CS252915B1 - Způsob pěstování monokrystalů yttritohlinitého granátu - Google Patents

Způsob pěstování monokrystalů yttritohlinitého granátu Download PDF

Info

Publication number
CS252915B1
CS252915B1 CS861430A CS143086A CS252915B1 CS 252915 B1 CS252915 B1 CS 252915B1 CS 861430 A CS861430 A CS 861430A CS 143086 A CS143086 A CS 143086A CS 252915 B1 CS252915 B1 CS 252915B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
diameter
length
single crystal
single crystals
aluminum garnet
Prior art date
Application number
CS861430A
Other languages
English (en)
Other versions
CS143086A1 (en
Inventor
Josef Kvapil
Jiri Kvapil
Bohumil Perner
Ivan Boucek
Zdenek Hendrich
Vaclav Masek
Original Assignee
Josef Kvapil
Jiri Kvapil
Bohumil Perner
Ivan Boucek
Zdenek Hendrich
Vaclav Masek
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Josef Kvapil, Jiri Kvapil, Bohumil Perner, Ivan Boucek, Zdenek Hendrich, Vaclav Masek filed Critical Josef Kvapil
Priority to CS861430A priority Critical patent/CS252915B1/cs
Publication of CS143086A1 publication Critical patent/CS143086A1/cs
Publication of CS252915B1 publication Critical patent/CS252915B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Způsob pěstování monokrystalů y-ctritohlinitého granátu aktivovaného ionty neodymu nebo/a ceru Czochralskiho metodou tažením na zárodku o velkých průměrech vypěstovaných monokrystalů, vhodných jako surovina pro výrobu laserových tyčí, zvyšující jejich výtěžnost, kde cíle je dosaženo tím, že nejprve se monokrystal rozšiřuje na průměr dltažením v délce ll, odpovídající 40 až 80 % průměru di, načež se táhne ve válcovém tvaru v délce lg, odpovídající 20 až 100 % průměru άχ a poté se rozšiřuje na průměr d2 tažením v délce I3, odpovídající 15 až 80 % průměru dg a na to se táhne ve válcovém tvaru o průměrů d2 do vypěstování celého monokrystalu.

Description

Vynález se týká způsobu pěstování monokrystalů yttritohlinitého granátu velkých průměrů, vhodných jako surovina pro výrobu laserových tyčí.
Výsledná ekonomika průmyslového pěstování monokrystalů yttritohlinitého granátu s dotací ionty neodymu a/nebo ceru pro přípravu laserových tyčí je rozhodujícím způsobem ovlivněna počtem tyčí, získaných z jednoho monokrystalu. Při daných výchozích surovinách, pomocných materiálech a omezené růstové rychlosti je možno výtěžnost laserových tyčí z jednoho monokrystalu zvýšit především zvát šením průměru monokrystalu. Prosté geometrické zvětšení pěstovací aparatury, t.j. kelímku a stínících plechůjupravujících gradient teploty v pěstovacím prostorufvšak nezaručuje homogenitu zvětšené části vypěstovaného monokrystalu použitelné pro další zpracování. Kvalitu monokrystalu yttritohlinitého granátu pěstovaného tažením z taveniny metodou Gzochralskiho ovlivňuje vedle složení výchozí suroviny, teplotního gradientu v pěstovacím prostoru dále krystalové orientace zárodku a tvar fázového rozhraní mezi taveninou a krystalem, jakož i jeho případné změny. První tři faktory se projevují především buněčným růstem pěstovaného monokrystalu, další, krystalové orientace a změna tvaru j&zového rozhraní ovlivňují další defekty, jako lineární poruchy představované dislokacemi s velkým Burgersovým vektorem a optické nehomogenity působené nerovnoměrnou koncentrací dotujících příměsí.
Tyto obtíže lze podstatně odstranit způsobem pěstování monokrystalů yttritohlinitého granátu dotovaného
252 915 ionty neodymu nebo/a ceru velkých průměrů nad 30 mm podle Vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že nejprve se monokrystal rozšiřuje na průměr d^ tažením v délce l.j , odpovídající 40 až 80 % pVměru’’d^, načež se táhne ve válcovém tvaru v délce 12 , odpovídající 20 až 100 % průměru d^ a poté se rozšiřuje na průměr d2 tažením v délce 1^*, odpovídající 15 až 80 % průměru d2 a nato se táhne ve válcovém tvaru v průměru d2 až do vypěstování monokrystalu.
Pro lepší porozumění je na připojeném výkrese znázorněno toto dvojité” rozšíření podle vynálezu.
Na obrázku je znázorněn zárodek X , první rozšíření 2, druhé rozšíření % a výsledný monokrystal 4· Dále je zakreslen průměr d^, průměr d2 a délky tažení 1^, 12 a h · - — —
Příklad 1
Byl pěstován monokrystal yttritohlinitého granátu, aktivovaného ionty neodymu Czochralskiho metodou tažením z taveniny v molybdenovém kelímku o objemu 400 ml, kdy rychlost tažení byla nastavena na 1 mra/h. Pěstování bylo řízeno regulací teploty tak, že po nasazení zárodku byl krystal po délce 11 «'12 mm rozšířen na průměr d^ « 20 mm a poté byl upraven“sestup teploty tak, že po délce 12 « mra byl udržován válcový tvar o průměru d^ « 20 mora poté další úpravou teploty byl rozšířen tažením po délce 1^ « 10 mra na průměr d2 « 37 mm a tento průměr byl dále udržován až do vypěstování monokrystalu o délce 100 mm. Ve válcové části monokrystalu o průměru 37 mm nebyly zjištěny žádné krystalové poruchy a tato část byla v celém objemu využitelná pro zhotovení laserových tyčí.
Příklad 2
Bylo postupováno obdobně jako v příkladu 1 s tím rozdílem, že délky 1^ , 12 a lj činily 14 mm, 4 mm a 24 mra a průměr d2 činiíj55 mm. Byl vypěstován monokrystal tohoto průměru adélky 105 mra a výsledky byly obdobné jako v předchozím příkladu.
Příklad 3
252 915
Byl pěstován monokrystal yttritohlinitého granátu dotovaného vedle iontů neodymu též ionty ceru. Jinak bylo postupováno stejně jako v příkladu 1 s tím rozdílem, že průměry d1 a d2 činily 18 mm a 34 mra, a délky 11 , lg a 1, činily 9 mm, 6 mra a 14 mm. Byl vypěstován monokrystal o průměru 34 mra a délce 97 mm a výsledky byly obdobné jako v příkladu 1.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU
    Způsob pěstování monokrystalů yttritohlinitého granátu aktivovaného ionty neodymu nebo/a ceru velkých průměrů Czochralskiho metodou tažením na zárodku, vyznačený tím, že nejprve se monokrystal rozšiřuje na průměr-* d-j tažením v délce lp odpovídající 40 až 80 % průměru d^, načež se táhne věHválcovéra tvaru v délce 12, odpovídá^ jící 20 až 100 % pióaěru d^ a poté rozšiřuje na průměr d2 tažením v délce 1^, odpovídající 15 až 80 % průměru 3^ a na to se táhne ve válcovém tvaru o průměru d2 do vypěstování celého monokrystalu.
    1 výkres
CS861430A 1986-03-03 1986-03-03 Způsob pěstování monokrystalů yttritohlinitého granátu CS252915B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS861430A CS252915B1 (cs) 1986-03-03 1986-03-03 Způsob pěstování monokrystalů yttritohlinitého granátu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS861430A CS252915B1 (cs) 1986-03-03 1986-03-03 Způsob pěstování monokrystalů yttritohlinitého granátu

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS143086A1 CS143086A1 (en) 1987-02-12
CS252915B1 true CS252915B1 (cs) 1987-10-15

Family

ID=5348653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS861430A CS252915B1 (cs) 1986-03-03 1986-03-03 Způsob pěstování monokrystalů yttritohlinitého granátu

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS252915B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS143086A1 (en) 1987-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0141495B1 (en) A method for pulling a single crystal
US3194691A (en) Method of manufacturing rod-shaped crystals of semi-conductor material
US4944925A (en) Apparatus for producing single crystals
Red'kin et al. Investigation of the growth conditions of gadolinium molybdate crystals
Shih et al. Czochralski growth of tellurium single crystals
CS252915B1 (cs) Způsob pěstování monokrystalů yttritohlinitého granátu
Tatartchenko 10 Sapphire Crystal Growth and Applications
Kimura et al. Crystal growth of BaB2O4 from melt using a Pt tube as a seed
US5454345A (en) Method of growing single crystal of β-barium borate
GB1365724A (en) Methods of manufacturing single crystals of semiconductor mater ial
Swartz et al. Growth of ribbon-shaped crystals of gadolinium gallium garnet for bubble memory substrates
JP2809364B2 (ja) 四ほう酸リチウム単結晶の製造方法
RU2230838C1 (ru) Способ выращивания монокристаллов из расплава
Isaacs et al. Crystal growth of Tl3VS4
KR920006204B1 (ko) LiNbO₃단결정 성장방법
CS264935B1 (cs) Způsob úpravy růstových podmínek a pěstování safíru modifikovanou Kyropoulovou metodou
KR940009282B1 (ko) Zn doping에 의한 p-type GaAs단결정 성장방법
RU1165095C (ru) Способ получени монокристаллов сложных окислов и устройство дл его осуществлени
KR950007598B1 (ko) 수직온도구배감소법에 의한 GaAs 단결정 성장시 전위의 감소방법
Moravec et al. Horizontal bridgman growth of gaas single crystals
JPH0782088A (ja) 単結晶の育成方法
JPH0367995B2 (cs)
JPS63147891A (ja) 単結晶の育成方法とその装置
CS248913B1 (cs) Způsob pěstování monokrystalů z tavenin kovových oxidů
Koka Czochralski Growth of Oxide Laser Crystals