CN220693637U - 电子装置 - Google Patents

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Abstract

一种电子装置包括具有第一区和第二区的显示面板，第一区包括透射区、元件区以及从元件区延伸的多个连接区。显示面板包括：第一发光单元，在元件区中并且包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件；以及第一复制发光单元，在多个连接区中、包括多个复制发光元件并且与第一发光单元同步操作。多个连接区包括与第一发光元件相邻的第一连接区、与第二发光元件相邻的第二连接区以及与第三发光元件相邻的第三连接区和第四连接区。第一发光元件的发射颜色不同于多个复制发光元件中的在第一连接区中的第一复制发光元件的发射颜色。

Description

电子装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年8月10日提交的韩国专利申请第10-2022-0099736号的优先权和权益，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
实施例涉及包括带有具有高透射率的部件区的显示面板的电子装置。
背景技术
电子装置可以是带有诸如显示面板和电子模块的各种电子部件的装置。电子模块可以包括相机、红外传感器或接近传感器。电子模块可以设置在显示面板之下。显示面板的一些区的透射率可以高于显示面板的其它部分区的透射率。电子模块可以通过显示面板的部分区接收外部输入，或者可以通过显示面板的部分区提供输出。
实用新型内容
实施例提供了包括具有提高的显示质量的显示面板的电子装置。
然而，本公开的实施例不限于在本文中阐述的那些实施例。通过参考下面给出的本公开的详细描述，上述和其它实施例对于本公开所属领域普通技术人员将变得更加显而易见。
在实施例中，电子装置可以包括：显示面板，包括：第一区，包括透射区、元件区以及从元件区延伸的多个连接区；以及第二区，与第一区间隔开，其中，显示面板可以包括：第一发光单元，设置在元件区中并且包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件；以及第一复制发光单元，设置在多个连接区中、包括多个复制发光元件并且与第一发光单元同步操作，其中，多个连接区可以包括：第一连接区，与第一发光元件相邻；第二连接区，与第二发光元件相邻；以及第三连接区和第四连接区，与第三发光元件相邻，并且其中，第一发光元件的发射颜色可以不同于多个复制发光元件中的设置在第一连接区中的第一复制发光元件的发射颜色。
在实施例中，第一复制发光元件可以电连接到第三发光元件，并且第一复制发光元件和第三发光元件可以被配置成同时发光。
在实施例中，多个复制发光元件可以进一步包括：第二复制发光元件，设置在第二连接区中；第三复制发光元件，设置在第三连接区中；以及第四复制发光元件，设置在第四连接区中。
在实施例中，第二复制发光元件可以电连接到第一发光元件，并且第二复制发光元件和第一发光元件可以被配置成同时发光。
在实施例中，第三复制发光元件和第四复制发光元件可以电连接到第二发光元件，并且第二发光元件、第三复制发光元件和第四复制发光元件可以被配置成同时发光。
在实施例中，第二复制发光元件、第三复制发光元件和第四复制发光元件可以电连接到第二发光元件，并且第二发光元件、第二复制发光元件、第三复制发光元件和第四复制发光元件可以被配置成同时发光。
在实施例中，第二发光元件、第二复制发光元件、第三复制发光元件和第四复制发光元件可以被配置成发射绿光。
在实施例中，多个复制发光元件可以进一步包括：第二复制发光元件，设置在第二连接区中；以及第三复制发光元件，设置在第三连接区和第四连接区中的一个中。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：第二发光单元，设置在第一区的另一元件区中；以及第二复制发光单元，与第二发光单元同步操作，其中，第二复制发光单元可以包括设置在第三连接区和第四连接区中的另一个中的相邻复制发光元件。
在实施例中，相邻复制发光元件的发射颜色和第一发光元件的发射颜色可以彼此相同。
在实施例中，相邻复制发光元件的发射颜色和第三发光元件的发射颜色可以彼此相同。
在实施例中，将第二发光元件和第三复制发光元件连接的连接线可以设置在相邻复制发光元件与第三发光元件之间。
在实施例中，显示面板可以进一步包括与第一复制发光单元相邻设置的多个相邻复制发光元件，其中，多个复制发光元件中的至少一个复制发光元件和多个相邻复制发光元件中的至少一个相邻复制发光元件可以设置在第一至第四连接区中的每一个中。
在实施例中，显示面板可以进一步包括与第一复制发光单元相邻设置的多个相邻复制发光元件，其中，多个复制发光元件中的一个复制发光元件和多个相邻复制发光元件中的一个相邻复制发光元件可以设置在第一至第四连接区中的两个连接区中，其中，多个复制发光元件中的另一个复制发光元件可以设置在第一至第四连接区中的另一个连接区中，并且其中，多个相邻复制发光元件中的另一个相邻复制发光元件可以设置在第一至第四连接区中的其余的连接区中。
在实施例中，多个复制发光元件中的设置在该另一个连接区中的该另一个复制发光元件的发射颜色和多个相邻复制发光元件中的设置在该其余的连接区中的该另一个相邻复制发光元件的发射颜色可以彼此相同。
在实施例中，在多个复制发光元件中的设置在该另一个连接区中的该另一个复制发光元件中限定的发射区的最大宽度可以大于在多个复制发光元件中的设置在该两个连接区中的该一个复制发光元件中限定的发射区的最大宽度。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：基底层；阻挡层，设置在基底层上，并且包括设置在第一区中的第一下光阻挡层以及设置在第二区中的第二下光阻挡层；以及电路层，设置在阻挡层上并且设置在元件区中，电路层包括第一像素电路、第二像素电路和第三像素电路，其中，第一发光单元和第一复制发光单元可以设置在电路层上，其中，第一发光元件可以电连接到第一像素电路，第二发光元件可以电连接到第二像素电路并且第三发光元件可以电连接到第三像素电路，并且其中，与透射区重叠的开口形成在第一下光阻挡层中。
在实施例中，当在平面图中观察时，第一下光阻挡层的限定开口的侧壁可以具有倒圆形状。
在实施例中，当在平面图中观察时，开口可以是圆形的。
在实施例中，当在平面图中观察时，开口可以具有直线边缘部分和弧形边缘部分，并且弧形边缘部分的曲率中心可以与开口重叠。
在实施例中，当在平面图中观察时，开口可以具有弧形边缘部分，并且弧形边缘部分的曲率中心可以不与开口重叠。
在实施例中，在多个复制发光元件中的每一个中限定的发射区可以具有弧形边缘部分。
在实施例中，在多个复制发光元件中的每一个中限定的发射区可以包括直线边缘部分以及连接到直线边缘部分的弧形边缘部分。
在实施例中，电子装置可以包括：显示面板，包括：第一区，包括透射区、元件区以及从元件区延伸的多个连接区；以及第二区，与第一区间隔开，其中，显示面板可以包括：第一发光单元，设置在元件区中并且包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件；以及第一复制发光单元，包括设置在多个连接区中的多个复制发光元件并且与第一发光单元同步操作，其中，多个连接区可以包括：第一连接区，与第一发光元件相邻；第二连接区，与第二发光元件相邻；以及第三连接区和第四连接区，与第三发光元件相邻，其中，多个复制发光元件可以包括：第一复制发光元件，设置在第一连接区中；第二复制发光元件，设置在第二连接区中；以及第三复制发光元件，设置在第三连接区和第四连接区中的一个中，并且其中，第三复制发光元件可以电连接到第二发光元件。
在实施例中，第一复制发光元件和第二复制发光元件可以电连接到第二发光元件。
在实施例中，第一复制发光元件可以电连接到第三发光元件，并且第二复制发光元件可以电连接到第一发光元件。
在实施例中，多个复制发光元件可以进一步包括设置在第三连接区和第四连接区中的另一个中的第四复制发光元件。
在实施例中，当在平面图中观察时，透射区可以是圆形的。
在实施例中，当在平面图中观察时，透射区的边缘部分可以包括直线边缘部分和弧形边缘部分，并且弧形边缘部分的曲率中心可以与透射区重叠。
在实施例中，当在平面图中观察时，透射区的边缘部分可以包括多个弧形边缘部分，并且多个弧形边缘部分中的每一个的曲率中心可以不与透射区重叠。
在实施例中，在多个复制发光元件中的每一个中限定的发射区可以具有弧形边缘部分。
在实施例中，在多个复制发光元件中的每一个中限定的发射区可以包括直线边缘部分以及连接到直线边缘部分的弧形边缘部分。
附图说明
附图被包括以提供对本实用新型的进一步理解，并且被并入并构成描述的一部分。附图示出了实施例，并且与描述一起用于解释本实用新型的原理。在附图中：
图1A和图1B是根据实施例的电子装置的示意性透视图；
图2A是根据实施例的电子装置的示意性分解透视图；
图2B是根据实施例的电子装置的框图；
图3是根据实施例的显示装置的示意性截面图；
图4是根据实施例的显示面板的示意性平面图；
图5是根据实施例的像素的等效电路的示意图；
图6是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图；
图7A是示出根据实施例的显示面板的第一区的示意性截面图；
图7B是示出根据实施例的显示面板的第二区的示意性截面图；
图7C是示出根据实施例的显示面板的中间区的示意性截面图；
图8A是示出根据实施例的第一下光阻挡层的一部分的示意性平面图；
图8B是示出根据实施例的第二下光阻挡层的一部分的示意性平面图；
图9A是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图；
图9B是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图；
图10A是示出根据实施例的设置在第一区中的像素电路的示意性平面图；
图10B是示出根据实施例的设置在第二区中的像素电路的示意性平面图；
图11是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图；
图12是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图；
图13A是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图；
图13B是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图；
图13C是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图；
图14是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图；
图15是从根据实施例的显示单色图像的显示面板获得的转换后的图像；
图16是从根据比较示例的显示单色图像的显示面板获得的转换后的图像；
图17是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图；
图18是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图；
图19是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图；
图20是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图；
图21是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图；
图22是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图；
图23是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图；并且
图24是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多特定细节以便提供对本实用新型的各种实施例或实施方式的透彻理解。如在本文中使用的，“实施例”和“实施方式”是可互换的词，它们是在本文中公开的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，可以在没有这些特定细节或者具有一个或多个等同布置的情况下实施各种实施例。这里，各种实施例不一定是排他性的，也不限制本公开。例如，一个实施例的特定形状、配置和特性可以在另一实施例中使用或实现。
除非另外指明，否则所示的实施例应被理解为提供本实用新型的特征。因此，除非另外指明，否则各种实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或者总体被称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置，而不脱离本实用新型的范围。
在附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。因此，除非指明，否则交叉影线或阴影的存在或者不存在均不表达或表明对特定材料、材料性质、大小、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。进一步，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，元件的尺寸以及相对尺寸可以被放大。当实施例可以被不同地实现时，特定的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地被执行。例如，两个连续地描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。同样，相同的附图标记表示相同的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在该另一元件或层上、直接连接到或耦接到该另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。进一步，DR1方向，DR2方向和DR3方向不限于诸如X轴、Y轴和Z轴的直角坐标系的三个轴对应的方向，并且可以在更广泛的意义上解释。例如，DR1方向，DR2方向和DR3方向可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。进一步，X轴、Y轴和Z轴不限于诸如x轴、y轴和z轴的直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“A和B中的至少一个”可以被解释为仅A、仅B或者A和B的任何组合。此外，“X、Y和Z中的至少一个”以及“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。如在本文中使用的，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任何和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件，而不脱离本公开的教导。
诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“较高”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间上相对的术语在本文中可以用于描述性目的，并且从而用于描述如附图中示出的一个元件与另一(些)元件的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间上相对的术语旨在包含设备在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的设备被翻转，那么被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向为在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以包括上方和下方两种定向。进一步，设备可以以其它方式定向(例如，旋转90度或者以其它定向)，并且因此，在本文中使用的空间上相对的描述语应被相应地解释。
在本文中使用的术语是出于描述特定实施例的目的，并且不旨在是限制性的。如在本文中使用的，单数形式“一”和“该(所述)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指出。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”指明所述特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在或增加。还应注意，如在本文中使用的，术语“基本上”、“大约”以及其它类似术语被用作近似术语并且不是程度术语，并且因此，被用来说明本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
在本文中参考是实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图示和/或分解图示来描述各种实施例。因此，由于例如制造技术和/或公差而导致的图示形状的变化是可预期的。因此，在本文中公开的实施例不应必须被解释为限于区的特定图示形状，而将包括例如由制造导致的形状偏差。以这种方式，在附图中示出的区本质上可以是示意性的，并且这些区的形状可以不反映装置的区的实际形状，并且因此不一定旨在是限制性的。
如本领域中的惯例，以功能块、单元和/或模块来描述并在附图中示出一些实施例。本领域技术人员将理解，这些块、单元和/或模块由可以使用基于半导体的制造技术或其它制造技术形成的电子(或光学)电路(诸如逻辑电路、分立部件、微处理器、硬连线电路、存储器元件和布线连接等)物理地实现。在块、单元和/或模块由微处理器或其它类似硬件实现的情况下，这些块、单元和/或模块可以使用软件(例如，微代码)被编程和控制以执行在本文中讨论的多种功能，并且可以可选地由固件和/或软件驱动。还预期，每一个块、单元和/或模块可以由专用硬件实现，或者被实现为用于执行一些功能的专用硬件和用于执行其它功能的处理器(例如，一个或多个编程后的微处理器和相关联的电路)的组合。此外，一些实施例的每一个块、单元和/或模块可以物理地被分成两个或更多个相互作用且分立的块、单元和/或模块，而不脱离本实用新型的范围。进一步，一些实施例的块、单元和/或模块可以物理地被组合成更复杂的块、单元和/或模块，而不脱离本实用新型的范围。
在下文中，将参考附图描述实施例。
图1A和图1B是根据实施例的电子装置EDE的示意性透视图。图1A示出了电子装置EDE的未折叠状态(或展开状态)，并且图1B示出了电子装置EDE的折叠状态。
参考图1A和图1B，根据实施例的电子装置EDE可以包括由第一方向DR1以及与第一方向DR1交叉的第二方向DR2限定的显示表面DS。电子装置EDE可以通过显示表面DS向用户提供图像IM。
显示表面DS可以包括显示区DA以及围绕显示区DA的非显示区NDA。显示区DA可以显示图像IM，并且非显示区NDA可以不显示图像IM。非显示区NDA可以围绕显示区DA。然而，实施例不限于此，并且显示区DA的形状和非显示区NDA的形状可以被修改。
在下文中，与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面基本上垂直的方向被限定为第三方向DR3。在描述中，“在平面图中”可以被限定为从第三方向DR3观察的状态。
传感器区ED-SA可以被限定在电子装置EDE的显示区DA内。尽管在图1A中示出了一个传感器区ED-SA，但是传感器区ED-SA的数量不限于此。传感器区ED-SA可以是显示区DA的一部分。相应地，电子装置EDE可以通过传感器区ED-SA显示图像。
电子模块可以设置在与传感器区ED-SA重叠的区中。电子模块可以接收通过传感器区ED-SA传输的外部输入，或者可以通过传感器区ED-SA提供输出。例如，电子模块可以是相机模块、诸如接近传感器的测量距离的传感器、识别用户的身体的一部分(例如，指纹、虹膜或面部)的传感器或者输出光的小灯，但是实施例不限于此。在下文中，作为示例，与传感器区ED-SA重叠的电子模块将被描述为相机模块。
电子装置EDE可以包括折叠区FA以及非折叠区NFA1和NFA2。非折叠区NFA1和NFA2可以包括第一非折叠区NFA1和第二非折叠区NFA2。折叠区FA可以设置在第一非折叠区NFA1与第二非折叠区NFA2之间。折叠区FA可以被称为可折叠区，并且第一非折叠区NFA1和第二非折叠区NFA2可以分别被称为第一非可折叠区和第二非可折叠区。
如图1B中所示，折叠区FA可以基于平行于第一方向DR1的折叠轴FX被折叠。在电子装置EDE被折叠的状态下，折叠区FA可以具有一定曲率和曲率半径。第一非折叠区NFA1和第二非折叠区NFA2可以彼此面对，并且电子装置EDE可以被向内折叠，使得显示表面DS可以不被暴露于外部。
在实施例中，电子装置EDE可以被向外折叠，使得显示表面DS可以被暴露于外部。在实施例中，电子装置EDE可以通过展开操作被向内折叠或向外折叠，但是实施例不限于此。在实施例中，电子装置EDE可以选择展开操作、向内折叠操作和向外折叠操作中的一个。在实施例中，折叠轴被限定在电子装置EDE中，并且向内折叠或向外折叠可以基于折叠轴中的每一个通过展开操作被执行。
尽管可折叠电子装置EDE在图1A和图1B中被描述为示例，但是实施例不限于可折叠电子装置EDE。例如，电子装置EDE可以包括刚性电子装置(例如，不包括折叠区FA的电子装置)。
图2A是根据实施例的电子装置EDE的示意性分解透视图。图2B是根据实施例的电子装置EDE的框图。
参考图2A和图2B，电子装置EDE可以包括显示装置DD、第一电子模块EM1、第二电子模块EM2、电源模块PM以及壳体EDC1和EDC2。电子装置EDE可以进一步包括用于控制显示装置DD的折叠操作的机械结构。
显示装置DD可以包括窗口模块WM和显示模块DM。窗口模块WM提供电子装置EDE的前表面。显示模块DM可以至少包括显示面板DP。显示模块DM可以产生图像并且感测外部输入。
尽管在图2A中显示模块DM被示出为与显示面板DP相同，但是显示模块DM可以是其中堆叠有包括显示面板DP的部件的堆叠结构。下面将给出显示模块DM的堆叠结构的详细描述。
显示面板DP可以包括分别与电子装置EDE的图1A的显示区DA和图1A的非显示区NDA相对应的显示区DP-DA和非显示区DP-NDA。在描述中，“区域/部分与区域/部分相对应”意味着重叠，并且不限于相同的面积。
显示区DP-DA可以包括第一区A1、第二区A2和中间区AM。第二区A2可以与第一区A1间隔开，并且中间区AM可以被限定在第一区A1与第二区A2之间。
第一区A1可以与电子装置EDE的图1A的传感器区ED-SA重叠或相对应。在该实施例中，第一区A1被示出为圆的形状，但是第一区A1可以具有诸如多边形、椭圆形、具有至少一个弧形边的图形或者不规则形状的各种形状，并且实施例不限于此。
第一区A1可以被称为部件区，并且第二区A2可以被称为主显示区或一般显示区。第一区A1可以具有比第二区A2的透射率高的透射率。在另一示例中，第一区A1的分辨率可以低于第二区A2的分辨率，但是实施例不限于此。例如，第一区A1可以具有比第二区A2的透射率高的透射率，但是第一区A1的分辨率可以与第二区A2的分辨率基本上相同。第一区A1可以与下面将描述的相机模块CMM重叠。布置在第一区A1中的像素的布置密度可以低于布置在第二区A2中的像素的布置密度。
设置在中间区AM中的像素可以包括发射区。相应地，由于不包括像素电路的复制发光元件被提供在由于空间限制而难以布置像素电路的中间区AM中，因此第一区A1与第二区A2之间的边界可以不被视觉地识别为黑暗。相应地，具有不同像素布置密度的第一区A1与第二区A2之间的边界的可见性可以通过中间区AM被降低。
显示面板DP可以包括显示层100和传感器层200。
显示层100可以基本上产生图像。显示层100可以是发光显示层，并且例如，显示层100可以是有机发光显示层、无机发光显示层、有机-无机发光显示层、量子点显示层、微型LED显示层或纳米LED显示层。
传感器层200可以检测从外部施加的外部输入。外部输入可以是用户的输入。用户的输入可以包括诸如用户的身体的一部分、光、热、笔或压力的各种类型的外部输入。
显示模块DM可以包括设置在非显示区DP-NDA上的驱动芯片DIC。显示模块DM可以进一步包括耦接到非显示区DP-NDA的柔性电路膜FCB。
驱动芯片DIC可以包括用于驱动显示面板DP的像素的驱动元件(例如，数据驱动电路)。图2A示出了其中驱动芯片DIC安装在显示面板DP上的结构，但是实施例不限于此。例如，驱动芯片DIC可以安装在柔性电路膜FCB上。
电源模块PM可以供应电子装置EDE的整体操作所需的电力。电源模块PM可以包括传统的电池模块。
第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可以包括用于操作电子装置EDE的各种功能模块。第一电子模块EM1和第二电子模块EM2中的每一个可以安装(例如，直接安装)在电连接到显示面板DP的母板上，或者可以安装在分离的板上以通过连接器等电连接到母板。
第一电子模块EM1可以包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IIM、音频输入模块AIM、存储器MM和外部接口IF。
控制模块CM可以控制电子装置EDE的整体操作。控制模块CM可以是微处理器。例如，控制模块CM可以激活或去激活显示面板DP。控制模块CM可以基于从显示面板DP接收的触摸信号来控制诸如图像输入模块IIM或音频输入模块AIM的其它模块。
无线通信模块TM可以通过第一网络(例如，诸如蓝牙、WiFi直连或红外数据协会(IrDA：infrared data association)的短距离通信网络)或第二网络(例如，诸如蜂窝网络、互联网或计算机网络(例如，局域网或广域网)的电信网络)与外部电子装置通信。在无线通信模块TM中包括的通信模块可以被集成到一个部件(例如，单个芯片)中，或者被实现为彼此分离的部件(例如，多个芯片)。无线通信模块TM可以使用一般通信线路发送/接收语音信号。无线通信模块TM可以包括调制和发送待被发送的信号的发送器TM1以及解调接收的信号的接收器TM2。
图像输入模块IIM可以处理图像信号，并且可以将处理后的图像信号转换成待在显示面板DP上显示的图像数据。音频输入模块AIM可以在录音模式、语音识别模式等下通过麦克风接收外部声音信号，并且可以将接收到的外部声音信号转换成电子语音数据。
外部接口IF可以包括能够将电子装置EDE和外部电子装置连接(例如，物理连接)的连接器。例如，外部接口IF可以用作控制模块CM与诸如外部充电器、有线/无线数据端口、卡(例如，存储卡和SIM/UIM卡)等的外部装置之间的接口。
第二电子模块EM2可以包括音频输出模块AOM、发光模块LTM、光接收模块LRM和相机模块CMM。音频输出模块AOM可以转换从无线通信模块TM接收的音频数据或者在存储器MM中存储的声音数据，并且可以将转换的数据输出到外部。
发光模块LTM可以产生并输出光。发光模块LTM可以输出红外光。发光模块LTM可以包括LED元件。光接收模块LRM可以检测红外光。在检测到特定水平以上的红外光的情况下，光接收模块LRM可以被激活。光接收模块LRM可以包括CMOS传感器。在由发光模块LTM产生的红外光被输出之后，红外光可被外部对象(例如，用户的手指或面部)反射，并且被反射的红外光可以入射在光接收模块LRM上。
相机模块CMM可以捕获静止图像和视频。可以提供多个相机模块CMM。在多个相机模块CMM当中，一些相机模块CMM可以与第一区A1重叠。外部输入(例如光)可以通过第一区A1被提供到相机模块CMM。例如，相机模块CMM可以通过第一区A1接收自然光以捕获外部图像。
壳体EDC1和EDC2可以容纳显示模块DM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2以及电源模块PM。壳体EDC1和EDC2可以保护被容纳在壳体EDC1和EDC2中的部件(诸如显示模块DM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2以及电源模块PM)。图2A通过示例的方式示出了彼此分离的两个壳体EDC1和EDC2，但是实施例不限于此。例如，电子装置EDE可以进一步包括用于连接两个壳体EDC1和EDC2的铰链结构。壳体EDC1和EDC2可以耦接到窗口模块WM。
图3是根据实施例的显示装置DD的示意性截面图。图3是根据实施例的沿着图2A的线I-I’截取的显示装置DD的示意性截面图。
参考图3，显示装置DD可以包括窗口模块WM和显示模块DM。
窗口模块WM可以包括窗口UT、边框图案层BP以及设置在窗口UT上的保护膜PF。
窗口UT可以是化学强化玻璃。由于窗口UT被应用于显示装置DD，因此即使折叠操作和展开操作被重复，褶皱的出现也可以被最小化。
保护膜PF可以包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚酰胺、三醋酸纤维素、聚甲基丙烯酸甲酯或者聚对苯二甲酸乙二醇酯。例如，硬涂层、抗指纹层和抗反射层中的至少一个可以设置在保护膜PF的上表面上。
边框图案层BP可以与图1A的非显示区NDA重叠。边框图案层BP可以设置在窗口UT的表面或者保护膜PF的表面上。图3示出了设置在保护膜PF的下表面上的边框图案层BP。实施例不限于此，并且边框图案层BP可以设置在保护膜PF的上表面、窗口UT的上表面或者窗口UT的下表面上。边框图案层BP可以是着色光阻挡膜，并且可以例如通过涂覆方法形成。边框图案层BP可以包括基材以及与基材混合的染料或颜料。在平面图中，边框图案层BP可以具有闭合的线条形状。
第一粘合剂层AL1可以设置在保护膜PF与窗口UT之间。第一粘合剂层AL1可以是压敏粘合剂(PSA)膜或光学透明粘合剂(OCA)。下面描述的粘合剂层也与第一粘合剂层AL1相同，并且可以包括传统的粘合剂。
第一粘合剂层AL1可以具有足以覆盖边框图案层BP的厚度。例如，边框图案层BP的厚度可以是大约3微米至大约8微米，并且第一粘合剂层AL1可以具有在边框图案层BP的外围中不产生气泡的水平的厚度。
第一粘合剂层AL1可以从窗口UT分离。由于与窗口UT相比保护膜PF的强度低，因此在保护膜PF中可能相对容易地出现划痕。在第一粘合剂层AL1和损坏的保护膜PF从窗口UT分离之后，新的保护膜PF可以附接到窗口UT。
显示模块DM可以包括冲击吸收层DML、显示面板DP和下构件LM。
冲击吸收层DML可以设置在显示面板DP上。冲击吸收层DML可以是用于保护显示面板DP免受外部冲击的功能层。冲击吸收层DML可以通过第二粘合剂层AL2耦接到窗口UT，并且可以通过第三粘合剂层AL3耦接到显示面板DP。
下构件LM可以设置在显示面板DP之下。下构件LM可以包括面板保护层PPF、支撑层PLT、覆盖层SCV、数字转换器DGZ、光屏蔽层MMP、消散层CU、保护层PET和防水带WFT。在实施例中，下构件LM可以不包括上述部件中的一些，或者可以进一步包括其它部件。此外，图3中示出的堆叠顺序是顺序的示例，并且每一个部件的堆叠顺序可以被改变。
面板保护层PPF可以设置在显示面板DP之下。面板保护层PPF可以通过第四粘合剂层AL4附接到显示面板DP的后表面(或下表面)。面板保护层PPF可以保护显示面板DP的下部。面板保护层PPF可以包括柔性塑料材料。面板保护层PPF可以在显示面板DP的制造工艺期间防止在显示面板DP的后表面上产生划痕。面板保护层PPF可以是着色聚酰亚胺膜。例如，面板保护层PPF可以是不透明的黄色膜，但是实施例不限于此。
支撑层PLT可以放置在面板保护层PPF之下。支撑层PLT可以支撑设置在支撑层PLT的上侧的部件，并且可以维持显示装置DD的未折叠状态和折叠状态。在实施例中，支撑层PLT可以至少包括与第一非折叠区NFA1相对应的第一支撑部分、与第二非折叠区NFA2相对应的第二支撑部分以及与折叠区FA相对应的折叠部分。第一支撑部分和第二支撑部分可以在第二方向DR2上彼此间隔开。折叠部分可以设置在第一支撑部分与第二支撑部分之间，并且开口OP可以被限定在折叠部分中。支撑层PLT的一部分的柔性可以通过开口OP被提高。支撑层PLT的与折叠区FA重叠的部分的柔性可以通过开口OP被提高。
支撑层PLT可以包括碳纤维增强塑料(CFRP)，但是实施例不限于此。在另一示例中，第一支撑部分和第二支撑部分可以包括非金属材料、塑料、玻璃纤维增强塑料或玻璃。塑料可以包括聚酰亚胺、聚乙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯，但是实施例不限于此。第一支撑部分和第二支撑部分可以包括彼此相同的材料。折叠部分可以包括与第一支撑部分和第二支撑部分的材料相同的材料，或者可以包括与第一支撑部分和第二支撑部分的材料不同的材料。例如，折叠部分可以包括具有大约60GPa或更大的弹性模量的材料，并且可以包括诸如不锈钢的金属材料。例如，折叠部分可以包括SUS304，但是实施例不限于此，并且折叠部分可以包括各种金属材料。
支撑层PLT可以通过第五粘合剂层AL5附接到面板保护层PPF。可以提供多个第五粘合剂层AL5，并且多个第五粘合剂层AL5可以通过其间的折叠区FA彼此间隔开。第五粘合剂层AL5可以不与开口OP重叠。在平面图中，第五粘合剂层AL5可以与开口OP间隔开。可以通过不在与折叠区FA相对应的区中设置第五粘合剂层AL5来提高支撑层PLT的柔性。
在与折叠区FA重叠的区中，面板保护层PPF可以与支撑层PLT间隔开。例如，在与折叠区FA重叠的部分中，可以在支撑层PLT与面板保护层PPF之间限定空的空间。由于空的空间被限定在面板保护层PPF与支撑层PLT之间，因此在支撑层PLT中限定的开口OP的形状从图1A的电子装置EDE的外部可以不可见。
第五粘合剂层AL5的厚度可以小于第四粘合剂层AL4的厚度。例如，第四粘合剂层AL4的厚度可以是大约25微米，并且第五粘合剂层AL5的厚度可以是大约16微米。随着第五粘合剂层AL5的厚度减小，可以减小由于第五粘合剂层AL5而引起的台阶差。由于台阶差小，因此具有减少由于图1A的电子装置EDE的折叠操作和展开操作而引起的堆叠结构的形状变形的优点，但是开口OP可能被视觉地识别，或者第五粘合剂层AL5可能通过重复的折叠操作而被分离。随着第五粘合剂层AL5的厚度增大，开口OP可不被视觉地识别，并且可以提高关于第五粘合剂层AL5的粘合力的可靠性而不管重复的折叠操作如何，然而，台阶差可能增大。相应地，可以考虑折叠可靠性、粘合可靠性和开口OP的可见性而在适当的范围内选择第五粘合剂层AL5的厚度。
支撑层PLT可以通过第六粘合剂层AL6附接到数字转换器DGZ。第六粘合剂层AL6可以包括通过其间的折叠区FA彼此间隔开的多个第六粘合剂层AL6。第六粘合剂层AL6可以不与开口OP重叠。在平面图中，第六粘合剂层AL6可以与开口OP间隔开。可以通过不在与折叠区FA相对应的区中设置第六粘合剂层AL6来提高支撑层PLT的柔性。
覆盖层SCV可以设置在支撑层PLT之下。覆盖层SCV可以通过粘合剂构件耦接到支撑层PLT。覆盖层SCV可以覆盖在支撑层PLT中限定的开口OP。相应地，覆盖层SCV可以防止异物渗透到开口OP中。覆盖层SCV可以具有比支撑层PLT的弹性模量低的弹性模量。例如，覆盖层SCV可以包括热塑性聚氨酯、橡胶或硅酮，但是实施例不限于此。
数字转换器DGZ可以设置在支撑层PLT之下。可以提供多个数字转换器DGZ。例如，多个数字转换器DGZ可以在第二方向DR2上彼此间隔开。多个数字转换器DGZ中的每一个的一部分可以与非折叠区NFA1或NFA2重叠，并且多个数字转换器DGZ中的每一个的剩余的部分可以与折叠区FA重叠。在平面图中，多个数字转换器DGZ中的每一个的一部分可以与多个开口OP中的一部分重叠。
多个数字转换器DGZ中的每一个可以包括利用输入装置(在下文中，笔)产生预设共振频率的磁场的环形线圈。数字转换器DGZ可以被称为电磁共振(EMR)感测面板。
由数字转换器DGZ形成的磁场可以被施加到由笔的电感器(例如，线圈)和电容器组成的LC谐振电路。线圈可以通过接收到的磁场产生电流，并且可以将产生的电流传送到电容器。相应地，电容器可以充入从线圈输入的电流，并且可以将充入的电流放电到线圈中。最终，谐振频率的磁场可以被发射到线圈。通过笔发射的磁场可以被数字转换器DGZ的环形线圈再次吸收，并且相应地，笔接近多个数字转换器DGZ的哪个位置可以被确定。
多个光屏蔽层MMP可以分别设置在多个数字转换器DGZ之下。多个光屏蔽层MMP中的每一个可以包括磁性金属粉末。光屏蔽层MMP可以被称为磁性金属粉末层、磁性层、磁性电路层或磁性路径层。光屏蔽层MMP可以屏蔽磁场。
多个消散层CU可以分别设置在多个光屏蔽层MMP之下。消散层CU可以是具有高热导率的片材。例如，多个消散层CU中的每一个可以包括石墨、铜或铜合金，但是实施例不限于此。
多个保护层PET可以分别设置在多个消散层CU之下。保护层PET可以是绝缘层。例如，保护层PET可以是被提供以防止静电的发生的层。相应地，可以通过保护层PET来防止图2A的柔性电路膜FCB与设置在保护层PET上的部件之间的电干扰的发生。
防水带WFT可以附接到光屏蔽层MMP和保护层PET。防水带WFT可以附接到固定支架。在多个防水带WFT当中，附接到光屏蔽层MMP的防水带WFT的厚度和附接到保护层PET的防水带WFT的厚度可以彼此不同。
通孔COP可以被限定在下构件LM的多个部件中的至少一些中。通孔COP可以与图1A的电子装置EDE的图1A的传感器区ED-SA重叠或相对应。图2A的相机模块CMM的至少一部分可以被插入到通孔COP中。
作为示例，图3示出了通孔COP被提供为从多个保护层PET中的一个的后表面到第五粘合剂层AL5的上表面，但是实施例不限于此。例如，通孔COP可以被提供为从保护层PET的后表面到面板保护层PPF的上表面或者从保护层PET的后表面到第四粘合剂层AL4的上表面。
图4是根据实施例的显示面板DP的示意性平面图。
参考图4，显示区DP-DA以及在显示区DP-DA周围的非显示区DP-NDA可以被限定在显示面板DP中。显示区DP-DA和非显示区DP-NDA可以通过是否设置像素PX被划分。像素PX可以设置在显示区DP-DA中。扫描驱动单元SDV、数据驱动单元和发射驱动单元EDV可以设置在非显示区DP-NDA中。数据驱动单元可以是在驱动芯片DIC中包括的一些电路。
显示区DP-DA可以包括第一区A1、第二区A2和中间区AM(或者被称为第三区)。第一区A1和第二区A2可以通过像素PX的布置间隔(或距离)、像素PX的尺寸、像素PX的形状或者图6的透射区TP的存在与否被区分。
设置在中间区AM中的像素PX可以具有与设置在第二区A2中的像素PX的形状相似的形状。设置在中间区AM中的像素PX可以与设置在第二区A2中的像素PX区分开，因为设置在中间区AM中的像素PX包括其中发射由像素电路控制的发射区。下面将给出第一区A1、第二区A2和中间区AM的详细描述。
显示面板DP可以包括沿着第二方向DR2限定的第一面板区AA1、弯折区BA和第二面板区AA2。第二面板区AA2和弯折区BA可以是非显示区DP-NDA的部分区。弯折区BA可以设置在第一面板区AA1与第二面板区AA2之间。
第一面板区AA1可以是与图1A的显示表面DS相对应的区。第一面板区AA1可以包括第一非折叠区NFA10、第二非折叠区NFA20和折叠区FA0。第一非折叠区NFA10、第二非折叠区NFA20和折叠区FA0分别与图1A和图1B的第一非折叠区NFA1、第二非折叠区NFA2和折叠区FA相对应。
弯折区BA的平行于第一方向DR1的宽度(或长度)和第二面板区AA2的平行于第一方向DR1的宽度(或长度)可以小于第一面板区AA1的平行于第一方向DR1的宽度(或长度)。在折叠轴方向上具有短的长度的区可以被更容易地弯折。
显示面板DP可以包括像素PX、初始化扫描线GIL1至GILm、补偿扫描线GCL1至GCLm、写入扫描线GWL1至GWLm、块扫描线GBL1至GBLm、发射控制线ECL1至ECLm、数据线DL1至DLn、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2、驱动电压线PL以及焊盘PD。这里，m和n是2以上的自然数。
像素PX可以连接到初始化扫描线GIL1至GILm、补偿扫描线GCL1至GCLm、写入扫描线GWL1至GWLm、块扫描线GBL1至GBLm、发射控制线ECL1至ECLm和数据线DL1至DLn。
初始化扫描线GIL1至GILm、补偿扫描线GCL1至GCLm、写入扫描线GWL1至GWLm和块扫描线GBL1至GBLm可以在第一方向DR1上延伸，并且可以电连接到扫描驱动单元SDV。数据线DL1至DLn可以在第二方向DR2上延伸，并且可以通过弯折区BA电连接到驱动芯片DIC。发射控制线ECL1至ECLm可以在与第一方向DR1相反的方向上延伸，并且可以电连接到发射驱动单元EDV。
驱动电压线PL可以包括在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分。在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分可以设置在不同的层。驱动电压线PL的在第二方向DR2上延伸的部分可以通过弯折区BA延伸到第二面板区AA2。驱动电压线PL可以将驱动电压提供到像素PX。
第一控制线CSL1可以连接到扫描驱动单元SDV，并且可以通过弯折区BA朝向第二面板区AA2的下端部延伸。第二控制线CSL2可以连接到发射驱动单元EDV，并且可以通过弯折区BA朝向第二面板区AA2的下端部延伸。
当在平面图中观察时，焊盘PD可以与第二面板区AA2的下端部相邻设置。驱动芯片DIC、驱动电压线PL、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2可以电连接到焊盘PD。柔性电路膜FCB可以通过各向异性导电粘合剂层电连接到焊盘PD。
图5是根据实施例的像素PXij的等效电路的示意图。
图5示出了图4的像素PX当中的像素PXij的等效电路的示意图。由于像素PX中的每一个具有相同的电路结构，因此作为对像素PXij的电路结构的描述，对剩余的像素PX的详细描述将被省略。
参考图4和图5，像素PXij可以连接到数据线DL1至DLn当中的第i数据线DLi、初始化扫描线GIL1至GILm当中的第j初始化扫描线GILj、补偿扫描线GCL1至GCLm当中的第j补偿扫描线GCLj、写入扫描线GWL1至GWLm当中的第j写入扫描线GWLj、块扫描线GBL1至GBLm当中的第j块扫描线GBLj、发射控制线ECL1至ECLm当中的第j发射控制线ECLj、第一驱动电压线VL1和第二驱动电压线VL2以及第一初始化电压线VL3和第二初始化电压线VL4。在本文中，i是1以上且n以下的整数，并且j是1以上且m以下的整数。
像素PXij可以包括发光元件ED和像素电路PDC。发光元件ED可以是发光二极管。作为示例，发光元件ED可以是包括有机发光层的有机发光二极管，但是实施例不限于此。像素电路PDC可以响应于第i数据信号Di而控制流过发光元件ED的电流的量。发光元件ED可以发射具有与从像素电路PDC提供的电流的量相对应的特定亮度的光。在描述中，像素PXij的电流的量可以指被提供到发光元件ED的电流的量。
像素电路PDC可以包括第一至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7以及第一至第三电容器Cst、Cbst和Nbst。根据实施例的像素电路PDC的配置不限于图5中示出的实施例。图5中示出的像素电路PDC仅是示例，并且像素电路PDC的配置可以被修改。
第一至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的至少一个可以是具有低温多晶硅(LTPS)半导体层的晶体管。第一至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的至少一个可以是具有氧化物半导体层的晶体管。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以是氧化物半导体晶体管，并且第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以是LTPS晶体管。
直接影响发光元件ED的亮度的第一晶体管T1(或者被称为驱动晶体管)被形成为包括由具有高可靠性的多晶硅制成的半导体层，使得可以通过其实现高分辨率显示装置。由于氧化物半导体具有高载流子迁移率和低泄漏电流，因此即使驱动时间长，电压降也可以不大。例如，由于即使在低频驱动期间，根据电压降的图像的颜色变化也不大，因此低频驱动是可能的。因此，氧化物半导体可以具有低泄漏电流的优点，通过将连接到第一晶体管T1的栅电极的第三晶体管T3和第四晶体管T4中的至少一个实现为氧化物半导体晶体管，可以防止泄漏电流流到第一晶体管T1的栅电极并且可以降低功耗。
第一至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的一些可以是P型晶体管，并且其它的可以是N型晶体管。例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以是P型晶体管，并且第三晶体管T3和第四晶体管T4可以是N型晶体管。
根据实施例的像素电路PDC的配置不限于图5中示出的实施例。图5中示出的像素电路PDC仅是示例，并且像素电路PDC的配置可以被修改。例如，第一至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的全部可以是P型晶体管或N型晶体管。在另一示例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6可以是P型晶体管，并且第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7可以是N型晶体管。
第j初始化扫描线GILj、第j补偿扫描线GCLj、第j写入扫描线GWLj、第j块扫描线GBLj和第j发射控制线ECLj可以分别将第j初始化扫描信号GIj、第j补偿扫描信号GCj、第j写入扫描信号GWj、第j块扫描信号GBj和第j发射控制信号EMj传输到像素PXij。第i数据线DLi可以将第i数据信号Di传送到像素PXij。第i数据信号Di可以具有与被输入到图3的显示装置DD的图像信号相对应的电压电平。
第一驱动电压线VL1和第二驱动电压线VL2可以分别将第一驱动电压ELVDD和第二驱动电压ELVSS传输到像素PXij。例如，第一初始化电压线VL3和第二初始化电压线VL4可以分别将第一初始化电压VINT和第二初始化电压VAINT传输到像素PXij。
第一晶体管T1可以连接在接收第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线VL1与发光元件ED之间。第一晶体管T1可以包括通过第五晶体管T5连接到第一驱动电压线VL1的第一电极、通过第六晶体管T6连接到发光元件ED的像素电极(或者被称为阳极)的第二电极以及连接到第一电容器Cst的一个端部(例如，第一节点N1)的第三电极(例如，栅电极)。第一晶体管T1可以根据第二晶体管T2的开关操作接收从第i数据线DLi传输的第i数据信号Di，以将驱动电流供应到发光元件ED。
第二晶体管T2可以连接在第i数据线DLi与第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2可以包括连接到第i数据线DLi的第一电极、连接到第一晶体管T1的第一电极的第二电极以及连接到第j写入扫描线GWLj的第三电极(例如，栅电极)。第二晶体管T2可以根据通过第j写入扫描线GWLj接收的写扫描信号GWj被导通，以将从第i数据线DLi传输的第i数据信号Di传输到第一晶体管T1的第一电极。第二电容器Cbst的一个端部可以连接到第二晶体管T2的第三电极，并且第二电容器Cbst的另一端部可以连接到第一节点N1。
第三晶体管T3可以连接在第一晶体管T1的第二电极与第一节点N1之间。第三晶体管T3可以包括连接到第一晶体管T1的第三电极的第一电极、连接到第一晶体管T1的第二电极的第二电极以及连接到第j补偿扫描线GCLj的第三电极(例如，栅电极)。第三晶体管T3可以根据通过第j补偿扫描线GCLj接收的第j补偿扫描信号GCj被导通，以通过将第一晶体管T1的第三电极和第一晶体管T1的第二电极彼此连接来将第一晶体管T1二极管连接。第三电容器Nbst的一个端部可以连接到第三晶体管T3的第三电极，并且第三电容器Nbst的另一端部可以连接到第一节点N1。
第四晶体管T4可以连接在第一初始化电压VINT被施加到其的第一初始化电压线VL3与第一节点N1之间。第四晶体管T4可以包括连接到第一初始化电压VINT被传输到其的第一初始化电压线VL3的第一电极、连接到第一节点N1的第二电极以及连接到第j初始化扫描线GILj的第三电极(例如，栅电极)。第四晶体管T4可以根据通过第j初始化扫描线GILj接收的第j初始化扫描信号GIj被导通。被导通的第四晶体管T4将第一初始化电压VINT传输到第一节点N1，以初始化第一晶体管T1的第三电极的电压(例如，第一节点N1的电压)。
第五晶体管T5可以具有连接到第一驱动电压线VL1的第一电极、连接到第一晶体管T1的第一电极的第二电极以及连接到第j发射控制线ECLj的第三电极(例如，栅电极)。第六晶体管T6可以包括连接到第一晶体管T1的第二电极的第一电极、连接到发光元件ED的像素电极的第二电极以及连接到第j发射控制线ECLj的第三电极(例如，栅电极)。
第五晶体管T5和第六晶体管T6可以根据通过第j发射控制线ECLj传输的第j发射控制信号EMj被同时导通。通过被导通的第五晶体管T5施加的第一驱动电压ELVDD可以通过二极管连接的第一晶体管T1被补偿，并且可以通过被导通的第六晶体管T6被传输到发光元件ED。
第七晶体管T7可以包括连接到第二初始化电压VAINT被传输到其的第二初始化电压线VL4的第一电极、连接到第六晶体管T6的第二电极(例如，第二节点N2)的第二电极以及连接到第j块扫描线GBLj的第三电极(例如，栅电极)。第二初始化电压VAINT可以具有等于或低于第一初始化电压VINT的电压电平的电压电平。
第一电容器Cst的一个端部可以连接到第一晶体管T1的第三电极，并且第一电容器Cst的另一端部可以连接到第一驱动电压线VL1。发光元件ED的阴极可以连接到传输第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线VL2。第二驱动电压ELVSS可以具有比第一驱动电压ELVDD的电压电平低的电压电平。
图6是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。图6是示出图4中示出的区XX’的示意性放大平面图。
参考图4和图6，显示面板DP的显示区DP-DA可以包括第一区A1、第二区A2以及在第一区A1与第二区A2之间的中间区AM。
像素PX可以被提供为多个，并且像素PX包括设置在第一区A1中的第一像素PX1r、PX1g和PX1b、设置在第二区A2中的第二像素PX2r、PX2g和PX2b以及设置在中间区AM中的第三像素PX3r、PX3g和PX3b。
设置在第一区A1中的参考区中的第一像素PX1r、PX1g和PX1b的数量可以小于设置在第二区A2中的参考区中的第二像素PX2r、PX2g和PX2b的数量。相应地，第一区A1的分辨率可以低于第二区A2的分辨率。
第一像素PX1r、PX1g和PX1b可以包括第一-第一颜色像素PX1r(或者被称为第一红色像素)、第一-第二颜色像素PX1g(或者被称为第一绿色像素)和第一-第三颜色像素PX1b(或者被称为第一蓝色像素)。第二像素PX2r、PX2g和PX2b可以包括第二-第一颜色像素PX2r(或者被称为第二红色像素)、第二-第二颜色像素PX2g(或者被称为第二-第一绿色像素或第二-第二绿色像素)和第二-第三颜色像素PX2b(或者被称为第二蓝色像素)。第三像素PX3r、PX3g和PX3b可以包括第三-第一颜色像素PX3r(或者被称为第三红色像素)、第三-第二颜色像素PX3g(或者被称为第三绿色像素)和第三-第三颜色像素PX3b(或者被称为第三蓝色像素)。第一-第一颜色像素PX1r、第二-第一颜色像素PX2r和第三-第一颜色像素PX3r可以是红光发射像素，第一-第二颜色像素PX1g、第二-第二颜色像素PX2g和第三-第二颜色像素PX3g可以是绿光发射像素，并且第一-第三颜色像素PX1b、第二-第三颜色像素PX2b和第三-第三颜色像素PX3b可以是蓝光发射像素。
图6中示出的第一像素PX1r、PX1g和PX1b、第二像素PX2r、PX2g和PX2b及第三像素PX3r、PX3g和PX3b中的每一个的平面形状可以与在发光元件中限定的发射区的形状相对应。发射区可以是由在像素限定膜PDL中限定的像素限定开口限定的区。
图6示出了分别与第一像素PX1r、PX1g和PX1b相对应的第一发射区PXA1r、PXA1g和PXA1b以及分别与第二像素PX2r、PX2g和PX2b相对应的第二发射区PXA2r、PXA2g和PXA2b。示出了与第三-第一颜色像素PX3r相对应的第三-第一发射区PXA3r和第三-第一复制发射区PXCr、与第三-第二颜色像素PX3g相对应的第三-第二发射区PXA3g和第三-第二复制发射区PXCg以及与第三-第三颜色像素PX3b相对应的第三-第三发射区PXA3b和第三-第三复制发射区PXCb。
第一-第一发射区PXA1r的面积可以大于第二-第一发射区PXA2r的面积，第一-第二发射区PXA1g的面积可以大于第二-第二发射区PXA2g的面积，并且第一-第三发射区PXA1b的面积可以大于第二-第三发射区PXA2b的面积。在相同亮度在参考区内被实现的情况下，通过将应当发射相对明亮的光的第一像素PX1r、PX1g和PX1b中的每一个的尺寸提供为大于第二像素PX2r、PX2g和PX2b中的每一个的尺寸，可以补偿第一像素PX1r、PX1g和PX1b的寿命。
第三-第一发射区PXA3r的发射和第三-第一复制发射区PXCr的发射可以由同一像素电路的操作控制。相应地，第三-第一发射区PXA3r和第三-第一复制发射区PXCr可以同时提供光或者可以同时不提供光。图6示出了连接电极AEcn，以阐明第三-第一发射区PXA3r与第三-第一复制发射区PXCr之间的关系。第三-第二发射区PXA3g和第三-第二复制发射区PXCg的发射可以由同一像素电路的操作控制，并且第三-第三发射区PXA3b和第三-第三复制发射区PXCb的发射可以由同一像素电路的操作控制。
发射区可以被包括在中间区AM中的像素中。例如，第三-第一颜色像素PX3r可以包括第三-第一发射区PXA3r和第三-第一复制发射区PXCr，第三-第二颜色像素PX3g可以包括第三-第二发射区PXA3g和第三-第二复制发射区PXCg，并且第三-第三颜色像素PX3b可以包括第三-第三发射区PXA3b和第三-第三复制发射区PXCb。
由于空间限制，难以在第一区A1与第二区A2之间的边界处布置像素电路。例如，第三-第一复制发射区PXCr、第三-第二复制发射区PXCg和第三-第三复制发射区PXCb位于其中的区可以是由于空间限制而难以在其中布置像素电路的边界区。相应地，不包括像素电路的复制发光元件可以设置在边界区中。相应地，由于在边界区中附加地提供了提供光的发射区，因此可以减少第一区A1与第二区A2之间的黑暗可见的边界。例如，中间区AM可以是为了减少第一区A1与第二区A2之间的边界的变暗而提供的区。
图6示出了像素限定膜PDL。像素限定膜PDL可以包括像素限定图案层PDL1和像素限定层PDL2。
像素限定图案层PDL1可以设置在第一区A1中，并且可以被布置为彼此间隔开。例如，第一区A1可以包括透射区TP和元件区EP。例如，像素限定图案层PDL1可以不与透射区TP重叠，并且可以与元件区EP重叠。透射区TP与元件区EP之间的边界可以由第一下光阻挡层BML1(参考图7A)限定，这将参考图9A被描述。至少三个开口可以被限定在像素限定图案层PDL1中的每一个中。例如，与第一发射区PXA1r、PXA1g和PXA1b相对应的开口可以被限定在像素限定图案层PDL1中的每一个中。
第一像素单元PXU1和相邻像素单元PXU1n可以设置在第一区A1中。第一像素单元PXU1和相邻像素单元PXU1n中的每一个可以包括第一像素PX1r、PX1g和PX1b。与第一像素单元PXU1相对应的第一发射区PXA1r、PXA1g和PXA1b的形状以及与相邻像素单元PXU1n相对应的第一发射区PXA1r、PXA1g和PXA1b的形状可以彼此相同。
第一像素单元PXU1可以设置在四个透射区TP之间。相邻像素单元PXU1n可以设置在透射区TP当中的设置在第一区A1的最外面的透射区TP与第二区A2之间。相应地，相邻像素单元PXU1n可以与两个透射区TP或者三个透射区TP相邻。
第二像素单元PXU2可以设置在第二区A2中。第二像素单元PXU2可以包括第一子像素单元PXU2a和第二子像素单元PXU2b。第一子像素单元PXU2a可以包括第二-第三颜色像素PX2b和第二-第二颜色像素PX2g(或者被称为第二-第二绿色像素)。第二子像素单元PXU2b可以包括第二-第一颜色像素PX2r和第二-第二颜色像素PX2g(或者被称为第二-第一绿色像素)。
像素限定层PDL2可以覆盖第二区A2、中间区AM和第一区A1的一部分。例如，像素限定层PDL2可以覆盖第一区A1的相邻像素单元PXU1n设置在其中的区。在像素限定层PDL2中，可以限定与相邻像素单元PXU1n的第一发射区PXA1r、PXA1g和PXA1b相对应的开口、与第二发射区PXA2r、PXA2g、PXA2b相对应的开口以及与第三-第一发射区PXA3r、第三-第一复制发射区PXCr、第三-第二发射区PXA3g、第三-第二复制发射区PXCg、第三-第三发射区PXA3b和第三-第三复制发射区PXCb相对应的开口。
图6示出了第一间隔件HSPC、第一突出间隔件SPC、第二间隔件UHSPC和第二突出间隔件USPC。
第一间隔件HSPC可以设置在像素限定层PDL2上。第一间隔件HSPC可以以与像素限定层PDL2的方式相同的方式覆盖第二区A2、中间区AM和第一区A1的一部分。例如，第一间隔件HSPC可以覆盖第一区A1的相邻像素单元PXU1n设置在其中的区。例如，第一间隔件HSPC也可以覆盖中间区AM的第三-第一复制发射区PXCr、第三-第二复制发射区PXCg和第三-第三复制发射区PXCb设置在其中的区。由于第一间隔件HSPC也被提供在中间区AM中，因此可以加强(或提高)显示面板DP的层之间的粘合特性。
第一突出间隔件SPC可以设置在第一间隔件HSPC上。在平面图中，第一突出间隔件SPC可以具有圆形形状。第一突出间隔件SPC可以设置在第二区A2中。第一突出间隔件SPC可以不设置在中间区AM中。第一突出间隔件SPC可以仅被提供在第二像素PX2r、PX2g和PX2b之间，但是可以不被提供在第三-第一复制发射区PXCr、第三-第二复制发射区PXCg和第三-第三复制发射区PXCb之间。
第一突出间隔件SPC的高度(或厚度)可以大于第一间隔件HSPC的高度(或厚度)。第一间隔件HSPC的高度可以是0.1μm至0.5μm，并且第一间隔件HSPC和第一突出间隔件SPC的总高度可以是1.1μm至2.0μm。然而，第一间隔件HSPC的高度以及第一间隔件HSPC和第一突出间隔件SPC的总高度不限于上述示例。
可以提供多个第一突出间隔件SPC。例如，两个第一突出间隔件SPC可以与一个第二-第二颜色像素PX2g相邻设置。相应地，可以进一步降低在制造工艺期间由于掩模而引起的雕刻缺陷出现的可能性。
两个第一突出间隔件SPC可以重复地布置，其中四个第二-第二颜色像素PX2g在它们之间。例如，两个第一突出间隔件SPC可以与另外两个第一突出间隔件SPC间隔开，其中在第一方向DR1上顺序地布置的四个第二-第二颜色像素PX2g在它们之间。例如，两个第一突出间隔件SPC可以与另外两个第一突出间隔件SPC间隔开，其中在第二方向DR2上顺序地布置的四个第二-第二颜色像素PX2g在它们之间。然而，第一突出间隔件SPC的布置不限于此。例如，两个第一突出间隔件SPC可以重复地布置，其中两个第二-第二颜色像素PX2g在它们之间。例如，在实施例中，两个第一突出间隔件SPC中的一个可以被省略。
第二间隔件UHSPC可以设置在像素限定图案层PDL1上。第二突出间隔件USPC可以设置在第二间隔件UHSPC上。当在平面图中观察时，第二间隔件UHSPC的面积可以大于第二突出间隔件USPC的面积。在平面图中，第二间隔件UHSPC和第二突出间隔件USPC中的每一个可以设置在第一-第一发射区PXA1r与第一-第二发射区PXA1g之间的区、第一-第一发射区PXA1r与第一-第三发射区PXA1b之间的区以及第一-第二发射区PXA1g与第一-第三发射区PXA1b之间的区中。
图7A是示出根据实施例的显示面板DP的第一区A1的示意性截面图。图7B是示出根据实施例的显示面板DP的第二区A2的示意性截面图。图7C是示出根据实施例的显示面板DP的中间区AM的示意性截面图。图7A是沿着图6的线II-II’截取的截面，图7B是沿着图6的线III-III’截取的截面，并且图7C是沿着图6的线IV-IV’截取的截面。
参考图7A、图7B和图7C，显示面板DP可以包括显示层100、传感器层200和抗反射层300。显示层100可以包括基底层110、阻挡层120、电路层130、元件层140和封装层150。
基底层110可以包括第一至第四子基底层111、112、113和114。
第一子基底层111和第四子基底层114中的每一个可以包括聚酰亚胺类树脂、丙烯酸酯类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。在描述中，“～～”类树脂是指包括“～～”的官能团。例如，第一子基底层111和第四子基底层114中的每一个可以包括聚酰亚胺。
第二子基底层112和第三子基底层113中的每一个可以包括无机材料。例如，第二子基底层112和第三子基底层113中的每一个可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的至少一种。例如，第二子基底层112可以包括氮氧化硅，并且第三子基底层113可以包括氧化硅。
第一子基底层111的厚度可以大于第四子基底层114的厚度。例如，第一子基底层111的厚度可以是大约100000埃，并且第四子基底层114的厚度可以是大约56000埃。第二子基底层112的厚度可以小于第三子基底层113的厚度。例如，第二子基底层112的厚度可以是大约1000埃，并且第三子基底层113的厚度可以是大约5000埃。然而，第一至第四子基底层111、112、113和114的厚度不限于上述值。
阻挡层120可以设置在基底层110上。阻挡层120可以包括子阻挡层121、122、123、124和125、第一下光阻挡层BML1和第二下光阻挡层BML2。
第一下光阻挡层BML1和第二下光阻挡层BML2可以被称为第一下层和第二下层、第一下金属层和第二下金属层、第一下电极层和第二下电极层、第一下光屏蔽层和第二下光屏蔽层、第一光阻挡层和第二光阻挡层、第一金属层和第二金属层、第一电极层和第二电极层、第一光屏蔽层和第二光屏蔽层或者第一重叠层和第二重叠层。
子阻挡层121、122、123、124和125可以包括在远离基底层110的方向上顺序地堆叠的第一子阻挡层121、第二子阻挡层122、第三子阻挡层123、第四子阻挡层124和第五子阻挡层125。第一至第五子阻挡层121、122、123、124和125中的每一个可以包括无机材料。例如，第一至第五子阻挡层121、122、123、124和125中的每一个可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的至少一种。例如，第一子阻挡层121可以包括氮氧化硅，第二子阻挡层122可以包括氧化硅，第三子阻挡层123可以包括非晶硅，第四子阻挡层124可以包括氧化硅，并且第五子阻挡层125可以包括氧化硅。
在第一至第五子阻挡层121、122、123、124和125当中，第五子阻挡层125可以最靠近电路层130。第五子阻挡层125可以被称为上子阻挡层。第五子阻挡层125的厚度STK1可以大于第一至第四子阻挡层121、122、123和124中的每一个的厚度。例如，第五子阻挡层125的厚度STK1可以大于第一至第四子阻挡层121、122、123和124的厚度之和STK2。例如，第一子阻挡层121的厚度可以是大约1000埃，第二子阻挡层122的厚度可以是大约1500埃，第三子阻挡层123的厚度可以是大约100埃，第四子阻挡层124的厚度可以是大约130埃，并且第五子阻挡层125的厚度STK1可以是大约4200埃。例如，第五子阻挡层125的厚度STK1可以大于上述厚度。
第一下光阻挡层BML1可以设置在第一区A1中，并且第二下光阻挡层BML2可以设置在第二区A2和中间区AM中。第一下光阻挡层BML1和第二下光阻挡层BML2可以彼此电绝缘，并且不同的信号可以被施加到第一下光阻挡层BML1和第二下光阻挡层BML2。例如，具有特定电压电平的恒定电压可以被施加到第一下光阻挡层BML1，并且被提供到图5的像素电路PDC的图5的第一驱动电压ELVDD可以被提供到第二下光阻挡层BML2。
第一下光阻挡层BML1和第二下光阻挡层BML2可以设置在同一层，并且可以包括相同的材料。例如，第一下光阻挡层BML1和第二下光阻挡层BML2可以设置在第四子阻挡层124与第五子阻挡层125之间。第一下光阻挡层BML1和第二下光阻挡层BML2可以被第五子阻挡层125覆盖。由于第五子阻挡层125在第一至第五子阻挡层121、122、123、124和125当中具有最大的厚度，因此晶体管的特性的变化程度可以通过被提供到第一下光阻挡层BML1和第二下光阻挡层BML2的电压来降低。
第一下光阻挡层BML1可以具有限定透射区TP的第一开口BMop。在电极开口CEop形成在公共电极CE中的情况下，第一下光阻挡层BML1可以是用作掩模的图案层。例如，从基底层110的后表面朝向公共电极CE照射的光可以穿过第一下光阻挡层BML1的第一开口BMop以到达公共电极CE和盖层CPL中的每一个的一部分。例如，公共电极CE和盖层CPL的一部分可以通过穿过第一下光阻挡层BML1的第一开口BMop的光被去除。光可以包括激光束。
第一区A1中的与第一下光阻挡层BML1的第一开口BMop重叠的区可以被限定为透射区TP，并且剩余的区可以被限定为元件区EP。图6的第一像素PX1r、PX1g和PX1b可以设置在元件区EP中，并且第一像素PX1r、PX1g和PX1b可以与透射区TP间隔开。
缓冲层BFL可以设置在阻挡层120上。缓冲层BFL可以被提供在第一区A1、第二区A2和中间区AM中的全部中。缓冲层BFL可以防止金属原子或杂质从基底层110扩散到第一半导体图案层中。例如，缓冲层BFL可以在用于形成第一半导体图案层的结晶工艺期间控制供热速率，使得可以均匀地形成第一半导体图案层。
缓冲层BFL可以包括无机层。例如，缓冲层BFL可以包括包含氮化硅的第一子缓冲层以及设置在第一子缓冲层上并且包含氧化硅的第二子缓冲层。缓冲层BFL可以不与透射区TP重叠。例如，与透射区TP相对应的开口可以被限定在缓冲层BFL中。由于缓冲层BFL不被提供在透射区TP中，因此可以进一步提高透射区TP的透射率。
图7A、图7B和图7C分别示出了设置在第一区A1中的第一像素PX1、设置在第二区A2中的第二像素PX2以及设置在中间区AM中的第三像素PX3(或者被称为中间像素)。第一像素PX1可以是图6的第一像素PX1r、PX1g、PX1b中的一个，第二像素PX2可以是图6的第二像素PX2r、PX2g和PX2b中的一个，并且第三像素PX3可以是图6的第三像素PX3r、PX3g和PX3b中的一个。
第一像素PX1可以包括第一发光元件ED1和第一像素电路PDC1。第二像素PX2可以包括第二发光元件ED2和第二像素电路PDC2。第三像素PX3可以包括第三发光元件ED3、复制发光元件EDcp和第三像素电路PDC3。
电路层130可以设置在缓冲层BFL上，并且元件层140可以设置在电路层130上。
参考图7A，以示例方式示出了第一像素电路PDC1的硅薄膜晶体管S-TFT和氧化物薄膜晶体管O-TFT。硅薄膜晶体管S-TFT可以是参考图5描述的第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的一个，并且氧化物薄膜晶体管O-TFT可以是参考图5描述的第三晶体管T3和第四晶体管T4中的一个。例如，硅薄膜晶体管S-TFT可以是在第一像素电路PDC1中包括的第一驱动晶体管T1-1。
在第一像素电路PDC1中包括的第一至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以被称为第一类型晶体管。在第一区A1中，第一下光阻挡层BML1可以与第一类型晶体管中的全部重叠。例如，第一下光阻挡层BML1可以与第一像素电路PDC1设置在其中的区重叠(例如，完全重叠)。相应地，被提供到第一下光阻挡层BML1的电压可以被提供而与第一像素电路PDC1的操作无关。
参考图7B，示出了第二像素电路PDC2的硅薄膜晶体管S-TFTa和氧化物薄膜晶体管O-TFTa。硅薄膜晶体管S-TFTa可以是图5中描述的第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的一个，并且氧化物薄膜晶体管O-TFTa可以是图5中描述的第三晶体管T3和第四晶体管T4中的一个。例如，硅薄膜晶体管S-TFTa可以是在第二像素电路PDC2中包括的第二驱动晶体管T1-2。
在第二像素电路PDC2中包括的第一至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以被称为第二类型晶体管。在第二区A2中，第二下光阻挡层BML2可以与第二类型晶体管中的一些重叠，并且可以不与第二类型晶体管中的一些重叠。例如，第二下光阻挡层BML2可以与第二像素电路PDC2设置在其中的区的一部分重叠，并且可以与第二驱动晶体管T1-2重叠。相应地，被提供到第二下光阻挡层BML2的电压可以与第二像素电路PDC2的操作同步地提供。
参考图7C，示出了第三像素电路PDC3的硅薄膜晶体管S-TFTb和氧化物薄膜晶体管O-TFTb。硅薄膜晶体管S-TFTb可以是图5中描述的第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的一个，并且氧化物薄膜晶体管O-TFTb可以是图5中描述的第三晶体管T3和第四晶体管T4中的一个。例如，硅薄膜晶体管S-TFTb可以是在第三像素电路PDC3中包括的第三驱动晶体管T1-3。
第三像素电路PDC3和第二像素电路PDC2可以具有彼此基本上相同的结构。在中间区AM中，第二下光阻挡层BML2可以与第三像素电路PDC3的一部分重叠，并且可以不与剩余的部分重叠。例如，第二下光阻挡层BML2可以与第三驱动晶体管T1-3重叠。复制发光元件EDcp可以通过第三发光元件ED3的主像素电极AEm连接到第三像素电路PDC3。相应地，可以不在复制发光元件EDcp之下设置像素电路。相应地，复制发光元件EDcp可以不与第一下光阻挡层BML1和第二下光阻挡层BML2重叠。
参考图7A、图7B和图7C，第一半导体图案层可以设置在缓冲层BFL上。第一半导体图案层可以包括硅半导体。例如，硅半导体可以包括非晶硅或多晶硅等。例如，第一半导体图案层可以包括低温多晶硅。
图7A、图7B和图7C仅示出了第一半导体图案层的设置在缓冲层BFL上的部分，并且第一半导体图案层可以进一步设置在另一区中。第一半导体图案层可以跨像素以特定规则布置。第一半导体图案层可以取决于其是否被掺杂而具有不同的电特性。第一半导体图案层可以包括具有高电导率的第一区以及具有低电导率的第二区。第一区可以被掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可以包括被掺杂有P型掺杂剂的掺杂区，并且N型晶体管可以包括被掺杂有N型掺杂剂的掺杂区。第二区可以是非掺杂区或者以比第一区的浓度低的浓度掺杂的区。
第一区的电导率可以大于第二区的电导率，并且第一区可以基本上用作电极或信号线。第二区可以基本上与晶体管的有源区(或沟道)相对应。例如，第一半导体图案层的一部分可以是晶体管的有源区，另一部分可以是晶体管的源区或漏区，并且另一部分可以是连接电极或连接信号线。
硅薄膜晶体管S-TFT、S-TFTa和S-TFTb的源区SE1、有源区AC1和漏区DE1可以由第一半导体图案层形成。在截面中，源区SE1和漏区DE1可以从有源区AC1在相反的方向上延伸。
图7B和图7C示出了由第一半导体图案层形成的连接信号线CSL的一部分。连接信号线CSL可以电连接到第六晶体管T6(参考图5)的第二电极和第七晶体管T7(参考图5)的第二电极。
电路层130可以包括无机层和有机层。在实施例中，顺序地堆叠在缓冲层BFL上的第一至第五绝缘层10、20、30、40和50可以是无机层，并且第六至第八绝缘层60、70和80可以是有机层。
第一绝缘层10可以设置在缓冲层BFL上。第一绝缘层10可以覆盖第一半导体图案层。第一绝缘层10可以是无机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在该实施例中，第一绝缘层10可以具有包括氧化硅层的单层结构。除了第一绝缘层10之外，下面将描述的电路层130的其它绝缘层可以具有单层结构或多层结构。
硅薄膜晶体管S-TFT、S-TFTa和S-TFTb的栅电极GT1可以设置在第一绝缘层10上。栅电极GT1可以是金属图案层的一部分。栅电极GT1可以与有源区AC1重叠。在掺杂第一半导体图案层的工艺中，栅电极GT1可以用作掩模。栅电极GT1可以包括钛、银、包含银的合金、钼、包含钼的合金、铝、包含铝的合金、氮化铝、钨、氮化钨、铜、氧化铟锡或氧化铟锌，但是实施例不限于此。
第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上，并且可以覆盖栅电极GT1。第二绝缘层20可以是无机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第二绝缘层20可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。在该实施例中，第二绝缘层20可以具有包括氮化硅层的单层结构。
第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。第三绝缘层30可以是无机层，并且可以具有单层结构或多层结构。例如，第三绝缘层30可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。图5的第一电容器Cst的电极Csta可以设置在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间。例如，第一电容器Cst的另一电极可以设置在第一绝缘层10与第二绝缘层20之间。
第二半导体图案层可以设置在第三绝缘层30上。第二半导体图案层可以包括氧化物半导体。氧化物半导体可以包括根据金属氧化物是否被还原而被划分的区。其中金属氧化物被还原的区(在下文中，还原区)具有比其中金属氧化物未被还原的区(在下文中，非还原区)的电导率高的电导率。还原区基本上可以用作晶体管的源区/漏区或者信号线。非还原区可以基本上与晶体管的有源区(或半导体区、沟道)相对应。例如，第二半导体图案层的一部分可以是晶体管的有源区，另一部分可以是晶体管的源区/漏区，并且另一部分可以是信号传输区。
氧化物薄膜晶体管O-TFT、O-TFTa和O-TFTb的源区SE2、有源区AC2和漏区DE2可以由第二半导体图案层形成。在截面中，源区SE2和漏区DE2可以从有源区AC2在相反的方向上延伸。
设置在第一区A1中的氧化物薄膜晶体管O-TFT可以与第一下光阻挡层BML1重叠。相应地，从显示面板DP的下部入射的光可以被第一下光阻挡层BML1阻挡，并且可以不被提供到氧化物薄膜晶体管O-TFT的有源区AC2。
设置在第二区A2中的氧化物薄膜晶体管O-TFTa和设置在中间区AM中的氧化物薄膜晶体管O-TFTb可以不与第二下光阻挡层BML2重叠。相应地，可以增加在氧化物薄膜晶体管O-TFTa和O-TFTb之下的用于阻挡光的层。例如，第三下光阻挡层BML3可以设置于在第二区A2和中间区AM中设置的氧化物薄膜晶体管O-TFTa和O-TFTb之下。第三下光阻挡层BML3可以设置在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间。第三下光阻挡层BML3和图5的第一电容器Cst的电极Csta可以包括相同的材料，并且可以通过同一工艺形成。
第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以覆盖第二半导体图案层。第四绝缘层40可以是无机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第四绝缘层40可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在该实施例中，第四绝缘层40可以具有包括氧化硅层的单层结构。
氧化物薄膜晶体管O-TFT、O-TFTa和O-TFTb的栅电极GT2可以设置在第四绝缘层40上。栅电极GT2可以是金属图案层的一部分。栅电极GT2可以与有源区AC2重叠。在还原第二半导体图案层的工艺中，栅电极GT2可以用作掩模。
第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上，并且可以覆盖栅电极GT2。第五绝缘层50可以是无机层，并且可以具有单层结构或多层结构。例如，第五绝缘层50可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。
第一连接电极CNE10可以设置在第五绝缘层50上。第一连接电极CNE10可以通过穿过第一至第五绝缘层10、20、30、40和50的第一接触孔CH1连接到连接信号线CSL。
第二开口ILop可以被限定在缓冲层BFL以及在电路层130中包括的绝缘层10、20、30、40、50、60、70和80中的至少一些中。例如，第二开口ILop可以被限定在缓冲层BFL以及第一至第五绝缘层10、20、30、40和50中。第二开口ILop可以被限定在与透射区TP重叠的区中。例如，当与透射区TP重叠的缓冲层BFL及第一至第五绝缘层10、20、30、40和50中的每一个的一部分被去除时，可以提高透射区TP的透射率。
第二开口ILop的最小宽度可以小于第一开口BMop的最小宽度。限定第二开口ILop的缓冲层BFL及第一至第五绝缘层10、20、30、40和50的侧壁可以比第一下光阻挡层BML1的侧壁朝向透射区TP突出更远。
第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。第六绝缘层60可以包括有机材料，并且第六绝缘层60可以包括聚酰亚胺类树脂。例如，第六绝缘层60可以包括光敏聚酰亚胺。第二连接电极CNE20可以设置在第六绝缘层60上。第二连接电极CNE20可以通过穿过第六绝缘层60的第二接触孔CH2连接到第一连接电极CNE10。
第六绝缘层60可以设置在元件区EP和透射区TP两者中。第六绝缘层60可以被称为公共有机层。第六绝缘层60可以填充第二开口ILop被限定在其中的部分。例如，第六绝缘层60可以与透射区TP重叠。随着第六绝缘层60被提供在透射区TP中，可以减小第六绝缘层60的上表面的台阶差。在减小了与透射区TP重叠的层之间的台阶差的情况下，可以减缓(或减少)入射到透射区TP的光的衍射。相应地，可以减少由于衍射而引起的图像的失真，使得可以提高从图2A的相机模块CMM获得的图像的质量。
设置在透射区TP中的初步公共有机层60-P的在厚度方向(或第三方向DR3)上的一部分可以被去除，以形成(或提供)第六绝缘层60。在图7A中，初步公共有机层60-P由虚线表示，并且被去除的部分60-del由深色阴影表示。半色调掩模可以用于从初步公共有机层60-P形成第六绝缘层60。
在透射区TP中的第六绝缘层60的第一厚度TK1可以小于在元件区EP中的第六绝缘层60的第二厚度TK2。例如，第一厚度TK1可以是在透射区TP中的第六绝缘层60的最小厚度或平均厚度，并且第二厚度TK2可以是在元件区EP中的第六绝缘层60的最大厚度或平均厚度。第一厚度TK1可以是第二厚度TK2的大约40％以上并且小于第二厚度TK2的100％。随着第一厚度TK1与第二厚度TK2之间的差增大，第六绝缘层60的上表面的台阶差可以增大。例如，在图案化最靠近透射区TP的导电层的工艺中，与设计相比，导电层可能被图案化(或被去除)得更多。例如，线(或布线)变得更细的可能性可能提高，并且相应地，出现缺陷的可能性可能提高。如在实施例中那样，在第一厚度TK1被提供为是第二厚度TK2的大约40％以上的情况下，可以降低出现缺陷的可能性。相应地，可以通过将第一厚度TK1提供为大于或等于第二厚度TK2的大约40％来提高透射区TP的透射率，并且可以最小化由此产生的副作用。
例如，在第二厚度TK2是大约15000埃的情况下，第一厚度TK1可以是大约6000埃以上并且大约10000埃以下。在第一厚度TK1超过大约10000埃的情况下，可能降低透射率提高效果。相应地，第一厚度TK1可以在第二厚度TK2的大约40％以上并且大约10000埃以下的范围内被确定。
第七绝缘层70可以设置在第六绝缘层60上，并且可以覆盖第二连接电极CNE20。第三开口70op可以被限定在第七绝缘层70中。第三开口70op可以被限定在与透射区TP重叠的区中。第三开口70op的最小宽度可以大于第一开口BMop的最小宽度和第二开口ILop的最小宽度。第八绝缘层80可以设置在第七绝缘层70上。
第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每一个可以是有机层。在描述中，第六绝缘层60可以被称为第一有机绝缘层，第七绝缘层70可以被称为第二有机绝缘层，并且第八绝缘层80可以被称为第三有机绝缘层。例如，第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每一个可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或者它们的混合物等。
参考图7A、图7B和图7C，包括第一至第三发光元件ED1、ED2和ED3以及复制发光元件EDcp的元件层140可以设置在电路层130上。第一发光元件ED1和第二发光元件ED2中的每一个可以包括像素电极AE(或阳极)、第一功能层HFL、发光层EL、第二功能层EFL和公共电极CE(或阴极)。第三发光元件ED3和复制发光元件EDcp可以包括第三像素电极AE3、第一功能层HFL、发光层EL、第二功能层EFL和公共电极CE(或阴极)。第一功能层HFL、第二功能层EFL和公共电极CE可以被公共地提供到图4的像素PX。
像素电极AE和第三像素电极AE3可以设置在第八绝缘层80上。像素电极AE和第三像素电极AE3可以通过穿过第七绝缘层70和第八绝缘层80的第三接触孔CH3连接到第二连接电极CNE20。像素电极AE和第三像素电极AE3可以是半透射电极、透射电极或反射电极。在实施例中，像素电极AE和第三像素电极AE3可以包括由银、镁、铝、铂、钯、金、镍、钕、铱、铬或者它们的化合物形成的反射层以及在反射层上形成的透明电极层或半透明电极层。透明电极层或半透明电极层可以包括选自由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌、氧化锌、氧化铟和铝掺杂氧化锌组成的组中的至少一种。例如，像素电极AE和第三像素电极AE3可以包括氧化铟锡、银和氧化铟锡顺序地堆叠在其中的多层结构。
第三像素电极AE3可以包括主像素电极AEm、连接电极AEcn和复制像素电极AEcp。主像素电极AEm可以被包括在第三发光元件ED3中，并且复制像素电极AEcp可以被包括在复制发光元件EDcp中。连接电极AEcn可以将第三发光元件ED3和复制发光元件EDcp电连接。
像素限定膜PDL可以设置在第八绝缘层80上。像素限定膜PDL可以具有吸收光的特性，并且例如，像素限定膜PDL可以具有黑色颜色。像素限定膜PDL可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料和黑色颜料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。
暴露像素电极AE和第三像素电极AE3中的每一个的一部分的开口PDLop可以被限定在像素限定膜PDL中。例如，像素限定膜PDL可以覆盖像素电极AE的边缘部分。例如，像素限定膜PDL可以覆盖第八绝缘层80的与透射区TP相邻的侧表面。像素限定膜PDL可以与第七绝缘层70的与透射区TP相邻的侧表面间隔开。相应地，像素限定膜PDL可以稳定地接触第七绝缘层70和第八绝缘层80。
发射区可以由在像素限定膜PDL中限定的开口PDLop限定。例如，第一发射区PXA1可以被限定在第一发光元件ED1中，第二发射区PXA2可以被限定在第二发光元件ED2中，第三发射区PXA3可以被限定在第三发光元件ED3中，并且复制发射区PXC可以被限定在复制发光元件EDcp中。由于第三发射区PXA3和复制发射区PXC共享第三像素电极AE3，因此它们可以同时发光。
第一间隔件HSPC可以设置在像素限定层PDL2(参考图6)上。第一突出间隔件SPC可以设置在第一间隔件HSPC上。第一间隔件HSPC和第一突出间隔件SPC可以具有一体的形状，并且可以由相同的材料形成。例如，第一间隔件HSPC和第一突出间隔件SPC可以在同一工艺中通过半色调掩模形成。然而，这仅是示例，并且实施例不限于此。例如，第一间隔件HSPC和第一突出间隔件SPC可以包括不同的材料，或者可以通过单独的工艺形成。
如图6中所示，第二间隔件UHSPC和第一间隔件HSPC可以具有彼此基本上相同的厚度，并且第二突出间隔件USPC和第一突出间隔件SPC可以具有彼此基本上相同的厚度。例如，第二间隔件UHSPC和第二突出间隔件USPC的截面形状可以类似于图7B中示出的第一间隔件HSPC和第一突出间隔件SPC的截面形状。
第一功能层HFL可以设置在像素电极AE、像素限定膜PDL、第一间隔件HSPC和第一突出间隔件SPC上。第一功能层HFL可以包括空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)或者HTL和HIL两者。第一功能层HFL可以遍及第一区A1、第二区A2和中间区AM而设置。
发光层EL可以设置在第一功能层HFL上，并且可以设置在与像素限定膜PDL的开口PDLop相对应的区中。发光层EL可以包括发射特定颜色的光的有机材料、无机材料或者有机-无机材料。发光层EL可以设置在第一区A1、第二区A2和中间区AM中。设置在第一区A1中的发光层EL可以设置在与透射区TP间隔开的区中(即，在元件区EP中)。
第二功能层EFL可以设置在第一功能层HFL上，并且可以覆盖发光层EL。第二功能层EFL可以包括电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)或者ETL和EIL两者。第二功能层EFL可以遍及第一区A1、第二区A2和中间区AM而设置。
公共电极CE可以设置在第二功能层EFL上。公共电极CE可以遍及第一区A1、第二区A2和中间区AM而设置。与第一开口BMop重叠的电极开口CEop可以被限定在公共电极CE中。电极开口CEop的最小宽度可以大于第一下光阻挡层BML1的第一开口BMop的最小宽度。
元件层140可以进一步包括设置在公共电极CE上的盖层CPL。盖层CPL可以根据相长干涉的原理起到提高发射效率的作用。盖层CPL可以包括例如相对于具有大约589nm的波长的光具有大约1.6以上的折射率的材料。盖层CPL可以是包括有机材料的有机盖层、包括无机材料的无机盖层或者包括有机材料和无机材料的复合盖层。例如，盖层CPL可以包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或者它们的任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可以可选地用包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或者它们的任何组合的取代基取代。
盖层CPL的与公共电极CE的电极开口CEop重叠的部分可以被去除。随着盖层CPL的包括与透射区TP重叠的部分的一部分以及公共电极CE的一部分被去除，可以进一步提高透射区TP的透射率。
封装层150可以设置在元件层140上。封装层150可以包括顺序地堆叠的无机层151、有机层152和无机层153，但是封装层150的层不限于此。
无机层151和153可以保护元件层140免受湿气和氧气的影响，并且有机层152可以保护元件层140免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。无机层151和153可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或者氧化铝层。有机层152可以包括丙烯酸有机层，但是实施例不限于此。
传感器层200可以设置在显示层100上。传感器层200可以被称为传感器、输入感测层或输入感测面板。传感器层200可以包括传感器基底层210、第一传感器导电层220、传感器绝缘层230、第二传感器导电层240和传感器覆盖层250。
传感器基底层210可以设置(例如，直接设置)在显示层100上。传感器基底层210可以是包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。在另一示例中，传感器基底层210可以是包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂或酰亚胺类树脂的有机层。传感器基底层210可以具有单层结构或者沿着第三方向DR3堆叠的多层结构。
第一传感器导电层220和第二传感器导电层240中的每一个可以具有单层结构或者沿着第三方向DR3堆叠的多层结构。
单层的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或者它们的合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化铟锌锡的透明导电氧化物。例如，透明导电材料可以包括诸如聚(3,4-乙烯-二氧噻吩)(PEDOT)的导电聚合物、金属纳米线和石墨烯等。
多层的导电层可以包括金属层。金属层可以具有例如钛/铝/钛的三层结构。多层的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
传感器绝缘层230可以设置在第一传感器导电层220与第二传感器导电层240之间。传感器绝缘层230可以包括无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
在另一示例中，传感器绝缘层230可以包括有机层。有机层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
传感器覆盖层250可以设置在传感器绝缘层230上，并且可以覆盖第二传感器导电层240。第二传感器导电层240可以包括图13A的导电图案层240P。传感器覆盖层250可以覆盖导电图案层240P，并且可以降低或消除在后续工艺中对导电图案层240P的损坏的可能性。
传感器覆盖层250可以包括无机材料。例如，传感器覆盖层250可以包括氮化硅，但是实施例不限于此。
抗反射层300可以设置在传感器层200上。抗反射层300可以包括堤层(或分隔层)310、滤色器320和平坦化层330。堤层310和滤色器320可以不设置在第一区A1的透射区TP中。
堤层310可以与第二传感器导电层240的图13A的导电图案层240P重叠。传感器覆盖层250可以设置在堤层310与第二传感器导电层240之间。堤层310可以防止外部光被第二传感器导电层240反射。堤层310的材料可以不被限制，只要它是吸收光的材料即可。堤层310可以是具有黑色颜色的层，并且在实施例中，堤层310可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料和黑色颜料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。
堤开口310op1和310op2以及透射开口310opt可以被限定在堤层310中。堤开口310op1和310op2可以分别与发光层EL重叠。作为参考，在图12中示出了堤层310在平面图中的形状。滤色器320可以被设置成与堤开口310op1和310op2相对应。滤色器320可以透射从与滤色器320重叠的发光层EL提供的光。
堤层310的透射开口310opt可以与第一下光阻挡层BML1的第一开口BMop重叠。堤层310的透射开口310opt的最小宽度和第一下光阻挡层BML1的第一开口BMop的最小宽度可以彼此基本上相同。例如，在与透射区TP相邻的区中，堤层310的端部可以与第一下光阻挡层BML1的端部基本上对准。在描述中，每一个部件“基本上对准”或者每一个部件的宽度“基本上相同”不仅包括每一个部件完全对准或者每一个部件的宽度在物理上具有相同尺寸的情况，而且还包括尽管设计相同，但是它们在工艺中出现的误差范围内相同的情况。
在与透射区TP相邻的区中，堤层310的端部可以比像素限定膜PDL的端部和公共电极CE的端部朝向透射区TP突出更多。
平坦化层330可以覆盖堤层310和滤色器320。平坦化层330可以包括有机材料，并且可以在平坦化层330的上表面上提供平坦的表面。在实施例中，平坦化层330可以被省略。
在实施例中，抗反射层300可以包括反射调整层而不是滤色器320。例如，滤色器320可以从图7A、图7B和图7C的附图中被省略，并且反射调整层可以被增加在滤色器320被省略的位置处。反射调整层可以选择性地吸收从显示面板DP和/或图1A的电子装置EDE的内部反射的光或者从显示面板DP和/或电子装置EDE的外部入射的光当中的部分波段的光。
作为示例，反射调整层吸收大约490nm至大约505nm的第一波长范围和大约585nm至大约600nm的第二波长范围的光，使得光在第一波长范围和第二波长范围中的透射率可以是大约40％以下。反射调整层可以吸收具有在从发光层EL发射的红光、绿光和蓝光的波长范围之外的波长的光。因此，反射调整层吸收不属于从发光层EL发射的红光、绿光或蓝光的波长范围的波长的光，使得可以防止或最小化显示面板DP和/或电子装置EDE的亮度的降低。例如，可以同时防止或最小化显示面板DP和/或电子装置EDE的发射效率的降低，并且可以提高可见性。
反射调整层可以被提供为包括染料、颜料或者它们的组合的有机材料层。反射调整层可以包括四氮杂卟啉(TAP)类化合物、卟啉类化合物、金属卟啉类化合物、恶嗪类化合物、方酸菁类化合物、三芳基甲烷类化合物、聚甲炔类化合物、蒽醌类化合物、酞菁类化合物、偶氮类化合物、苝类化合物、呫吨类化合物、二亚胺类化合物、亚甲基二吡咯类化合物、花青类化合物或者它们的组合。
在实施例中，反射调整层可以具有大约64％至大约72％的透射率。反射调整层的透射率可以根据在反射调整层中包括的颜料和/或染料的含量被调整。反射调整层在平面图中可以与发射区重叠，但是在平面图中可以不与透射区TP重叠。
图8A是示出根据实施例的第一下光阻挡层BML1的一部分的示意性平面图。图8B是示出根据实施例的第二下光阻挡层BML2的一部分的示意性平面图。
在图8A中，与第一下光阻挡层BML1重叠的第一像素单元PXU1用虚线示出，并且在图8B中，与第二下光阻挡层BML2重叠的第一子像素单元PXU2a用虚线示出。由于图6的第二子像素单元PXU2b和第二下光阻挡层BML2之间的布置关系与第一子像素单元PXU2a和第二下光阻挡层BML2之间的布置关系具有基本上相同的结构，因此其描述将被省略。
第一像素单元PXU1可以包括三个第一像素电路PDC1a、PDC1b和PDC1c。第二子像素单元PXU2a可以包括两个第二像素电路PDC2a和PDC2b。图8A和图8B中示出的虚线区域可以与三个第一像素电路PDC1a、PDC1b和PDC1c以及两个第二像素电路PDC2a和PDC2b分别设置在其中的区域相对应。
参考图8A和图8B，第一下光阻挡层BML1和第二下光阻挡层BML2可以设置在同一层，并且可以通过同一工艺同时形成。因此，与形成形成在不同层的第一下光阻挡层和第二下光阻挡层的工艺相比，在形成根据实施例的第一下光阻挡层BML1和第二下光阻挡层BML2的工艺中，可以省略一次掩模工艺。相应地，可以简化图7A的显示面板DP的制造工艺，并且因此可以降低显示面板DP的制造成本。
第一下光阻挡层BML1和第二下光阻挡层BML2可以设置于在图7A、图7B和图7C中示出的第四子阻挡层124与第五子阻挡层125之间。
第一下光阻挡层BML1和第二下光阻挡层BML2可以彼此电绝缘。具有特定电压电平的恒定电压可以被提供到第一下光阻挡层BML1，并且被提供到第二像素电路PDC2a或PDC2b的电源电压可以被提供到第二下光阻挡层BML2。例如，图5的第一驱动电压ELVDD可以被提供到第二下光阻挡层BML2。
第一下光阻挡层BML1可以与第一像素单元PXU1设置在其中的整个区重叠。相应地，第一下光阻挡层BML1可以与在第一像素单元PXU1中包括的图6的第一像素PX1r、PX1g和PX1b重叠。在第一区A1中，第一下光阻挡层BML1可以与在第一像素PX1r、PX1g和PX1b中的每一个中包括的第一类型晶体管中的全部重叠。相应地，被提供到第一下光阻挡层BML1的电压可以与第一像素PX1r、PX1g和PX1b的操作无关地被提供。
第二下光阻挡层BML2可以与第一子像素单元PXU2a设置在其中的区的一部分重叠。例如，第一子像素单元PXU2a可以包括图6的第二-第二颜色像素PX2g和图6的第二-第三颜色像素PX2b。在第二区A2中，第二下光阻挡层BML2可以与在第二-第二颜色像素PX2g和第二-第三颜色像素PX2b中的每一个中包括的第二类型晶体管中的一些重叠。例如，第二下光阻挡层BML2可以与图5的第一晶体管T1重叠。相应地，被提供到第二下光阻挡层BML2的电压可以与第二-第二颜色像素PX2g和第二-第三颜色像素PX2b的操作同步地被提供。
第一下光阻挡层BML1和第二下光阻挡层BML2中的每一个可以具有单层结构或者包括多个层的多层结构。例如，第一下光阻挡层BML1和第二下光阻挡层BML2中的每一个可以具有钛和钼顺序地堆叠在其中的多层结构。通道可能通过在图7A的第一至第四子阻挡层121、122、123和124中形成的裂纹以及图7A的第一至第四子阻挡层121、122、123和124之间的颗粒被提供。例如，氢气可以通过通道而渗入，并且包括钛的下层可以起到吸收氢的作用。相应地，可以降低晶体管中的由氢气引起的缺陷出现的可能性。在实施例中，钼可以用铜取代。在另一示例中，第一下光阻挡层BML1和第二下光阻挡层BML2中的每一个可以包括钼或铜，但是实施例不限于此。
图9A是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。图9B是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。图9A是示出了图4中示出的区XX’的示意性放大平面图。图9B是图4中示出的区YY’的示意性放大平面图。
参考图9A和图9B，第一下光阻挡层BML1可以设置在第一区A1中。图4的显示面板DP可以进一步包括第一光阻挡电压线VBL和第二光阻挡电压线BCL。第一光阻挡电压线VBL和第二光阻挡电压线BCL可以电连接到第一下光阻挡层BML1，使得具有特定电压电平的恒定电压可以被传送到第一下光阻挡层BML1。
例如，第一光阻挡电压线VBL可以设置在非显示区DP-NDA中，并且可以围绕显示区DP-DA的至少一部分。焊盘可以分别连接到第一光阻挡电压线VBL的一个端部和另一端部，并且恒定电压可以通过焊盘被提供。
第二光阻挡电压线BCL可以从第一光阻挡电压线VBL延伸，并且可以穿过显示区DP-DA连接到第一下光阻挡层BML1。可以提供多条第二光阻挡电压线BCL。图9B示出了第二光阻挡电压线BCL的数量是8，但是第二光阻挡电压线BCL的数量可以少于8或多于8。
在图9A中，示出了与第一区A1重叠的相机模块CMM。表示为相机模块CMM的虚线部分可以与相机模块CMM的接收光的光接收部分或透镜相对应。
相机模块CMM可以与第一区A1的一部分重叠。例如，相机模块CMM可以与透射区TP以及第一像素单元PXU1设置在其中的元件区EP重叠。相机模块CMM可以不与相邻像素单元PXU1n重叠。例如，相机模块CMM可以不与中间区AM和第二区A2重叠。相应地，相机模块CMM可以不与第二像素PX2r、PX2g和PX2b以及第三像素PX3r、PX3g和PX3b重叠。
图10A是示出根据实施例的设置在第一区中的像素电路的示意性平面图。图10B是示出根据实施例的设置在第二区中的像素电路的示意性平面图。
参考图10A和图10B，第一像素电路PDC1a、PDC1b和PDC1c及第二像素电路PDC2a和PDC2b中的每一个可以由导电层和半导体层实现。在图10A和图10B中，在设置于图7B的第六绝缘层60与图7B的第七绝缘层70之间的导电层中包括的图案层被加了阴影。像素电极接触部分AEcnt可以是下面将描述的图11的第一至第三像素电极AE1、AE2和AE3分别接触的部分。
具有与第二像素电路PDC2a或PDC2b的布局基本上相同的布局的图7C的第三像素电路PDC3可以设置在图7C的第三发光元件ED3之下。由于空间限制，诸如第二像素电路PDC2a或PDC2b的结构可以不设置在复制发光元件EDcp设置在其中的区中。相应地，复制发光元件EDcp可以共享图7C的第三像素电路PDC3，并且可以与第三发光元件ED3一起被驱动。
图11是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。
参考图11，第一像素电极AE1可以设置在第一区A1中，第二像素电极AE2可以设置在第二区A2中，并且第三像素电极AE3可以设置在中间区AM中。第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料。第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以具有氧化铟锡、银和氧化铟锡顺序地堆叠在其中的多层结构，但是实施例不限于此。
设置在第一区A1中的第一像素PX1可以包括第一像素电路PDC1和第一发光元件ED1。第一像素电极AE1可以被包括在第一发光元件ED1中。第一像素电极AE1可以电连接到第一像素电路PDC1，并且例如，第一像素电极AE1可以连接到图10A中示出的像素电极接触部分AEcnt。
设置在第二区A2中的第二像素PX2可以包括第二像素电路PDC2和第二发光元件ED2。第二像素电极AE2可以被包括在第二发光元件ED2中。第二像素电极AE2可以电连接到第二像素电路PDC2，并且例如，第二像素电极AE2可以连接到图10B中示出的像素电极接触部分AEcnt。
设置在中间区AM中的第三像素PX3可以包括第三像素电路PDC3、第三发光元件ED3和复制发光元件EDcp。第三像素电极AE3可以电连接到第三像素电路PDC3。第三像素电路PDC3可以具有与图10B中示出的第二像素电路PDC2a和PDC2b中的一个的布局基本上相同的布局。复制发光元件EDcp可以比第三发光元件ED3更靠近第一发光元件ED1。由于空间限制，第三像素电路PDC3可以不设置在复制发光元件EDcp之下。相应地，复制发光元件EDcp可以不与图8A的第一下光阻挡层BML1和图8B的第二下光阻挡层BML2重叠。
第三像素电极AE3可以被包括在第三发光元件ED3和复制发光元件EDcp中。第三像素电极AE3可以包括主像素电极AEm、连接电极AEcn和复制像素电极AEcp。主像素电极AEm可以被包括在第三发光元件ED3中，并且复制像素电极AEcp可以被包括在复制发光元件EDcp中。连接电极AEcn可以将第三发光元件ED3和复制发光元件EDcp电连接。
主像素电极AEm、连接电极AEcn和复制像素电极AEcp可以设置在同一层，并且可以包括相同的材料。例如，主像素电极AEm、连接电极AEcn和复制像素电极AEcp可以通过同一工艺同时形成。主像素电极AEm可以连接(例如，直接连接)到第三像素电路PDC3，并且复制像素电极AEcp可以通过连接电极AEcn和主像素电极AEm连接到第三像素电路PDC3。
主像素电极AEm中的一些可以包括直线边缘部分AEsl，以确保连接电极AEcn穿过的区。直线边缘部分AEsl可以被提供在面对连接电极AEcn的部分处。
第一像素电极AE1可以包括第一突起AE-C1和第二突起AE-C2。第一突起AE-C1可以是连接到图10A中示出的像素电极接触部分AEcnt的部分，并且可以与接触孔重叠。第二突起AE-C2可以是延伸以与图7A的氧化物薄膜晶体管O-TFT的包括图7A的有源区AC2的第二半导体图案层重叠的部分。相应地，第二半导体图案层的下表面可以被图8A的第一下光阻挡层BML1阻挡光，并且第二半导体图案层的上表面可以被第一像素电极AE1阻挡光。
参考图11，虚设像素DPX可以设置在中间区AM中。虚设像素DPX可以是不发光的像素，并且可以被称为缺陷像素或丢失像素。例如，虚设像素DPX可以包括图7B的发光层EL，而不包括图5的像素电路PDC和图7B的像素电极AE。在实施例中，虚设像素DPX可以进一步包括图7B的第一功能层HFL、图7B的第二功能层EFL和图7B的公共电极CE。虚设像素DPX可以与在图7B的堤层310中限定的虚设堤开口重叠。然而，这仅是示例，并且虚设堤开口可以不被限定在虚设像素DPX设置在其中的区域中。在另一示例中，虚设像素限定开口可以被限定在与虚设像素DPX设置在其中的区域相对应的图6的像素限定层PDL2中。
图12是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。图12是示出了图4中示出的区XX’的示意性放大平面图。
参考图7A、图7B、图7C和图12，堤开口310op1和310op2以及透射开口310opt可以被限定在堤层310中。堤开口310op1和310op2可以包括在第一区A1中限定的第一堤开口310op1以及在第二区A2和中间区AM中限定的第二堤开口310op2。透射开口310opt可以被限定在第一区A1中。
第一区A1中的第一堤开口310op1可以与第一像素单元PXU1重叠。相应地，第一堤开口310op1可以与第一发射区PXA1r、PXA1g和PXA1b重叠。
堤层310可以不设置于在第一区A1中彼此相邻的第一发射区PXA1r、PXA1g和PXA1b之间。相应地，没有必要在第一发射区PXA1r、PXA1g和PXA1b之间的狭窄区中形成相对薄且长的堤层310的一部分。相应地，可以降低形成堤层310的工艺的难度。例如，由于堤层310的一部分不设置在第一发射区PXA1r、PXA1g和PXA1b之间，因此即使视角增大，亮度比或白色角度依赖性(WAD)特性的变化程度也可以减小。例如，可以改善第一区A1中的亮度比或WAD特性。
在第二区A2和中间区AM中，一个第二堤开口310op2可以与第二发射区PXA2r、PXA2g和PXA2b、第三发射区PXA3r、PXA3g和PXA3b及复制发射区PXCr、PXCg和PXCb中的一个发射区重叠。在第二区A2和中间区AM中，在彼此相邻的第二发射区PXA2r、PXA2g和PXA2b、第三发射区PXA3r、PXA3g和PXA3b及复制发射区PXCr、PXCg和PXCb之间存在堤层310的一部分。
透射开口310opt可以与第一下光阻挡层BML1的第一开口BMop重叠。透射开口310opt的尺寸可以与第一下光阻挡层BML1的第一开口BMop的尺寸基本上相同。
附加堤开口310aop可以进一步被限定在堤层310中。附加堤开口310aop可以被限定在透射开口310opt之间的区中。例如，附加堤开口310aop可以被提供在与图14的复制发光元件CED1、CED2、CED3或CED4重叠的区中。
图13A是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。图13A是图12中示出的区AA’的示意性放大平面图。
参考图7A和图13A，滤色器320可以包括设置在第一区A1中的第一滤色器321r、第二滤色器321g和第三滤色器321b。第一滤色器321r、第二滤色器321g和第三滤色器321b可以与堤层310的第一堤开口310op1重叠。
第一开口PDLop1r、第二开口PDLop1g和第三开口PDLop1b可以被限定在像素限定图案层PDL1中。第一开口PDLop1r、第二开口PDLop1g和第三开口PDLop1b可以与堤层310的第一堤开口310op1重叠。第一滤色器321r可以与第一开口PDLop1r重叠，第二滤色器321g可以与第二开口PDLop1g重叠，并且第三滤色器321b可以与第三开口PDLop1b重叠。
在第一滤色器321r、第二滤色器321g和第三滤色器321b当中，第二滤色器321g可以具有最大的面积，并且第一滤色器321r可以具有最小的面积。相应地，第二滤色器321g可以比第一滤色器321r在远离第三滤色器321b的方向上突出更远。
导电图案层240P可以被堤层310覆盖。相应地，整个导电图案层240P可以与堤层310重叠。堤层310可以防止外部光被导电图案层240P反射。
图13B是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。图13B是图12中示出的区BB’的示意性放大平面图。
参考图7B和图13B，滤色器320可以包括设置在第二区A2中的第一滤色器322r、第二滤色器322g和第三滤色器322b。第一滤色器322r、第二滤色器322g和第三滤色器322b可以(例如，一一对应地)与堤层310的第二堤开口310op2重叠。
第二堤开口310op2中的每一个的形状可以不同于第一滤色器322r、第二滤色器322g和第三滤色器322b中的每一个的形状。例如，像素限定层PDL2的开口PDLop的形状可以不同于第一滤色器322r、第二滤色器322g和第三滤色器322b中的每一个的形状。例如，开口PDLop在平面图中的形状可以是圆形的，并且第二堤开口310op2中的每一个在平面图中的形状可以是圆形的。第二堤开口310op2在平面图中可以具有围绕开口PDLop的形状。第一滤色器322r、第二滤色器322g和第三滤色器322b中的每一个在平面图中可以具有矩形形状。
第二发射区PXA2r、PXA2g和PXA2b可以包括第二-第一发射区PXA2r、第二-第二发射区PXA2g和第二-第三发射区PXA2b。在第二发射区PXA2r、PXA2g和PXA2b当中，第二-第二发射区PXA2g可以具有最小的面积，并且第二-第三发射区PXA2b可以具有最大的面积。在第一滤色器322r、第二滤色器322g和第三滤色器322b当中，第一滤色器322r可以具有最大的面积，并且第三滤色器322b可以具有最小的面积。
一个第二-第一发射区PXA2r、两个第二-第二发射区PXA2g和一个第二-第三发射区PXA2b可以形成一个重复单元。例如，在一个重复单元内，由两个第二滤色器322g占据的面积可以是最大的，由一个第一滤色器322r占据的面积可以是第二大的，并且由一个第三滤色器322b占据的面积可以是最小的。例如，重复单元中的第一滤色器322r、第二滤色器322g和第三滤色器322b的面积比可以是29:54:17。
第一滤色器322r、第二滤色器322g和第三滤色器322b中的每一个的面积可以根据图1A的电子装置EDE的反射颜色被确定。相应地，发射区的面积可以不与与其相对应的滤色器的面积成比例。
图13C是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。图13C是图12中示出的区CC’的示意性放大平面图。
参考图12和图13C，图7A的滤色器320可以进一步包括设置在第一区A1和中间区AM之间的边界处或者与该边界相邻设置的虚设滤色器320dm。虚设滤色器320dm和第二滤色器321g可以具有彼此相同的颜色。虚设滤色器320dm可以被提供以优化图1A的电子装置EDE的反射颜色，并且虚设滤色器320dm可以被省略。
图14是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。
参考图12和图14，设置在元件区EP中的第一发光单元EDU1可以包括第一发光元件ED1r、ED1g和ED1b。第一发光元件ED1r、ED1g和ED1b可以包括第一-第一发光元件ED1r、第一-第二发光元件ED1g和第一-第三发光元件ED1b。下面，第一-第一发光元件ED1r、第一-第二发光元件ED1g和第一-第三发光元件ED1b可以分别被称为第一发光元件ED1r、第二发光元件ED1g和第三发光元件ED1b。
第一发光元件ED1r、第二发光元件ED1g和第三发光元件ED1b可以发射不同颜色的光。例如，第一发光元件ED1r可以发射红光，第二发光元件ED1g可以发射绿光，并且第三发光元件ED1b可以发射蓝光。
图4的显示面板DP的第一区A1可以进一步包括从元件区EP延伸的连接区CP。连接区CP中的每一个可以布置在两个透射区TP之间。元件区EP和连接区CP可以与第一下光阻挡层BML1重叠。透射区TP可以不与第一下光阻挡层BML1和堤层310两者重叠。
显示面板DP可以进一步包括设置在连接区CP中的第一复制发光单元CEDU1。第一复制发光单元CEDU1可以包括复制发光元件CED1、CED2、CED3和CED4。复制发光元件CED1、CED2、CED3和CED4的操作可以由用于控制第一发光单元EDU1的操作的图10A的第一像素电路PDC1a、PDC1b和PDC1c控制。相应地，第一复制发光单元CEDU1可以与第一发光单元EDU1同步操作。
例如，第一至第三发光元件ED1r、ED1g和ED1b可以分别与第一像素电路PDC1a、PDC1b和PDC1c重叠，并且第一至第三发光元件ED1r、ED1g和ED1b的操作可以分别由图10A的第一像素电路PDC1a、PDC1b和PDC1c控制。例如，第一发光元件ED1r可以电连接到第一像素电路PDC1c，第二发光元件ED1g可以电连接到第一像素电路PDC1b，并且第三发光元件ED1b可以电连接到第一像素电路PDC1a。
复制发光元件CED1、CED2、CED3和CED4中的每一个可以电连接到第一像素电路PDC1a、PDC1b和PDC1c中的任何一个，并且可以与第一至第三发光元件ED1r、ED1g和ED1b中的任何一个同时发光。
连接区CP可以包括与第一发光元件ED1r相邻的第一连接区CP1、与第二发光元件ED1g相邻的第二连接区CP2以及与第三发光元件ED1b相邻的第三连接区CP3和第四连接区CP4。第一连接区CP1、第二连接区CP2、第三连接区CP3和第四连接区CP4可以基于元件区EP在顺时针方向上被顺序地限定。
复制发光元件CED1、CED2、CED3和CED4可以包括设置在第一连接区CP1中的第一复制发光元件CED1、设置在第二连接区CP2中的第二复制发光元件CED2、设置在第三连接区CP3中的第三复制发光元件CED3以及设置在第四连接区CP4中的第四复制发光元件CED4。
第一复制发光元件CED1的发射颜色可以不同于第一发光元件ED1r的发射颜色。第二复制发光元件CED2的发射颜色可以不同于第二发光元件ED1g的发射颜色。第三复制发光元件CED3的发射颜色和第四复制发光元件CED4的发射颜色可以不同于第三发光元件ED1b的的发射颜色。
第一复制发光元件CED1可以电连接到第三发光元件ED1b，并且第一复制发光元件CED1可以与第三发光元件ED1b同时发光。第二复制发光元件CED2可以电连接到第一发光元件ED1r，并且第二复制发光元件CED2可以与第一发光元件ED1r同时发光。第三复制发光元件CED3和第四复制发光元件CED4可以电连接到第二发光元件ED1g，并且第三复制发光元件CED3和第四复制发光元件CED4可以与第二发光元件ED1g同时发光。
根据实施例，第一至第三发光元件ED1r、ED1g和ED1b中的每一个可以与至少一个复制发光元件CED1、CED2、CED3或CED4相邻。彼此相邻的一个发光元件ED1r、ED1g或ED1b和一个复制发光元件CED1、CED2、CED3或CED4可以发射不同颜色的光。例如，一个发光元件ED1r可以与发射相同颜色的光的复制发光元件CED2间隔开，其中发射不同颜色的光的另一个发光元件ED1g在该发光元件ED1r与该复制发光元件CED2之间。
由于一个发光元件ED1r、ED1g或ED1b和与该一个发光元件ED1r、ED1g或ED1b发射相同颜色的光的复制发光元件CED1、CED2、CED3或CED4彼此间隔开且不相邻，因此可以改善粗糙度指数。
显示面板DP可以进一步包括与第一复制发光单元CEDU1相邻设置的相邻复制发光元件NED1、NED2、NED3和NED4。在第一至第四连接区CP1、CP2、CP3和CP4中的每一个中，可以设置复制发光元件CED1、CED2、CED3和CED4当中的一个复制发光元件CED1、CED2、CED3或CED4以及相邻复制发光元件NED1、NED2、NED3和NED4当中的一个相邻复制发光元件NED1、NED2、NED3或NED4。
例如，第一复制发光元件CED1和第一相邻复制发光元件NED1可以设置在第一连接区CP1中。第一复制发光元件CED1的发射颜色可以不同于第一相邻复制发光元件NED1的发射颜色。第二复制发光元件CED2和第二相邻复制发光元件NED2可以设置在第二连接区CP2中。第二复制发光元件CED2的发射颜色和第二相邻复制发光元件NED2的发射颜色可以彼此不同。第三复制发光元件CED3和第三相邻复制发光元件NED3可以设置在第三连接区CP3中。第三复制发光元件CED3的发射颜色和第三相邻复制发光元件NED3的发射颜色可以彼此不同。第四复制发光元件CED4和第四相邻复制发光元件NED4可以设置在第四连接区CP4中。第四复制发光元件CED4的发射颜色和第四相邻复制发光元件NED4的发射颜色可以彼此不同。
与透射区TP重叠的第一开口BMop可以被限定在第一下光阻挡层BML1中。第一开口BMop可以被称为开口或透射开口。
第一下光阻挡层BML1的限定第一开口BMop的侧壁TPSW可以具有倒圆形状。当在平面图中观察时，第一开口BMop可以具有圆形形状。当在平面图中观察时，第一开口BMop可以包括弧形边缘部分CVE，并且弧形边缘部分CVE的曲率中心点CVEc(或曲率中心)可以与对应的第一开口BMop重叠。在第一开口BMop仅以弧形边缘部分CVE形成的情况下，可以最小化由第一下光阻挡层BML1引起的衍射现象。因此，可以提高由相机模块CMM获取的图像的质量。相应地，可以取得提高相机模块CMM的性能的效果。
图15是从根据实施例的显示单色图像的显示面板获得的转换后的图像。图16是从根据比较示例的显示单色图像的显示面板获得的转换后的图像。
图15是从具有图14中示出的结构的图4的显示面板DP的图4的第一区A1获得的第一转换后的图像IM1，并且图16是从不包括图14的第一复制发光单元CEDU1的显示面板的第一区获得的第二转换后的图像IM2。
第一转换后的图像IM1的粗糙度指数可以是大约12.7，并且第二转换后的图像IM2的粗糙度指数可以是大约18.4。这里，粗糙度指数可以表示单色图像中的感知亮度的差异。例如，由于根据示出的图像中的亮度差的图案(例如，网格图案)可以被清楚地识别，因此感知亮度差可能大，使得可能增大粗糙度指数。因此，在显示单色图像的情况下，特定图案可能不被视觉地识别，并且可以理解，由于粗糙度指数较低，因此显示质量可能较好。
例如，粗糙度指数可以是通过将感知亮度的最大亮度值与最小亮度值之间的差除以二而获得的值的平方根。相应地，随着亮度差增大，粗糙度指数可以增大。可以以各种方式获得用于获得感知亮度的转换后的图像。例如，在对模拟图像进行傅立叶变换并且将对比敏感度函数(CSF)应用于傅立叶变换后的图像之后，转换后的图像可以通过傅立叶逆变换被获得。
根据实施例，由于图4的显示面板DP可以包括图14的第一复制发光单元CEDU1，因此可以降低粗糙度指数。相应地，在显示单色图像的情况下，可以降低识别第一区A1中的网格图案的程度。因此，可以提高显示面板DP的显示质量。
图17是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。
参考图12和图17，图4的显示面板DP可以进一步包括设置在连接区CP中的第一复制发光单元CEDU1a。第一复制发光单元CEDU1a可以包括复制发光元件CED1、CED2a和CED3。复制发光元件CED1、CED2a和CED3的操作可以由用于控制第一发光单元EDU1的操作的图10A的第一像素电路PDC1a、PDC1b和PDC1c控制。相应地，第一复制发光单元CEDU1a可以与第一发光单元EDU1同步操作。
复制发光元件CED1、CED2a和CED3可以包括设置在第一连接区CP1中的第一复制发光元件CED1、设置在第二连接区CP2中的第二复制发光元件CED2a以及设置在第三连接区CP3中的第三复制发光元件CED3。
图4的显示面板DP可以进一步包括设置在第一区A1内的另一元件区EPn中的第二发光单元EDU2以及与第二发光单元EDU2同步操作的第二复制发光单元CEDU2。第二复制发光单元CEDU2可以包括设置在第四连接区CP4中的相邻复制发光元件NED4a。相邻复制发光元件NED4a的发射颜色和第一发光元件ED1r的发射颜色可以彼此相同。
一个复制发光元件CED1或CED3和一个相邻复制发光元件NED1或NED3可以分别布置在第一至第四连接区CP1、CP2、CP3和CP4当中的两个连接区(例如，第一连接区CP1和第三连接区CP3)中。第二复制发光元件CED2a可以设置在第一至第四连接区CP1、CP2、CP3和CP4当中的另一个连接区(例如，第二连接区CP2)中，并且一个相邻复制发光元件NED4a可以设置在第一至第四连接区CP1、CP2、CP3和CP4当中的其余的连接区(例如，第四连接区CP4)中。第二复制发光元件CED2a的发射颜色和相邻复制发光元件NED4a的发射颜色可以彼此相同。
在设置于第二连接区CP2中的第二复制发光元件CED2a中限定的发射区PXAc1的最大宽度WTm可以大于在设置于第一连接区CP1或第三连接区CP3中的复制发光元件CED1或CED3中限定的发射区PXAc2的最大宽度WTn。
图18是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。
参考图12和图18，图4的显示面板DP可以进一步包括设置在连接区CP中的第一复制发光单元CEDU1b。第一复制发光单元CEDU1b可以包括复制发光元件CED1a、CED2和CED4a。复制发光元件CED1a、CED2和CED4a的操作可以由用于控制第一发光单元EDU1的操作的图10A的第一像素电路PDC1a、PDC1b和PDC1c控制。相应地，第一复制发光单元CEDU1b可以与第一发光单元EDU1同步操作。
复制发光元件CED1a、CED2和CED4a可以包括设置在第一连接区CP1中的第一复制发光元件CED1a、设置在第二连接区CP2中的第二复制发光元件CED2和设置在第四连接区CP4中的第三复制发光元件CED4a。
图4的显示面板DP可以进一步包括设置在第一区A1内的另一元件区EPna中的第二发光单元EDU2a以及与第二发光单元EDU2a同步操作的第二复制发光单元CEDU2a。第二复制发光单元CEDU2a可以包括设置在第三连接区CP3中的相邻复制发光元件NED3a。相邻复制发光元件NED3a的发射颜色和第三发光元件ED1b的发射颜色可以彼此相同。将第二发光元件ED1g和第三复制发光元件CED4a连接的连接线Ccn可以设置在相邻复制发光元件NED3a与第三发光元件ED1b之间。
一个复制发光元件CED2或CED4a和一个相邻复制发光元件NED2或NED4可以分别布置在第一至第四连接区CP1、CP2、CP3和CP4当中的两个连接区(例如，第二连接区CP2和第四连接区CP4)中。第一复制发光元件CED1a可以设置在第一至第四连接区CP1、CP2、CP3和CP4当中的另一个连接区(例如，第一连接区CP1)中，并且一个相邻复制发光元件NED3a可以设置在第一至第四连接区CP1、CP2、CP3和CP4当中的其余的连接区(例如，第三连接区CP3)中。第一复制发光元件CED1a的发射颜色和相邻复制发光元件NED3a的发射颜色可以彼此相同。
在设置于第一连接区CP1中的第一复制发光元件CED1a中限定的发射区PXAc1a的最大宽度WTma可以大于在设置于第二连接区CP2或第四连接区CP4中的复制发光元件CED2或CED4a中限定的发射区PXAc2a的最大宽度WTna。
图19是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。
参考图12和图19，图4的显示面板DP可以进一步包括设置在连接区CP当中的第一复制发光单元CEDU1c。第一复制发光单元CEDU1c可以包括复制发光元件CED1c、CED2c、CED3c和CED4c。复制发光元件CED1c、CED2c、CED3c和CED4c的操作可以由用于控制第一发光单元EDU1的操作的图10A的第一像素电路PDC1a、PDC1b和PDC1c中的一个控制。复制发光元件CED1c、CED2c、CED3c和CED4c可以包括设置在第一连接区CP1中的第一复制发光元件CED1c、设置在第二连接区CP2中的第二复制发光元件CED2c、设置在第三连接区CP3中的第三复制发光元件CED3c以及设置在第四连接区CP4中的第四复制发光元件CED4c。
第一至第四复制发光元件CED1c、CED2c、CED3c和CED4c可以电连接到第二发光元件ED1g。相应地，第一至第四复制发光元件CED1c、CED2c、CED3c和CED4c可以与第二发光元件ED1g同时发光。第二发光元件ED1g以及第一至第四复制发光元件CED1c、CED2c、CED3c和CED4c可以发射绿光。在另一示例中，第二至第四复制发光元件CED2c、CED3c和CED4c可以电连接到第二发光元件ED1g。相应地，第二至第四复制发光元件CED2c、CED3c和CED4c可以与第二发光元件ED1g同时发光。
图4的显示面板DP可以进一步包括与第一复制发光单元CEDU1c相邻设置的相邻复制发光元件NEDg1、NEDg2、NEDg3和NEDg4。在第一至第四连接区CP1、CP2、CP3和CP4中的每一个，可以设置复制发光元件CED1c、CED2c、CED3c和CED4c当中的一个复制发光元件CED1c、CED2c、CED3c或CED4c以及相邻复制发光元件NEDg1、NEDg2、NEDg3和NEDg4当中的一个相邻复制发光元件NEDg1、NEDg2、NEDg3或NEDg4。例如，两个复制发光元件可以设置在第一至第四连接区CP1、CP2、CP3和CP4的每一个中。
图20是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。
图20的结构可以是其中图14中示出的结构被垂直反转的结构。连接区CPa可以包括与第一发光元件ED1r相邻的第一连接区CP1a、与第二发光元件ED1g相邻的第二连接区CP2a以及与第三发光元件ED1b相邻的第三连接区CP3a和第四连接区CP4a。第一至第四连接区CP1a、CP2a、CP3a和CP4a可以基于元件区EP在逆时针方向上被顺序地限定。参考图14、图17、图18和图19描述的内容也可以应用于图20中示出的实施例。
图21是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。
参考图21，与透射区TPa重叠的第一开口BMopa可以被限定在第一下光阻挡层BML1a中。当在平面图中观察时，第一开口BMopa可以包括弧形边缘部分CVEa和直线边缘部分SE。弧形边缘部分CVEa可以具有朝向第一开口BMopa的中心部分突出(或凸起)的形状。弧形边缘部分CVEa的曲率中心点CVEca可以不与对应的第一开口BMopa重叠。弧形边缘部分CVEa的曲率中心点CVEca可以与和对应的第一开口BMopa间隔开的另一第一开口BMopa重叠。在另一实施例中，直线边缘部分SE可以被提供为弧形边缘部分。例如，直线边缘部分SE可以以相对于第一开口BMopa的中心部分具有凹进形状的弧形边缘部分替代。
当在平面图中观察时，透射区TPa的边缘部分可以与第一开口BMopa的弧形边缘部分CVEa和直线边缘部分SE相对应。相应地，透射区TPa的边缘部分可以包括弧形边缘部分CVEa。图21示出了弧形边缘部分CVEa的曲率中心点CVEca。曲率中心点CVEca可以不与对应的透射区TPa重叠。例如，弧形边缘部分CVEa的曲率中心可以不与对应的透射区TPa重叠。
发射区PXAcx可以具有与第一至第四连接区CP1b、CP2b、CP3b和CP4b的形状相对应的形状。相应地，发射区PXAcx的面积可以在有限面积内被最大化。在复制发光元件CEDx中的每一个中限定的发射区PXAcx可以具有弧形边缘部分PXAce。发射区PXAcx可以具有椭圆形形状或圆形形状。然而，这仅是示例，并且发射区PXAcx可以具有扭曲的圆形形状。
第一开口BMopa的面积可以大于图14中示出的第一开口BMop的面积。相应地，可以进一步增大透射区TPa的面积。相应地，可以提高图4的第一区A1的透射率。例如，由于第一开口BMopa可以包括弧形边缘部分CVEa，因此可以减小直线边缘部分SE的长度。相应地，可以减少穿过透射区TPa的光被第一下光阻挡层BML1a衍射的现象。相应地，可以取得提高被设置成与第一区A1重叠的图12的相机模块CMM的性能的效果。
图22是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。
参考图22，与透射区TPb重叠的第一开口BMopb可以被限定在第一下光阻挡层BML1b中。当在平面图中观察时，第一开口BMopb可以包括弧形边缘部分CVEb和直线边缘部分SEa。弧形边缘部分CVEb的曲率中心点CVEcb可以与对应的第一开口BMopb重叠。弧形边缘部分CVEb可以相对于第一开口BMopb的中心具有凹进形状。
当在平面图中观察时，透射区TPb的边缘部分可以与第一开口BMopb的弧形边缘部分CVEb和直线边缘部分SEa相对应。相应地，透射区TPb的边缘部分可以包括弧形边缘部分CVEb，并且弧形边缘部分CVEb中的每一个的曲率中心点CVEcb可以与对应的透射区TPb重叠。第一开口BMopb的面积可以大于图14中示出的第一开口BMop的面积。相应地，可以进一步增大透射区TPb的面积。相应地，可以提高图4的第一区A1的透射率。
在复制发光元件CEDy中的每一个中限定的发射区PXAcy可以具有与第一至第四连接区CP1c、CP2c、CP3c和CP4c的形状相对应的不规则形状。例如，在复制发光元件CEDy中的每一个中限定的发射区PXAcy可以包括直线边缘部分PXAce1以及连接到直线边缘部分PXAce1的弧形边缘部分PXAce2。相应地，发射区PXAcy的面积可以在有限面积内被最大化。
图23是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。
参考图23，限定透射区TPc的第一开口BMopc可以被限定在第一下光阻挡层BML1c中。
第一像素电路PDC1a、PDC1b和PDC1c可以设置在元件区EP中。第一颜色像素PX1ra的发射可以由第一像素电路PDC1c(或者被称为第一-第三像素电路)控制，并且第一颜色像素PX1ra可以包括第一发射区PXArm和第一复制发射区PXArc。第二颜色像素PX1ga的发射可以由第一像素电路PDC1b(或者被称为第一-第二像素电路)控制，并且第二颜色像素PX1ga可以包括第二发射区PXAgm和第二复制发射区PXAgc。第三颜色像素PX1ba的发射可以由第一像素电路PDC1a(或者被称为第一-第一像素电路)控制，并且第三颜色像素PX1ba可以包括第三发射区PXAbm和第三复制发射区PXAbc。
第一颜色像素PX1ra、第二颜色像素PX1ga和第三颜色像素PX1ba可以发射不同颜色的光。例如，第一颜色像素PX1ra可以发射红光，第二颜色像素PX1ga可以发射绿光，并且第三颜色像素PX1ba可以发射蓝光。
在实施例中，第一发射区PXArm、第一复制发射区PXArc、第三发射区PXAbm和第三复制发射区PXAbc可以全部设置在元件区EP中，并且第二发射区PXAgm和第二复制发射区PXAgc可以设置在连接区CPb中。
发射区中的每一个可以被限定在对应的发光元件中。在实施例中，发射红光的发光元件和发射蓝光的发光元件可以设置在元件区EP中，并且发射绿光的发光元件可以设置在连接区CPb中。在布置在元件区EP中的发射区或复制发射区和布置在连接区CPb中的发射区或复制发射区发射不同颜色的光的情况下，发光元件的布置关系可以进行各种修改。
图24是根据实施例的显示面板的部分区的示意性放大平面图。
参考图24，限定透射区TPd的第一开口BMopd可以被限定在第一下光阻挡层BML1d中。
第一像素电路PDC1a、PDC1b和PDC1c可以设置在元件区EP中。第一颜色像素PX1rb的发射可以由第一像素电路PDC1a控制，并且第一颜色像素PX1rb可以包括第一发射区PXArma。第二颜色像素PX1gb的发射可以由第一像素电路PDC1b控制，并且第二颜色像素PX1gb可以包括第二发射区PXAgma和第二复制发射区PXAgca。第三颜色像素PX1bb的发射可以由第一像素电路PDC1c控制，并且第三颜色像素PX1bb可以包括第三发射区PXAbma。
在实施例中，第一发射区PXArma和第三发射区PXAbma可以设置在元件区EP中，并且第二发射区PXAgma和第二复制发射区PXAgca可以设置在连接区CPc中。相应地，根据实施例，设置在元件区EP中的发射区和设置在连接区CPc中的发射区可以发射不同颜色的光。
如上所述，在显示面板的第一区中，发光元件中的每一个可以与至少一个复制发光元件相邻。彼此相邻的发光元件和复制发光元件可以发射不同颜色的光。由于发射彼此相同的颜色的光的发光元件和复制发光元件彼此间隔开设置，因此可以改善图像的粗糙度指数，并且可以提高显示面板的显示质量。
第一下光阻挡层的限定透射区的第一开口的形状可以包括弧形边缘部分。相应地，可以减少穿过透射区的光被第一下光阻挡层衍射的现象。例如，可以通过改变第一下光阻挡层的第一开口的形状以增大透射区的面积来提高第一区的透射率。相应地，可以取得提高被设置成与第一区重叠的电子模块的性能的效果。
在总结详细描述时，本领域技术人员将理解，可以对实施例进行许多变化和修改，而不实质上脱离本公开的原理以及精神和范围。因此，所公开的实施例仅在一般性和描述性意义上使用，并且不是出于限制的目的。

Claims (10)

1.一种电子装置，包括：
显示面板，包括：
第一区，包括透射区、元件区以及从所述元件区延伸的多个连接区；以及
第二区，与所述第一区间隔开，其中
所述显示面板包括：
第一发光单元，设置在所述元件区中并且包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件；以及
第一复制发光单元，设置在所述多个连接区中并且包括多个复制发光元件，所述第一复制发光单元与所述第一发光单元同步操作，
所述多个连接区包括与所述第一发光元件相邻的第一连接区，并且
所述第一发光元件的发射颜色不同于所述多个复制发光元件中的设置在所述第一连接区中的第一复制发光元件的发射颜色。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中
所述第一复制发光元件电连接到所述第三发光元件，并且
所述第一复制发光元件和所述第三发光元件被配置成同时发光。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述多个连接区进一步包括：
第二连接区，与所述第二发光元件相邻；以及
第三连接区和第四连接区，与所述第三发光元件相邻，并且
所述多个复制发光元件进一步包括：
第二复制发光元件，设置在所述第二连接区中；
第三复制发光元件，设置在所述第三连接区中；以及
第四复制发光元件，设置在所述第四连接区中。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其中
所述第二复制发光元件电连接到所述第一发光元件，并且所述第二复制发光元件和所述第一发光元件被配置成同时发光，或者
所述第三复制发光元件和所述第四复制发光元件电连接到所述第二发光元件，并且所述第二发光元件、所述第三复制发光元件和所述第四复制发光元件被配置成同时发光，或者
所述第二复制发光元件、所述第三复制发光元件和所述第四复制发光元件电连接到所述第二发光元件，所述第二发光元件、所述第二复制发光元件、所述第三复制发光元件和所述第四复制发光元件被配置成同时发光，并且所述第二发光元件、所述第二复制发光元件、所述第三复制发光元件和所述第四复制发光元件被配置成发射绿光。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述多个连接区进一步包括：
第二连接区，与所述第二发光元件相邻；以及
第三连接区和第四连接区，与所述第三发光元件相邻，
所述多个复制发光元件进一步包括：
第二复制发光元件，设置在所述第二连接区中；以及
第三复制发光元件，设置在所述第三连接区和所述第四连接区中的一个中，
所述显示面板进一步包括：
第二发光单元，设置在所述第一区的另一元件区中；以及
第二复制发光单元，与所述第二发光单元同步操作，
所述第二复制发光单元包括设置在所述第三连接区和所述第四连接区中的另一个中的相邻复制发光元件，并且
所述相邻复制发光元件的发射颜色和所述第一发光元件的所述发射颜色彼此相同，或者所述相邻复制发光元件的所述发射颜色和所述第三发光元件的发射颜色彼此相同并且将所述第二发光元件和所述第三复制发光元件连接的连接线设置在所述相邻复制发光元件与所述第三发光元件之间。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其中
所述多个连接区进一步包括：
第二连接区，与所述第二发光元件相邻；以及
第三连接区和第四连接区，与所述第三发光元件相邻，
所述显示面板进一步包括与所述第一复制发光单元相邻设置的多个相邻复制发光元件，并且
所述多个复制发光元件中的至少一个复制发光元件和所述多个相邻复制发光元件中的至少一个相邻复制发光元件设置在所述第一连接区、所述第二连接区、所述第三连接区和所述第四连接区中的每一个中。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其中
所述多个连接区进一步包括：
第二连接区，与所述第二发光元件相邻；以及
第三连接区和第四连接区，与所述第三发光元件相邻，
所述显示面板进一步包括与所述第一复制发光单元相邻设置的多个相邻复制发光元件；
所述多个复制发光元件中的一个复制发光元件和所述多个相邻复制发光元件中的一个相邻复制发光元件设置在所述第一连接区、所述第二连接区、所述第三连接区和所述第四连接区中的两个连接区中，
所述多个复制发光元件中的另一个复制发光元件设置在所述第一连接区、所述第二连接区、所述第三连接区和所述第四连接区中的另一个连接区中，
所述多个相邻复制发光元件中的另一个相邻复制发光元件设置在所述第一连接区、所述第二连接区、所述第三连接区和所述第四连接区中的其余的连接区中，并且
所述多个复制发光元件中的设置在所述另一个连接区中的所述另一个复制发光元件的发射颜色和所述多个相邻复制发光元件中的设置在所述其余的连接区中的所述另一个相邻复制发光元件的发射颜色彼此相同，或者在所述多个复制发光元件中的设置在所述另一个连接区中的所述另一个复制发光元件中限定的发射区的最大宽度大于在所述多个复制发光元件中的设置在所述两个连接区中的所述一个复制发光元件中限定的发射区的最大宽度。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子装置，其中，所述显示面板进一步包括：
基底层；
阻挡层，设置在所述基底层上，所述阻挡层包括设置在所述第一区中的第一下光阻挡层以及设置在所述第二区中的第二下光阻挡层；以及
电路层，设置在所述阻挡层上并且设置在所述元件区中，所述电路层包括第一像素电路、第二像素电路和第三像素电路，其中
所述第一发光单元和所述第一复制发光单元设置在所述电路层上，
所述第一发光元件电连接到所述第一像素电路，
所述第二发光元件电连接到所述第二像素电路，
所述第三发光元件电连接到所述第三像素电路，
与所述透射区重叠的开口形成在所述第一下光阻挡层中，并且
当在平面图中观察时，所述第一下光阻挡层的限定所述开口的侧壁具有倒圆形状，或者当在所述平面图中观察时，所述开口是圆形的，或者当在所述平面图中观察时，所述开口具有直线边缘部分和弧形边缘部分并且所述弧形边缘部分的曲率中心与所述开口重叠，或者当在所述平面图中观察时，所述开口具有弧形边缘部分并且所述弧形边缘部分的曲率中心不与所述开口重叠。
9.根据权利要求1所述的电子装置，其中，在所述多个复制发光元件中的每一个中限定的发射区具有弧形边缘部分。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其中，在所述多个复制发光元件中的每一个中限定的发射区包括直线边缘部分以及连接到所述直线边缘部分的弧形边缘部分。
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