CS206603B1 - Device for heat influence compensation in the adjusting and illuminating apparatus - Google Patents
Device for heat influence compensation in the adjusting and illuminating apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- CS206603B1 CS206603B1 CS775407A CS540777A CS206603B1 CS 206603 B1 CS206603 B1 CS 206603B1 CS 775407 A CS775407 A CS 775407A CS 540777 A CS540777 A CS 540777A CS 206603 B1 CS206603 B1 CS 206603B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- thermostat
- template
- nozzle
- adjusting
- stencil
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B17/00—Details of cameras or camera bodies; Accessories therefor
- G03B17/55—Details of cameras or camera bodies; Accessories therefor with provision for heating or cooling, e.g. in aircraft
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Public Health (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
Vynález se týká zařízení pro kompensaci působení tepla na šablonu a substrát v seřizovacím .a osvětlovacím zařízení, které je vyvoláváno osvětlením a okolní teplotou.
Stály rozvoj mikroelektroniky k vyšším stupňům integrace, a tím k menším strukturám, klade stále větší požadavky na výrobní zařízení ve fotolítografii; Aby bylo možno dosáhnout těchto struktur o velikosti ž 1 μτα, jsou například pro systém šablona — substrát nutné přesnosti překrývání řádově á 0,1 ^m. Pro průměry polovodičových kotoučů do 100 mm je již nutno očekávat, vzhledem k . různým tepelným roztahováním šablony a substrátu, nerovnoměrnost překrývání. Obtíže vzhledem k dosažení přesnosti překrývání v celém rozsahu průměru jsou dány vzhledem k rozdílným teplotním změnám délky substrátu a šablony jako přímý ' .následek vyzářené .energie při osvícení a následkem různých prostorových teplot.
Pro zmenšení vyzařování tepelné energie, při -osvětlování je u známých fotolitografických zařízení užíváno filtrů, chránících před teplem. Avša'k při užití takových filtrů je následkem snížení intenzity v oblasti užitečného spektra nutné prodloužení doby osvícení, což vede ke snížení produikivity seřizovacího a . osvětlovacího zařízení. Kromě toho nemůže být . filtry snížen vliv teploty prostředí.
Cíl vynálezu spočívá v zaručení rovnoměrnosti překrývání, způsobem, odpovídajícím udané přesnosti překrývání, pro systém šablona — substrát v každém bodě oblasti průměru polovodičového kotouče.
Výše uvedené nevýhody nemá zařízení pro kompenzaci tepla u seřizovačích a osvětlovacích zařízení podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že zahrnuje nosič substrátu, spojený s termostatem, a alespoň jednu trysku pro ofukování šablony proudem ' plynu řízeným termostatem. U výhodného provedení vynálezu je nosič substrátu prostřednictvím kapalinového oběžného systému v účinném spojení s termostatem, a tryska je uspořádána koncentricky vzhledem ke středu šablony.
Dále jek trysce připojen systém pro přívod plynu, sestávající z měřícího čidla, řídicího přístroje, akčního členu, výměník tepla a přídavný termostat. Závěrka ' osvitu, uspořádaná v . dráze . paprsků osvětlovacího . zařízení, může být s výhodou spojena· s řídícím přístrojem, za účelem regulace požadované teploty proudu plynu prostřednictvím vysílání signálů v závislosti . na době svého otevření pomocí řídícího přístroje.
Pomocí zařízení podle vynálezu je tedy možná eliminace vlivu rozdílných změn délky substrátu a šablony,
Vynález je blíže vysvětlen . na příkladu pro2 vedení zobrazeném na přiloženém výkresu.
Ze schematického znázornění vyplývá, že systému, tvořenému substrátem 1 a šablonou 3, je ve styku se spodní stranou substrátu 1 přiřazen nosič 2 substrátu, spojený s termostatem. Na horní straně šablony 3, koncentricky vzhledem к jejímu středu, se nachází tryska 4 pro ofukování šablony 3 proudem 14 plynu ovládaným termostatem, který je směrován v radiálním směru z vnějšku směrem dovnitř, na povrch šablony 3. Mezi substrátem 1 a šablonou 3 může, jak je znázorněno na výkrese, existovat jak paralelní vzdálenost, tak i bezprostřední styk obou částí. Regulace teploty nosiče 2 substrátu je prováděno termostatem 5, který je prostřednictvím kapalinového cirkulačního systému 15 účinně spojen s nosičem 2 substrátu 2. К trysce 4 je připoj en systém 10 pro přívod plynu, tvořený měřicím čidlem 6, řídicím členem 7 a akčním členem 8, tomuto, systému je. dále přiřazen výměník tepla 11 s přídavným termostatem 9. Měřící čidlo 6 může být však také uspořádáno v trysce 4, jak je znázorněno na výkrese, nebo bezprostředně na šabloně 3.
Při menších požadavcích na přesnost je možné spojit výměník tepla 11 s termostatem 5. U takto zjednodušeného provedení mohou řídicí člen 7 a akční člen 8 odpadnout. Proud plynu 14 nabývá potom přibližně požadované teploty. Závěrky osvitu 13 uspořádané v dráze papnsků 12, je užito к vysílání signálů pro řídicí člen 7, takže v závislosti na době jejího otevření může být regulována požadovaná teplota proudu plynu 14. Zvýšení teploty šablony 3, к němuž dochází během osvětlování, může být zmírněno tím, že je šablona 3 občas -otfukována proiudem plynu 14, jehož teplota je nižší než požadovaná teplota.
Claims (5)
1. Zařízení pro kompenzaci působení tepla v seřizovacím a osvětlovacím zařízení, vyznačené tím, že zahrnuje nosič (2) substrátu, spojený s termostatem, a alespoň jednu trysku (4) pro ofukování šablony (3) proudem plynu tepelně regulovatelným termostatem.
2. Zařízení podle' bodu 1, vyznačené tím, že zahrnuje kapalinový cirkulační systém (15), který je spojen s termostatem (5) a nosičem (2) substrátu.
3. Zařízení podle bodu 1 nebo 2, vyznačené tím, že tryska (4) je uspořádána koncentricky vzhledem ke středu šablony (3).
4. Zařízení podle bodu 1, vyznačené tím, že zahrnuje systém (10) pro přívod plynu к trysce (4), měřicí čidlo (6), řídicí člen (7), akční člen (8) a výměník tepla (11) s termostatem (9).
5. Zařízení podle bodu 1, vyznačené tím, že závěrka (13) osvitu, uspořádaná v dráze paprsků osvětlovacího zařízení, je spojena s řídicím členem (7).
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD19435876A DD127137B1 (de) | 1976-08-17 | 1976-08-17 | Vorrichtung zum kompensieren der waermeeinwirkung an justier- und belichtungseinrichtungen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS206603B1 true CS206603B1 (en) | 1981-06-30 |
Family
ID=5505450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS775407A CS206603B1 (en) | 1976-08-17 | 1977-08-17 | Device for heat influence compensation in the adjusting and illuminating apparatus |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS206603B1 (cs) |
| DD (1) | DD127137B1 (cs) |
| DE (1) | DE2735043A1 (cs) |
| FR (1) | FR2362419A1 (cs) |
| GB (1) | GB1534450A (cs) |
| SU (1) | SU664245A1 (cs) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1578259A (en) * | 1977-05-11 | 1980-11-05 | Philips Electronic Associated | Methods of manufacturing solid-state devices apparatus for use therein and devices manufactured thereby |
| DE2922642C2 (de) * | 1979-06-02 | 1981-10-01 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zum Herstellen von Platten für den Aufbau von Trenndüsenelementen |
| DD150263A1 (de) * | 1980-05-02 | 1981-08-19 | Schneider Hans Joachim | Temperiervorrichtung,insbesondere fuer lithografische geraete |
| US4391034A (en) * | 1980-12-22 | 1983-07-05 | Ibm Corporation | Thermally compensated shadow mask |
| JPS57169244A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Canon Inc | Temperature controller for mask and wafer |
| DD160756A3 (de) * | 1981-04-24 | 1984-02-29 | Gudrun Dietz | Anordnung zur verbesserung fotochemischer umsetzungsprozesse in fotoresistschichten |
| DE3306999A1 (de) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Censor Patent Versuch | Einrichtung zum festhalten eines werkstueckes |
| US4864356A (en) * | 1987-04-21 | 1989-09-05 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Exposure device for image recording apparatus |
| KR910002215A (ko) * | 1988-06-27 | 1991-01-31 | 하라 레이노스께 | 영상 형성 장치 및 방법 |
| DE68921687T2 (de) * | 1988-09-02 | 1995-08-03 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Belichtungseinrichtung. |
| JPH0276212A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-15 | Canon Inc | 多重露光方法 |
| JP2731950B2 (ja) * | 1989-07-13 | 1998-03-25 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
| IT1235478B (it) * | 1989-09-26 | 1992-08-19 | Achille Fiorentini | Dorso con elementi riscaldanti per pellicola a sviluppo immediato. |
| EP0422814B1 (en) * | 1989-10-02 | 1999-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| DE29704681U1 (de) * | 1997-03-14 | 1998-07-16 | Wündsch, Dieter, 50259 Pulheim | Kühlvorrichtung für Filmprojektoren |
| EP2765595B1 (en) | 2004-02-04 | 2016-12-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device |
-
1976
- 1976-08-17 DD DD19435876A patent/DD127137B1/xx unknown
-
1977
- 1977-08-03 DE DE19772735043 patent/DE2735043A1/de not_active Withdrawn
- 1977-08-16 GB GB34360/77A patent/GB1534450A/en not_active Expired
- 1977-08-16 SU SU772510857A patent/SU664245A1/ru active
- 1977-08-17 FR FR7725193A patent/FR2362419A1/fr active Granted
- 1977-08-17 CS CS775407A patent/CS206603B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SU664245A1 (ru) | 1979-05-25 |
| FR2362419A1 (fr) | 1978-03-17 |
| DD127137B1 (de) | 1979-11-28 |
| DE2735043A1 (de) | 1978-02-23 |
| DD127137A1 (de) | 1977-09-07 |
| GB1534450A (en) | 1978-12-06 |
| FR2362419B3 (cs) | 1980-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CS206603B1 (en) | Device for heat influence compensation in the adjusting and illuminating apparatus | |
| US5864386A (en) | Exposure apparatus | |
| JP2004039696A5 (cs) | ||
| KR900007900B1 (ko) | X선 전사 장치 | |
| KR970022572A (ko) | 투영노광장치 | |
| KR970018130A (ko) | 온도제어장치 및 주사형 노광장치 | |
| KR960024693A (ko) | 노광 장치 | |
| US12436361B2 (en) | Projection exposure apparatus for semiconductor lithography | |
| JPH09270384A (ja) | 温度制御装置及び露光装置 | |
| US20220260924A1 (en) | Projection exposure apparatus for semiconductor lithography | |
| JP2004304145A (ja) | 露光装置 | |
| JP2013502063A (ja) | マスクの大きさを一定に維持するための方法および装置 | |
| TWI734323B (zh) | 一種光罩冷卻裝置及光刻設備 | |
| JPH10284390A (ja) | 反射鏡の形状制御装置、形状制御方法及び露光装置 | |
| US20030203295A1 (en) | Pre-alignment system of exposure apparatus having wafer cooling means and exposure method using the same | |
| KR102757727B1 (ko) | 열판의 냉각 방법 및 가열 처리 장치 | |
| JPH11135429A (ja) | 温度制御方法及び該方法を使用する露光装置 | |
| JP5460197B2 (ja) | デバイス製造装置およびデバイス製造方法 | |
| JP4689308B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| KR200234113Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 냉각유니트 | |
| JPH02302757A (ja) | 冷却機能付ペリクル | |
| JPH0626177B2 (ja) | 露光装置における焼枠の冷却方法およびその冷却装置 | |
| JPH11312632A (ja) | 温度制御装置および露光装置 | |
| JPH0821911A (ja) | 露光方法 | |
| JPH10125592A5 (ja) | 温度制御装置 |