CS198973B1 - Deskový zárodek pro růst krystalů z taveniny - Google Patents

Deskový zárodek pro růst krystalů z taveniny Download PDF

Info

Publication number
CS198973B1
CS198973B1 CS759978A CS759978A CS198973B1 CS 198973 B1 CS198973 B1 CS 198973B1 CS 759978 A CS759978 A CS 759978A CS 759978 A CS759978 A CS 759978A CS 198973 B1 CS198973 B1 CS 198973B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
crystal
plate
crystals
germ
growth
Prior art date
Application number
CS759978A
Other languages
English (en)
Inventor
Otakar Richter
Ladislav Fojtik
Jiri Parizek
Original Assignee
Otakar Richter
Ladislav Fojtik
Jiri Parizek
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Otakar Richter, Ladislav Fojtik, Jiri Parizek filed Critical Otakar Richter
Priority to CS759978A priority Critical patent/CS198973B1/cs
Publication of CS198973B1 publication Critical patent/CS198973B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Vynález se týká deskového zárodku s libovolnou růstovou plochou využívaného pro růst krystalů z taveniny především při přípravě velkoobjemových krystalů.
U růstu krystalů z taveniny na zárodku - například metoda Czochralskiho, Kyropoulose nebo Verneuilova - se většinou začátek krystalizace iniciuje relativně malým zárodečným krystalem zpracovávané látky, který určuje krystalografickou orientaci rostoucího jedince. Řízením postupu růstu krystalu se v počátečních fázích ponechává narůstající monokrystal rozrůstat do požadovaných rozměrů, které jsou pak při dalěím postupu růstu udržovány. Při růstu krystalu v kelímku nebo ampuli, které se pohybují v poli teplotního gradientu, se vychází buS z bodové krystalizace v kónickém dnu kelímku - podle Bridgmanna nebo Stockbargera - nebo z krystalizace materiálu v různě tvarované kapiláře vyúsťující do kónického dna kultivační nádobky.
část krystalu, tvořící přechod od zárodku k požadovanému průměru krystalu, nebo kónické část nutná pro udržení monokrystalického růatu, představuje materiálové i časové ztráty, pokud je třeba využívat celý průměr krystalu. Ztráty způsobené zúženou částí krystalu mohou být zanedbatelné u relativně malých krystalů, nabývají však na závažnosti, jestliže požadujeme přípravu velkoobjemových krystalů.
-♦
198 973
Rovněž je znám růst krystalů na plošném deskovém zárodku - plošném zárodečném krystalu, jehož rozměry jsou shodné s průřezem požadovaného jedince. Deskový zárodek je třeba zhotovit z monokrystalu, který byl předem vyroben nškterou jinou růstovou metodou. Tato skutečnost omezuje dosažitelné rozměry krystalů pěstovaných na takto zhotovených deskových zárodcích.
Uvedené nedostatky odstraňuje deskový zárodek podle vynálezu. Podstatou vynálezu je vytvoření deskového zárodku z tvarovaných stavebních prvků - například hranolků - , vyrobených opracováním monokrystalů a složených do požadované plochy. Pro růet krystalů na takto vytvořeném zárodku není nutná naprosto přesné vzájemná orientace jednotlivých stavebních prvků, protože odchylky vzniklé složením zárodku do určené plochy, nepřesahují odchylky vyskytující se v reálných krystalech ve formě mozaikové struktury krystalu. Po styku plochy složeného deskového zárodku s taveninou a jejím povrchovém netavení, přejímá směrově krystalizující, tavenina, proniklá do spár mezi jednotlivými stavebními prvky, orientaci sousedních jednotlivců.
Deskový zárodek podle vynálezu je výhodný pro pěstování krystalů libovolného tvaru a libovolných rozměrů. Jeho výhody se projeví především u velkoobjemovýeh, případně tvarovaných krystalů, které lze s výhodou využít ve scintilační technice. Přitom na výohozí zpracovávané monokrystaly nejsou kladeny žádné rozměrové požadavky, protože velikost požadované plochy deskového zárodku se vytvoří složením potřebného počtu stavebních prvků.
Předmět vynálezu byl ověřen při pěstování seintilačního krystalu. Stavební prvky deskového zárodku tvořily hranolky krystalu jodidu sodného aktivovaného thaliem o rozměrech 20 x 20 x 15 mm, které byly složeny do plochy 100 x 100 mm. Na takto vytvořeném deskovém zárodku byl. vypěstován monokrystal NaJ(Tl) o rozměrech shodného průřezu.
U vypěstovaného krystalu byly odchylky orientace ovliněné eeetavením jednotlivých stavebních prvků deskového zárodku podstatně menší než desorientace bloků vznikajících v reálných krystalech NaJ(Tl) z jiných příčin. Například v reálných krystalech o průměru 150 mm pěstovaných kelímkovou metodou běžně existují bloky pootočené vzájemně až o několik stupňů, aniž by to mělo vliv na luminiscenční parametry scintilátoru.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU
    Deskový zárodek pro růst krystalů z taveniny, vyznačený tím, že požadovaná plooha deskového zárodku je vytvořena složením jednotlivých tvarovaných stavebních prvků do této plochy.
CS759978A 1978-11-21 1978-11-21 Deskový zárodek pro růst krystalů z taveniny CS198973B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS759978A CS198973B1 (cs) 1978-11-21 1978-11-21 Deskový zárodek pro růst krystalů z taveniny

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS759978A CS198973B1 (cs) 1978-11-21 1978-11-21 Deskový zárodek pro růst krystalů z taveniny

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS198973B1 true CS198973B1 (cs) 1980-06-30

Family

ID=5425449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS759978A CS198973B1 (cs) 1978-11-21 1978-11-21 Deskový zárodek pro růst krystalů z taveniny

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS198973B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3768983A (en) Single crystal beryllium oxide growth from calcium oxide-beryllium oxide melts
Red'kin et al. Investigation of the growth conditions of gadolinium molybdate crystals
CS198973B1 (cs) Deskový zárodek pro růst krystalů z taveniny
Smith Genetic aspects of twinning in feldspars
Paderno et al. Some crystal chemistry relationships in eutectic cocrystallization of d-and f-transition metal borides
Fullmer et al. Crystal growth of the solid electrolyte RbAg4I5
DE19502029A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Einkristall-Zinkselenid in Masse
Goodrum Solution top-seeding: Growth of GeO2 polymorphs
JP2622274B2 (ja) 単結晶の育成方法
SU768052A1 (ru) Способ выращивани монокристаллов корунда методом Киропулоса
RU2230838C1 (ru) Способ выращивания монокристаллов из расплава
JPH0733303B2 (ja) 結晶成長装置
JPH0345599A (ja) 単結晶の結晶形の判別方法
JPS6046078B2 (ja) 無機複合酸化物の固溶体組成物の単結晶育成法
RU1175186C (ru) Способ получения кристаллов со структурой берилла
RU1732701C (ru) Способ получения затравочной пластины
JPS6158898A (ja) ゲルマニウム酸ビスマス結晶の製造方法
CS252915B1 (cs) Způsob pěstování monokrystalů yttritohlinitého granátu
JPH0723280B2 (ja) 単結晶育成方法
US4217167A (en) Method of growing large low defect, monocrystals of BeO
JP2809364B2 (ja) 四ほう酸リチウム単結晶の製造方法
JP2582318B2 (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法
MARSHALL et al. Technique for the growth of compositionally ungraded single crystals of solid solutions(Patent)
JP2814657B2 (ja) 化合物半導体単結晶の育成方法
JPS60200893A (ja) ルツボ