CS200145B1 - Sposob výroby rýchle spínajúolch polovodičových prvkov - Google Patents
Sposob výroby rýchle spínajúolch polovodičových prvkov Download PDFInfo
- Publication number
- CS200145B1 CS200145B1 CS14479A CS14479A CS200145B1 CS 200145 B1 CS200145 B1 CS 200145B1 CS 14479 A CS14479 A CS 14479A CS 14479 A CS14479 A CS 14479A CS 200145 B1 CS200145 B1 CS 200145B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- diffusion
- semiconductor elements
- recombinant
- manufacture
- semiconductor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 17
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 claims description 7
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- 241000288906 Primates Species 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 2
- 102000016559 DNA Primase Human genes 0.000 description 1
- 108010092681 DNA Primase Proteins 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPEKUPPJGIMIDT-UHFFFAOYSA-N boron gold Chemical compound [B].[Au] OPEKUPPJGIMIDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000004577 thatch Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
(54) sposob výroby rýchle spínajúolch polovodičových prvkov
Vynález rieši sposob výroby rýchle spínajúcich polovodičových prvkov difúziou základných vrstiev aktívnych příměsí, používajůci pre skrátenie doby života minoritných nosičov náboje difúziou rekomblnačných primasi.
Pri výrobě rýchle spínejúcioh polovodičových prvkov difúziou základných vrstiev aktív nyoh příměsi, používajůci pre skrátenie doby života minoritných nosičov náboja dlfúziu rekombinačných příměsí je v sůčasné doba najviac používaná technologie, pri ktorej sa rekombinačné primasi (Au, Pt) vnášajú do objemu polovodiče či už v samostatnom, alebo s niektorou difúziou spojenom oykle, přičom sa před týmto tepelným cyklom rekomblnačné příměsi nanesú na povrch polovodiče vákuovým naparováním v samostatnom, inak nefunkčnom cykle. Nevýhody tohoto postupu třeba vidieť najma v tom, že je potřebné prevádzal; jednu kompletnú samostatnú pperéciu (naparovanie),.ktorá je pracná, náročná na obsluhu, má vysokú spotřebu drahých kovov a neposkytuje záruku dostatočnej reprodukovatelnost! medzi jednotlivými cyklami. Okrem toho vyžaduje samostatný tepelný cyklus pre rozdifundovanie rekombinačnej příměsi do objemu polovodiče, alebo v případe spojenia s iným difúznym cyklom je potřebné upravil; podmienky (teplota a čas) tohoto cyklu ako kompromis medzi požiadavkami na podmien ky difúzie aktivněj příměsi a požiadavkami na podmienky difúzie rekombinačnej příměsi, čo má negativny dopad ako na vlastnosti difúznyoh vrstiev, tak aj na špínacie a elektrické vlastnosti Vyrobeného polovodičového prvku, čo sa prejavuje najma nižšou výtažnoslou
200 145
200 145 výroby týchto prvkov. ^ostup podlá vynálezu umožňuje odatránil· tieto nevýhody změnou mieeta a spdsobu vnesenia rekombinačných příměsí do objemu polovodiče.
Podstatou vynélezu je vnesenie rekombinačných příměsí skracujúcich dobu života minoritných nosičov náboja do objemu polovodičového materiálu pri simultánnej vákuovej difúzii rekombinačnej příměsi či příměsi spolu β aktívnou prímesou, čí aktívnyml příměsemi určenými na difúziu základnej vrstvy, či základných vrstiev polovodičového prvku. Zdrojom ako rekombinačných, tak aktívnych příměsí pre simulténnu vákuovú difúziu je příslušné dotovaný křemíkový zdrojový prášok.
Postup podlá vynálezu zaručuje vysokú homogenitu difúzi· aktívnej příměsi pri simultánnej vákuovej difúzii za súčasného dokonalého rozdifundovania rekombinačnej příměsi v oe lom objeme polovodiče s možnosťou až do rovnovážného stavu.
Z uvedených dovodou postup umožňuje vyrébal· kvalitnejšie polovodičové súčiastky s vyš šou výlažnoslou. Zároveň sa postupom podlá vynélezu ušetří operácia naparovania náročné na technologické zariadenie, energlu a kvalifikáciů obsluhy. Taktiež nestává podstatná úepora rekombinačných příměsí - drahých kovov, ktoré okrem toho mdžů byl· vnesené do zdrojového prášku vo formě zlúčenín a nie v čistom stave ako u známých postupov.
Ako příklad sp8sobu výroby rýchle spínajúcich polovodičových prvkov podlá vynálezu sa uvádza spdsob výroby vysokofrekvenčného spínaoieho tranzistore. Do křemíkových dosiek sa cez okienko v maskovacom oxide simultánnou vákuovou difúziou z křemíkového zdrojového prášku dotovaného borom a zlatom difunduje bázová oblast tranzistore. Aadifundovaná vrstva sa rozdifunduje v kyslíkovej atmosféře pri teplote 1 150 °C za 100 až 120 minút, na čo sa křemíkové došky opatria oxidom vytvořeným vo vodných parách pri teplote 1 050 °C, v ktorom sa otvoria okná pre emitorovú difúziu. Emitorová vrstva sa vytvéra v prúde nosného plynu z POCl^ pri teplote 1025 °C po dobu 30 až 40 minút s následným žíháním v zmesi Mg+Og při teplote 1100 °C po dobu 10 minút, čím sú funkčně vrstvy rýohle spinajúceho tranzistore vytvořené.
Claims (1)
- PREDMET VYNÁLEZUSpbsob výroby rýchle spínajúcich polovodičových prvkov difúziou základných vrstiev aktívnych příměsí polovodičových prvkov, používající na skrátenie doby života mlnoritnýoh nosičov náboje difúziu rekombinačných příměsí, vyznačujúci sa tým, že rekombinačné primasi sa zavádzajú do objemu polovodičového materiálu pri simultánnej vákuovej difúzii zo zdrojového prášku obsahujúceho ako aktívnu, či aktivně příměsi, tak aj rekomblnačnú, či rekombinačné primasi.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS14479A CS200145B1 (sk) | 1979-01-05 | 1979-01-05 | Sposob výroby rýchle spínajúolch polovodičových prvkov |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS14479A CS200145B1 (sk) | 1979-01-05 | 1979-01-05 | Sposob výroby rýchle spínajúolch polovodičových prvkov |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS200145B1 true CS200145B1 (sk) | 1980-08-29 |
Family
ID=5333090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS14479A CS200145B1 (sk) | 1979-01-05 | 1979-01-05 | Sposob výroby rýchle spínajúolch polovodičových prvkov |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS200145B1 (sk) |
-
1979
- 1979-01-05 CS CS14479A patent/CS200145B1/sk unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3647578A (en) | Selective uniform liquid phase epitaxial growth | |
| US4939103A (en) | Method of diffusing plurality of dopants simultaneously from vapor phase into semiconductor substrate | |
| GB823317A (en) | Improvements in or relating to methods of making semiconductor bodies | |
| JPS5588323A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| CS200145B1 (sk) | Sposob výroby rýchle spínajúolch polovodičových prvkov | |
| US4749615A (en) | Semiconductor dopant source | |
| JPS54104770A (en) | Heat treatment method for 3-5 group compound semiconductor | |
| JPS637624A (ja) | ３−ｖ族化合物半導体材料中への導電形付与物質の拡散方法 | |
| US3542609A (en) | Double depositions of bbr3 in silicon | |
| JPS5737824A (en) | Method and device for impurity diffusion | |
| JPS62140413A (ja) | 縦型拡散装置 | |
| JPS5656643A (en) | Treating device for semiconductor substrate | |
| US4233093A (en) | Process for the manufacture of PNP transistors high power | |
| US3948695A (en) | Method of diffusing an impurity into semiconductor wafers | |
| US3036006A (en) | Method of doping a silicon monocrystal | |
| CN1065951A (zh) | 硅平面工艺中新的磷扩散技术 | |
| JPS5933255B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US3484314A (en) | Water vapor control in vapor-solid diffusion of boron | |
| US3811826A (en) | Diffusion furnace process tube | |
| US3180755A (en) | Method of diffusing boron into silicon wafers | |
| US3476621A (en) | Impurity diffusion source and method | |
| GB1115101A (en) | Improvements in or relating to the manufacture of semiconductor bodies | |
| US3085979A (en) | Method for indiffusion | |
| JPS56155528A (en) | Method of diffusing impurity into semiconductor substrate | |
| JPS5758323A (en) | Method for forming insulating film on compound semiconductor |