CS200145B1 - Method of manufacture of quickly connecting semiconductor elements - Google Patents
Method of manufacture of quickly connecting semiconductor elements Download PDFInfo
- Publication number
- CS200145B1 CS200145B1 CS14479A CS14479A CS200145B1 CS 200145 B1 CS200145 B1 CS 200145B1 CS 14479 A CS14479 A CS 14479A CS 14479 A CS14479 A CS 14479A CS 200145 B1 CS200145 B1 CS 200145B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- diffusion
- semiconductor elements
- recombinant
- manufacture
- semiconductor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 17
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 claims description 7
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- 241000288906 Primates Species 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 2
- 102000016559 DNA Primase Human genes 0.000 description 1
- 108010092681 DNA Primase Proteins 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPEKUPPJGIMIDT-UHFFFAOYSA-N boron gold Chemical compound [B].[Au] OPEKUPPJGIMIDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000004577 thatch Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
POPIS VYNÁLEZU
K AUTORSKÉMU OSVEDČENIU 200 145 (11) (Bl) ČESKOSLOVENSKASOCIALISTICKÁREPUBLIKA( 19 )
(61) (23) Výstavná priorita(22) Prihlásen©5 Ol 79 (21)PV 144 - 79 (51) Int. C? H 01 L 21/22
ÚŘAD PRO VYNÁLEZY
A OBJEVY (40) Zverejnené^O U 79(45) Vydané 01 12 82
Autor vynálezu KOREÍ MIKULÁŠ ing., PIEŠŤANY GRAUS JOZEP ing. , PIEŠŤANYHORVÁTH PETER prom.fyz.chem., PIEŠŤANY
JAKUBOVIE JOZEP ing., PIEŠŤANY VLNKA JÁN ing., PIEŠŤANY (54) spoaoh výroby rýchle spinajúcleh polovodičových prvkov 1
Vynález rieči sposob výroby rýchle spínajúcich polovodičových prvkov difúziou základ-ných vrstiev aktívnych příměsí, používajůci pre skrátenie doby života minoritných nosiěovnáboje difúziou rekomblnačných příměsí.
Pri výrobě rýchle spínajúcioh polovodičových prvkov difúziou základných vrstiev aktívnyoh příměsi, používajůci pre skrátenie doby života minoritných nosičov náboja difúziu re-kombinačných příměsí je v sůčasné době najviao používaná technologie, pri ktorej sa rekom-binačné příměsi (Au, Pt) vnáčajú do objemu polovodiče či už v samostatnom, alebo s niekto-rou difúziou spojenom oykle, přičom sa před týmto tepelným cyklom rekomblnačná příměsi na-nesú na povrch polovodiče vákuovým naparováním v samostatnom, inak nefunkčnom cykle. Ne-výhody tohoto postupu třeba vidiet najma v tom, že je potřebné prevádzal; jednu kompletnúsamostatnú pperáciu (naparovanie),.ktorá je pracná, náročná na obsluhu, má vysokú spotře-bu drahých kovov a neposkytuje záruku dostatočnej reprodukovatelnosti medzi jednotlivýmicyklami. Okrem toho vyžaduje samostatný tepelný cyklus pre rozdifundovanie rekombinačnejpříměsi do objemu polovodiče, alebo v případe spojenia s iným difúznym cyklom je potřebnéupravil; podmienky (teplota a čas) tohoto cyklu ako kompromis medzi požiadavkami na podmienky difúzie aktivněj příměsi a požiadavkami na podmienky difúzie rekombinačnej příměsi, čomá negativny dopad ako na vlastnosti difúznych vrstiev, tak aj na špínacie a elektrickévlastnosti Vyrobeného polovodičového prvku, čo sa prejavuje najma nižčou výtažnosliou 200 145
Claims (1)
- 200 145 výroby týchto prvkov. ^ostup podlá vynálezu umožňuje odstránil tieto nevýhody změnou mies-ta a spósobu vnesenia rekombinačných příměsí do objemu polovodiče· Podstatou vynálezu je vnesenie rekombinačných příměsí skracujúoich dobu života mlno-ritných nosičov náboja do objemu polovodičového materiálu pri simultánnej vákuovej difúziirekombinačnej příměsi či příměsi spolu a aktívnou primesou, čí aktívnymi příměsemi určený-mi na difůziu základnej vrstvy, či základných vrstiev polovodičového prvku. Zdrojom akorekombinačných, tak aktívnych příměsí pre simultánnu vákuovú difúziu je příslušné dotovanýkřemíkový zdrojový prášok. Postup podlá vynálezu zaručuje vysokú homogenitu difúzie aktívnej příměsi pri simul-tánnej vákuovej difúzii za súčasného dokonalého rozdifundovania rekombinačnej příměsi v oelom objeme polovodiče s možno8¾ou až do rovnovážného stavu. Z uvedených dovodou postup umožňuje vyrábal kvalitnejšie polovodičové súčiastky s vyššou výlažnoslou. Zároveň sa postupom podlá vynálezu ušetří operácia neparovania náročná natechnologické zariadenie, energiu a kvalifikáciu obsluhy. Taktiež nestává podstatná úsporarekombinačných příměsí - drahých kovov, ktoré okrem toho mčžů byl vnesené do zdrojovéhoprášku vo formě zlúčenin a nie v čistom stave ako u známých psstupov. Ako příklad sp8sobu výroby rýchle spínajúcich polovodičových prvkov podlá vynálezu sauvádza sp8sob výroby vysokofrekvenčného spínaoieho tranzistore. Do křemíkových dosiek sacez okienko v maskovacom oxide simultánnou vákuovou difúziou z křemíkového zdrojovéhoprášku dotovaného borom a zlatom difunduje bázová oblast tranzistore, ^difundovaná vrstvasa rozdifunduje v kyslíkovej atmosféře pri teplote 1 150 °C za 100 až 120 minút, na čo sakřemíkové došky opatria oxidom vytvořeným vo vodných parách pri teplote 1 050 °C, v ktoromsa otvoria okná pre emitorovú difúziu. Emitorová vrstva sa vytvára v prúde nosného plynuz POCl^ pri teplote 1025 °C po dobu 30 až 40 minút s následným žíháním v zmesi Ng+Og priteplote 1100 °C po dobu 10 minút, čím sú funkčné vrstvy rýchle spínajúceho tranzistorevytvořené. PRED1IET VYNÁLEZU Spčsob výroby rýchle spínajúcich polovodičových prvkov difúziou základných vrstievaktívnych příměsí polovodičových prvkov, používající na skrátenie doby života minoritnýohnosičov náboje difúziu rekombinačných příměsí, vyznačujúci sa tým, že rekombinačné primasisa zavádzajú do objemu polovodičového materiálu pri simultánnej vákuovej difúzii zo zdro-jového prášku obsahujúceho ako aktívnu, či aktivně příměsi, tak aj rekombinačnú, či rekom-binačné příměsi.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS14479A CS200145B1 (en) | 1979-01-05 | 1979-01-05 | Method of manufacture of quickly connecting semiconductor elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS14479A CS200145B1 (en) | 1979-01-05 | 1979-01-05 | Method of manufacture of quickly connecting semiconductor elements |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS200145B1 true CS200145B1 (en) | 1980-08-29 |
Family
ID=5333090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS14479A CS200145B1 (en) | 1979-01-05 | 1979-01-05 | Method of manufacture of quickly connecting semiconductor elements |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS200145B1 (cs) |
-
1979
- 1979-01-05 CS CS14479A patent/CS200145B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3647578A (en) | Selective uniform liquid phase epitaxial growth | |
| US4939103A (en) | Method of diffusing plurality of dopants simultaneously from vapor phase into semiconductor substrate | |
| GB823317A (en) | Improvements in or relating to methods of making semiconductor bodies | |
| JPS5588323A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| CS200145B1 (en) | Method of manufacture of quickly connecting semiconductor elements | |
| US4749615A (en) | Semiconductor dopant source | |
| JPS54104770A (en) | Heat treatment method for 3-5 group compound semiconductor | |
| JPS637624A (ja) | ３−ｖ族化合物半導体材料中への導電形付与物質の拡散方法 | |
| US3542609A (en) | Double depositions of bbr3 in silicon | |
| JPS5737824A (en) | Method and device for impurity diffusion | |
| JPS62140413A (ja) | 縦型拡散装置 | |
| JPS5656643A (en) | Treating device for semiconductor substrate | |
| US4233093A (en) | Process for the manufacture of PNP transistors high power | |
| US3948695A (en) | Method of diffusing an impurity into semiconductor wafers | |
| US3036006A (en) | Method of doping a silicon monocrystal | |
| CN1065951A (zh) | 硅平面工艺中新的磷扩散技术 | |
| JPS5933255B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US3484314A (en) | Water vapor control in vapor-solid diffusion of boron | |
| US3811826A (en) | Diffusion furnace process tube | |
| US3180755A (en) | Method of diffusing boron into silicon wafers | |
| US3476621A (en) | Impurity diffusion source and method | |
| GB1115101A (en) | Improvements in or relating to the manufacture of semiconductor bodies | |
| US3085979A (en) | Method for indiffusion | |
| JPS56155528A (en) | Method of diffusing impurity into semiconductor substrate | |
| JPS5758323A (en) | Method for forming insulating film on compound semiconductor |