CS252915B1 - The method of growing single crystals of yttritium aluminum garnet - Google Patents
The method of growing single crystals of yttritium aluminum garnet Download PDFInfo
- Publication number
- CS252915B1 CS252915B1 CS861430A CS143086A CS252915B1 CS 252915 B1 CS252915 B1 CS 252915B1 CS 861430 A CS861430 A CS 861430A CS 143086 A CS143086 A CS 143086A CS 252915 B1 CS252915 B1 CS 252915B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- diameter
- length
- single crystal
- single crystals
- aluminum garnet
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Způsob pěstování monokrystalů y-ctritohlinitého granátu aktivovaného ionty neodymu nebo/a ceru Czochralskiho metodou tažením na zárodku o velkých průměrech vypěstovaných monokrystalů, vhodných jako surovina pro výrobu laserových tyčí, zvyšující jejich výtěžnost, kde cíle je dosaženo tím, že nejprve se monokrystal rozšiřuje na průměr dltažením v délce ll, odpovídající 40 až 80 % průměru di, načež se táhne ve válcovém tvaru v délce lg, odpovídající 20 až 100 % průměru άχ a poté se rozšiřuje na průměr d2 tažením v délce I3, odpovídající 15 až 80 % průměru dg a na to se táhne ve válcovém tvaru o průměrů d2 do vypěstování celého monokrystalu.A method for growing single crystals of γ-trialuminum garnet activated by neodymium or/and cerium ions by the Czochralski method by drawing on a seed with large diameters of grown single crystals, suitable as a raw material for the production of laser rods, increasing their yield, where the goal is achieved by first expanding the single crystal to a diameter dl by drawing in a length ll, corresponding to 40 to 80% of the diameter di, after which it is drawn in a cylindrical shape in a length lg, corresponding to 20 to 100% of the diameter άχ and then expanding to a diameter d2 by drawing in a length I3, corresponding to 15 to 80% of the diameter dg and then stretching in a cylindrical shape with diameters d2 until the entire single crystal is grown.
Description
Vynález se týká způsobu pěstování monokrystalů yttritohlinitého granátu velkých průměrů, vhodných jako surovina pro výrobu laserových tyčí.The invention relates to a process for the cultivation of large diameter yttrium-aluminum garnets of large diameters suitable as a raw material for the production of laser bars.
Výsledná ekonomika průmyslového pěstování monokrystalů yttritohlinitého granátu s dotací ionty neodymu a/nebo ceru pro přípravu laserových tyčí je rozhodujícím způsobem ovlivněna počtem tyčí, získaných z jednoho monokrystalu. Při daných výchozích surovinách, pomocných materiálech a omezené růstové rychlosti je možno výtěžnost laserových tyčí z jednoho monokrystalu zvýšit především zvát šením průměru monokrystalu. Prosté geometrické zvětšení pěstovací aparatury, t.j. kelímku a stínících plechůjupravujících gradient teploty v pěstovacím prostorufvšak nezaručuje homogenitu zvětšené části vypěstovaného monokrystalu použitelné pro další zpracování. Kvalitu monokrystalu yttritohlinitého granátu pěstovaného tažením z taveniny metodou Gzochralskiho ovlivňuje vedle složení výchozí suroviny, teplotního gradientu v pěstovacím prostoru dále krystalové orientace zárodku a tvar fázového rozhraní mezi taveninou a krystalem, jakož i jeho případné změny. První tři faktory se projevují především buněčným růstem pěstovaného monokrystalu, další, krystalové orientace a změna tvaru j&zového rozhraní ovlivňují další defekty, jako lineární poruchy představované dislokacemi s velkým Burgersovým vektorem a optické nehomogenity působené nerovnoměrnou koncentrací dotujících příměsí.The resulting economics of industrial yttrium-aluminum garnet monocrystals with neodymium and / or cerium ions doped for laser rod preparation is decisively influenced by the number of rods obtained from a single crystal. Given the starting materials, auxiliary materials and limited growth rate, the yield of laser rods from a single crystal can be increased primarily by increasing the diameter of the single crystal. However, a simple geometrical enlargement of the growing apparatus, ie the crucible and the shielding plates adjusting the temperature gradient in the growing space f , does not guarantee the homogeneity of the enlarged portion of the cultivated single crystal usable for further processing. The quality of the yttrium-aluminum garnet monocrystal grown by melt-drawing by the Gzochralski method is influenced by the crystal composition of the seed and the shape of the phase interface between the melt and the crystal as well as its possible changes. The first three factors are manifested primarily by the cell growth of the cultivated single crystal, the other crystal orientations and the change of the j '
Tyto obtíže lze podstatně odstranit způsobem pěstování monokrystalů yttritohlinitého granátu dotovanéhoThese difficulties can be substantially eliminated by the method of growing single-crystal yttrium-aluminum garnet doped
252 915 ionty neodymu nebo/a ceru velkých průměrů nad 30 mm podle Vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že nejprve se monokrystal rozšiřuje na průměr d^ tažením v délce l.j , odpovídající 40 až 80 % pVměru’’d^, načež se táhne ve válcovém tvaru v délce 12 , odpovídající 20 až 100 % průměru d^ a poté se rozšiřuje na průměr d2 tažením v délce 1^*, odpovídající 15 až 80 % průměru d2 a nato se táhne ve válcovém tvaru v průměru d2 až do vypěstování monokrystalu.252 915 neodymium and / or cerium ions of large diameters over 30 mm according to the invention, characterized in that the single crystal first extends to a diameter d1 by drawing in a length lj corresponding to 40 to 80% of the diameter d, and then stretches in a cylindrical shape in the length 1 2 corresponding to 20-100% of the diameter d ^ and then expands to a diameter d 2 dragging of length 1 ^ * corresponding to 15-80% of the diameter d 2, and thereafter extends in a cylindrical shape of diameter d 2 until single crystal cultivation.
Pro lepší porozumění je na připojeném výkrese znázorněno toto dvojité” rozšíření podle vynálezu.For better understanding, this double extension according to the invention is shown in the accompanying drawing.
Na obrázku je znázorněn zárodek X , první rozšíření 2, druhé rozšíření % a výsledný monokrystal 4· Dále je zakreslen průměr d^, průměr d2 a délky tažení 1^, 12 a h · - — —The figure shows the embryo X, the first extension 2, the second extension% and the resulting single crystal 4. The diameter d ^, diameter d 2 and drawing lengths 1 ^, 1 2 ah · - - -
Příklad 1Example 1
Byl pěstován monokrystal yttritohlinitého granátu, aktivovaného ionty neodymu Czochralskiho metodou tažením z taveniny v molybdenovém kelímku o objemu 400 ml, kdy rychlost tažení byla nastavena na 1 mra/h. Pěstování bylo řízeno regulací teploty tak, že po nasazení zárodku byl krystal po délce 11 «'12 mm rozšířen na průměr d^ « 20 mm a poté byl upraven“sestup teploty tak, že po délce 12 « mra byl udržován válcový tvar o průměru d^ « 20 mora poté další úpravou teploty byl rozšířen tažením po délce 1^ « 10 mra na průměr d2 « 37 mm a tento průměr byl dále udržován až do vypěstování monokrystalu o délce 100 mm. Ve válcové části monokrystalu o průměru 37 mm nebyly zjištěny žádné krystalové poruchy a tato část byla v celém objemu využitelná pro zhotovení laserových tyčí.A single crystal of yttrium-aluminum garnet activated by the Czochralski neodymium ions was grown by melt-drawing in a 400 ml molybdenum crucible at a drawing rate of 1 mra / h. Cultivation was controlled by regulating the temperature so that after putting the crystal seed along a length 1 1 «'12 mm expanded to diameter d ^« 20 mm, and then adjusted "descent of the temperature so that the length 1 2« MRA was maintained cylindrical shape diameter of d < 20 m and then further adjusting the temperature was expanded by drawing along a length of < 1 < 10 m > to a diameter d < 2 & gt ; 37 mm and this diameter was maintained until 100 mm long single crystal was grown. In the cylindrical part of the single crystal with a diameter of 37 mm, no crystal defects were detected and this part was usable in the whole volume for the production of laser bars.
Příklad 2Example 2
Bylo postupováno obdobně jako v příkladu 1 s tím rozdílem, že délky 1^ , 12 a lj činily 14 mm, 4 mm a 24 mra a průměr d2 činiíj55 mm. Byl vypěstován monokrystal tohoto průměru adélky 105 mra a výsledky byly obdobné jako v předchozím příkladu.The procedure was analogous to Example 1 except that the lengths 12, 12 and 11 were 14 mm, 4 mm and 24 m and the diameter d 2 was 55 mm. A single crystal of this diameter of 105 mra was grown and the results were similar to the previous example.
Příklad 3Example 3
252 915252 915
Byl pěstován monokrystal yttritohlinitého granátu dotovaného vedle iontů neodymu též ionty ceru. Jinak bylo postupováno stejně jako v příkladu 1 s tím rozdílem, že průměry d1 a d2 činily 18 mm a 34 mra, a délky 11 , lg a 1, činily 9 mm, 6 mra a 14 mm. Byl vypěstován monokrystal o průměru 34 mra a délce 97 mm a výsledky byly obdobné jako v příkladu 1.A single crystal of yttrium-aluminum garnet doped with cerium ions was grown in addition to neodymium ions. Otherwise the procedure was as in Example 1 except that the diameters d 1 and d 2 were 18 mm and 34 MRA and the lengths 1 1, l and g 1, the amount of 9 mm, 6 MRA and 14 mm. A single crystal with a diameter of 34 m and a length of 97 mm was grown and the results were similar to those of Example 1.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS861430A CS252915B1 (en) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | The method of growing single crystals of yttritium aluminum garnet |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS861430A CS252915B1 (en) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | The method of growing single crystals of yttritium aluminum garnet |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS143086A1 CS143086A1 (en) | 1987-02-12 |
| CS252915B1 true CS252915B1 (en) | 1987-10-15 |
Family
ID=5348653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS861430A CS252915B1 (en) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | The method of growing single crystals of yttritium aluminum garnet |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS252915B1 (en) |
-
1986
- 1986-03-03 CS CS861430A patent/CS252915B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS143086A1 (en) | 1987-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0141495B1 (en) | A method for pulling a single crystal | |
| US3194691A (en) | Method of manufacturing rod-shaped crystals of semi-conductor material | |
| US4944925A (en) | Apparatus for producing single crystals | |
| Red'kin et al. | Investigation of the growth conditions of gadolinium molybdate crystals | |
| Shih et al. | Czochralski growth of tellurium single crystals | |
| CS252915B1 (en) | The method of growing single crystals of yttritium aluminum garnet | |
| Tatartchenko | 10 Sapphire Crystal Growth and Applications | |
| Kimura et al. | Crystal growth of BaB2O4 from melt using a Pt tube as a seed | |
| US5454345A (en) | Method of growing single crystal of β-barium borate | |
| GB1365724A (en) | Methods of manufacturing single crystals of semiconductor mater ial | |
| Swartz et al. | Growth of ribbon-shaped crystals of gadolinium gallium garnet for bubble memory substrates | |
| JP2809364B2 (en) | Method for producing lithium tetraborate single crystal | |
| RU2230838C1 (en) | Method of monocrystals growing from a melt | |
| Isaacs et al. | Crystal growth of Tl3VS4 | |
| KR920006204B1 (en) | Linbo3 single crystal growing method | |
| CS264935B1 (en) | Treatment of growth conditions and growth sapphire modified by kyropouls method | |
| KR940009282B1 (en) | P-type gaas single crystal growing method by zn doping | |
| RU1165095C (en) | Method and apparatus for obtaining monocrystals of complex oxides | |
| KR950007598B1 (en) | Method for decreasing dislocation of gaas single crystal by vertical temperature gradient | |
| Moravec et al. | Horizontal bridgman growth of gaas single crystals | |
| JPH0782088A (en) | Method for growing single crystal | |
| JPH0367995B2 (en) | ||
| JPS63147891A (en) | Single crystal growth method and equipment | |
| CS248913B1 (en) | Method of growing single crystals from metal oxide melts | |
| Koka | Czochralski Growth of Oxide Laser Crystals |