CS209657B1 - Method of making the colourless monocrystals of the plumbate molybdate - Google Patents

Method of making the colourless monocrystals of the plumbate molybdate Download PDF

Info

Publication number
CS209657B1
CS209657B1 CS266978A CS266978A CS209657B1 CS 209657 B1 CS209657 B1 CS 209657B1 CS 266978 A CS266978 A CS 266978A CS 266978 A CS266978 A CS 266978A CS 209657 B1 CS209657 B1 CS 209657B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
molybdate
nitrogen
crystal
lead
mono
Prior art date
Application number
CS266978A
Other languages
English (en)
Inventor
Walther Bollmann
Martin Gernand
Original Assignee
Walther Bollmann
Martin Gernand
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Walther Bollmann, Martin Gernand filed Critical Walther Bollmann
Publication of CS209657B1 publication Critical patent/CS209657B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

.Vy.ni^lez- -te - - týrí - - způsobu - . výroby bezbarvých - imonokyyta-lů - m^Slybdenu olovnatého che- · oř ckého -složení - - PbMo О д .
: Mo onorr s'ta ly PbMoQ^. mají - - kromě p ©ožití jako optické prostředí na základě svého velmi příznivého Lucemburského - jevu - -me-zi akustickými vlnami a el6^k.t^om^a^gne,t:ckkm^ zářením ve viditelné- a - blízké infračervené ob^sti spekt-ra odX-= -.400 až 4 - 000 nm mnohostranným- způsobem požití v optických a aku s tickoop ti ckých -fí.lrraň ní ch zařízeních’ ve světelných -sy s t émech-. -pro- vychylov án.,í • a, - parně tových tyt -témech·. svy -š š- í - - kapáci té. ; a- r o z 1 i s í v - o s ti .
Známó.je - způsob výroby - - ·í^opαkkyst alů molyb.denan.-u? o -1 ovna-tého metodou podle
C- zo.chra ls-ké-ho , - - .rů t tem - - - rotu jřc íhs , - krysta lsgraficky - VriénSovanéhv očka z - - taveniny PbMoO,^. -Pro uvedené sb ba s ti -p^iu^i.tá - je nutné pěstovat velké- krystaly - PbMoO^ o průměru asi 30 mm a délce 50 mm s dokonalou optickou homcιoennnssí a. - bez vnitřních p-nntí,. Tyto -požadavky- je n.utno - dodržet za současné technické úrovně pri dodr.ž-e:nř · optimálních mísících poměrů výchozích látek PbO a MoO^ ve vtádkové tavenině pří vysoké čistotě a lurcium přednostním orienSováním zárodečných krystalu za podmínek - růstu, které jtvu pro Czochralskéhv metodu známy. Dále následuje zpracování oonnSkasSalů temperováním pří 800 až 900 °C k o^í^tiranéní pnuH ^Kuj^tu Sci. and Techn. J. ÍJ, č. 4 , 2 1 1-220 / 1 972/; J. Cryst. Growth 24/25 , 437-440 / 1 9 7 4/J, Nevýhoda tohoto postupu však spočívá v tom, že takto vyrobené krystaly jsou více nebo méně zbarveny žlutě až oranžově. Toto zabarvení je důsledkem . - š.iro.kp.p — mvvé. . -ГЬ^о·^ce .s . . maximem - 400 . - až .430 - nm ? (/i^°,p-ik'a-i jspek-- . tr.otlco.pija, - 14 -, -- 3,12-313 .- /'.Ь9'63^ ---PrřpiS>uje · '
.. ss· •'me-žř - -- tvorbě i-ont4 . P'b3'+ - a v - -^'о-пг· případech - je zabarveni ještě intenzivnější v důsledku - obohacení o stopové nečistoty, .jaks jssu například sloučeniny železa - /tvorba F.e.3 - řt/řu j-i'.SiJ- Sci. anď Tccbn·. J. 8. č.
4. . .. -226. - / -1- 972/; J. Appl. . -Phys.- ř2, - .21^2164 / 1 9 -71 - - /]. - - Dosud známé po-stupy - k o-d-s-tráně-hí . . tohoto - nedostatku se - na poszžií - PbO a - M0O3 jaks výchozích о>Г:г r n.álů ve - velmi vysoké čiststě /minimálně - 9- 9.,99- - a - v - přesně ekvi.oo1eku1lrníih smé-sovacích - poměrech v násadě k tavení.
' Avšak ani tak se - dosud nepodaří To - vzniku· zabarvení zcela - zabránit nebv - je sisStanit, neb.ot vlastní příčin a. - prs - v-znik- šivkOv-ppSÍT·../·· .. lnové absorpce - . - mezí. - _ 400. - až. 500 - nm,' ' způsobená . - výŠemscnými ^№7^1 ísntv v krystal své - mřížce - /například PbJ\ F e J + , a ρ о V./, tím evidentně .nebyla odstraněna. Pvkud při přebytku PbO - ve - výchozí sm?ě^:i bylv dosaženo barevného vyjasněi^í, vyskytovaly se v k-rystalech PbMvO·; v -každém případě ss'ťa-tní defekty, jaks tvoření trhlin, zaka-a, tvoření Duřin Sci. and Techn. J.
č. 4 , 2 1 6-21 8 / 1 972//; Appp. Phys. Letters J2 » 83 , /1969/]. Na dauhé stran ě j scu známy práce, z jejíchž výsledků vyplývá, že přebytek M0O3 nebv PbO se nepr-OSeví na zabarvení krystalů PbMv04 Z* J. Cryst. Grvwth 2 1 , č. 1 , 1 - 11 / 1 974/J. Nedostatek těchto metod spočívá v tvm, že odhlédlneeme-i od částečného úspěchu, jejcch výsledek není spoSehlivý. z .
Vzhledem k tvmu, že podle pozorování ionty
Pb3+ a další vícemocné ionty, které jako centra děr způsobují zabarvení, vznikají v závislosti na charakteru atmosféry za vyšší teploty, navrhuje se к odstranění rušivých absorpčních oblastí provádět dodatečné tepelné zpracování monokrystalů PbMoO, temperováním za silně sníženého parciálního tlaku kyslíku nebo v inertní a tmo sf éře.
Protože navržený způsob zahrnuje pouze odstranění zabarvení v technologickém stupni temperování, je oblast jeho použití ome z ena.
Cílem vynálezu je odstranit zabarvení monokrystalů PbMoO^ jako důsledek procesu růstu bez dalších technologických kroků.
Spolu s tím se sleduje také cíl odstranit široko pásmovou absorpční oblast v monokrystalech PbMoO^, jejíž maximum leží při A = 400 až 430 nm a která zvláště při větších tlouštkách vrstvy značně snižuje propustnost pod teoretickou hodnotu, danou indexem lomu.
Dalším souvisejícím užitečným přínosem je odstranění lokálního rozdílného ohřevu a z toho vznikajícího pnutí v monokrystalech РЬМоОд v důsledku absorbovaného světelného záření. Tím se zlepší funkční použitelnost odpovídajících optických, .popř. akusticko-optických stavebních skupin, zvláště pro světlo, jehož vlnová délka leží mezi 400 až 500 nm, jaké se například vyskytuje v případě argonového iontového laseru / A1 = 488 nm/. Při technickém využití vynálezu může kromě toho odpadnout dodatečné zpracování temperováním.
Dále má způsob podle vynálezu tu výhodu, že množství výchozích složek PbO а M0O3 к násadě taveniny se mohou odchylovat o cca ± 1 7» od ekvimo lekulární ho poměru a je také možné používat suroviny s nižším stupněm Čistoty až do obsahu minimálně 99,9 °Á, aniž se nižší kvalita suroviny nepříznivě projevuje na kvalitě konečného produktu.
Úkolem vynálezu je uvést postup výroby bezbarvých monokrystalů РЬМоОд bez rušivých absorpčních pásů v oblasti odX= 400 až 4 000 nm, aniž by došlo ke zhoršení ostatních cenných vlastností, jako je optická homogennost a nepřítomnost pnutí.
Obzvláště je úkolem vynálezu pozměnit Czochralského metodu tak, aby možnost působení kyslíku na krystaly během růstu a/nebo během ochlazování byla snížena, popř. odstraněna.
S ohledem na vysoký tlak par PbMoO^ při teplotách nad 900 °C a s tím spojené ztráty odparem ve vakuu se způsob podle vynálezu řeší postupem výroby bezbarvých monokrystalů molybdenanu olovnatého РЪМоОд pro optické a akusticko-optické účely způsobem podle Czochralského, vyznačeným tím, že růst a/nebo ochlazování monokrystalů molybdenanu olovnatého se к zabránění vzniku zabarvení a odstranění absorpcí provádí v inertní atmosféře, například v dusíku, vzácných plynech.
Další znak způsobu podle vynálezu spočívá v tom,že tlak inertní atmosféry je v rozmezí 66,5 až 101,3 kPa.
Způsob podle vynálezu je dále vyznačen tím, že se ochlazování provádí bezprostředně po oddělení monokrystalů molybdenanu olovnatého od zbytku taveniny za regulace inertní atmosférou, kdy v průběhu jedné až pěti hodin se parciální tlak kyslíku v aparatuře pro růst krystalů odstraní řízeným vpouštěním inertního plynu,jako je například dusík nebo vzácné plyny.
Vynález bude blíže objasněn na následujících příkladech provedení. Na připojených obrázcích znázorňuje křivka 1 závislost absorpčního koeficientu K| krystalu PbMo04 /vyrobeného způsobem podle současného stavu techniky/ na vlnové délce lambda, křivka 2 závislost absorpčního koeficientu K2 krystalu РЬМоОд /vyrobeného způsobem podle vynálezu v souladu s příkladem 1 nebo 2/ na vlnové délce lambda, křivka 3 závislost snížení absorpčního koeficientu4 К na vlnové délce lambda při použití způsobu podle vynálezu ve srovnání se současným stavem techniky.
Příklad 1
V prvním technologickém kroku se z PbO a MoOn o čistotě 99,9 Z vyrobí v platinovém kelímku o průměru 35 mm a délce 70 mm, vybaveném zařízením pro kombinovaný ohřev, násada taveniny PbMoO^. V následující fázi růstu se z této taveniny PbMoO^ /b. t.
060 - 1 065 °C/ s pomocí krystalograficky orientovaného zárodečného krystalu РЬМоОд, rotujícího s poetem otáček 20 za minutu při zdvihu.4 mm za hodinu, vypěstuje v atmosféře dusíku nebo vzácného plynu při tlaku 66,5 až 101,3 kPa monokrystal РЬМоОд, který se oddělí od zbytku taveniny stejně, jako je popsáno v příkladu 2.
Po ochladnutí rychlostí 8 °C za hodinu mezí 1 060 °C a 900 °C, rychlostí 20 °C za hodinu mezi 900 °C a 700 °C a rychlostí 50 °C za hodinu mezi 700 °C a teplotou místnosti se připraví opticky homogenní, bezbarvý monokrystal РЬМоОд o průměru 25 mm a délce 60 mm.
Jestliže se zvolí rozměry platinového kelímku odpovídajícím způsobem větší /průměr 40 - 50 mm, délka 70 mm/, je možno připravit krystaly stejné kvality o průměru 30 35 mm a délce 60 - 70 mm.
Příklad 2
Stejně, jako je popsáno pro první technologický krok příkladu 1, se vyrobí násada taveniny РЬМоОд.
V následující fázi růstu se z této taveniny PbMoO^ /b. t. 1 Обо až 1 070 °C/ s pomocí krystalograficky orientovaného zárodečného krystalu РЬМоОд rotujícího s počtem otáček 30 o't./min. a při zdvihu 5mm/h vypěstuje v normální atmosféře monokrystaly PbMoO^.
Po oddělení krystalu od zbytku taveniny vyšší rychlostí zdvihu krystalu /např.
mm/hod/ a zvýšením teploty zbytku taveniny /např. o 30 °C/h/ se zároveň s počátkem ochlazování krystalu začne snižovat obsah kyslíku v atmosféře aparatury vpouštěním inertního plynu /např. dusík, vzácné plyny/ v průběhu 1 až 5 hodin podle velikosti aparatury a nastaveného počátečního množství plynu. Ochlazování v teplotním intervalu mezi 1 Обо až 900 °C se provádí rychlostí 10 °C/h mezi 900 až 700 C rychlostí 20 °C/h. Další ochlazení až na teplotu místnosti se provádí rychlostí asi 50 °C/h. Po celkem 50 hodinách se získá opticky homogenní, bezbarvý monokrystal PbMoO^ bez vnitřních pnutí o průměru 25 mm a délce 60 mm.
Jestliže se zvolí rozměry platinového kelímku odpovídajícím způsobem větší /průměr 50 až 60 mm, délka 70 mm/, mohou se vyrábět krystaly stejné kvality o průměru 30 až 40 mm a d’élce 50 až 60 mm.
Účinnost způsobu podle vynálezu, doloženého příklady 1 nebo 2, vyplývá z křivek závislosti absorpčních koeficientů na vlnové délce v oblasti od Λ = 400 až 600 nm, které jsou zobrazeny na příslušném obrázku.

Claims (2)

  1. PŘEDMĚT
    Způsob výroby bezbarvých monokrystalů molybdenanu olovnatého metodou podle Cznchralsréhn, vyznačený tím, že se růst monoOrystalu molybdenanu olovnatého a/nebo ochlazování vypěstovaného monoOrysSalu molybdenanu olovnatého provádí pod dusíkovou atmosférou nebo pod atmosférou vzácného plynu při tlaku v rozmezí 66,5 až 101,3 kPa, přičemž ochlazování se provádí bezprostředně po odděleni monoOkystalu molybdenanu
    VYNÁLEZU olovnatého od zbytku taveoioy pod dusíkovou atmosférou nebo pod atm^^ífému vzácného plynu, přičemž se v průběhu 1 až 5 hodin odstraní. parciální tlak kyslíku říeeným vpouštěním dusíku nebo vzácného plynu.
  2. 2. Způsob podle bodu 1, vyznačený tím, že se pěstování mooonrystalů m^l-ybdenanu olovnatého provádí pod dusíkovou atmosférou nebo pod atmosférou vzácného plynu při tlaku v rozmezí 66,5 až 101,3 -kPa.
CS266978A 1977-04-29 1978-04-25 Method of making the colourless monocrystals of the plumbate molybdate CS209657B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD19865277A DD141396A3 (de) 1977-04-29 1977-04-29 Verfahren zur herstellung farbloser bleimolybdat-einkristalle

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS209657B1 true CS209657B1 (en) 1981-12-31

Family

ID=5508176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS266978A CS209657B1 (en) 1977-04-29 1978-04-25 Method of making the colourless monocrystals of the plumbate molybdate

Country Status (3)

Country Link
CS (1) CS209657B1 (cs)
DD (1) DD141396A3 (cs)
SU (1) SU953018A1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
DD141396A3 (de) 1980-04-30
SU953018A1 (ru) 1982-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112011101177T5 (de) Verfahren zum Fertigen eines Halbleiter-Einkristalls
EP0635588B1 (en) Improved method for growing silicon crystal
CN110079861B (zh) 磷酸钇锶晶体及其制备方法与应用
CS209657B1 (en) Method of making the colourless monocrystals of the plumbate molybdate
US4481044A (en) High-temperature Hg anneal for HgCdTe
KR20230063864A (ko) 바람직한 결정학적 배향을 갖는 사파이어 단결정과 함께 단결정질 사파이어 시드를 제조하는 방법, 및 시계제조 및 쥬얼리를 위한 외부 부품 및 기능 컴포넌트들
EP0355833B1 (en) Method of producing compound semiconductor single crystal
US5007979A (en) Method of fabricating GaAs single crystal
US4728388A (en) Process for producing a monocrystal of a compound by crystallizing a polycrystal of said compound by transferring a solvent zone
RU2189405C1 (ru) Способ получения монокристаллов соединения liins2
KR102807522B1 (ko) 도핑된 펠릿을 이용한 단결정 제조 방법 및 단결정
JPH07101800A (ja) 1−lll−VI2 族化合物単結晶の製造方法
CS199432B1 (cs) Způsob temperování monokrystalu. molybdenanu ' olovnatého
US4249987A (en) Method of growing large Pb1-x -Snx -Te single crystals where 0<X<1
JP3021937B2 (ja) カドミウムマンガンテルル単結晶の製造方法
RU2128734C1 (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАЛИЙ ТИТАНИЛ АРСЕНАТА KTiOAsO4
JPH01215799A (ja) 半絶縁性GaAs化合物半導体単結晶及びその製造方法
RU2061109C1 (ru) Способ получения монокристаллов селеногаллата серебра
RU2126853C1 (ru) Способ термообработки монокристаллов лантангаллиевого силиката
US3947548A (en) Process of growing single crystals of gallium phosphide
JPS63206395A (ja) GaAs単結晶の成長方法
JP2507997B2 (ja) 単結晶育成方法
DE1280232B (de) Verfahren zur Herstellung von hochreinen, hexagonalen Halbleitermaterialien aus Cadmiumselenid, -sulfoselenid und Zinksulfid
JPH10212200A (ja) 半絶縁性GaAs単結晶の製造方法
JPS62197399A (ja) 化合物単結晶の成長方法