CS214034B1 - Semiconductor modulus - Google Patents

Semiconductor modulus Download PDF

Info

Publication number
CS214034B1
CS214034B1 CS804087A CS408780A CS214034B1 CS 214034 B1 CS214034 B1 CS 214034B1 CS 804087 A CS804087 A CS 804087A CS 408780 A CS408780 A CS 408780A CS 214034 B1 CS214034 B1 CS 214034B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
semiconductor
housing
module
module according
semiconductor module
Prior art date
Application number
CS804087A
Other languages
Czech (cs)
Inventor
Michal Pellant
Jiri Lanka
Timotej Simko
Original Assignee
Michal Pellant
Jiri Lanka
Timotej Simko
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Michal Pellant, Jiri Lanka, Timotej Simko filed Critical Michal Pellant
Priority to CS804087A priority Critical patent/CS214034B1/en
Priority to DD81229458A priority patent/DD161115A3/en
Priority to DE19813123036 priority patent/DE3123036A1/en
Publication of CS214034B1 publication Critical patent/CS214034B1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group subclass H10D
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group subclass H10D the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Vynález ее týká polovodičového modulu alespoň s dvěma polovodičovými prvky uspořádanými ve společném pouzdru·The invention relates to a semiconductor module with at least two semiconductor elements arranged in a common housing.

V nedávné době byl výrobci výkonových polovodičových součástek realizován nový koncept zapouzdřování polovodičových prvků, kde v jednom pouzdru jsou vždy umístěny alespoň dvě polovodičové destičky, které jsou od základní chladicí /zpravidla měděné/ desky elektricky odizolovány prostřednictvím tepelně dobře vodivého materiálu, například beryliové keramiky BeO nebo Alg^ a podobně· Přitom vrstva izolačního materiálu může být к základní desce připájena, přilepena anebo na ni jiným vhodným způsobem nanesena /naprášením a jinými známými technologiemi/· Z opačné strany je keramická izolační vrstva metalizována а к takto vytvořené kovové vrstvě přiléhají buň přímo nebo přes elektrické vývody polovodičové destičky, resp· systémy. Alternativně mohou být elektrické vývody připojeny к této kovové vrstvě mimo polovodičovou destičku či systém /viz např· obr. na str. 13 časopisu Electronics, June 23, 1977/· Polovodičově destičky, resp· systémy, jsou к pokovené keramické vrstvě /případně к elektrickému vývodu na této vrstvě/ buj přít1ačovány /viz str. 10 časopisu Elektronik Industrie 4-1978/ anebo připájeny /viz patent USA č. 4 047 197/· Je zřejmé, že geometrické uspořádání vývodů polovodičových destiček, respektive systémů, může být realizováno mnoha různými způsoby· Konce vývodů jsou buj vyváděny pod hlavy šroubů, jako nožové konektory a podobně· Vývody jsou zpravidla realizovány páskovými vodiči /někdy sloupky nebo pružnými členy, případně dracouny/ vhodně tvarovanými· Popisovaná sestava je pak umístěna ve skříni z umělé hmoty a zalita nebo zastříknuta umělou hmotou, případně uzavřena tvarovým víkem·Recently, a new semiconductor encapsulation concept has been implemented by power semiconductor manufacturers where at least two semiconductor wafers are always housed in one housing and are electrically insulated from the base cooling / generally copper / plate by a thermally conductive material such as beryllium ceramics BeO or Alg ^ etc. · it layer of insulating material may be к base plate is soldered, glued or her other suitable method of applying / sputtering and other known technologies / · From the opposite side of the ceramic insulation layer metallized а к thus formed metal layer abut the cells for directly or through the electrical outlets of the semiconductor wafer or systems. Alternatively, the electrical outlets may be connected to this metal layer outside the semiconductor wafer or system (see, eg, on page 13 of Electronics magazine, June 23, 1977). of the electrode on this layer (be pressurized) (see page 10 of Elektronik Industrie 4-1978) or soldered (see U.S. Pat. No. 4,047,197). · The ends of the outlets are extensively led under screw heads, such as knife connectors and the like · Outlets are usually realized by strip conductors / sometimes posts or elastic members, eventually dracuns / suitably shaped · plastic, eventually closed with molded lid ·

Používané sestavy polovodičových modulů v převážné většině z důvodů větší životnosti a spolehlivosti využívají pritlačovaných systémů, které se vyznačují poměrně velkým počtem dílů, technologickou náročností při montáži a obtížným nastavováním přítlačné síly na polovodičové systémy· Rovněž možnost teplotních dilataci je u většiny sestav problematické, nebol pro zapouzdření do plastické hmoty jsou pružící elementy pevné fixovány hmotou a není umožněno jejich stlačení·The used semiconductor module assemblies, for the sake of greater durability and reliability, use pressurized systems that are characterized by a relatively large number of parts, technological complexity during assembly and difficult adjustment of the thrust force to semiconductor systems. encapsulated in plastic, the spring elements are firmly fixed by the material and cannot be compressed ·

Polovodičový modul podle vynálezu odstraňuje uvedené nevýhody a řeší daný úkol v podstatě tak, že na dosedací ploše vnějšího dílu pouzdra modulu jsou mezi kontaktními vývody uloženy polovodičové prvky, к nimž Jsou kontaktní vývody přitlačovány přes středící vložku systémem pružin, na který dosedá opěrná vložka a který je uložen ve vybrání vnitřního dílu pouzdra modulu, kterým procházejí kontaktní vývody· Vnější a vnitřní díl pouzdra modulu Jsou vzájemně mechanicky nerozebíratelně spojeny·The semiconductor module according to the invention eliminates these disadvantages and solves the task essentially by placing on the contact surface of the outer part of the module housing semiconductor elements between the contact terminals, to which the contact terminals are pressed over the centering insert by a spring system It is housed in the recess of the inner module housing part through which the contact terminals pass. · The outer and inner module housing parts are mechanically non-removably connected to each other ·

Konstrukce polovodičového modulu podle vynálezu podstatně zlepšuje technologii montáže, snižuje počet použitých dílů a zaručuje definovatelné zatížení Jednotlivých polovodičových systémů, zlepšuje odvod ztrátového tepla vznikajícího při provozu modulu na přechodech polovodičových systémů, čímž v souhrnu zvyšuje životnost a spolehlivost aplikací s polovodičovými moduly·The design of the semiconductor module according to the invention greatly improves the assembly technology, reduces the number of parts used and guarantees a definite load of the individual semiconductor systems, improves the dissipation of heat loss during module operation at semiconductor transitions, thus increasing overall durability and reliability

Universálnost konstrukčního řešení dle vynálezu jej předurčuje к širokému využití zejména v oblasti výkonové elektroniky a v dalších aplikacích, kde je třeba dosáhnout kompaktnosti konstrukcí a Jejich vysoké spolehlivosti·The versatility of the construction solution according to the invention predestines it for wide use especially in the field of power electronics and in other applications where it is necessary to achieve compactness of structures and their high reliability ·

Na obrázcích 1, 2, 3, 4 jsou v řezech znázorněny příklady provedení polovodičového mo2 ’ 214 034 dulu dle vynálezu·1, 2, 3, 4 are cross-sectional views of exemplary embodiments of a semiconductor mo2 '

Na obr. 1 Je zobrazen polovodičový modul v podélné· fezu a dvěma sériově zapojenými polovodičovými systémy я vyvedenými všemi vývody·Fig. 1 shows a longitudinal section of a semiconductor module and two semiconductor systems connected in series with all terminals ·

Na obr. 2 Je zobrazen polovodičový modul v podélném řezu s dvěma antlparalelně zapojenými polovodičovými systémy·Fig. 2 shows a longitudinal section of the semiconductor module with two parallel-connected semiconductor systems.

Na obr· 3 je znázorněn příčný řez polovodičovým modulem a na obr· 4 Je částečný řez modulem, lede řízení polovodičových systémů Je provedeno zdrojem záření např· luminiacenční diodou·Fig. 3 is a cross-sectional view of the semiconductor module; and Fig. 4 is a partial cross-sectional view of the module except for the control of semiconductor systems.

Polovodičový modul na obr· 1 se skládá z polovodičových prvků χ a 1*· které jsou umístěny mezi kontaktními vývody 5, 6, J umožňujícími přivedeni elektrického proudu· Tyto vývody 5, 6, 7 jsou tvořeny systémem plochých kolíků náauvných spojů nebo šroubovými svorkami· Na kontaktní vývod 5, resp. 7 přiléhají středící vložky 8, 8*, systém pružin 9, 9* a opěrná vložka 10· 10*·The semiconductor module in Fig. 1 consists of semiconductor elements χ and 1 * · which are located between the contact terminals 5, 6, J enabling the electric current to be supplied · These terminals 5, 6, 7 are formed by a flat pin plug system or screw terminals · To contact terminal 5 resp. 7 are adjacent the centering inserts 8, 8 *, the spring system 9, 9 * and the support insert 10 · 10 * ·

Díly 8, 9, 10, resp· 8*, 9*, 10* jsou vloženy do vybrání 11, resp. 11\ vnitřního dílu pouzdra modulu· Kontaktní vývody 5, 6, 7 jsou provlečeny samostatnými otvory vo vnitřním dílu 3. Případné řídící vývody 15· 15* polovodičových prvků 1, 1* jsou protaženy dutinou 13· 13* к řídícím konektorům, svorkám, nebo pájecím bodům 16, 18*· Na straně pod polovodičovými prvky X· Г a kontaktními vývody 5 a 6 mohou být umístěny podložky 12, 12* z elektricky izolačního a tepelně vodivého materiálu umožňující odizolování polovodičových prvků 1, 1* od vnějšího dílu 2 pouzdra modulu. Vzájemné stykové plochy mohou být potřeny vrstvou tepelně vodivé vaseliny pro zlepšení přestupu tepla z polovodičových prvků χ, 1* do vnějšího dílu 2 pouzdra modulu·The parts 8, 9, 10 and 8 *, 9 *, 10 * are inserted into recesses 11 and 9, respectively. 11 'of the module housing inner part · Contact terminals 5, 6, 7 are threaded through separate holes in the inner part 3. Possible control terminals 15 · 15 * of semiconductor elements 1, 1 * are routed through cavity 13 · 13 * to control connectors, terminals, or solder points 16, 18 * · On the side below the semiconductor elements X · Г and the contact terminals 5 and 6, pads 12, 12 * of electrically insulating and thermally conductive material can be placed to insulate the semiconductor elements 1, 1 * from the outer module 2 . The interfaces may be coated with a layer of thermally conductive vaseline to improve heat transfer from the semiconductor elements χ, 1 * to the outer part 2 of the module housing ·

V případě potřeby např· pro připojení nulového potenciálu na vnější díl 2 pouzdra Jo možné zhotovit podložku 12, resp. 12^ z tepelně i elektrioky vodivého materiálu·If necessary, for example, to connect a zero potential to the outer part 2 of the housing 12, it is possible to make a washer 12 or 12, respectively. 12 ^ of thermally and electrically conductive material ·

Vzájemné mechanické propojení vnějšího dílu 2 a vnitřního dílu 3 pouzdra modulu Je provedeno zalitím izolační zalévací hmotou 17. Spodní část vnějšího dílu 2 pouzdra může být opatřena rovnou dosedací plochou 20 umožňující připojení к přídavnému chladiči přes otvory 21, 21*·The mechanical connection of the outer part 2 and the inner part 3 of the module housing to each other is accomplished by embedding the insulating potting compound 17. The lower part of the outer part 2 of the housing can be provided with a flat contact surface 20

Na obr· 2 je znázorněno alternativní řešení polovodičového modulu z obr· 1, kde Je provedeno antiparalelní zapojení polovodičových prvků χ, 1' kontaktními vývody 5 a 6.Fig. 2 shows an alternative solution of the semiconductor module of Fig. 1, where the antiparallel connection of the semiconductor elements χ, 1 'is made by the contact terminals 5 and 6.

Na obr· 3 Jo znázorněn příčný řez polovodičovým modulem z obr· 1 a obr· 2, kde vzájemného mechanického spojení vnějšího dílu 2 a vnitřního dílu £ Je alternativně dosaženo zalitím izolační zalévací hmotou 17, nebo plastickou deformací části 18 vnějšího dílu 2 pouzdra modulu·FIG. 3 is a cross-sectional view of the semiconductor module of FIG. 1 and FIG. 2, wherein the mechanical connection of the outer part 2 and the inner part 6 to each other is alternatively achieved by embedding the insulating potting compound 17 or

Pro zlepšení odvodu ztrátového tepla z polovodičových prvků χ, 1* Je vnější díl 2 pouzdra opatřen chladicími žebry 19· Pro zlepšení vyzařování tepla může být vnější díl 2 pouzdra modulu opatřen vrstvou chromátového typu, nebo černou vrstvou AlgO^·To improve heat dissipation from semiconductor elements χ, 1 * The outer casing part 2 is provided with cooling fins 19 · To improve the heat emission, the outer casing part 2 can be provided with a chromate type layer or a black AlgO layer ^ ·

Na obr· 4 je znázorněn částečný řez modulem z obr· 1, 2, 3, kdo Jako zdroj řídicího signálu polovodičového prvku χ Je použito zdroje záření 14 s řídicím vývodem 15 vyvedeným na konektor, svorku nebo pájecí bod 16.Fig. 4 shows a partial cross-section of the module of Figs. 1, 2, 3, who uses a radiation source 14 with a control terminal 15 connected to a connector, terminal or solder point 16 as the control signal source of the semiconductor element.

Vyvození požadované přítlačné síly na polovodičové prvky 1, 1* se docílí smontováním sestavy modulu podle obr. 1 nebo obr. 2, obr. 3 nebo obr· 4, následujícím stlačením vnitřní214 034 ho dílu £ * vnějšího dílu.2 pouzdra k sobě přoa soustavu pružin 9, resp. 9' v aontážníi· přípravku a konečným zalitím zalévací izolační hmotou, resp. plastickou deformací Jednoho dílu vůči druhému. Takto vytvořené mechanicky terozebíratelté spojení ' zachycuje reakční síly od přítlaku-vyvozovaného na polovodičové prvky.The application of the required contact force to the semiconductor elements 1, 1 * is achieved by assembling the module assembly according to Fig. 1 or Fig. 2, Fig. 3 or Fig. 4, by subsequently pressing the inner part 14144 of the outer part 2 of the housing together. springs 9, resp. 9 'in the assembly fixture and the final casting with the sealing insulating material, respectively. plastic deformation of one part against the other. The mechanically-releasable connection thus formed captures the reaction forces from the downforce applied to the semiconductor elements.

Volbou vhodných rozměrů středících vložek 8, - 8*, na které dosedají systémy pružin £, g* je. docíleno, že ' zalévací izolační hmota neriůže vniknout do vybrání 11, 11* vnitřního dílu '£ pouzdra a tak omoeit moonost pružent.. Středící vložky £, 8* mohou být po svém obvodu opatřeny pro zvýšení těsnicího účinku např. vrstvou pružné pryže nebo pryžovým kroužkem.By selecting suitable dimensions of the centering inserts 8, 8 * on which the spring systems 8, 8 * abut. It is achieved that the encapsulating insulating material cannot penetrate into the recess 11, 11 'of the inner part 8 of the housing and thus omoeit the moonost spring. The centering inserts 8, 8' can be provided circumferentially with an elastic rubber layer or rubber ring.

Claims (21)

1. Polovodičový modul alespoň s dvěma polovodičovými prvky, uspořádanými ve společném pouzdru,' sestávajícím z vnějšího s vnitřního dílu, vyznačený tím, že na dosedací ploše /4/ vnějšího dílu /2/ pouzdra modulu Jsou mezi kontaktními vývody /5,6,7/ uloženy polovodičové-prvky /1,1'/, k nimž jsou kontaktní, vývody /5,6,7/ přitlačovány přes středící vložku /8,8'/ sysémiem pružin /9,9'/, na který dosedá opěrná vložka /10,10*/ a který je uložen ve vybrání /11,11'/ vnitřního dílu /3/ pouzdra modulu, .kterým prochházJí- kontaktní vývody /5,6,7/, přičemž vnější /2/ a vnitřní /3/ díl pouzdra modulu.jsou.vzájemně mechanicky ternzebíratelté spojeny. '1. A semiconductor module with at least two semiconductor elements arranged in a common housing consisting of an outer part and an inner part, characterized in that on the contact surface (4) of the outer part (2) of the module housing they are between contact terminals (5,6,7). (semiconductor elements (1,1 ') are placed, to which the contact pins (5,6,7) are pressed through the centering insert (8,8') by the spring system (9,9 '), on which the supporting insert bears / And which is accommodated in the recess (11, 11 ') of the inner part (3) of the module housing through which the contact terminals (5, 6, 7) pass, the outer (2) and the inner (3) part of the module. The module housings are mechanically connected to each other. ' 2. Polovodičový modul podle bodu 1, vyznačený-tím, že mezi polovodičovými prvky./1,1*/ a dosedací plochou /4/ vnějšího dílu /2/ pouzdra' modulu je . umístěna nejméně' - Jedna elektricky izolační a tepelně vodivá podložka /12,12'/·2. The semiconductor module according to claim 1, characterized in that there is a module surface between the semiconductor elements and the contact surface of the outer housing part. placed at least '- One electrically insulating and thermally conductive pad / 12,12' / · 3. Polovodičový modul podle bodu 1, vyznačený tím, ' že mezi ' polovodičovými - prvky-/1,1*/- a do- sedací plochou /4/ vnějšího dílu /3/ pouzdra modulu Je - unístěna nejméně jedna elektricky i tepelně vodivá - podložka /12,12'/. .3. The semiconductor module according to claim 1, characterized in that at least one electrically and thermally conductive element is disposed between the semiconductor elements (1.1 *) and the contact surface (4) of the outer part (3) of the module housing. - washer / 12.12 '/. . 4. Polovodičový modul podle bodu 1 až 3, ' vyznačený tím, 'že alespoň mm z i jednou styčnou plochou- polovodičového prvku /1,1'/ a kontaktního 'vývodu /5,6,7/, kontaktního vývodu /5,6,7/ .a ' podložky /12,12*/, resp. polovodičového prvku /1,1*/ a podložky /12,12*/, podložky y/12,12*/ a vnějšího dílu /2/ pouzdra modulu Je umístěna vrstva tepelně vodivé vazelíny.4. The semiconductor module according to claim 1, characterized in that at least mm has one contact surface of the semiconductor element (1,1 ') and the contact terminal (5,6,7), the contact terminal (5,6), 7) and washers (12.12 *), respectively. a semiconductor element (1.1 *) and a pad (12.12 *), a pad y (12.12 *), and an outer part (2) of the module housing. A layer of thermally conductive petrolatum is placed. 5. Polovodičový modul podle bodu '1 až 4, vyznačený tím, že ve vnitřním dílu /3/ pouzdra mo-- -. -. dulu v ose systému pružin /9,9'/ Je vytvořena dutina /13,13'/·5. Semiconductor module according to claim 1, characterized in that in the inner housing part (3) there can be. -. duct in the axis of the spring system / 9.9 '/ A cavity is formed / 13.13' / · 6. Polovodičový modul- ' podle bodu 5, vyznačený tím, že v prostoru dutiny /13,13/ ve - vnitřním dílu /3/ pouzdra modulu je umístěn zdroj záření /14,14*/ o vlnové délce v rozm^j^í 0,5 až 1,4 nm·6. Semiconductor module according to claim 5, characterized in that a radiation source (14,14 *) having a wavelength in the space of the cavity (13, 13) in the inner part (3) of the module housing is located. 0.5 to 1.4 nm · 7. Polovodičový modul podle bodu 1 až 6, vyznačený tím, že kontaktní vývody-/5,6,7/ tvoří proudové vývody modulu·7. Semiconductor module according to claim 1, characterized in that the contact terminals (5, 6, 7) form the current terminals of the module. 8. Polovodičový modul podle bodu 7, vyznačený tím, že proudové vývody /5,6,7/ Jsou tvořeny sysémnem plochých kolíků násuvných - spojů.8. Semiconductor module according to claim 7, characterized in that the current terminals (5, 6, 7) are formed by a system of flat plug-in pins. 9. Polovodičový modul podle - bodu 7, vyznačený tím, že proudové vývody /5,6,7/ modulu - Jsou t tvořeny šroubovými svorkami.9. The semiconductor module according to claim 7, characterized in that the current terminals (5, 6, 7) of the module are formed by screw terminals. 10. Polovodičový modul podle bodu 1 až 9, vyznačený - tím, že osou syséému pružin /9,9*/ Je veden ohebný- řídicí vývod /15,15*/ polovodičového prvku /1,1*/ resp. zdroje záření /14,14*/·10. The semiconductor module according to claim 1, characterized in that a flexible control pin (15.15 *) of the semiconductor element (1.1 *) is guided through the axis of the spring system (9.9 *). radiation sources / 14,14 * / · 11· Polovodičový modul - podle bodu 10, vyznačený tím, že ohebný řídicí vývod /15,15*/ je · Semiconductor module - according to claim 10, characterized in that the flexible control terminal (15,15 *) is 214 034 v horní Části vnitřního dílu /3/ pouzdra modulu zakončen plochým kolíkem /16,16'/ násuvného spoje·214 034 in the upper part of the inner part (3) of the module housing terminated with the flat pin (16.16 ') of the plug-in connection · 12· Polovodičový modul podle bodu 10, vyznačený tím, že ohebný řídicí vývod /15,15'/ je v horní části vnitřního dílu /3/ pouzdra modulu zakončen pájecím bodem /16,16'/·The semiconductor module according to claim 10, characterized in that the flexible control terminal (15,15 ') is terminated at the top of the inner part (3) of the module housing by a soldering point (16,16'). 13· Polovodičový modul podle bodu 10, vyznačený tím, že ohebný řídicí vývod /15,15*/ je v horní části vnitřního dílu /3/ pouzdra modulu zakončen šroubovou svorkou /16,16'/.13. Semiconductor module according to claim 10, characterized in that the flexible control terminal (15,15 *) is terminated in the upper part of the inner part (3) of the module housing by a screw clamp (16,16 '). 14· Polovodičový modul podle bodu 1 až 13, vyznačený tdm, že mechanicky nerozebíratelné spojení vnitřního /3/ a vnějšího /2/ dílu pouzdra modulu je vytvořeno zalitím izolační zalévací hmotou /17/ mezi oběma díly·Semiconductor module according to Claims 1 to 13, characterized in that the mechanically non-removable connection of the inner (3) and outer (2) parts of the module housing is formed by embedding the insulating compound (17) between the two parts. 15· Polovodičový modul podle bodu 1 až 13, vyznačený tím, že mechanicky nerozebíratelné spojení vnitřního /3/ a vnějšího /2/ dílu pouzdra modulu je provedeno plastickou deformací části /18/ vnějšího dílu /2/ pouzdra modulu·Semiconductor module according to Claims 1 to 13, characterized in that the mechanically non-detachable connection of the inner (3) and outer (2) module housing parts is made by plastic deformation of the outer housing part (18) of the module housing parts (18). 16· Polovodičový modul podlo bodu 1 až 15, vyznačený tím, že vnější díl /2/ pouzdra modulu Je opatřen nejméně Jedním chladicím žebrem /19/·A semiconductor module according to Claims 1 to 15, characterized in that the outer part (2) of the module housing is provided with at least one cooling fin (19). 17· Polovodičový modul podle bodu 1 až 16, vyznačený tím, že spodní část vnějšího dílu /2/ pouzdra modulu tvoří dosedací plochu /20/ pro přestup tepla·A semiconductor module according to Claims 1 to 16, characterized in that the lower part of the module outer part (2) forms a contact surface (20) for heat transfer. 18· Polovodičový modul podle bodu 1 až 17, vyznačený tím, že ve vnějším dílu /2/ pouzdra Jsou vytvořeny otvory /21,21'/ pro upevnění modulu.A semiconductor module according to Claims 1 to 17, characterized in that holes (21, 21 ') are provided in the housing outer part (2) for fixing the module. 19· Polovodičový modul podle bodu 1 až 18, vyznačený tím, že vnější díl /2/ pouzdra modulu je opatřen ochrannou vrstvou chromátového typu·Semiconductor module according to Claims 1 to 18, characterized in that the outer part (2) of the module housing is provided with a chromate-type protective layer. 20· Polovodičový modul podle bodu 1 až 19, vyznačený tím, že vnější díl /2/ pouzdra modulu je opatřen ochrannou vrstvou kysličníku hlinitého·Semiconductor module according to Claims 1 to 19, characterized in that the outer part (2) of the module housing is provided with a protective layer of alumina. 21· Polovodičový modul podle bodu 1 až 20, vyznačený tím, že systém pružin /9,9*/ Je tvořen talířovými pružinami·Semiconductor module according to Claims 1 to 20, characterized in that the spring system (9,9 *) consists of disc springs ·
CS804087A 1980-06-10 1980-06-10 Semiconductor modulus CS214034B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS804087A CS214034B1 (en) 1980-06-10 1980-06-10 Semiconductor modulus
DD81229458A DD161115A3 (en) 1980-06-10 1981-04-21 SEMICONDUCTOR MODULE
DE19813123036 DE3123036A1 (en) 1980-06-10 1981-06-10 Semiconductor module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS804087A CS214034B1 (en) 1980-06-10 1980-06-10 Semiconductor modulus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS214034B1 true CS214034B1 (en) 1982-04-09

Family

ID=5382853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS804087A CS214034B1 (en) 1980-06-10 1980-06-10 Semiconductor modulus

Country Status (3)

Country Link
CS (1) CS214034B1 (en)
DD (1) DD161115A3 (en)
DE (1) DE3123036A1 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3406528A1 (en) * 1984-02-23 1985-08-29 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim PERFORMANCE SEMICONDUCTOR MODULE
DE3621994A1 (en) * 1986-07-01 1988-01-14 Bbc Brown Boveri & Cie PERFORMANCE SEMICONDUCTOR MODULE
DE9413550U1 (en) * 1994-08-23 1996-01-11 Dylec Ltd., Saint Peter Port, Guernsey Semiconductor arrangement with at least one semiconductor component
FR2754390A1 (en) * 1996-10-07 1998-04-10 Gec Alsthom Transport Sa POWER MODULE WITH ELECTRICAL SEMICONDUCTOR POWER COMPONENTS AND HIGH POWER SWITCH COMPRISING AT LEAST ONE SUCH POWER MODULE
DE102004058946B4 (en) * 2004-12-08 2009-06-18 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Power semiconductor module with auxiliary connection
EP2489956B2 (en) * 2011-02-21 2020-09-09 Gerdes Holding GmbH & Co. KG Cooling system of an electric construction element that heats up

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3363150A (en) * 1964-05-25 1968-01-09 Gen Electric Glass encapsulated double heat sink diode assembly
GB1183291A (en) * 1968-02-14 1970-03-04 Siemens Ag Rectifier Arrangement
DE2456955A1 (en) * 1974-12-02 1976-07-08 Licentia Gmbh ARRANGEMENT FOR DIODE AND RECTIFIER CIRCUITS COMPOSED FROM CIRCUIT BOARDS
JPS583386B2 (en) * 1975-10-11 1983-01-21 株式会社日立製作所 Souhou Kousei Photo Thyristor
DE2639974A1 (en) * 1976-09-04 1978-03-09 Thermoplan Waermetechnische An Low temp. carbonisation of refuse - uses steplessly controlled amount of burned carbonisation gas for furnace heating and heat recovery
DE2641032C2 (en) * 1976-09-11 1982-09-09 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Converter module
DE2728564A1 (en) * 1977-06-24 1979-01-11 Siemens Ag SEMICONDUCTOR COMPONENT
US4160992A (en) * 1977-09-14 1979-07-10 Raytheon Company Plural semiconductor devices mounted between plural heat sinks
DE2819327C2 (en) * 1978-05-03 1984-10-31 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Semiconductor module

Also Published As

Publication number Publication date
DD161115A3 (en) 1984-10-24
DE3123036A1 (en) 1982-03-18
DE3123036C2 (en) 1989-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5747876A (en) Semiconductor device and semiconductor module
CN100392856C (en) power semiconductor module
CN107026136B (en) Power semiconductor module with pressure application body and arrangement thereof
US6234842B1 (en) Power converter connector assembly
US4694322A (en) Press-packed semiconductor device
US4750031A (en) Hermetically sealable package for hybrid solid-state electronic devices and the like
JPH0644600B2 (en) Semiconductor assembly unit
JP4051135B2 (en) Power semiconductor module with sealed submodule
US20040242031A1 (en) Pressure piece for use in a power semiconductor module
KR100206533B1 (en) Zero Power IC Module
RU2133522C1 (en) Process of manufacture and test of electron components
US4796157A (en) Substrate mounting assembly
KR870009613A (en) Integrated Circuit Chip Mounting & Packaging Assemblies
EP0245179B1 (en) System for detachably mounting semiconductors on conductor substrate.
US6285076B1 (en) Press-connection semiconductor device and press-connection semiconductor assembly
EP0100626A3 (en) Semi-conductor assembly
US20020060371A1 (en) High-power semiconductor module, and use of such a high-power semiconductor module
KR101343274B1 (en) Arrangement having a power semiconductor component and a contact device
CS214034B1 (en) Semiconductor modulus
CA2044747A1 (en) Electronic circuit module with power feed spring assembly
US3808471A (en) Expandible pressure mounted semiconductor assembly
US4126882A (en) Package for multielement electro-optical devices
GB1594141A (en) Semiconductor assemblies
CN108010891B (en) Power semiconductor module
JP2904193B2 (en) IC socket