JPH02302757A - 冷却機能付ペリクル - Google Patents
冷却機能付ペリクルInfo
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- JPH02302757A JPH02302757A JP1125151A JP12515189A JPH02302757A JP H02302757 A JPH02302757 A JP H02302757A JP 1125151 A JP1125151 A JP 1125151A JP 12515189 A JP12515189 A JP 12515189A JP H02302757 A JPH02302757 A JP H02302757A
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- cooling water
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Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910000737 Duralumin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
レチクルの表面に異物が付着するのを防止するペリクル
の構造の改良に関し、 ペリクルのペリクルフレームが熱膨張し、ペリクル膜が
傾斜するのを防止することが可能な冷却機能付ペリクル
の提供を目的とし、 ペリクル膜を接着したペリクルフレームをレチクルに貼
り付け、前記レチクルの表面に異物が付着するのを防止
するペリクルにおいて、前記ペリクルフレームの内部に
、両端に冷却水供給口と冷却水排出口とを備えた冷却水
流路を具備するよう構成する。
の構造の改良に関し、 ペリクルのペリクルフレームが熱膨張し、ペリクル膜が
傾斜するのを防止することが可能な冷却機能付ペリクル
の提供を目的とし、 ペリクル膜を接着したペリクルフレームをレチクルに貼
り付け、前記レチクルの表面に異物が付着するのを防止
するペリクルにおいて、前記ペリクルフレームの内部に
、両端に冷却水供給口と冷却水排出口とを備えた冷却水
流路を具備するよう構成する。
本発明は、レチクルの表面に異物が付着するのを防止す
るペリクルの構造の改良に関するものである。
るペリクルの構造の改良に関するものである。
半導体装置の製造工程のフォト工程における棺先に用い
る連続縮小露光装置(以下、ステッパと称する。)にお
いては、光源から放射される光線がペリクル膜及びレチ
クルを透過し、縮小レンズにより縮小されて半導体ウェ
ーハの表面に形成されたレジスト膜に照射されるが、長
時間にわたって連続して使用すると、レチクル及びペリ
クルフレームの温度が上昇し、ペリクルフレームが熱膨
張するので、ペリクル膜に加えられていた引っ張り力が
なくなり、露光の精度を低下させる障害が発生しており
、高精度が要求される超高集積度の半導体装置の製造工
程において問題となっている。
る連続縮小露光装置(以下、ステッパと称する。)にお
いては、光源から放射される光線がペリクル膜及びレチ
クルを透過し、縮小レンズにより縮小されて半導体ウェ
ーハの表面に形成されたレジスト膜に照射されるが、長
時間にわたって連続して使用すると、レチクル及びペリ
クルフレームの温度が上昇し、ペリクルフレームが熱膨
張するので、ペリクル膜に加えられていた引っ張り力が
なくなり、露光の精度を低下させる障害が発生しており
、高精度が要求される超高集積度の半導体装置の製造工
程において問題となっている。
以上のような状況から、超高集積度の半導体装置の製造
工程において用いることが可能な、ペリクル膜の引っ張
り力に変化が起こらないペリクルが要望されている。
工程において用いることが可能な、ペリクル膜の引っ張
り力に変化が起こらないペリクルが要望されている。
従来のペリクルについて第2図〜第4図により説明する
。
。
第3図は従来のペリクルを示す図である。
図に示すように、ペリクル11はペリクル膜11aに引
っ張り力を加えながらペリクルフレームllbに接着剤
によりペリクル膜11aを貼り付け、ペリクル膜11a
を貼付した面の反対側に接着剤11cを形成したもので
ある。
っ張り力を加えながらペリクルフレームllbに接着剤
によりペリクル膜11aを貼り付け、ペリクル膜11a
を貼付した面の反対側に接着剤11cを形成したもので
ある。
第2図はステッパの概略構成を示す図である。
第3図に示すようなペリクルを、通常はレチクル3の両
面にペリクル11の接着剤によりペリクル11を貼付し
たペリクル付のレチクル3をステッパに装着し、光源4
から放射された光線4aをこのペリクル付のレチクル3
を透過させ、縮小レンズ5によりレチクル3を透過した
光線4aを縮小して半導体ウェーハ6の表面に形成した
レジスト膜7に照射している。
面にペリクル11の接着剤によりペリクル11を貼付し
たペリクル付のレチクル3をステッパに装着し、光源4
から放射された光線4aをこのペリクル付のレチクル3
を透過させ、縮小レンズ5によりレチクル3を透過した
光線4aを縮小して半導体ウェーハ6の表面に形成した
レジスト膜7に照射している。
このような状態で長時間にわたってステッパを使用する
と、光線4aによりペリクル及びレチクルが加熱される
ようになり、ジュラルミンからなるペリクルフレームが
熱膨張し、そのためにペリクル膜に加わっていた引っ張
り力が小さくなり、第4図(alに示すようにペリクル
膜1aの中央部が下方にたれるようになる。
と、光線4aによりペリクル及びレチクルが加熱される
ようになり、ジュラルミンからなるペリクルフレームが
熱膨張し、そのためにペリクル膜に加わっていた引っ張
り力が小さくなり、第4図(alに示すようにペリクル
膜1aの中央部が下方にたれるようになる。
以上説明した従来のペリクルにおいては、ペリクル付レ
チクルをステッパで長時間にわたって連続して使用する
と、第4図(8)に示すように光線によってペリクルフ
レームllbが加熱され、そのためにペリクルフレーム
Ilbが熱膨張し、ペリクルフレームllbに貼り付け
たペリクル膜11aに加えられていた引っ張り力が小さ
くなり、ペリクル膜11aの中央部が下方にたれるよう
になり、光線に対して垂直であったペリクル膜11aが
傾斜するようになる。
チクルをステッパで長時間にわたって連続して使用する
と、第4図(8)に示すように光線によってペリクルフ
レームllbが加熱され、そのためにペリクルフレーム
Ilbが熱膨張し、ペリクルフレームllbに貼り付け
たペリクル膜11aに加えられていた引っ張り力が小さ
くなり、ペリクル膜11aの中央部が下方にたれるよう
になり、光線に対して垂直であったペリクル膜11aが
傾斜するようになる。
このように光線4aに対してペリクル膜11aが傾斜す
ると、第4図(b)に示すようにペリクル膜11aの傾
斜に伴って像シフトが生じ、図に示すようにレチクル3
のA点のパターンが半導体ウェーハ6の表面ではこの像
シフトの距離だけずれてBの位置に照射されるようにな
るから、傾斜の度合が大きな周辺部程この像シフトが太
き(なり、レチクル3のパターンが半導体ウェーハに高
精度に照射されなくなるという問題点があった。
ると、第4図(b)に示すようにペリクル膜11aの傾
斜に伴って像シフトが生じ、図に示すようにレチクル3
のA点のパターンが半導体ウェーハ6の表面ではこの像
シフトの距離だけずれてBの位置に照射されるようにな
るから、傾斜の度合が大きな周辺部程この像シフトが太
き(なり、レチクル3のパターンが半導体ウェーハに高
精度に照射されなくなるという問題点があった。
本発明は以上のような状況から、ペリクルのペリクルフ
レームが熱膨張し、ペリクル膜が傾斜するのを防止する
ことが可能な冷却機能付ペリクルの提供を目的としたも
のである。
レームが熱膨張し、ペリクル膜が傾斜するのを防止する
ことが可能な冷却機能付ペリクルの提供を目的としたも
のである。
本発明の冷却機能付ペリクルは、ペリクル膜を接着剤に
より接着したペリクルフレームを、接着剤を用いてレチ
クルに貼り付け、前記レチクルの表面に異物が付着する
のを防止するペリクルにおいて、前記ペリクルフレーム
の内部に、両端に冷却水供給口と冷却水排出口とを備え
た冷却水流路を具備するよう構成する。
より接着したペリクルフレームを、接着剤を用いてレチ
クルに貼り付け、前記レチクルの表面に異物が付着する
のを防止するペリクルにおいて、前記ペリクルフレーム
の内部に、両端に冷却水供給口と冷却水排出口とを備え
た冷却水流路を具備するよう構成する。
即ち本発明においては、ペリクルのペリクルフレームの
内部に冷却水流路を設け、これに接続す ゛る冷却水供
給口及び冷却水排出口を設け、冷却水供給口から冷却水
を供給し、冷却水排出口から冷却水を排出するから、ペ
リクルフレームの温度を常に冷却水の温度と同じに維持
し、ペリクルフレームの熱膨張を防止することが可能と
なる。
内部に冷却水流路を設け、これに接続す ゛る冷却水供
給口及び冷却水排出口を設け、冷却水供給口から冷却水
を供給し、冷却水排出口から冷却水を排出するから、ペ
リクルフレームの温度を常に冷却水の温度と同じに維持
し、ペリクルフレームの熱膨張を防止することが可能と
なる。
したがってペリクル膜に加えられている引っ張り力が変
化するのを防止し、常にステッパの光線がペリクル膜に
対して垂直に照射されるようにすることが可能となるの
で、レチクルのパターンを高精度で半導体ウェーへの表
面に転写することが可能となる。
化するのを防止し、常にステッパの光線がペリクル膜に
対して垂直に照射されるようにすることが可能となるの
で、レチクルのパターンを高精度で半導体ウェーへの表
面に転写することが可能となる。
以下第1図〜第2図により本発明による一実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明による一実施例の冷却機能付ペリクルを
示す図である。
示す図である。
ペリクル1は第1図(a)に示すように、ペリクル膜1
aに引っ張り力を加えながらペリクルフレームlbに接
着剤によりペリクル膜1aを貼り付け、ペリクル膜1a
を貼付した面の反対側に接着剤ICを形成したものであ
る。
aに引っ張り力を加えながらペリクルフレームlbに接
着剤によりペリクル膜1aを貼り付け、ペリクル膜1a
を貼付した面の反対側に接着剤ICを形成したものであ
る。
ペリクルフレームlbの内部には第1図(al及び(b
lに示すように、冷却水流路2が設けられており、その
両端はそれぞれ図示のように冷却水供給口2a及び冷却
水排出口2bに接続されている。
lに示すように、冷却水流路2が設けられており、その
両端はそれぞれ図示のように冷却水供給口2a及び冷却
水排出口2bに接続されている。
このようなペリクル付レチクル3を第2図に示すステッ
パに装着して長時間にわたってステッパを使用すると、
光線4aによりペリクル及びレチクルが加熱されるが、
ペリクルフレーム1bの内部の冷却水流路2には常に一
定の温度、例えば12℃程度の冷却水が流れているので
、ペリクルフレーム1bが熱膨張しない。したがってペ
リクル膜1aには製造時に加えた引っ張り力が常に働い
ておりステッパの照射光に対して垂直状態が維持される
ので、ペリクル膜1aの傾斜による像シフトが生じない
から、レチクル3のパターンを半導体ウェーハ6の表面
に高精度で照射することが可能となる。
パに装着して長時間にわたってステッパを使用すると、
光線4aによりペリクル及びレチクルが加熱されるが、
ペリクルフレーム1bの内部の冷却水流路2には常に一
定の温度、例えば12℃程度の冷却水が流れているので
、ペリクルフレーム1bが熱膨張しない。したがってペ
リクル膜1aには製造時に加えた引っ張り力が常に働い
ておりステッパの照射光に対して垂直状態が維持される
ので、ペリクル膜1aの傾斜による像シフトが生じない
から、レチクル3のパターンを半導体ウェーハ6の表面
に高精度で照射することが可能となる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、極めて
簡単なペリクルフレームの構造の変更により、ステッパ
使用時におけるペリクルフレームの熱膨張を防止し、ペ
リクル膜のたるみを防止することが可能となるので、レ
チクルのパターンの高精度の照射を行うことが可能とな
る等の利点があり、著しい信頬性向上の効果が期待でき
冷却機能付ペリクルの提供が可能となる。
簡単なペリクルフレームの構造の変更により、ステッパ
使用時におけるペリクルフレームの熱膨張を防止し、ペ
リクル膜のたるみを防止することが可能となるので、レ
チクルのパターンの高精度の照射を行うことが可能とな
る等の利点があり、著しい信頬性向上の効果が期待でき
冷却機能付ペリクルの提供が可能となる。
第1図は本発明による一実施例の冷却機能付ペリクルを
示す図、 第2図は連続縮小露光装置の概略構成を示す図、第3図
は従来のペリクルを示す側断面図、第4図は発明が解決
しようとする問題点を示す図、 である。 図において、 1はペリクル、 1aはペリクル膜、1bはペ
リクルフレーム、ICは接着剤、2は冷却水流路、
2aは冷却水供給口、2bは冷却水排出口、 3
はレチクル、4は光源、 4aは光線、5
は縮小レンズ、 6は半導体ウェーハ7はレジス
ト膜、 を示す。 +at 側断面図 連続縮小露光装置の概略構成を示す面 落 2 図 従来のペリクルを示す側断面図
示す図、 第2図は連続縮小露光装置の概略構成を示す図、第3図
は従来のペリクルを示す側断面図、第4図は発明が解決
しようとする問題点を示す図、 である。 図において、 1はペリクル、 1aはペリクル膜、1bはペ
リクルフレーム、ICは接着剤、2は冷却水流路、
2aは冷却水供給口、2bは冷却水排出口、 3
はレチクル、4は光源、 4aは光線、5
は縮小レンズ、 6は半導体ウェーハ7はレジス
ト膜、 を示す。 +at 側断面図 連続縮小露光装置の概略構成を示す面 落 2 図 従来のペリクルを示す側断面図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ペリクル膜(1a)を接着したペリクルフレーム(1b
をレチクル(3)に貼り付け、前記レチクル(3)の表
面に異物が付着するのを防止するペリクル(1)におい
て、 前記ペリクルフレーム(1b)の内部に、両端に冷却水
供給口(2a)と冷却水排出口(2b)とを備えた冷却
水流路(2)を具備することを特徴とする冷却機能付ペ
リクル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1125151A JPH02302757A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 冷却機能付ペリクル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1125151A JPH02302757A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 冷却機能付ペリクル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02302757A true JPH02302757A (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=14903134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1125151A Pending JPH02302757A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 冷却機能付ペリクル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02302757A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998002783A1 (fr) * | 1996-07-17 | 1998-01-22 | Mitsui Chemicals, Inc. | Dispositif de protection de masque |
WO2017122975A1 (ko) * | 2016-01-13 | 2017-07-20 | 한양대학교 산학협력단 | Euv 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법 |
WO2017131358A1 (ko) * | 2016-01-26 | 2017-08-03 | 한양대학교 산학협력단 | Euv 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법 |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP1125151A patent/JPH02302757A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998002783A1 (fr) * | 1996-07-17 | 1998-01-22 | Mitsui Chemicals, Inc. | Dispositif de protection de masque |
WO2017122975A1 (ko) * | 2016-01-13 | 2017-07-20 | 한양대학교 산학협력단 | Euv 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법 |
WO2017131358A1 (ko) * | 2016-01-26 | 2017-08-03 | 한양대학교 산학협력단 | Euv 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법 |
US10962876B2 (en) | 2016-01-26 | 2021-03-30 | Iucf-Hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | EUV pellicle structure and method for manufacturing same |
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