2 (ja) * 1975-10-11 1983-01-21 株式会社日立製作所 ソウホウコウセイホトサイリスタ
DE2639974A1 (de) * 1976-09-04 1978-03-09 Thermoplan Waermetechnische An Vorrichtung zum verschwelen von abfaellen aller art
DE2641032C2 (de) * 1976-09-11 1982-09-09 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Stromrichtermodul
DE2728564A1 (de) * 1977-06-24 1979-01-11 Siemens Ag Halbleiterbauelement
US4160992A (en) * 1977-09-14 1979-07-10 Raytheon Company Plural semiconductor devices mounted between plural heat sinks
DE2819327C2 (de) * 1978-05-03 1984-10-31 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleiterbaueinheit

Also Published As

Publication number Publication date
DD161115A3 (de) 1984-10-24
DE3123036C2 (cs) 1989-05-03
DE3123036A1 (de) 1982-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5747876A (en) Semiconductor device and semiconductor module
CN100392856C (zh) 功率半导体模块
CN107026136B (zh) 具有压力施加体的功率半导体模块及其布置
US6234842B1 (en) Power converter connector assembly
US4694322A (en) Press-packed semiconductor device
US4750031A (en) Hermetically sealable package for hybrid solid-state electronic devices and the like
JPH0644600B2 (ja) 半導体組立ユニット
JP4051135B2 (ja) 封じられたサブモジュールを備える電力用半導体モジュール
US20040242031A1 (en) Pressure piece for use in a power semiconductor module
KR100206533B1 (ko) 제로 전력 아이씨 모듈
RU2133522C1 (ru) Способ изготовления и контроля электронных компонентов
US4796157A (en) Substrate mounting assembly
KR870009613A (ko) 집적회로 칩 마운팅 및 패키징 조립품
US6285076B1 (en) Press-connection semiconductor device and press-connection semiconductor assembly
EP0245179B1 (en) System for detachably mounting semiconductors on conductor substrate.
EP0100626A3 (en) Semi-conductor assembly
US20020060371A1 (en) High-power semiconductor module, and use of such a high-power semiconductor module
CS214034B1 (en) Semiconductor modulus
CA2044747A1 (en) Electronic circuit module with power feed spring assembly
US3808471A (en) Expandible pressure mounted semiconductor assembly
US20220399259A1 (en) Power Semiconductor Module
US4126882A (en) Package for multielement electro-optical devices
KR20080011113A (ko) 전력용 반도체 부품 및 접촉 디바이스를 구비하는 장치
GB1594141A (en) Semiconductor assemblies
JP2904193B2 (ja) Ｉｃソケット