CN2691049Y - 渐加温式锡球熔接装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种渐加温式锡球熔接装置，尤指在输送装置中设置逐渐加温的区段，对植球模块中的锡球进行逐渐加温熔解，而使锡球熔接于芯片的接脚上；该熔接装置于工作用的输送装置两端设有驱动轴，并于驱动轴上卷绕有输送带，且在输送带间形成容置室以供设置加热装置，再将植球模块置于输送带上，即通过输送带运送植球模块行进位移，且分别经过输送带上形成的预热区、加热区、熔解区及冷却区，使植球模块中的锡球熔解，并熔接于芯片的接脚上，再加施以降温冷却以完成锡球溶接的加热；而输送带上可重复置放多个植球模块，以达到提升加热数量及速度的功效。

Description

渐加温式锡球熔接装置

技术领域

本实用新型涉及一种渐加温式锡球熔接装置，尤其涉及一种在工作中采用输送装置的输送带内部装设有加温装置，使植球模块于输送带上行进时，对植球模块进行逐渐的加温，而使植球模块中的锡球完全熔解并与芯片的接脚接合，以完成锡球植入的工作。

背景技术

现今高科技电子信息业的蓬勃发展，许多高价值的电子产品也具有相当优越的功能，提供使用者在使用电子产品时的快速与便捷，也带领人类走向高科技的高文明社会，享受高科技产品下的舒适生活，不论是工作上或平常的生活中，都会利用到高科技的电子产品，而形成各式各种的电子产品充满在人类生活的周围，在各式各种的电子产品里，都会装设有电子零元件在其中，例如电阻、电容、晶体管、连接器、电路板及芯片等，其中芯片在电路板上指用来管理、分析、处理资料的功能，在电子零元件中，是极为重要的构件之一。

而芯片上通常都设有许多接脚，藉以将芯片中不同作用的功能利用接脚连接于电路板上，并使电路板上的各种电子讯号通过芯片接脚传入芯片中，利用芯片做处理；也因为芯片的接脚数量多，同时也排列的相当密集，所以，在芯片要装设于电路板上时，针对芯片的各个接脚进行固定工作，必定是相当麻烦与不便；即有业者利用热风回流的方式，在芯片的接脚上固设锡球，如台湾公告第一八四六0六号「热风回流软焊机的改良构造」新型专利案，其包括有：

一机体、一发热体、网孔板、两层以上的输送装置、一导流装置、一风扇装置，经由风扇装置吹送的风可由热风混合区内混合热风成一均匀温度的热空气，而下流经过该具小通孔的网孔板，而提供一层稳定热流风可均匀地吹送至第一层输送装置上的PC板，而一部份热风则由第二层以下的输送装置侧边的导流装置，使其产生稳定均匀的热风流经第二层以下的输送装置，如此，可同时焊接多层的电路板，以达到提高焊接的生产效率。

上述现有技术的热风回流软焊机，利用机体中热风循环的方式，对电路板上的电子元件进行焊接，然而却具有诸多缺陷，例如：

1、热风循环所能产生的温度并不高，反而造成锡球熔解速度缓慢，所以电路板上的电子零元件焊接的时间会加长。

2、其利用发热装置产生热温，再以风扇吹风形成热风而于机体中循环，会形成机体中热温不均匀的现像，造成电路板上不同位置处的电子元件的焊接时间不同，即造成锡球熔解的不完全。

3、其机体中一次仅可放置一组锡球熔接器具，待锡球加温熔解后，必须等待器具取出后，再进行下一组器具的加热作业，而形成加热时间长、加热速度慢、耗工又费时等缺陷。

4、在器具放入机体内部后，即以高温进行锡球熔解，同时让芯片由室温立即变成高温加热，容易使芯片因温差大而产生故障。

由此，根据上述问题，本实用新型针对芯片接脚的锡球熔接的特性，作一深入地分析与探讨，通过钻研与设计，进而以锲而不舍的试作与修改，始设计出此种以逐渐加温方式进行锡球熔解的渐加温式锡球熔接装置。

发明内容

本实用新型的主要目的，在于提供一种渐加温式锡球熔接装置，该装置是一种行进中的输送装置，其两端设有驱动轴，并于驱动轴上卷绕有输送带，且在输送带间形成容置室，在容置室中设置有加热装置，而在输送带上形成预热区、加热区、熔解区以及冷却区，当装设芯片及锡球的植球模块置于输送带上，由输送带运送植球模块行进位移，并先由预热区行进而进入加热区，再进入熔解区，以使植球模块中的锡球完全熔解，并与芯片的接脚接合后，再进入冷却区降温冷却，以达到植球模块逐渐加温及降温冷却的功效。

本实用新型的次要目的，在于输送带内部的加热装置，依温度的不同而区分为0℃～150℃的预热区、150℃～190℃的加热区、190℃～215℃的熔解区、215℃～0℃的冷却区。

本实用新型的再一目的，在于输送装置的输送带内部的加热装置可采用红外线灯管、热导管或导热线圈等加热器具。

本实用新型的又一目的，在于输送装置依照加温的温度不同，可分成数段不同温度的输送装置排列连接在一起，使每一段输送带具有不同温度。

为达成上述目的及构造，本实用新型所采用的技术手段及其功效，兹结合附图与本实用新型的实施例详加说明其构造功能如下，以利完全了解。

附图说明

图1为本实用新型的立体外观图。

图2为本实用新型的使用状态立体外观图。

图3为本实用新型的侧视剖面图。

图3A为图3的A局部放大图。

图3B为图3A锡球熔接放大图。

图4为本实用新型的植球模块立体分解图。

图5为本实用新型的实施方式立体外观图。

图6为本实用新型的实施方式侧视图。

图7为本实用新型的输送装置另一种实施例图。

图8为本实用新型的加温装置另一种实施例图。

图中符号说明：

1    输送装置

101  预热输送装置           11   驱动轴

102  加热输送装置           12   输送带

103  熔解输送装置           121  容置室

104  冷却输送装置

2    加热装置

21   预热区                 23   熔解区

22   加热区                 24   冷却区

3    植球模块

31   基座                   321  限位孔

311  容置空间               33   金属网板

312  出风孔                 331  锡球定位孔

32   限位件

4    芯片

41   接脚

5    锡球

6    收集区

具体实施方式

请参阅图1、图2、图3所示，为本实用新型的立体外观图、使用状态立体外观图、侧视剖面图，由图中可以清楚看出，本实用新型的锡球熔接装置为由输送装置1、加热装置2、植球模块3等所组成，其中：

该输送装置1于两端分别设有驱动轴11，且于驱动轴11上卷绕有输送带12，并在输送带12间形成容置室121。

该加热装置2装设于输送带12的容置室121内，而加热装置2依序可分成由0℃～150℃、150℃～190℃、190℃～215℃及215℃～0℃等多段不同温度，且0℃～150℃为预热区21，150℃～190℃则为加热区22，190℃～215℃的熔解区23及215℃～0℃的冷却区24。

该植球模块3具有基座31、限位件32及金属网板33等构件，其中该基座31内部具有容置空间311(请同时参阅图4所示)，并于容置空间311内设有复数个出风孔312，且容置空间311内可置入限位件32，限位件32中具有限位孔321，而可于限位孔321内置入芯片4，并使芯片4的接脚41朝上方放置，再于芯片4上方置入金属网板33，且金属网板33上设复数个锡球定位孔331，并使锡球定位孔331对位于芯片4的接脚41，再于金属网板33的锡球定位孔331中置入锡球5。

上述构件将植球模块3置于输送装置1的输送带12上(请同时参阅图3、图3A、图3B所示)，并由输送带12带动对植球模块3行进位移，使植球模块3由输送带12的预热区21进入，受到0℃～150℃的加温，然后进入加热区22，且受到150℃～190℃的加温，最后该植球模块3再进入熔解区23，并受到190℃～215℃的加温，利用加热装置2以渐序加温方式对植球模块3进行加温，使热温由基座31的出风孔312进入容置空间311内，使置于容置空间311内金属网板33上锡球定位孔331中的锡球5因受到渐加温的加热方法，以将锡球5熔化并接合于芯片4的接脚41上，再使植球模块3进入冷却区24，进行215℃～0℃的降温冷却，完成锡球5熔接的作业。

请参阅图5、图6所示，为本实用新型的实施方式立体外观图、实施方式侧视图，该输送带装置1为于末端处设有冷却区24，而于输送装置1的输送带12上可连续放置复数个植球模块3，而通过输送带12将复数个植球模块3陆续输送由预热区21、加热区22再进入熔解区23，将植球模块3中的锡球5予以完全熔解，且可持续对复数个植球模块3进行加热，达到提高工作效率的功效，而植球模块3在经过熔解区23后，再进入冷却区24进行降温冷却，以使植球模块3在冷却区24中，于室温下进行冷却，或利用冷却风扇吹送冷风，使冷却区24内的植球模块3冷却，再将植球模块3集中于收集区6内收存。

再请参阅图7、图8所示，为本实用新型的输送带另一种实施例图、加温装置另一种实施例图，其中，根据渐加温式锡球熔接装置不同的温度区别，而将输送装置1分成数段型式，成为预热区21的预热输送装置101、加热区22的加热输送装置102、熔解区23的熔解输送装置103及冷却区24的冷却输送装置104，且以排列组合成连续式的输送状态，构成一整体的输送装置1，而能利用各区段的温度差别，对植球模块3进行逐渐加温，使植球模块3中的锡球5熔解，完成焊接的作业。

上述详细说明，仅针对本实用新型的较佳实施例说明而已，该实施例并非用以局限本实用新型的申请专利范围，举凡其它未脱离本实用新型所揭示的技艺精神下所完成的均等变化与修饰变更，均应包含于本实用新型所涵盖的专利范围中。

本实用新型的渐加温式锡球熔接装置，利用输送带中区段不同的热温特性，使植球装置中的锡球由低温渐移至高温处，再熔解焊接于芯片的接脚，而防止芯片因短时间的温差变化而产生故障，并可在输送带上连续放置多个植球模块进行焊接作业，达到提高工作效率的目的。

综上所述，本实用新型的渐加温式锡球熔接装置在使用时，确实能达到其功效及目的，故本实用新型诚为一实用性优异的设计，符合实用新型专利申请的要件，依法提出申请。

Claims (10)

1、一种渐加温式锡球熔接装置，其主要于输送装置两端设有驱动轴，并于驱动轴上卷绕有输送带，而在卷绕的输送带间形成容置室，其特征在于：

该输送带的容置室内设置有加热装置，且加热装置依其温度高低不同，而在输送带上形成预热区、加热区、熔解区及冷却区，植球模块置于输送带上。

2、如权利要求1所述的渐加温式锡球熔接装置，其中该加热装置的预热区温度为0℃～150℃之间。

3、如权利要求1所述的渐加温式锡球熔接装置，其中该加热装置的加热区温度为150℃～190℃之间。

4、如权利要求1所述的渐加温式锡球熔接装置，其中该加热装置的熔解区温度为190℃～215℃之间。

5、如权利要求1所述的渐加温式锡球熔接装置，其中该加热装置的冷却区温度为215℃～0℃之间。

6、如权利要求1所述的渐加温式锡球熔接装置，其中该加热装置的加热源为红外线灯管。

7、如权利要求1所述的渐加温式锡球熔接装置，其中该加热装置的加热源为导热线圈。

8、如权利要求1所述的渐加温式锡球熔接装置，其中该加热装置的加热源为热导管。

9、如权利要求1所述的渐加温式锡球熔接装置，其中该输送装置于末端设有冷却区。

10、如权利要求1所述的渐加温式锡球熔接装置，其中该植球模块由基座、限位件、金属网板所构成，该基座内部具有容置空间，容置空间底部设有复数个出风孔，而该容置空间中可供限位件及金属网板置入，且限位件中具有限位孔，该金属网板上则设有复数个锡球定位孔。

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