CN2509690Y - 多层晶片电感结构改良 - Google Patents

Abstract

一种多层晶片电感结构改良,由数个基板体堆叠成,其主要特征在于该基板体,其内层为磁性材料(或非磁性材料),并于内电极线路旁依电气特性需求留下适当比例位置印刷有非磁性材料(或磁性材料);其中以低温共烧陶瓷技术将上述元件的堆叠共同烧制成一个陶瓷封装的晶片,而于元件封装表面留下非遮蔽性区域,该区域会造成开放性磁力线而改善晶片电感耐电流特性,进而依据其所留非遮蔽性区域的比例,可适当控制电感值与耐电流性之间的关系。

Description

多层晶片电感结构改良

技术领域

本实用新型是关于一种多层晶片电感结构改良，特别是指一种利用多种陶瓷材料共烧以制作晶片电感元件及其制作的方法，由非磁性材料的无遮蔽特性造成磁力线外泄的原理以达成增强耐电流的特性。

背景技术

耐电流值(current carry capability)是电子元件的一重要的电气规格，元件的电感值和耐电流值往往呈现反比的关系；

如图1、图2所示，一般电感元件包含有上盖4、下盖6及复数个基板5，全部采用soft ferrite(软磁铁蕊)磁性材料，而由该基板5印刷内电极51，其简易制作和特遮蔽性而保护内电极51，做成具遮蔽性的多层晶片电感，但在封闭式磁场下，会造成易磁饱和及耐电流性差的缺点；

由此可见，上述常用物品仍有诸多缺点，实非一良善的设计，而亟待加以改良。

本案申请人鉴于上述常用技术所衍生的各项缺点，乃亟思加以改良创新，并经多年苦心孤诣潜心研究后，终于成功研发完成本件。

发明内容

本实用新型的目的即在于提供一种多层晶片电感结构改良，利用陶瓷共烧技巧，于元件封装表面留下非遮蔽性区域，该区域会造成开放性磁力线而改善晶片电感耐电流特性，进而依据其所留非遮蔽性区域的比例，俾可适当控制电感值与耐电流性之间的关系。

可达成上述实用新型目的的多层晶片电感结构改良，是利用现行的低温共烧陶瓷技术(Low Temperature Cofired Ceramic，LTCC)，依实际设计需求决定以多种陶瓷材料(如磁性材及非磁性材)共烧制作晶片电感元件。

本实用新型所提供的多层晶片电感结构改良，与前述引证案及其他常用技术相互比较时，更具有下列的优点：

1.利用陶瓷共烧技巧，于元件封装表面留下非遮蔽性区域，该区域会造成开放性磁力线而改善晶片电感耐电流特性。

2.多种陶瓷材料共烧以制作晶片电感元件及其制作的方法，由非磁性材料的无遮蔽特性造成磁力线外泄的原理以达成增强耐电流的特性。

附图说明

请参阅以下有关本实用新型一较佳实施例的详细说明及其附图，将可进一步了解本实用新型的技术内容及其目的功效；有关该实施例的附图为：

图1为常用多层晶片电感的结构分解视图；

图2为常用多层晶片电感的制造流程；

图3为本实用新型多层晶片电感的结构分解视图；

图4为本实用新型多层晶片电感的制作流程。

图中的1为上盖基板，2为基板体，21为内层，22为内电极，23为外框，3为下盖基板，4为上盖，5为基板，51为内电极，6为下盖。

具体实施方式

请参阅图3、图4所示，本实用新型所提供的多层晶片电感结构改良，由磁性材料(或非磁性材料)的上盖基板1与下盖基板3间采数个基板体2堆叠成，而该基板体2的数量是依据所需的圈数堆叠而成，其主要特征在于：

该基板体2，其内层21为磁性材料(或非磁性材料)，并依电气特性需求于该内层的两侧外框23适当比例位置则相对印刷有非磁性材料(或磁性材料)，而该内层21与外框23的衔接部分适当处则制作成有一呈线路型的内电极22；其中该基板体2内层21与外框23的材质为相对印刷非磁性材料及磁性材料，以决定磁性与非磁性共同烧制成一个陶瓷封装晶片。

其中该上、下盖、基板体可依设计需求选用磁性材或非磁性材，由上述元件的堆叠，以低温共烧陶瓷技术(LTCC)于元件封装表面留下非遮蔽性区域，该区域会造成开放性磁力线而改善晶片电感耐电流特性，进而依据其所留非遮蔽性区域的比例，可适当控制电感值与耐电流性之间的关系，其中针对常用电感及本实用新型电感在不同电感值的条件下，其所量测得到相对应的耐电流值比较如附表一所示，并由附表一可得知，在相同电感值下，由本实用新型的电感所测得的耐电流值远较常用电感所测得的耐电流值高，足见本实用新型确切能改善晶片电感耐电流特性，具进步性。表一  常用与本实用新型电感所测得的耐电流值比较

L(uH)	IDC(mA)
				常用	本实用新型
0.18	250	350
			0.22	250	350
0.27	250	350
			0.33	200	300
0.39	200	300
			0.47	150	250
0.56	150	250
			0.68	150	250
0.82	100	180
			1.0	100	180
1.2	50	100
			1.5	50	100
1.8	50	100
			2.2	50	100
2.7	50	100
			3.3	50	100
3.9	50	100
			4.7	50	100
5.6	25	75
			6.8	25	75
8.2	25	75
			10	25	50
12	15	30
			15	5	20

*此为以尺寸：3.2×1.6×1.1为例子的电气特性比较

上列详细说明是针对本实用新型之一可行实施例的具体说明，惟该实施例并非用以限制本实用新型的专利范围，凡未脱离本实用新型技艺精神所为的等效实施或变更，例如：等变化的等效性实施例，均应包含于本案的专利范围中。

Claims (3)

1.一种多层晶片电感结构改良，由上盖基板与下盖基板间采数个基板体堆叠成，其特征在于：

该基板体(2)，其内层(21)为磁性材料，并依电气特性需求于该内层的两侧外框(23)适当比例位置则相对印刷有非磁性材料，而该磁性材料与非磁性材料的衔接部分适当处则制作成有一呈线路型的内电极(22)；

其中以低温共烧陶瓷技术将上述元件的堆叠共同烧制成一个陶瓷封装的晶片，而于元件封装表面留下非遮蔽性区域。

2.按权利要求1所述的多层晶片电感结构改良，其特征在于该内层(21)的材质亦可以为非磁性材料，而其外框(23)则相对印刷有磁性材料，以决定磁性与非磁性共同烧制成一个陶瓷封装晶片。

3.按权利要求1所述的多层晶片电感结构改良，其特征在于该上、下盖基板可依设计需求选用磁性材或非磁性材。

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