CN2884103Y - 直拉法单晶硅生产用石英坩埚 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种直拉法单晶硅生产用石英坩埚，具有本体，本体内壁具有保护涂层。本实用新型的石英坩埚的内壁不会被熔硅侵蚀、能在高温下具有较长的稳定性、改善单晶的晶体质量，具有较高的实用价值。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种直拉法单晶硅生产用石英坩埚。
背景技术
半导体材料是半导体工业的基础材料，当今95％以上的半导体器件是用硅材料制造的，99％以上的集成电路是硅集成电路，生产集成电路所需要的原料是单晶硅，其中用直拉法生产的单晶硅占了总数的约85％。直拉法生产单晶硅时需要将块状的高纯度多晶硅置于石英坩埚内，加热到其熔点1420℃以上，使其完全融化，然而熔融的硅熔体会与石英坩埚内壁产生化学反应，对石英坩埚内壁产生侵蚀，影响石英坩埚的在高温下的强度，同时也降低了单晶硅晶体的晶格完整性。
实用新型内容
本实用新型的目的就是提供一种不会被熔融的硅熔体侵蚀、高温下具有高强度并改善硅晶体晶格的完美性的石英坩埚。
本实用新型的单晶硅生产用石英坩埚具有本体，本体内壁具有保护涂层。
上述单晶硅生产用石英坩埚的埚体内壁的保护涂层为碳酸钡涂层。
上述单晶硅生产用石英坩埚的埚体内壁的保护涂层的厚度为1至3微米。
本实用新内壁的碳酸钡涂层可与硅产生化学反应，生成性质稳定的硅酸钡，硅酸钡附着在石英坩埚的内壁，不会与高温硅熔体产生化学反应，所以在单晶硅的生产过程中，石英坩埚的内壁不会被高温硅熔体侵蚀，高温下具有高强度并改善硅晶体晶格的完美性的石英坩埚。具有较高的实用价值。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解，下面根据本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
见图1，本实用新型具有本体1，本体1内壁具有保护涂层，本实施例中保护涂层为碳酸钡涂层，碳酸钡涂层的厚度为1至3微米。碳酸钡涂层2可与硅产生化学反应，生成性质稳定的硅酸钡，硅酸钡附着在石英坩埚的内壁，不会与高温硅融浆产生化学反应，从而形成对坩埚内壁的保护。
Claims (3)
1、一种直拉法单晶硅生产用石英坩埚，具有本体(1)；其特征在于：本体内壁具有保护涂层(2)。
2、根据权利要求1所述的直拉法单晶硅生产用石英坩埚，其特征在于：所述本体内壁的保护涂层(2)为碳酸钡涂层。
3、根据权利要求2所述的直拉法单晶硅生产用石英坩埚，其特征在于：所述本体内壁的保护涂层(2)的厚度为1至3微米。
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| CN 200620003851 CN2884103Y (zh) | 2006-02-17 | 2006-02-17 | 直拉法单晶硅生产用石英坩埚 |
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| CN 200620003851 CN2884103Y (zh) | 2006-02-17 | 2006-02-17 | 直拉法单晶硅生产用石英坩埚 |
Publications (1)
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| CN2884103Y true CN2884103Y (zh) | 2007-03-28 |
Family
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Family Applications (1)
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| CN 200620003851 Expired - Lifetime CN2884103Y (zh) | 2006-02-17 | 2006-02-17 | 直拉法单晶硅生产用石英坩埚 |
Country Status (1)
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2006
- 2006-02-17 CN CN 200620003851 patent/CN2884103Y/zh not_active Expired - Lifetime
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