CS201280B1 - Systém uspořádání kontaktů a elektrod velkoplošných polovodičových součástek - Google Patents

Systém uspořádání kontaktů a elektrod velkoplošných polovodičových součástek Download PDF

Info

Publication number
CS201280B1
CS201280B1 CS427278A CS427278A CS201280B1 CS 201280 B1 CS201280 B1 CS 201280B1 CS 427278 A CS427278 A CS 427278A CS 427278 A CS427278 A CS 427278A CS 201280 B1 CS201280 B1 CS 201280B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
electrode
contact
main
electrodes
semiconductor body
Prior art date
Application number
CS427278A
Other languages
English (en)
Inventor
Oto Valcik
Original Assignee
Oto Valcik
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oto Valcik filed Critical Oto Valcik
Priority to CS427278A priority Critical patent/CS201280B1/cs
Publication of CS201280B1 publication Critical patent/CS201280B1/cs

Links

Landscapes

  • Thyristors (AREA)

Description

Vynález se týká systému uspořádání kontaktů a elektrod pro odvod elektrického proudu a tepla z velkoplošných polovodičových součástek s vysoce členěnou strukturou vrstev vystupujících na povrch polovodičového tělesa.
Dosud známé uspořádání kontaktů vychází u velkoplošných polovodičových součástek z tzv. mesa struktury, kdy hlavní proud a rozptylované teplo jsou odváděny z krajních emitorových vrstev přítlačné elektrody, zatímco řídicí proud z vnitřní bázové vrstvy je odváděn ve směru rovnoběžném s vrstvami, respektive přechody PN pomocí tenkovrstvých kontaktů zapuštěných dovnitř polovodičového tělesa nebo z tzv. planární struktury, kdy je nezávislý odvod proudu zajištěn .různou výškou kontaktů na emitorových a bázových vrstvách. Dosavadní řešení mají řadu nedostatků. Zejména je ovlivňován v řadě případů nežádoucím způsobem koncentrační profil aktivních příměsí, výrobní způsob je dále složitý a pracný.
Nové možnosti spolu s odstraněním nedostatků dosavadních řešení dává řešení podle vynálezu, jehož podstatou je přenesení požadavku na rozdílnost rovin kontaktních ploch uspořádaných po proudu polovodičového tělesa na elektrody, které jsou vhodně geometricky tvarovány nezávisle na výrobě vnitřní struktury polovodičového tělesa a kontaktů na něm.
Elektrodou je v tomto případě míněn buď vývod elektrického proudu a tepla, nebo dilatační elektrody, popřípadě samostatná kovová fólie. Řešení podle vynálezu zjednodušuje výrobu a umožňuje větší variabilitu vlastností výrobků, zejména typou tyristor a tranzistor.
Na připojeném výkresu jsou znázorněny dva příklady provedení polovodičových součástek podle vynálezu, kde na obr. 1 je znázorněn v řezu detail případu s planární strukturou s tvarovanou elektrodou pro odvod elektrického proudu a tepla, na obr. 2 je znázorněn v řezu detail případu s tvarovanou fólií umístěnou mezi hlavní elektrodou a polovodičovým tělesem.
Polovodičové těleso 1, například se třemi vrstvami 11, 12, 13 se střídavým typem elektrické vodivosti (obr. 1) s planární strukturou je opatřeno na jedné straně soustavou hlavních kontaktů 3 pro odvod hlavního proudu, popřípadě i ztrátového tepla a soustavou řídicích kontaktů 4 pro přívod řídicího elektrického signálu. Soustava hlavních kontaktů 3 je spojena s tvarovanou hlavní elektrodou 2 v ploše výstupků 22, například přitlačením. Zbylá plocha tvarované hlavní elektrody 2, zejména v blízkosti scfustavy řídicích kontak201280 tů 4, je opatřena vybráním 21, které tak zajišťuje elektrické odizolování soustavy hlavních kontaktů 3 od soustavy řídicích kontaktů 4.
Tvarovaná hlavní elektroda 2 může být provedena (obr. 2) např. ve formě folie, u níž

Claims (3)

  1. PŘEDMĚT
    1. Systém uspořádání kontaktů a elektrod velkoplošných polovodičových součástek pro odvod elektrického proudu a tepla z polovodičového tělesa s vysoce geometricky členěnou strukturou, vyznačený tím, že polovodičové těleso (1), opatřené alespoň na jedné straně soustavou hlavních kontaktů (3) soustavou řídicích kontaktů (4), je spojeno s tvarovanou hlavní elektrodou (2) na výstupcích 22 představujících více než polovinu plochy soustavy hlavních kontaktů (3) a zbylá plocha hlavní elektrody (2) je opatřena vybráním (21) o hloubce větší než 2 μια.
    je vybrání 21 realizováno chemickým proleptáním. Polohovou fixaci fólie 2 je možno zajistit např. termokompresním spojem s polovodičovým tělesem 1 nebo vlastním kovovým tělesem 23.
  2. 2. Systém uspořádání kontaktů a elektrod podle bodu 1, vyznačené tím, že tvarovaná hlavní elektroda (2) je tvořena kovovou fólií riebo dilatační elektrodou a nebo vlastním vývodem hlavního elektrického· proudu.
  3. 3. Systém uspořádání kontaktů a elektrod podle bodů 1 a 2, vyznačené tím, že tvarovaná hlavní elektroda (2) je tvořena· kovovým tělesem (23) opatřeným kontaktní vrstvou, například v podobě fólie, která je v místě vybrání (21) zčásti nebo zcela odstraněna některým ze známých způsobů, například chemickým leptáním.
CS427278A 1978-06-29 1978-06-29 Systém uspořádání kontaktů a elektrod velkoplošných polovodičových součástek CS201280B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS427278A CS201280B1 (cs) 1978-06-29 1978-06-29 Systém uspořádání kontaktů a elektrod velkoplošných polovodičových součástek

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS427278A CS201280B1 (cs) 1978-06-29 1978-06-29 Systém uspořádání kontaktů a elektrod velkoplošných polovodičových součástek

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS201280B1 true CS201280B1 (cs) 1980-10-31

Family

ID=5385069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS427278A CS201280B1 (cs) 1978-06-29 1978-06-29 Systém uspořádání kontaktů a elektrod velkoplošných polovodičových součástek

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS201280B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES8404109A1 (es) Una disposicion de circuito de proteccion de semiconductores.
MY106696A (en) Electrically isolated heatsink for single-in-line package
CS201280B1 (cs) Systém uspořádání kontaktů a elektrod velkoplošných polovodičových součástek
GB1311446A (en) Semiconductor devices
JPS56125872A (en) Semiconductor switchgear and its manufacture
JPS57181161A (en) Transistor
JPS57181160A (en) Transistor
JPS55150271A (en) Semiconductor device
JPS6212974U (cs)
JPH07112939B2 (ja) シリコンウエハとガラス基板の陽極接合法
JPS6331108B2 (cs)
RU2003117089A (ru) Силовой полупроводниковый прибор
JPH0243337B2 (cs)
JPS5844594Y2 (ja) 半導体ペレツト
EP0409370A3 (en) Bipolar transistor
CS210162B1 (cs) Uspořádání elektrických a tepelných kontaktů velkoplošných polovodičových sóučástek
JPH0617286Y2 (ja) ヒ−タブロック
JPS62234370A (ja) Gtoサイリスタ
JP2533751B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6144448A (ja) 半導体装置
JPH01114058A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS57115866A (en) Semiconductor device
JPS61203567U (cs)
JPS6155354U (cs)
JPH04206559A (ja) 半導体装置の製造方法