CN221079959U - 一种应用于固晶设备的供晶结构及晶片转移装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种应用于固晶设备的供晶结构及晶片转移装置，沿所述设备底座的长度方向上活动设有供晶装置，所述设备底座长度方向的一侧侧边设有龙门架，所述龙门架上设有晶片转移结构，通过所述第一晶片吸附结构和第二晶片吸附结构将所述转移轨道两侧的所述晶圆盘基座上的晶片依次交错呈直线的移动方式将晶片移动至所述转移轨道上半导体基板上，缩短了晶片的移动行程，且通过两个晶片吸附装置交错进行转移，晶片的转移速度更快，效率更高，通过所述第一直线驱动装置和第二直线驱动装置移动所述晶圆盘基座在所述晶片转移结构对晶圆盘上的晶片进行转移后将下一个需要转移的晶片移动至转移位处，方便所述晶片转移结构快速往复运动进行转移。

Description

一种应用于固晶设备的供晶结构及晶片转移装置

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种应用于固晶设备的供晶结构及晶片转移装置。

背景技术

固晶一般是通过固晶摆臂将晶圆上的晶片从供晶位吸取，再移动至基板上的固晶位，以将晶片精准安装在基板上，以实现固晶，现有技术中，通常使用摆臂进行晶片的转移，通过摆臂的吸附作用，将晶圆盘上的晶片吸附起来，然后转移至目标盘上。但是摆臂一次只能转移一颗晶片，利用摆臂进行多次往复摆动运动，从而将巨量的晶片实现转移，但是摆臂往复摆动会如果出现摆臂卡顿的情况会影响固晶效果，且摆臂的摆动距离较长，晶片的移动行程也较长，会导致固晶效率较低。

实用新型内容

针对背景技术中存在的技术缺陷，本实用新型提出一种应用于固晶设备的供晶结构及晶片转移装置，解决了上述技术问题以及满足了实际需求，具体的技术方案如下所示：

一种应用于固晶设备的供晶结构及晶片转移装置，包括设备底座，沿所述设备底座的长度方向上活动设有供晶装置，所述设备底座长度方向的一侧侧边设有龙门架，所述龙门架上设有晶片转移结构，所述设备底座长度方向的另一侧设有转移轨道，所述转移轨道的延伸方向与所述设备底座的长度方向垂直，且转移轨道的端部延伸穿过所述龙门架下方；

所述供晶装置包括沿所述设备底座长度方向设置的第一直线驱动装置和设置在所述第一直线驱动装置上与所述第一直线驱动装置活动连接的供晶平台，所述供晶平台上设有与所述第一直线驱动装置的驱动方向相垂直的第二直线驱动装置，所述第二直线驱动装置连接设有晶圆盘基座；

所述晶片转移结构包括沿所述龙门架长度方向设置的第三直线驱动装置，所述第三直线驱动装置连接设有第一晶片吸附结构和第二晶片吸附结构；

作为上述方案的改进，所述供晶平台的数量为两个，分别为第一供晶平台和第二供晶平台，且所述第一供晶平台和第二供晶平台分别设置在所述设备底座上对应所述转移轨道长度方向的两侧。

作为上述方案的改进，所述第一直线驱动装置包括设置在所述设备底座上端面第一直线导轨和分别对称设置在所述第一直线导轨两端的第一直线驱动电机，所述第一直线导轨的数量为两条且沿所述设备底座的长度方向相互平行设置，所述第一直线驱动电机的数量为两个且分别连接两个所述供晶平台。

作为上述方案的改进，所述第二直线驱动装置包括设置在所述第一供晶平台上的第二直线导轨、第二直线驱动电机和设置在所述第二供晶平台上的第三直线导轨、第三直线驱动电机，所述第二直线导轨和所述第三直线导轨之间相互平行设置、且所述第二直线导轨和第三直线导轨的延伸方向均和所述第一直线导轨的延伸方向垂直。

作为上述方案的改进，所述第三直线驱动装置包括第四直线导轨和设置在所述第四直线导轨上的第四直线驱动电机、第五直线驱动电机，所述第四直线导轨上设有第一移动支架和第二移动支架，所述第四直线驱动电机连接在所述第一移动支架上，所述第五直线驱动电机连接在所述第二移动支架上。

作为上述方案的改进，所述第一移动支架上设有第一晶片吸附结构，所述第一晶片吸附结构包括第一伸缩气缸、第一延伸支架和第一真空吸附头，所述第一移动支架上固定设有所述第一伸缩气缸，所述第一伸缩气缸的输出端连接所述第一延伸支架，所述第一延伸支架远离所述龙门架的一端设有吸附端朝下第一真空吸附头。

作为上述方案的改进，所述第二移动支架上设有第二晶片吸附结构，所述第二晶片吸附结构包括第二伸缩气缸、第二延伸支架和第二真空吸附头，所述第二移动支架上固定设有所述第二伸缩气缸，所述第二伸缩气缸的输出端连接所述第二延伸支架，所述第二延伸支架远离所述龙门架的一端设有吸附端朝下第二真空吸附头。

本实用新型具有的有益效果在于：所述晶片转移结构通过所述第三直线驱动装置驱动所述第一晶片吸附结构和第二晶片吸附结构将所述转移轨道两侧的所述晶圆盘基座上的晶片依次交错呈直线的移动方式将晶片移动至所述转移轨道上半导体基板上，缩短了晶片的移动行程，且通过两个晶片吸附装置交错进行转移，晶片的转移速度更快，效率更高，所述供晶装置通过所述第一直线驱动装置和第二直线驱动装置移动所述晶圆盘基座在所述晶片转移结构对晶圆盘上的晶片进行转移后将下一个需要转移的晶片移动至转移位处，方便所述晶片转移结构快速往复运动进行转移。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图。

图2为本实用新型的供晶装置和晶片转移结构立体图示意图。

图3为本实用新型的第一直线驱动装置结构示意图。

图4为本实用新型的供晶平台和第二直线驱动装置结构示意图。

图5为本实用新型的晶片转移结构示意图。

其中：设备底座1、转移轨道101、晶圆盘基座102、供晶装置2、龙门架3、第一移动支架301、第二移动支架302、晶片转移结构4、第一直线驱动装置5、第一直线导轨501、第一直线驱动电机502、供晶平台6、第一供晶平台601、第二供晶平台602、第二直线驱动装置7、第二直线导轨701、第二直线驱动电机702、第三直线导轨703、第三直线驱动电机704、第三直线驱动装置8、第四直线导轨801、第四直线驱动电机802、第五直线驱动电机803、第一晶片吸附结构9、第一伸缩气缸901、第一延伸支架902、第一真空吸附头903、第二晶片吸附结构10、第二伸缩气缸1001、第二延伸支架1002、第二真空吸附头1003。

具体实施方式

下面结合附图与相关实施例对本实用新型的实施方式进行说明，本实用新型的实施方式不局限于如下的实施例中，并且本实用新型涉及本技术领域的相关必要部件，应当视为本技术领域内的公知技术，是本技术领域所属的技术人员所能知道并掌握的。

如图1至图5所示，一种应用于固晶设备的供晶结构及晶片转移装置，包括设备底座1，沿所述设备底座1的长度方向上活动设有供晶装置2，所述设备底座1长度方向的一侧侧边设有龙门架3，所述龙门架3上设有晶片转移结构4，所述设备底座1长度方向的另一侧设有转移轨道101，所述转移轨道101的延伸方向与所述设备底座1的长度方向垂直，且转移轨道101的端部延伸穿过所述龙门架3下方；

所述供晶装置2包括沿所述设备底座1长度方向设置的第一直线驱动装置5和设置在所述第一直线驱动装置5上与所述第一直线驱动装置5活动连接的供晶平台6，所述供晶平台6上设有与所述第一直线驱动装置5的驱动方向相垂直的第二直线驱动装置7，所述第二直线驱动装置7连接设有晶圆盘基座102；

所述晶片转移结构4包括沿所述龙门架3长度方向设置的第三直线驱动装置8，所述第三直线驱动装置8连接设有第一晶片吸附结构9和第二晶片吸附结构10；

本实用新型在结构上，所述设备底座1的长度方向设有第一直线导轨501，所述转移轨道101设置在所述第一直线导轨501的上方，所述第一供晶平台601和所述第二供晶平台602分别设置所述第一直线导轨501上且位置对应所述转移轨道101的两侧，所述龙门架3的长度方向设有第四直线导轨801，所述第四直线导轨801上对应所述第一供晶平台601的位置设有第一晶片吸附结构9，对应所述第二供晶平台602的位置设有第二晶片吸附结构10，所述第一晶片吸附结构9通过所述第四直线驱动电机802驱动所述第一移动支架301带动所述第一真空吸附头903对第一供晶平台601上的晶片进行转移，所述第二晶片吸附结构10通过所述第五直线驱动电机803驱动所述第二移动支架302带动所述第二真空吸附头1003对第二供晶平台602上的晶片进行吸附转移。

作为上述方案的改进，所述供晶平台6的数量为两个，分别为第一供晶平台601和第二供晶平台602，且所述第一供晶平台601和第二供晶平台602分别设置在所述设备底座1上对应所述转移轨道101长度方向的两侧，所述第一供晶平台601通过对应位置所述第一直线驱动电机502驱动沿所述第一直线导轨501往复运动，调整所述第一供晶平台601上的晶圆盘上的晶片在所述设备底座1长度方向的位置，使得晶片可以准确的被所述第一晶片吸附结构9快速吸起转移，所述第二供晶平台602通过对应位置的所述第一直线驱动电机502驱动沿所述第一直线导轨501往复运动，调整所述第二供晶平台602上的晶圆盘上的晶片在所述设备底座1长度方向的位置。

需要说明的是，所述第一供晶平台601和所述第二供晶平台602分别设置在所述转移轨道101的两侧，所述第一晶片吸附结构9和所述第二晶片吸附结构10的单次转移工序错开，所述第四直线驱动电机802和所述第五直线驱动电机803的直线行进工序相互交错。

作为上述方案的改进，所述第一直线驱动装置5包括设置在所述设备底座1上端面第一直线导轨501和分别对称设置在所述第一直线导轨501两端的第一直线驱动电机502，所述第一直线导轨501的数量为两条且沿所述设备底座1的长度方向相互平行设置，所述第一直线驱动电机502的数量为两个且分别连接两个所述供晶平台6，在所述第一供晶平台601和第二供晶平台602上的单个晶片完成单次转移后，所述第一供晶平台601在对应第一供晶平台601位置的所述第一直线驱动电机502推动下沿所述第一直线导轨501移动预定距离，所述第一供晶平台601在对应第二供晶平台602位置的所述第一直线驱动电机502推动下沿所述第一直线导轨501移动预定距离，其中，所述第一直线驱动电机502输出的预定距离为晶圆盘中需要转移的每列晶片之间的间距。

作为上述方案的改进，所述第二直线驱动装置7包括设置在所述第一供晶平台601上的第二直线导轨701、第二直线驱动电机702和设置在所述第二供晶平台602上的第三直线导轨703、第三直线驱动电机704，所述第二直线导轨701和所述第三直线导轨703之间相互平行设置、且所述第二直线导轨701和第三直线导轨703的延伸方向均和所述第一直线导轨501的延伸方向垂直，所述第一供晶平台601和所述第二供晶平台602上分别设有第一晶圆盘基座102和第二晶圆盘基座102，在所述第一供晶平台601和第二供晶平台602上的晶片完成单列的所有晶片转移后，所述第一晶圆盘基座102在所述第二直线驱动电机702的推动下沿所述第二直线导轨701移动预定距离，所述第二晶圆盘基座102在所述第三直线驱动电机704的推动下沿所述第三直线导轨703移动预定距离，其中所述第二直线驱动电机702和第三直线驱动电机704输出的预定距离为晶圆盘中需要转移的每排晶片之间的距离。

作为上述方案的改进，所述第三直线驱动装置8包括第四直线导轨801和设置在所述第四直线导轨801上的第四直线驱动电机802、第五直线驱动电机803，所述第四直线导轨801上设有第一移动支架301和第二移动支架302，所述第四直线驱动电机802连接在所述第一移动支架301上，所述第四直线驱动电机802驱动所述第一移动支架301沿所述第四直线导轨801的长度方向移动，设置在所述第一移动支架301上的第一晶片吸附结构9随所述第一移动支架301在所述转移轨道101和所述第一晶圆盘基座102的上方进行往复直线运动，所述第五直线驱动电机803连接在所述第二移动支架302上，所述第五直线驱动电机803驱动所述第二移动支架302沿所述第四直线导轨801的长度方向移动，设置在所述第二移动支架302上的第二晶片吸附结构10随所述第二移动支架302在所述转移轨道101和所述第二晶圆盘基座102的上方进行往复直线远动，缩短了晶片的移动行程，且通过第一晶片吸附结构9和第二晶片吸附结构10交错进行转移，晶片的转移速度更快，效率更高。

作为上述方案的改进，所述第一移动支架301上设有第一晶片吸附结构9，所述第一晶片吸附结构9包括第一伸缩气缸901、第一延伸支架902和第一真空吸附头903，所述第一移动支架301上固定设有所述第一伸缩气缸901，所述第一伸缩气缸901的输出端连接所述第一延伸支架902，所述第一延伸支架902远离所述龙门架3的一端设有吸附端朝下第一真空吸附头903，在所述第一晶片吸附结构9随所述第一移动支架301直线运动至所述第一晶圆盘基座102上方时，所述第一伸缩气缸901向下伸出推动所述第一延伸支架902朝向所述第一晶圆盘基座102运动，通过设置在所述第一延伸支架902上的第一真空吸附头903对晶片进行吸附转移至所述转移轨道101上的半导体基板上。

作为上述方案的改进，所述第二移动支架302上设有第二晶片吸附结构10，所述第二晶片吸附结构10包括第二伸缩气缸1001、第二延伸支架1002和第二真空吸附头1003，所述第二移动支架302上固定设有所述第二伸缩气缸1001，所述第二伸缩气缸1001的输出端连接所述第二延伸支架1002，所述第二延伸支架1002远离所述龙门架3的一端设有吸附端朝下第二真空吸附头1003，在所述第一晶片吸附结构9随所述第二移动支架302直线运动至所述第二晶圆盘基座102上方时，所述第二伸缩气缸1001向下伸出推动所述第二延伸支架1002朝向所述第二晶圆盘基座102运动，通过设置在所述第二延伸支架1002上的第二真空吸附头1003对晶片进行吸附转移至所述转移轨道101上的半导体基板上。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (7)

1.一种应用于固晶设备的供晶结构及晶片转移装置，其特征在于，包括设备底座（1），沿所述设备底座（1）的长度方向上活动设有供晶装置（2），所述设备底座（1）长度方向的一侧侧边设有龙门架（3），所述龙门架（3）上设有晶片转移结构（4），所述设备底座（1）长度方向的另一侧设有转移轨道（101），所述转移轨道（101）的延伸方向与所述设备底座（1）的长度方向垂直，且转移轨道（101）的端部延伸穿过所述龙门架（3）下方；

所述供晶装置（2）包括沿所述设备底座（1）长度方向设置的第一直线驱动装置（5）和设置在所述第一直线驱动装置（5）上与所述第一直线驱动装置（5）活动连接的供晶平台（6），所述供晶平台（6）上设有与所述第一直线驱动装置（5）的驱动方向相垂直的第二直线驱动装置（7），所述第二直线驱动装置（7）连接设有晶圆盘基座（102）；

所述晶片转移结构（4）包括沿所述龙门架（3）长度方向设置的第三直线驱动装置（8），所述第三直线驱动装置（8）连接设有第一晶片吸附结构（9）和第二晶片吸附结构（10）。

2.根据权利要求1所述的应用于固晶设备的供晶结构及晶片转移装置，其特征在于，所述供晶平台（6）的数量为两个，分别为第一供晶平台（601）和第二供晶平台（602），且所述第一供晶平台（601）和第二供晶平台（602）分别设置在所述设备底座（1）上对应所述转移轨道（101）长度方向的两侧。

3.根据权利要求2所述的应用于固晶设备的供晶结构及晶片转移装置，其特征在于，所述第一直线驱动装置（5）包括设置在所述设备底座（1）上端面第一直线导轨（501）和分别对称设置在所述第一直线导轨（501）两端的第一直线驱动电机（502），所述第一直线导轨（501）的数量为两条且沿所述设备底座（1）的长度方向相互平行设置，所述第一直线驱动电机（502）的数量为两个且分别连接两个所述供晶平台（6）。

4.根据权利要求3所述的应用于固晶设备的供晶结构及晶片转移装置，其特征在于，所述第二直线驱动装置（7）包括设置在所述第一供晶平台（601）上的第二直线导轨（701）、第二直线驱动电机（702）和设置在所述第二供晶平台（602）上的第三直线导轨（703）、第三直线驱动电机（704），所述第二直线导轨（701）和所述第三直线导轨（703）之间相互平行设置、且所述第二直线导轨（701）和第三直线导轨（703）的延伸方向均和所述第一直线导轨（501）的延伸方向垂直。

5.根据权利要求1所述的应用于固晶设备的供晶结构及晶片转移装置，其特征在于，所述第三直线驱动装置（8）包括第四直线导轨（801）和设置在所述第四直线导轨（801）上的第四直线驱动电机（802）、第五直线驱动电机（803），所述第四直线导轨（801）上设有第一移动支架（301）和第二移动支架（302），所述第四直线驱动电机（802）连接在所述第一移动支架（301）上，所述第五直线驱动电机（803）连接在所述第二移动支架（302）上。

6.根据权利要求5所述的应用于固晶设备的供晶结构及晶片转移装置，其特征在于，所述第一移动支架（301）上设有第一晶片吸附结构（9），所述第一晶片吸附结构（9）包括第一伸缩气缸（901）、第一延伸支架（902）和第一真空吸附头（903），所述第一移动支架（301）上固定设有所述第一伸缩气缸（901），所述第一伸缩气缸（901）的输出端连接所述第一延伸支架（902），所述第一延伸支架（902）远离所述龙门架（3）的一端设有吸附端朝下第一真空吸附头（903）。

7.根据权利要求5所述的应用于固晶设备的供晶结构及晶片转移装置，其特征在于，所述第二移动支架（302）上设有第二晶片吸附结构（10），所述第二晶片吸附结构（10）包括第二伸缩气缸（1001）、第二延伸支架（1002）和第二真空吸附头（1003），所述第二移动支架（302）上固定设有所述第二伸缩气缸（1001），所述第二伸缩气缸（1001）的输出端连接所述第二延伸支架（1002），所述第二延伸支架（1002）远离所述龙门架（3）的一端设有吸附端朝下第二真空吸附头（1003）。