CS206603B1 - Device for heat influence compensation in the adjusting and illuminating apparatus - Google Patents

Device for heat influence compensation in the adjusting and illuminating apparatus Download PDF

Info

Publication number
CS206603B1
CS206603B1 CS775407A CS540777A CS206603B1 CS 206603 B1 CS206603 B1 CS 206603B1 CS 775407 A CS775407 A CS 775407A CS 540777 A CS540777 A CS 540777A CS 206603 B1 CS206603 B1 CS 206603B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
thermostat
template
nozzle
adjusting
stencil
Prior art date
Application number
CS775407A
Other languages
English (en)
Inventor
Siegard Landgraf
Ulf Weber
Michael Stapf
Martin Wenzel
Michael Heyne
Original Assignee
Siegard Landgraf
Ulf Weber
Michael Stapf
Martin Wenzel
Michael Heyne
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siegard Landgraf, Ulf Weber, Michael Stapf, Martin Wenzel, Michael Heyne filed Critical Siegard Landgraf
Publication of CS206603B1 publication Critical patent/CS206603B1/cs

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B17/00Details of cameras or camera bodies; Accessories therefor
    • G03B17/55Details of cameras or camera bodies; Accessories therefor with provision for heating or cooling, e.g. in aircraft
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

Vynález se týká zařízení pro kompensaci působení tepla na šablonu a substrát v seřizovacím .a osvětlovacím zařízení, které je vyvoláváno osvětlením a okolní teplotou.
Stály rozvoj mikroelektroniky k vyšším stupňům integrace, a tím k menším strukturám, klade stále větší požadavky na výrobní zařízení ve fotolítografii; Aby bylo možno dosáhnout těchto struktur o velikosti ž 1 μτα, jsou například pro systém šablona — substrát nutné přesnosti překrývání řádově á 0,1 ^m. Pro průměry polovodičových kotoučů do 100 mm je již nutno očekávat, vzhledem k . různým tepelným roztahováním šablony a substrátu, nerovnoměrnost překrývání. Obtíže vzhledem k dosažení přesnosti překrývání v celém rozsahu průměru jsou dány vzhledem k rozdílným teplotním změnám délky substrátu a šablony jako přímý ' .následek vyzářené .energie při osvícení a následkem různých prostorových teplot.
Pro zmenšení vyzařování tepelné energie, při -osvětlování je u známých fotolitografických zařízení užíváno filtrů, chránících před teplem. Avša'k při užití takových filtrů je následkem snížení intenzity v oblasti užitečného spektra nutné prodloužení doby osvícení, což vede ke snížení produikivity seřizovacího a . osvětlovacího zařízení. Kromě toho nemůže být . filtry snížen vliv teploty prostředí.
Cíl vynálezu spočívá v zaručení rovnoměrnosti překrývání, způsobem, odpovídajícím udané přesnosti překrývání, pro systém šablona — substrát v každém bodě oblasti průměru polovodičového kotouče.
Výše uvedené nevýhody nemá zařízení pro kompenzaci tepla u seřizovačích a osvětlovacích zařízení podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že zahrnuje nosič substrátu, spojený s termostatem, a alespoň jednu trysku pro ofukování šablony proudem ' plynu řízeným termostatem. U výhodného provedení vynálezu je nosič substrátu prostřednictvím kapalinového oběžného systému v účinném spojení s termostatem, a tryska je uspořádána koncentricky vzhledem ke středu šablony.
Dále jek trysce připojen systém pro přívod plynu, sestávající z měřícího čidla, řídicího přístroje, akčního členu, výměník tepla a přídavný termostat. Závěrka ' osvitu, uspořádaná v . dráze . paprsků osvětlovacího . zařízení, může být s výhodou spojena· s řídícím přístrojem, za účelem regulace požadované teploty proudu plynu prostřednictvím vysílání signálů v závislosti . na době svého otevření pomocí řídícího přístroje.
Pomocí zařízení podle vynálezu je tedy možná eliminace vlivu rozdílných změn délky substrátu a šablony,
Vynález je blíže vysvětlen . na příkladu pro2 vedení zobrazeném na přiloženém výkresu.
Ze schematického znázornění vyplývá, že systému, tvořenému substrátem 1 a šablonou 3, je ve styku se spodní stranou substrátu 1 přiřazen nosič 2 substrátu, spojený s termostatem. Na horní straně šablony 3, koncentricky vzhledem к jejímu středu, se nachází tryska 4 pro ofukování šablony 3 proudem 14 plynu ovládaným termostatem, který je směrován v radiálním směru z vnějšku směrem dovnitř, na povrch šablony 3. Mezi substrátem 1 a šablonou 3 může, jak je znázorněno na výkrese, existovat jak paralelní vzdálenost, tak i bezprostřední styk obou částí. Regulace teploty nosiče 2 substrátu je prováděno termostatem 5, který je prostřednictvím kapalinového cirkulačního systému 15 účinně spojen s nosičem 2 substrátu 2. К trysce 4 je připoj en systém 10 pro přívod plynu, tvořený měřicím čidlem 6, řídicím členem 7 a akčním členem 8, tomuto, systému je. dále přiřazen výměník tepla 11 s přídavným termostatem 9. Měřící čidlo 6 může být však také uspořádáno v trysce 4, jak je znázorněno na výkrese, nebo bezprostředně na šabloně 3.
Při menších požadavcích na přesnost je možné spojit výměník tepla 11 s termostatem 5. U takto zjednodušeného provedení mohou řídicí člen 7 a akční člen 8 odpadnout. Proud plynu 14 nabývá potom přibližně požadované teploty. Závěrky osvitu 13 uspořádané v dráze papnsků 12, je užito к vysílání signálů pro řídicí člen 7, takže v závislosti na době jejího otevření může být regulována požadovaná teplota proudu plynu 14. Zvýšení teploty šablony 3, к němuž dochází během osvětlování, může být zmírněno tím, že je šablona 3 občas -otfukována proiudem plynu 14, jehož teplota je nižší než požadovaná teplota.

Claims (5)

1. Zařízení pro kompenzaci působení tepla v seřizovacím a osvětlovacím zařízení, vyznačené tím, že zahrnuje nosič (2) substrátu, spojený s termostatem, a alespoň jednu trysku (4) pro ofukování šablony (3) proudem plynu tepelně regulovatelným termostatem.
2. Zařízení podle' bodu 1, vyznačené tím, že zahrnuje kapalinový cirkulační systém (15), který je spojen s termostatem (5) a nosičem (2) substrátu.
3. Zařízení podle bodu 1 nebo 2, vyznačené tím, že tryska (4) je uspořádána koncentricky vzhledem ke středu šablony (3).
4. Zařízení podle bodu 1, vyznačené tím, že zahrnuje systém (10) pro přívod plynu к trysce (4), měřicí čidlo (6), řídicí člen (7), akční člen (8) a výměník tepla (11) s termostatem (9).
5. Zařízení podle bodu 1, vyznačené tím, že závěrka (13) osvitu, uspořádaná v dráze paprsků osvětlovacího zařízení, je spojena s řídicím členem (7).
CS775407A 1976-08-17 1977-08-17 Device for heat influence compensation in the adjusting and illuminating apparatus CS206603B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD19435876A DD127137B1 (de) 1976-08-17 1976-08-17 Vorrichtung zum kompensieren der waermeeinwirkung an justier- und belichtungseinrichtungen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS206603B1 true CS206603B1 (en) 1981-06-30

Family

ID=5505450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS775407A CS206603B1 (en) 1976-08-17 1977-08-17 Device for heat influence compensation in the adjusting and illuminating apparatus

Country Status (6)

Country Link
CS (1) CS206603B1 (cs)
DD (1) DD127137B1 (cs)
DE (1) DE2735043A1 (cs)
FR (1) FR2362419A1 (cs)
GB (1) GB1534450A (cs)
SU (1) SU664245A1 (cs)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1578259A (en) * 1977-05-11 1980-11-05 Philips Electronic Associated Methods of manufacturing solid-state devices apparatus for use therein and devices manufactured thereby
DE2922642C2 (de) * 1979-06-02 1981-10-01 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zum Herstellen von Platten für den Aufbau von Trenndüsenelementen
DD150263A1 (de) * 1980-05-02 1981-08-19 Schneider Hans Joachim Temperiervorrichtung,insbesondere fuer lithografische geraete
US4391034A (en) * 1980-12-22 1983-07-05 Ibm Corporation Thermally compensated shadow mask
JPS57169244A (en) * 1981-04-13 1982-10-18 Canon Inc Temperature controller for mask and wafer
DD160756A3 (de) * 1981-04-24 1984-02-29 Gudrun Dietz Anordnung zur verbesserung fotochemischer umsetzungsprozesse in fotoresistschichten
DE3306999A1 (de) * 1982-03-31 1983-10-06 Censor Patent Versuch Einrichtung zum festhalten eines werkstueckes
US4864356A (en) * 1987-04-21 1989-09-05 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Exposure device for image recording apparatus
KR910002215A (ko) * 1988-06-27 1991-01-31 하라 레이노스께 영상 형성 장치 및 방법
DE68921687T2 (de) * 1988-09-02 1995-08-03 Canon K.K., Tokio/Tokyo Belichtungseinrichtung.
JPH0276212A (ja) * 1988-09-13 1990-03-15 Canon Inc 多重露光方法
JP2731950B2 (ja) * 1989-07-13 1998-03-25 キヤノン株式会社 露光方法
IT1235478B (it) * 1989-09-26 1992-08-19 Achille Fiorentini Dorso con elementi riscaldanti per pellicola a sviluppo immediato.
EP0422814B1 (en) * 1989-10-02 1999-03-17 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
DE29704681U1 (de) * 1997-03-14 1998-07-16 Wündsch, Dieter, 50259 Pulheim Kühlvorrichtung für Filmprojektoren
EP2765595B1 (en) 2004-02-04 2016-12-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device

Also Published As

Publication number Publication date
SU664245A1 (ru) 1979-05-25
FR2362419A1 (fr) 1978-03-17
DD127137B1 (de) 1979-11-28
DE2735043A1 (de) 1978-02-23
DD127137A1 (de) 1977-09-07
GB1534450A (en) 1978-12-06
FR2362419B3 (cs) 1980-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CS206603B1 (en) Device for heat influence compensation in the adjusting and illuminating apparatus
US5864386A (en) Exposure apparatus
JP2004039696A5 (cs)
KR900007900B1 (ko) X선 전사 장치
KR970022572A (ko) 투영노광장치
KR970018130A (ko) 온도제어장치 및 주사형 노광장치
KR960024693A (ko) 노광 장치
US12436361B2 (en) Projection exposure apparatus for semiconductor lithography
JPH09270384A (ja) 温度制御装置及び露光装置
US20220260924A1 (en) Projection exposure apparatus for semiconductor lithography
JP2004304145A (ja) 露光装置
JP2013502063A (ja) マスクの大きさを一定に維持するための方法および装置
TWI734323B (zh) 一種光罩冷卻裝置及光刻設備
JPH10284390A (ja) 反射鏡の形状制御装置、形状制御方法及び露光装置
US20030203295A1 (en) Pre-alignment system of exposure apparatus having wafer cooling means and exposure method using the same
KR102757727B1 (ko) 열판의 냉각 방법 및 가열 처리 장치
JPH11135429A (ja) 温度制御方法及び該方法を使用する露光装置
JP5460197B2 (ja) デバイス製造装置およびデバイス製造方法
JP4689308B2 (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
KR200234113Y1 (ko) 반도체 웨이퍼의 냉각유니트
JPH02302757A (ja) 冷却機能付ペリクル
JPH0626177B2 (ja) 露光装置における焼枠の冷却方法およびその冷却装置
JPH11312632A (ja) 温度制御装置および露光装置
JPH0821911A (ja) 露光方法
JPH10125592A5 (ja) 温度制御装置