CN218039213U - 显示面板和包括显示面板的电子装置 - Google Patents

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Abstract

提供了显示面板和包括显示面板的电子装置。该显示面板可以包括：基板；阻挡层，设置在基板上；光阻挡层，设置在阻挡层上并且具有限定透射区的第一开口；至少一个下绝缘层，设置在光阻挡层与阻挡层之间并且具有与第一开口重叠的第二开口；多个像素电路，设置在光阻挡层上；多个发光元件，分别电连接到多个像素电路；以及封装层，覆盖多个发光元件，其中，阻挡层包括从阻挡层的上表面凹陷并且与第二开口重叠的凹槽。

Description

显示面板和包括显示面板的电子装置
相关申请的交叉引用
该申请要求于2021年7月12日提交的韩国专利申请第10-2021-0091151号的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开在此涉及具有提高的透光率的区的显示面板、包括显示面板的电子装置和用于制造显示面板的方法。
背景技术
电子装置可以是包括诸如显示面板和电子模块的各种电子组件的装置。电子模块可以包括相机、红外检测传感器或接近传感器等。电子模块可以设置在显示面板之下。显示面板的一个区的透光率可以高于显示面板的另一区的透光率。电子模块可以通过显示面板的一个区接收外部输入或者通过显示面板的一个区提供输出。
实用新型内容
本公开提供了具有提高的透光率的区的显示面板和用于制造显示面板的方法。
本公开还提供了具有提高的由电子模块获得或接收的信号的质量的电子装置。
本实用新型构思的实施例提供了电子装置，包括：显示面板，包括具有透射区和元件区的第一区以及设置为与第一区相邻的第二区；窗口，设置在显示面板上；电子模块，设置在显示面板的第一区之下；以及壳体，设置在显示面板和电子模块之下。显示面板可以包括：基板；阻挡层，设置在基板上；光阻挡层，设置在阻挡层上并且具有限定透射区的第一开口；至少一个下绝缘层，设置在光阻挡层与阻挡层之间并且具有与第一开口重叠的第二开口；多个像素电路，设置在光阻挡层上；多个发光元件，分别电连接到多个像素电路；以及封装层，覆盖多个发光元件，其中，阻挡层包括从阻挡层的上表面凹陷并且与第二开口重叠的凹槽。
在实施例中，阻挡层可以包括：第一子阻挡层，设置在基板与至少一个下绝缘层之间；以及第二子阻挡层，设置在第一子阻挡层与至少一个下绝缘层之间，其中，第一子阻挡层和第二子阻挡层可以设置在第一区和第二区两者中。
在实施例中，凹槽可以设置在第二子阻挡层中、透射区中。
在实施例中，第二子阻挡层可以包括氧化硅。
在实施例中，第二子阻挡层的设置在元件区中的部分的厚度可以大于第二子阻挡层的设置在透射区中的部分的厚度。
在实施例中，至少一个下绝缘层的限定第二开口的侧壁可以比阻挡层的限定凹槽的侧壁突出。
在实施例中，至少一个下绝缘层的限定第二开口的侧壁可以比光阻挡层的限定第一开口的侧壁突出。
在实施例中，至少一个下绝缘层可以包括：第一下绝缘层，设置在基板与光阻挡层之间；以及第二下绝缘层，设置在第一下绝缘层与基板之间，并且第一下绝缘层的折射率可以与第二下绝缘层的折射率不同。
在实施例中，第一下绝缘层可以包括氧化硅，并且第二下绝缘层可以包括非晶硅。
在实施例中，在平面图中，凹槽的尺寸可以大于第二开口的尺寸。
在实施例中，至少一个下绝缘层的一部分可以与凹槽重叠。
在本实用新型构思的实施例中，根据实施例的用于制造具有包括透射区和元件区的第一区以及设置为与第一区相邻的第二区的显示面板的方法可以包括：在基板上形成阻挡层；在阻挡层上形成至少一个初步下绝缘层；在至少一个初步下绝缘层上形成初步光阻挡层；通过对初步光阻挡层的与透射区重叠的部分和至少一个初步下绝缘层的与透射区重叠的部分进行初次蚀刻，在初步光阻挡层中形成第一开口并且在至少一个初步下绝缘层中形成第二开口；通过对借助于初次蚀刻形成的第一开口的侧壁和第二开口的侧壁进行第二蚀刻，形成光阻挡层和下绝缘层；以及通过对阻挡层的被第一开口和第二开口暴露的部分进行第三刻蚀，在阻挡层中形成凹槽。
在实施例中，凹槽的形成可以包括使用蚀刻剂对阻挡层的被第一开口和第二开口暴露的部分进行湿法蚀刻。
在实施例中，阻挡层可以包括氧化硅层，并且蚀刻剂是缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)。
在实施例中，至少一个初步下绝缘层的形成可以包括：在阻挡层上形成非晶硅层；以及在非晶硅层上形成氧化硅层。
在本实用新型构思的实施例中，显示面板可以包括：基板；阻挡层，设置在基板上；光阻挡层，设置在阻挡层上并且具有限定透射区的第一开口；至少一个下绝缘层，设置在光阻挡层与阻挡层之间并且具有与第一开口重叠的第二开口；多个像素电路，设置在光阻挡层上并且不与透射区重叠；多个发光元件，分别电连接到多个像素电路；以及封装层，覆盖多个发光元件，并且设置在与透射区相邻的元件区中的阻挡层的厚度可以大于设置在透射区中的阻挡层的厚度。
在实施例中，阻挡层可以包括：第一子阻挡层，设置在基板与至少一个下绝缘层之间；以及第二子阻挡层，设置在第一子阻挡层与至少一个下绝缘层之间，并且第二子阻挡层包括从第二子阻挡层的上表面凹陷的凹槽。
在实施例中，第二子阻挡层可以包括氧化硅。
在实施例中，至少一个下绝缘层可以包括：第一下绝缘层，设置在基板与光阻挡层之间；以及第二下绝缘层，设置在第一下绝缘层与基板之间，并且第一下绝缘层的折射率可以与第二下绝缘层的折射率不同。
在实施例中，第一下绝缘层包括氧化硅，并且第二下绝缘层包括非晶硅。
附图说明
附图被包括以提供对本实用新型构思的进一步理解，并且被并入并构成本说明书的一部分。附图示出了本实用新型构思的实施例，并且与描述一起用于解释本实用新型构思的原理。在附图中：
图1A和图1B是根据本实用新型构思的实施例的电子装置的透视图；
图2A是根据本实用新型构思的实施例的电子装置的分解透视图；
图2B是根据本实用新型构思的实施例的电子装置的框图；
图3是根据本实用新型构思的实施例的沿图2A的线I-I'截取的显示装置的截面图；
图4是根据本实用新型构思的实施例的显示面板的平面图；
图5是示出图4中所示的区XX'的放大平面图；
图6是根据本实用新型构思的实施例的像素中的一个的等效电路图；
图7是示出根据本实用新型构思的实施例的显示面板的第一区的截面图；
图8A是示出根据本实用新型构思的实施例的显示面板的第二区的截面图；
图8B是示出根据本实用新型构思的实施例的显示面板的第二区的截面图；
图9是示出图7中所示的区YY'的放大图；以及
图10A、图10B、图10C和图10D是示出用于制造显示面板的方法的一部分的截面图。
具体实施方式
在本说明书中，当元件(或区、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件时，意味着该元件可以直接设置在该另一元件上、直接连接到/耦接到该另一元件，或者第三元件可以设置在该元件与该另一元件之间。
相同的附图标记或符号指代相同的元件。此外，在附图中，为了有效地描述技术内容，元件的厚度、比例和大小可以被夸大。术语“和/或”包括相关联的配置可以定义的一个或多个的所有组合。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件，而不脱离本实用新型构思的示例实施例的范围。单数形式的术语可以包括复数形式，除非上下文另外明确指示。
此外，诸如“下方”、“下”、“上方”和“上”的术语用于描述附图中示出的元件之间的关系。这些术语是相对概念并且基于附图中指示的方向进行描述。
应理解，术语“包括”或“具有”旨在指明在本公开中存在所述特征、整体、工艺、操作、元件、组件或它们的组合，但是不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、工艺、操作、元件、组件或它们的组合。
除非另外限定，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本实用新型构思所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应理解，在常用词典中限定的术语应被解释为具有与其在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此限定，否则这些术语不应以理想化或过于形式的意义进行解释。
在下文中，将参考附图描述本实用新型构思的实施例。
图1A和图1B是根据本实用新型构思的实施例的电子装置ED的透视图。图1A示出了电子装置ED的打开状态(或展开状态)，并且图1B示出了电子装置ED的折叠状态。
参考图1A和图1B，根据本实用新型构思的实施例的电子装置ED可以包括由第一方向DR1和与第一方向DR1相交的第二方向DR2限定的显示表面DS。电子装置ED可以通过显示表面DS向用户提供图像IM。
显示表面DS可以包括显示区DA以及在显示区DA周围的非显示区NDA。显示区DA可以显示图像IM，并且非显示区NDA可以不显示图像IM。非显示区NDA可以围绕显示区DA。然而，本实用新型构思的实施例不限于此，并且显示区DA和非显示区NDA的形状可以根据需要而改变。
在下文中，与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面基本上垂直的方向被限定为第三方向DR3。此外，在本说明书中，用语“在平面图中”可以被限定为在第三方向DR3上进行观看的状态。
感测区ED-SA可以设置在电子装置ED的显示区DA中。尽管作为示例在图1A中示出了一个感测区ED-SA，但是感测区ED-SA的数量不限于此。感测区ED-SA可以是显示区DA的一部分。相应地，电子装置ED可以通过感测区ED-SA显示图像。
电子模块可以设置在与感测区ED-SA重叠的区中。电子模块可以接收通过感测区ED-SA传输的外部输入或者通过感测区ED-SA提供输出。例如，电子模块可以是相机模块、诸如接近传感器的测量距离的传感器、识别用户身体的一部分(例如，指纹、虹膜或面部)的传感器或者输出光的小灯，但是电子模块不具体限于此。在下文中，作为示例，与感测区ED-SA重叠的电子模块被描述为相机模块。
电子装置ED可以包括折叠区FA和多个非折叠区。非折叠区可以包括第一非折叠区NFA1和第二非折叠区NFA2。在第二方向DR2上，折叠区FA可以设置在第一非折叠区NFA1与第二非折叠区NFA2之间。折叠区FA可以被称为可折叠区，并且第一非折叠区NFA1和第二非折叠区NFA2可以分别被称为第一不可折叠区和第二不可折叠区。
如图1B中所示，折叠区FA可以参考平行于第一方向DR1延伸的折叠轴FX被折叠。在其中电子装置ED被折叠的状态下，折叠区FA具有预定的曲率以及预定的曲率半径。电子装置ED可以被内折叠，使得第一非折叠区NFA1和第二非折叠区NFA2彼此面对，并且显示表面DS不被暴露于外部。
在本实用新型构思的实施例中，电子装置ED可以被外折叠，使得显示表面DS被暴露于外部。在实施例中，电子装置ED可以被配置为使得内折叠操作、外折叠操作和展开操作被重复，但是实施例不限于此。在实施例中，电子装置ED可以被配置为使得展开操作、内折叠操作和外折叠操作中的任一者被选择。
尽管作为示例在图1A和图1B中示出了可折叠电子装置ED，但是本实用新型构思的实施例的应用不限于可折叠电子装置ED。例如，本实用新型构思的实施例可以包括刚性电子装置，例如，不包括折叠区FA的电子装置。
图2A是根据本实用新型构思的实施例的电子装置ED的分解透视图。图2B是根据本实用新型构思的实施例的电子装置ED的框图。
参考图2A和图2B，电子装置ED可以包括显示装置DD、第一电子模块EM1、第二电子模块EM2、电源模块PM以及壳体EDC1和EDC2。尽管未单独示出，但是电子装置ED可以进一步包括用于控制显示装置DD的折叠操作的机械结构。
显示装置DD包括窗口模块WM和显示模块DM。窗口模块WM提供电子装置ED的前表面。显示模块DM可以包括至少一个显示面板DP。显示模块DM产生图像并且感测外部输入。
尽管显示模块DM在图2A中被示出为与显示面板DP相同，但是显示模块DM可以基本上是其中包括显示面板DP的多个组件被层叠的层叠结构。稍后将给出显示模块DM的层叠结构的详细描述。
显示面板DP包括分别与电子装置ED的显示区DA(参见图1A)和非显示区NDA(参见图1A)相对应的显示区DP-DA和非显示区DP-NDA。在本说明书中，用语“区/部分与另一区/部分相对应”意味着区/部分彼此重叠，但是这些区/部分不限于具有相同的表面积。
显示区DP-DA可以包括第一区A1和第二区A2。第一区A1可以与电子装置ED的感测区ED-SA(参见图1A)重叠或相对应。尽管在本实施例中被示出为圆形形状，但是第一区A1可以具有诸如多边形、椭圆形、具有至少一个弯曲的边的图形和不规则形状的各种形状，并且不被限制于任何一个实施例。第一区A1可以被称为组件区，并且第二区A2可以被称为主显示区或一般显示区。
第一区A1可以具有比第二区A2的透光率高的透光率。此外，第一区A1的分辨率可以低于第二区A2的分辨率。第一区A1可以与稍后描述的相机模块CMM重叠。
显示面板DP可以包括显示层100和传感器层200。
显示层100可以是基本上产生图像的组件。显示层100可以是发光显示层，并且可以是例如有机发光显示层、无机发光显示层、有机-无机发光显示层、量子点显示层、微LED显示层或纳米LED显示层。
传感器层200可以感测从外部施加的外部输入。外部输入可以是用户的输入。用户的输入可以包括各种类型的外部输入(诸如用户身体的一部分、光、热、笔和压力)。
显示模块DM可以包括设置在非显示区DP-NDA中的驱动芯片DIC。显示模块DM可以进一步包括耦接到非显示区DP-NDA的柔性电路膜FCB。
驱动芯片DIC可以包括用于驱动显示面板DP的像素的驱动元件(例如，数据驱动电路)。尽管图2A示出了其中驱动芯片DIC安装在显示面板DP上的结构，但是本实用新型构思的实施例不限于此。例如，驱动芯片DIC可以安装在柔性电路膜FCB上。
电源模块PM供应电子装置ED的整体操作所需的电力。电源模块PM可以包括典型的电池模块。
第一电子模块EM1和第二电子模块EM2包括用于操作电子装置ED的各种功能模块。第一电子模块EM1和第二电子模块EM2中的每一个可以直接安装在电连接到显示面板DP的主板上，或者可以安装在通过连接器(未示出)等电连接到主板的分离的板上。
第一电子模块EM1可以包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IIM、音频输入模块AIM、存储器MM和外部接口IF。
控制模块CM控制电子装置ED的整体操作。控制模块CM可以是微处理器。例如，控制模块CM激活或去激活显示面板DP。控制模块CM可以响应于从显示面板DP接收的触摸信号来控制诸如图像输入模块IIM和音频输入模块AIM的其它模块。
无线通信模块TM可以通过第一网络(例如，诸如蓝牙、WiFi直连和红外数据协会(IrDA：infrared data association)的短距离通信网络)或第二网络(例如，诸如蜂窝网络、互联网和计算机网络(例如，LAN或WAN)的电信网络)与外部电子装置通信。包括在无线通信模块TM中的通信模块可以被集成到一个组件(例如，单个芯片)中或者被实现为彼此分离的多个组件(例如，多个芯片)。无线通信模块TM可以使用一般通信线路来发送/接收语音信号。无线通信模块TM可以包括用于对要发送的信号进行调制并发送的发送器TM1以及用于对接收的信号进行解调的接收器TM2。
图像输入模块IIM对图像信号进行处理，并且将处理后的图像信号转换为可以被显示在显示面板DP上的图像数据。音频输入模块AIM在录音模式或语音识别模式等下通过使用麦克风接收外部声音信号，并且将接收的外部声音信号转换为电子语音数据。
外部接口IF可以包括能够将电子装置ED物理地连接到外部电子装置的连接器。例如，外部接口IF用作连接到外部充电器、有线/无线数据端口或卡(例如，存储卡和SIM/UIM卡)插槽等的接口。
第二电子模块EM2可以包括音频输出模块AOM、发光模块LTM、光接收模块LRM和相机模块CMM等。音频输出模块AOM对从无线通信模块TM接收的声音数据或存储在存储器MM中的声音数据进行转换，并且将转换后的声音数据输出到外部。
发光模块LTM产生并输出光。发光模块LTM可以输出红外线。发光模块LTM可以包括LED元件。光接收模块LRM可以感测红外线。当感测到具有预定水平或更高水平的红外线时，光接收模块LRM可以被激活。光接收模块LRM可以包括CMOS图像传感器。在由发光模块LTM产生的红外线被输出之后，这些红外线可被外部对象(例如，用户的手指或面部)反射，并且被反射的红外线可入射在光接收模块LRM上。
相机模块CMM可以捕获静止图像和运动图像。相机模块CMM可以被提供为多个。多个相机模块CMM中的一些可以与第一区A1重叠。外部输入(例如，光)可以通过第一区A1被提供到相机模块CMM。例如，相机模块CMM可以通过第一区A1接收自然光以捕获外部图像。
壳体EDC1和EDC2容纳显示模块DM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2以及电源模块PM。壳体EDC1和EDC2保护被容纳在壳体EDC1和EDC2中的组件(诸如显示模块DM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2以及电源模块PM)。尽管作为示例图2A示出了彼此分离的两个壳体EDC1和EDC2，但是实施例不限于此。尽管未示出，但是在电子装置ED中可以进一步包括用于将两个壳体EDC1和EDC2连接的铰链结构。壳体EDC1和EDC2可以耦接到窗口模块WM。
图3是根据本实用新型构思的实施例的沿图2A的线I-I'截取的显示装置DD的截面图。
参考图3，显示装置DD可以包括窗口模块WM和显示模块DM。
窗口模块WM可以包括窗口UT、边框图案BP以及设置在窗口UT上的保护膜PF。
窗口UT可以是化学强化玻璃。由于窗口UT被应用于显示装置DD，因此即使当折叠操作和展开操作被重复时，也可以使褶皱的出现最小化。
保护膜PF可以包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚酰胺、三醋酸纤维素、聚甲基丙烯酸甲酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。尽管未单独示出，但是硬涂层、抗指纹层和抗反射层中的至少一个可以设置在保护膜PF的顶表面上。
边框图案BP与图1A中所示的非显示区NDA重叠。边框图案BP可以设置在窗口UT的一个表面或保护膜PF的一个表面上。作为示例，图3示出了设置在保护膜PF的底表面上的边框图案BP。边框图案BP的位置不限于此，并且也可以设置在保护膜PF的顶表面、窗口UT的顶表面或窗口UT的底表面上。边框图案BP是着色光阻挡膜，并且可以例如以涂布方法形成。边框图案BP可以包括基材以及与基材混合的染料或颜料。在平面图中，边框图案BP可以具有闭合的线条形状。
第一粘合剂层AL1可以设置在保护膜PF与窗口UT之间。第一粘合剂层AL1可以是压敏粘合剂(PSA)膜或光学透明粘合剂(OCA)。稍后描述的粘合剂层可以与第一粘合剂层AL1相同，并且可以包括典型的粘合剂。
第一粘合剂层AL1可以具有比边框图案BP的厚度大的厚度。例如，边框图案BP的厚度可以是约3微米至约8微米，并且第一粘合剂层AL1可以具有在边框图案BP的外围上不产生气泡的水平的厚度。
第一粘合剂层AL1可以从窗口UT分离。因为保护膜PF的强度低于窗口UT的强度，所以在保护膜PF中可能相对容易出现划痕。在第一粘合剂层AL1和损坏的保护膜PF从窗口UT分离之后，新的保护膜PF可以附接到窗口UT。
显示模块DM可以包括冲击吸收层DML、显示面板DP和下构件LM。
冲击吸收层DML可以设置在显示面板DP上。冲击吸收层DML可以是用于保护显示面板DP免受外部冲击的功能层。冲击吸收层DML可以通过第二粘合剂层AL2被结合到窗口UT，并且可以通过第三粘合剂层AL3被结合到显示面板DP。
附加边框图案BPa与图1A中所示的非显示区NDA重叠。附加边框图案BPa可以设置在冲击吸收层DML的一个表面上。作为示例，图3示出了设置在冲击吸收层DML的底表面上的附加边框图案BPa。附加边框图案BPa可以包括与上述边框图案BP的材料相同的材料。在本实用新型构思的实施例中，附加边框图案BPa可以被省略。
下构件LM可以设置在显示面板DP之下。下构件LM可以通过第四粘合剂层AL4被结合到显示面板DP。下构件LM可以包括面板保护层PPF、阻挡层BRL、支撑层PLT、覆盖层SCV、第一数字转换器DGZ1、第二数字转换器DGZ2、第一下板RHL1、第二下板RHL2、第一垫层CUL1、第二垫层CUL2和防水带WFT。在本实用新型构思的实施例中，下构件LM可以不包括上述组件中的一些，或者可以进一步包括其它组件。此外，图3中所示的组件的层叠顺序只是示例，并且可以根据需要而改变。
面板保护层PPF可以设置在显示面板DP之下。第四粘合剂层AL4可以将面板保护层PPF结合到显示面板DP。面板保护层PPF可以保护显示面板DP的下部。面板保护层PPF可以包括柔性塑料材料。面板保护层PPF可以在显示面板DP的制造工艺中防止在显示面板DP的后表面上产生划痕。面板保护层PPF可以是着色聚酰亚胺膜。例如，面板保护层PPF可以是不透明的黄色膜，但不限于此。
阻挡层BRL可以设置在面板保护层PPF之下。第五粘合剂层AL5可以设置在面板保护层PPF与阻挡层BRL之间以将阻挡层BRL结合到面板保护层PPF。阻挡层BRL可以增加对由外部挤压引起的压缩力的抵抗力。相应地，阻挡层BRL可以用于防止显示面板DP变形。阻挡层BRL可以包括诸如聚酰亚胺和聚对苯二甲酸乙二醇酯的柔性塑料材料。
此外，阻挡层BRL可以吸收从外部入射的光。阻挡层BRL可以包括光阻挡材料或者可以是具有低透光率的着色膜。例如，阻挡层BRL可以是黑色塑料膜，并且可以是例如黑色聚酰亚胺膜。当从窗口模块WM上方观看显示模块DM时，设置在阻挡层BRL之下的组件可以不被用户观看到。
支撑层PLT设置在阻挡层BRL之下。支撑层PLT支撑设置在支撑层PLT上的组件，并且维持显示装置DD的展开状态和折叠状态。在本实用新型构思的实施例中，支撑层PLT可以至少包括与第一非折叠区NFA1相对应的第一支撑部分、与第二非折叠区NFA2相对应的第二支撑部分以及与折叠区FA相对应的折叠部分。第一支撑部分和第二支撑部分可以在第二方向DR2上彼此间隔开。折叠部分可以设置在第一支撑部分与第二支撑部分之间，并且多个开口OP可以被限定在折叠部分中。支撑层PLT的一部分的柔性可以通过折叠部分中的开口OP被提高。支撑层PLT的该部分的柔性可以通过开口OP被提高。
支撑层PLT可以包括碳纤维增强塑料(CFRP)，但是形成支撑层PLT的材料不具体限于此。可替代地，第一支撑部分和第二支撑部分可以包括非金属材料、塑料、玻璃纤维增强塑料或玻璃。塑料可以包括聚酰亚胺、聚乙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯，但是形成塑料的材料不受具体限制。第一支撑部分和第二支撑部分可以包括相同的材料。折叠部分可以包括与第一支撑部分和第二支撑部分的材料相同的材料，或者可以包括与第一支撑部分和第二支撑部分的材料不同的材料。例如，折叠部分可以包括具有约60GPa或更高的弹性模量的材料，并且可以包括诸如不锈钢的金属材料。尽管折叠部分可以包括例如SUS304，但是形成折叠部分的材料不限于此并且可以包括各种金属材料。
第六粘合剂层AL6-1和AL6-2可以设置在阻挡层BRL与支撑层PLT之间。第六粘合剂层AL6-1和AL6-2可以将阻挡层BRL结合到支撑层PLT。在平面图中，第六粘合剂层AL6-1和AL6-2可以不与多个开口OP重叠。此外，在平面图中，第六粘合剂层AL6-1和AL6-2可以与多个开口OP间隔开。
第六粘合剂层AL6-1和AL6-2可以包括彼此间隔开的第一部分AL6-1和第二部分AL6-2。第一部分AL6-1和第二部分AL6-2可以彼此间隔开，其中多个开口OP设置在第一部分AL6-1与第二部分AL6-2之间。第一部分AL6-1可以与第一非折叠区NFA1重叠，第二部分AL6-2可以与第二非折叠区NFA2重叠，并且第一部分AL6-1和第二部分AL6-2中的每一个可以不与折叠区FA重叠。因为第六粘合剂层AL6-1和AL6-2不设置在与折叠区FA相对应的区中，所以可以提高支撑层PLT的柔性。
在与折叠区FA重叠的区中，阻挡层BRL可以与支撑层PLT间隔开。即，在与折叠区FA重叠的区中，可以在支撑层PLT与阻挡层BRL之间形成空的空间。
由于空的空间形成在阻挡层BRL与支撑层PLT之间，因此当电子装置ED(参见图1A)被折叠时，被限定在支撑层PLT中的多个开口OP的形状从电子装置ED(参见图1A)的外部可以不被观看到。
此外，由于阻挡层BRL包括光阻挡材料或者采用具有低透光率的着色膜，因此支撑层PLT中的色差从外部可以不被观看到。例如，在支撑层PLT中，具有被限定在其中的多个开口OP的第一支撑区与不具有被限定在其中的多个开口OP的第二支撑区之间的色差从外部可以不被观看到。第一支撑区可以是与折叠区FA重叠的区，并且第二支撑区可以是与第一非折叠区NFA1和第二非折叠区NFA2重叠的区。
第六粘合剂层AL6-1和AL6-2可以比第五粘合剂层AL5薄。例如，第五粘合剂层AL5的厚度可以是约25微米，并且第六粘合剂层AL6-1和AL6-2的厚度可以是约16微米。
随着第六粘合剂层AL6-1和AL6-2变得较薄，可以减小由于第六粘合剂层AL6-1和AL6-2而引起的台阶。由于台阶变得较小，因此具有减少由电子装置ED(参见图1A)的折叠操作和展开操作引起的层叠组件的形状变形的优点，但是多个开口OP可能被观看到，或者第六粘合剂层AL6-1和AL6-2可能通过反复的折叠操作而被分离。随着第六粘合剂层AL6-1和AL6-2变得较厚，多个开口OP可不被观看到，并且具有当折叠操作被反复时增强第六粘合剂层AL6-1和AL6-2的粘合力的可靠性的优点，但是台阶可能增大。相应地，可以考虑折叠可靠性、粘合可靠性以及多个开口OP被观看到的可能性而在适当范围内选择第六粘合剂层AL6-1和AL6-2的厚度。
第七粘合剂层AL7可以设置在支撑层PLT之下，并且覆盖层SCV可以设置在第七粘合剂层AL7之下。支撑层PLT和覆盖层SCV可以通过第七粘合剂层AL7彼此结合。覆盖层SCV可以以片材的形式制造，并且附接到支撑层PLT。
第七粘合剂层AL7和覆盖层SCV可以覆盖被限定在支撑层PLT中的多个开口OP。相应地，覆盖层SCV可以防止异物被引入到多个开口OP中。覆盖层SCV可以具有比支撑层PLT的弹性模量低的弹性模量。例如，覆盖层SCV可以包括热塑性聚氨酯、橡胶或硅酮，但不限于此。
第八粘合剂层AL8-1和AL8-2可以设置在覆盖层SCV之下。第八粘合剂层AL8-1和AL8-2可以包括第一部分AL8-1和第二部分AL8-2。第一部分AL8-1和第二部分AL8-2可以彼此间隔开。在平面图中，第一部分AL8-1和第二部分AL8-2可以彼此间隔开，其中多个开口OP设置在第一部分AL8-1与第二部分AL8-2之间。在平面图中，第一部分AL8-1和第二部分AL8-2可以不与折叠区FA重叠。
第一数字转换器DGZ1和第二数字转换器DGZ2可以分别设置在第一部分AL8-1和第二部分AL8-2之下。第一数字转换器DGZ1可以附接到第一部分AL8-1，并且第二数字转换器DGZ2可以附接到第二部分AL8-2。第一数字转换器DGZ1和第二数字转换器DGZ2设置为彼此间隔开，其中预定间隙设置在第一数字转换器DGZ1与第二数字转换器DGZ2之间。该间隙可以设置为与折叠区FA相对应。在平面图中，第一数字转换器DGZ1的一部分可以与多个开口OP中的一部分重叠，并且第二数字转换器DGZ2的一部分可以与多个开口OP中的另一部分重叠。
第一数字转换器DGZ1和第二数字转换器DGZ2中的每一个可以包括利用电子笔来产生具有预设谐振频率的磁场的多个环形线圈。第一数字转换器DGZ1和第二数字转换器DGZ2可以被称为电磁辐射(EMR)感测面板。
在第一数字转换器DGZ1和第二数字转换器DGZ2中产生的磁场被施加到包括电子笔的电感器(线圈)和电容器的LC谐振电路。线圈通过接收的磁场产生电流，并且将产生的电流传输到电容器。相应地，电容器充入从线圈输入的电流，并且将充入的电流放电至线圈。结果，共振频率的磁场从线圈被发射。通过电子笔发射的磁场可以被数字转换器DGZ1和DGZ2的环形线圈再次吸收，并且相应地，电子笔的位置可以被确定。
第九粘合剂层AL9-1和AL9-2可以设置在第一数字转换器DGZ1和第二数字转换器DGZ2之下。第九粘合剂层AL9-1和AL9-2可以包括第一部分AL9-1和第二部分AL9-2。第一部分AL9-1和第二部分AL9-2可以彼此间隔开。
第一下板RHL1和第二下板RHL2可以分别设置在第一部分AL9-1和第二部分AL9-2之下。第一下板RHL1和第二下板RHL2可以保护第一下板RHL1和第二下板RHL2上的组件免受外部压力。第一下板RHL1和第二下板RHL2可以包括SUS316，但是形成第一下板RHL1和第二下板RHL2的材料不具体限于此。
第一垫层CUL1和第二垫层CUL2可以分别设置在第一下板RHL1和第二下板RHL2之下。第一垫层CUL1和第二垫层CUL2可以吸收外部冲击以保护显示面板DP。第一垫层CUL1和第二垫层CUL2可以包括具有预定弹力的泡沫片材。第一垫层CUL1和第二垫层CUL2中的每一个可以包括海绵或聚氨酯。
防水带WFT可以附接到第一下板RHL1和第二下板RHL2。例如，防水带WFT可以设置在第一垫层CUL1和第二垫层CUL2外侧。防水带WFT可以附接到固定支架(未示出)。防水带WFT的厚度可以大于第一垫层CUL1和第二垫层CUL2中的每一个的厚度。即使当电子装置ED(参见图2A)被浸入水中时，防水带WFT也可以降低驱动芯片DIC(参见图2A)被损坏的风险。
通孔COP可以被限定在构成下构件LM的组件中的至少一些中。通孔COP可以与电子装置ED(参见图1A)的感测区ED-SA(参见图1A)重叠或相对应。相机模块CMM(参见图2A)的至少一部分可以被插入到通孔COP中。
图4是根据本实用新型构思的实施例的显示面板DP的平面图。
参考图4，显示区DP-DA以及在显示区DP-DA周围的非显示区DP-NDA可以被限定在显示面板DP中。显示区DP-DA可以包括像素PX，并且非显示区DP-NDA可以不包括像素PX。扫描驱动器SDV、数据驱动器和发射驱动器EDV可以设置在非显示区DP-NDA中。数据驱动器可以是包括在驱动芯片DIC中的电路中的一些电路。
显示区DP-DA可以包括第一区A1和第二区A2。第一区A1与第二区A2的不同之处在于像素PX之间的距离、像素PX中的每一个的尺寸和/或是否存在透射区TP(参见图5)。稍后将给出第一区A1和第二区A2的详细描述。
显示面板DP可以包括沿第二方向DR2设置的第一面板区AA1、弯折区BA和第二面板区AA2。第二面板区AA2和弯折区BA可以是非显示区DP-NDA的局部区。弯折区BA设置在第一面板区AA1与第二面板区AA2之间。
第一面板区AA1是与图1A的显示表面DS相对应的区。第一面板区AA1可以包括第一非折叠区NFA10、第二非折叠区NFA20和折叠区FA0。第一非折叠区NFA10、第二非折叠区NFA20和折叠区FA0分别与图1A和图1B的第一非折叠区NFA1、第二非折叠区NFA2和折叠区FA相对应。
在平行于第一方向DR1的方向上测量的弯折区BA的宽度(或长度)和第二面板区AA2的宽度(或长度)可以小于在平行于第一方向DR1的方向上测量的第一面板区AA1的宽度(或长度)。在弯折轴方向上具有较短长度的区可以更容易地被弯折。
显示面板DP可以包括多个像素PX、多条扫描线SL1至SLm、多条数据线DL1至DLn、多条发射控制线ECL1至ECLm、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2、驱动电压线PL以及多个焊盘PD。这里，m和n是大于零的自然数。像素PX可以连接到扫描线SL1至SLm、数据线DL1至DLn以及发射控制线ECL1至ECLm。
扫描线SL1至SLm可以在第一方向DR1上延伸，并且可以电连接到扫描驱动器SDV。数据线DL1至DLn可以在第二方向DR2上延伸，并且可以经由弯折区BA电连接到驱动芯片DIC。发射控制线ECL1至ECLm可以在第一方向DR1上延伸，并且可以电连接到发射驱动器EDV。
驱动电压线PL可以包括在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分。在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分可以设置在不同的层。驱动电压线PL的在第二方向DR2上延伸的部分可以经由弯折区BA而延伸到第二面板区AA2。驱动电压线PL可以将第一电压提供到像素PX。
第一控制线CSL1可以连接到扫描驱动器SDV，并且可以经由弯折区BA而朝向第二面板区AA2的下端部延伸。第二控制线CSL2可以连接到发射驱动器EDV，并且可以经由弯折区BA而朝向第二面板区AA2的下端部延伸。
在平面图中，焊盘PD可以设置为与第二面板区AA2的下端部相邻。驱动芯片DIC、驱动电压线PL、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2可以分别电连接到焊盘PD。柔性电路膜FCB可以通过各向异性导电粘合剂层电连接到焊盘PD。
图5是示出图4中所示的区XX'的放大平面图。
参考图4和图5，像素PX被提供为多个，并且多个像素PX可以包括设置在第一区A1中的多个第一像素PX11、PX12和PX13以及设置在第二区A2中的多个第二像素PX21、PX22和PX23。在平面图中，图5中所示的多个第一像素PX11、PX12和PX13和多个第二像素PX21、PX22和PX23中的每一个的形状可以与一个发光元件LD(参见图6)的发射表面区域相对应。
是设置在第一预定区域RFA1中的多个第一像素PX11、PX12和PX13的数量的第一数量可以小于是设置在第二预定区域RFA2中的多个第二像素PX21、PX22和PX23的数量的第二数量。相应地，第一区A1的分辨率可以低于第二区A2的分辨率。设置在第一区A1中的第一预定区域RFA1的表面区域与设置在第二区A2中的第二预定区域RFA2的表面区域可以具有相同的形状和相同的尺寸。例如，第一数量可以是8，并且第二数量可以是25。然而，这仅是用于描述分辨率差异的示例，并且第一数量和第二数量不限于上述示例。
多个第一像素PX11、PX12和PX13可以包括第一红色像素PX11、第一绿色像素PX12和第一蓝色像素PX13。多个第二像素PX21、PX22和PX23可以包括第二红色像素PX21、第二绿色像素PX22和第二蓝色像素PX23。
在第一区A1中，两个第一红色像素PX11、四个第一绿色像素PX12和两个第一蓝色像素PX13可以设置为彼此相邻。例如，四个第一绿色像素PX12可以布置在第二方向DR2上，并且第一红色像素PX11中的一个和第一蓝色像素PX13中的一个可以在第一方向DR1上彼此间隔开，其中两个第一绿色像素PX12介于其间。此外，第一红色像素PX11中的一个可以在第二方向DR2上与第一蓝色像素PX13中的一个间隔开。
多个透射区TP可以设置在显示面板DP的第一区A1中。透射区TP可以设置为在第一区A1中彼此间隔开。上述两个第一红色像素PX11、四个第一绿色像素PX12和两个第一蓝色像素PX13可以被限定为一组，并且该一组可以与透射区TP中的至少一个相邻。由于透射区TP被限定在第一区A1中，因此第一区A1的透光率可以高于第二区A2的透光率。
第一子区SA1和第二子区SA2可以进一步被限定在第一区A1中。透射区TP的透光率可以高于第一子区SA1和第二子区SA2中的每一个的透光率。例如，透射区TP、第一子区SA1和第二子区SA2由光阻挡层BML(参见图7)限定，并且透射区TP以及第一子区SA1和第二子区SA2可以根据它们是否被分隔层310(参见图7)或像素限定层PDL(参见图7)覆盖而被划分。在本实用新型构思的实施例中，第二子区SA2可以被省略。
例如，第一子区SA1可以与透射区TP接触，并且可以是被分隔层310(参见图7)覆盖的部分。此外，第二子区SA2是与透射区TP间隔开的区，并且可以被分隔层310(参见图7)覆盖。相应地，第一子区SA1和第二子区SA2可以不透射光或者可以具有比透射区TP的透光率低的透光率。相应地，第一子区SA1和第二子区SA2可以被称为光阻挡区。
在图5中，不同的阴影用于区分第一子区SA1和与第一子区SA1接触的透射区TP。此外，在第二子区SA2中使用不同的阴影来区分第二子区SA2和第一子区SA1。
第二子区SA2可以设置为与第二区A2相邻。例如，第二子区SA2可以与第一区A1和第二区A2之间的边界接触。第二子区SA2可以被限定在第一区A1或第二区A2中、第一像素PX11、PX12和PX13与第二像素PX21、PX22和PX23之间。相应地，第二子区SA2可以设置为与设置在第一区A1中的像素组以及设置在第二区A2中的像素组相邻。第二子区SA2的面积可以小于透射区TP的面积。
在本实用新型构思的实施例中，像素限定层PDL(参见图7)可以进一步设置在第二子区SA2中。像素限定层PDL(参见图7)可以不设置在透射区TP和第一子区SA1中。即，第一子区SA1可以不与像素限定层PDL(参见图7)重叠，并且可以与分隔层310(参见图7)重叠。第二子区SA2可以与像素限定层PDL(参见图7)和分隔层310(参见图7)两者重叠。透射区TP可以不与像素限定层PDL(参见图7)和分隔层310(参见图7)两者重叠。
连接第一子区SA1与透射区TP之间的边界的线可以形成曲线。当第一子区SA1与透射区TP之间的边界被连接时，可以得到圆形形状。第一子区SA1和第二子区SA2设置在与第二区A2相邻的第一区A1中。第一区A1的其中限定有第二子区SA2和第一子区SA1的区可以被限定为边界区。即，在边界区中，两个第一红色像素PX11、四个第一绿色像素PX12和两个第一蓝色像素PX13设置为彼此相邻以形成一组，并且该一组可以与被分隔层310(参见图7)覆盖的至少一个第一子区SA1和/或至少一个第二子区SA2相邻并且与透射区TP相比具有相对低的透光率。
在第二区A2中，第二红色像素PX21和第二绿色像素PX22可以布置为在第四方向DR4和第五方向DR5中的每一个上一个接一个地交替重复。此外，在第二区A2中，第二蓝色像素PX23和第二绿色像素PX22可以布置为在第四方向DR4和第五方向DR5中的每一个上一个接一个地交替重复。第四方向DR4可以是第一方向DR1与第二方向DR2之间的方向，并且第五方向DR5可以是与第四方向DR4交叉或垂直的方向。关于一个第二绿色像素PX22，第二红色像素PX21中的相应一个可以在第四方向DR4上间隔开，并且第二蓝色像素PX23中的相应一个可以在第五方向DR5上间隔开。
在第二区A2中，第二红色像素PX21和第二蓝色像素PX23可以布置为在第一方向DR1和第二方向DR2中的每一个上一个接一个地交替重复。第二绿色像素PX22可以布置为在第一方向DR1和第二方向DR2上重复。
第一红色像素PX11中的每一个的表面积可以大于第二红色像素PX21中的每一个的表面积，第一绿色像素PX12中的每一个的表面积可以大于第二绿色像素PX22中的每一个的表面积，并且第一蓝色像素PX13中的每一个的表面积可以大于第二蓝色像素PX23中的每一个的表面积。然而，这仅被示出为示例，并且第一红色像素PX11、第一绿色像素PX12和第一蓝色像素PX13与第二红色像素PX21、第二绿色像素PX22和第二蓝色像素PX23之间的表面积关系不限于上述示例。
此外，第一红色像素PX11的形状可以与第二红色像素PX21的形状不同，第一绿色像素PX12的形状可以与第二绿色像素PX22的形状不同，并且第一蓝色像素PX13的形状可以与第二蓝色像素PX23的形状不同。然而，这仅被示出为示例，并且第一红色像素PX11、第一绿色像素PX12和第一蓝色像素PX13的形状可以分别与第二红色像素PX21、第二绿色像素PX22和第二蓝色像素PX23的形状相同。
图6是根据本实用新型构思的实施例的像素PX中的一个的等效电路图。
参考图6，示出了像素PX中的一个的等效电路图。图6中所示的像素PX可以是第一红色像素PX11、第一绿色像素PX12、第一蓝色像素PX13、第二红色像素PX21、第二绿色像素PX22或第二蓝色像素PX23。
像素PX可以包括发光元件LD和像素电路PC。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1至T7、升压电容器Cbs以及存储电容器Cst。多个薄膜晶体管T1至T7以及存储电容器Cst可以电连接到信号线SL1、SL2、SL3、SLn、ECL和DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2(或阳极初始化电压线)以及驱动电压线PL。在实施例中，上述线中的至少一条(例如，驱动电压线PL)可以与相邻像素PX共享。
多个薄膜晶体管T1至T7可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
发光元件LD可以包括第一电极(例如，阳极电极或像素电极)和第二电极(例如，阴极电极或公共电极)，并且发光元件LD的第一电极可以通过发射控制薄膜晶体管T6连接到驱动薄膜晶体管T1以接收驱动电流ILD并且第二电极可以接收低电源电压ELVSS。发光元件LD可以产生具有与驱动电流ILD相对应的亮度的光。
多个薄膜晶体管T1至T7中的一些薄膜晶体管可以被提供为N沟道MOSFET(NMOS)，并且其它薄膜晶体管可以被提供为P沟道MOSFET(PMOS)。例如，多个薄膜晶体管T1至T7当中的补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以被提供为N沟道MOSFET(NMOS)，并且其它薄膜晶体管可以被提供为P沟道MOSFET(PMOS)。
在另一实施例中，多个薄膜晶体管T1至T7当中的补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7可以被提供为NMOS，并且多个薄膜晶体管T1至T7中的其余薄膜晶体管可以被提供为PMOS。可替代地，多个薄膜晶体管T1至T7中的仅一个薄膜晶体管可以被提供为NMOS，并且多个薄膜晶体管T1至T7中的其余薄膜晶体管可以被提供为PMOS。可替代地，多个薄膜晶体管T1至T7中的全部可以被提供为NMOS，或者多个薄膜晶体管T1至T7中的全部可以被提供为PMOS。
信号线SL1、SL2、SL3、SLn、ECL和DL可以包括将第一扫描信号Sn传输到开关薄膜晶体管T2的第一扫描线SL1、将第二扫描信号Sn'传输到补偿薄膜晶体管T3的第二扫描线SL2、将第三扫描信号Si传输到第一初始化薄膜晶体管T4的第三扫描线SL3、将发射控制信号En传输到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制线ECL、将下一扫描信号Sn+1传输到第二初始化薄膜晶体管T7的下一扫描线SLn以及与第一扫描线SL1交叉并传输数据信号Dm的数据线DL。第一扫描信号Sn可以是当前扫描信号，并且下一扫描信号Sn+1可以是第一扫描信号Sn的下一扫描信号。
驱动电压线PL可以将驱动电压ELVDD传输到驱动薄膜晶体管T1，并且第一初始化电压线VL1可以传输用于初始化驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极的电压的初始化电压Vint。第二初始化电压线VL2可以传输用于初始化像素电极的阳极初始化电压Aint。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极可以连接到存储电容器Cst，驱动薄膜晶体管T1的驱动源区可以经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL，并且驱动薄膜晶体管T1的驱动漏区可以经由发射控制薄膜晶体管T6电连接到发光元件LD的第一电极。驱动薄膜晶体管T1可以响应于开关薄膜晶体管T2的开关操作而接收数据信号Dm，以将驱动电流ILD供应到发光元件LD。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极可以连接到传输第一扫描信号Sn的第一扫描线SL1，开关薄膜晶体管T2的开关源区可以连接到数据线DL，并且开关薄膜晶体管T2的开关漏区可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源区并经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2可以执行其中开关薄膜晶体管T2响应于通过第一扫描线SL1传输的第一扫描信号Sn而被导通的开关操作，并且将通过数据线DL传输的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动源区。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极连接到第二扫描线SL2。补偿薄膜晶体管T3的补偿漏区可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏区，并且可以经由发射控制薄膜晶体管T6连接到发光元件LD的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的补偿源区可以连接到存储电容器Cst的第一电极CE1以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极。此外，补偿源区可以连接到第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏区。
补偿薄膜晶体管T3可以响应于通过第二扫描线SL2接收的第二扫描信号Sn'而被导通，并且可以将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极和驱动漏区电连接以二极管连接驱动薄膜晶体管T1。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极可以连接到第三扫描线SL3。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源区可以连接到第一初始化电压线VL1。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏区可以连接到存储电容器Cst的第一电极CE1、补偿薄膜晶体管T3的补偿源区以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极。第一初始化薄膜晶体管T4可以响应于通过第三扫描线SL3接收的第三扫描信号Si而被导通，并且可以执行其中第一初始化薄膜晶体管T4允许初始化电压Vint被传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极并初始化驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极的电压的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极可以连接到发射控制线ECL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源区可以连接到驱动电压线PL，并且操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏区可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源区以及开关薄膜晶体管T2的开关漏区。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极可以连接到发射控制线ECL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源区可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏区以及补偿薄膜晶体管T3的补偿漏区，并且发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏区可以电连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏区以及发光元件LD的像素电极。
操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6响应于通过发射控制线ECL接收的发射控制信号En而同时被导通，并且允许驱动电压ELVDD被施加到发光元件LD以使驱动电流ILD流过发光元件LD。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极可以连接到下一扫描线SLn，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏区可以连接到发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏区以及发光元件LD的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源区可以连接到第二初始化电压线VL2以接收阳极初始化电压Aint。第二初始化薄膜晶体管T7响应于通过下一扫描线SLn传输的下一扫描信号Sn+1而被导通，并且初始化发光元件LD的像素电极。
在另一实施例中，第二初始化薄膜晶体管T7可以连接到发射控制线ECL以响应于发射控制信号En而被驱动。同时，源区和漏区的位置可以根据晶体管的类型(P型或N型)而互换。
存储电容器Cst可以包括第一电极CE1和第二电极CE2。存储电容器Cst的第一电极CE1连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极，并且存储电容器Cst的第二电极CE2连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst可以存储与驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极的电压和驱动电压ELVDD之间的差相对应的电荷。
升压电容器Cbs可以包括第一电极CE1'和第二电极CE2'。升压电容器Cbs的第一电极CE1'可以连接到存储电容器Cst的第一电极CE1，并且升压电容器Cbs的第二电极CE2'可以接收第一扫描信号Sn。升压电容器Cbs可以通过在停止提供第一扫描信号Sn的时间点增大驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极的电压来补偿驱动栅电极的电压降。
根据实施例的像素PX中的每一个的详细操作如下。
当在初始化时段期间第三扫描信号Si通过第三扫描线SL3被提供时，第一初始化薄膜晶体管T4响应于第三扫描信号Si而被导通，并且驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极的电压通过从第一初始化电压线VL1提供的初始化电压Vint而被初始化。
当在数据编程时段期间第一扫描信号Sn和第二扫描信号Sn'分别通过第一扫描线SL1和第二扫描线SL2被提供时，开关薄膜晶体管T2和补偿薄膜晶体管T3分别响应于第一扫描信号Sn和第二扫描信号Sn'而被导通。此时，驱动薄膜晶体管T1通过被导通的补偿薄膜晶体管T3二极管连接，并且被正向偏置。
驱动薄膜晶体管T1的阈值电压被称为Vth。然后，通过将从数据线DL提供的数据信号Dm与驱动薄膜晶体管T1的阈值电压Vth(Vth为负值)相加而获得的补偿电压Dm+Vth被施加到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极。
驱动电压ELVDD和补偿电压Dm+Vth分别被施加到存储电容器Cst的两个端部，并且与该两个端部之间的电压差相对应的电荷被存储在存储电容器Cst中。
在发射时段期间，操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6通过从发射控制线ECL提供的发射控制信号En而被导通。驱动电流ILD根据驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极的电压与驱动电压ELVDD之间的电压差被产生，并且驱动电流ILD通过发射控制薄膜晶体管T6被提供到发光元件LD。
在本实施例中，多个薄膜晶体管T1至T7中的至少一个薄膜晶体管包括包含氧化物的半导体层，并且其它薄膜晶体管包括包含硅的半导体层。
具体地，直接影响显示装置DD(参见图2A)的亮度的驱动薄膜晶体管T1可以被形成为包括由具有高可靠性的多晶硅形成的半导体层，从而实现高分辨率显示装置。
同时，由于高载流子迁移率和低泄漏电流，因此即使当驱动时间长时，氧化物半导体的电压降也不大。即，氧化物半导体能够被低频驱动，因为即使在低频驱动期间，由电压降引起的图像的颜色变化也不大。
如上所述，因为氧化物半导体具有低泄漏电流的优点，因此可以防止可能会流入到驱动栅电极的泄漏电流，并且同时，可以通过将氧化物半导体用于连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极的补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4中的至少一个来降低功耗。
图7是示出根据本实用新型构思的实施例的显示面板DP的第一区A1的截面图。图8A是示出根据本实用新型构思的实施例的显示面板DP的第二区A2的截面图。
参考图7和图8A，显示面板DP可以包括显示层100、传感器层200和抗反射层300。显示层100可以包括基板110、电路层120、发光元件层130和封装层140。
基板110可以包括多个层111、112、113和114。例如，基板110可以包括第一子基底层111、第一中间阻挡层112、第二中间阻挡层113和第二子基底层114。第一子基底层111、第一中间阻挡层112、第二中间阻挡层113和第二子基底层114可以在第三方向DR3上顺序地层叠。
第一子基底层111和第二子基底层114中的每一个可以包括聚酰亚胺类树脂、丙烯酸酯类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。同时，在本说明书中，“……”类树脂是指“……”类树脂包括“……”的官能团。
阻挡层BR可以设置在基板110上。阻挡层BR可以包括设置在基板110上的第一子阻挡层BR1以及设置在第一子阻挡层BR1上的第二子阻挡层BR2。
第一中间阻挡层112和第二中间阻挡层113以及第一子阻挡层BR1和第二子阻挡层BR2中的每一个可以包括无机材料。第一中间阻挡层112和第二中间阻挡层113以及第一子阻挡层BR1和第二子阻挡层BR2中的每一个可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的至少一种。例如，第一子基底层111和第二子基底层114中的每一个可以包括具有约1.9的折射率的聚酰亚胺类树脂。第一中间阻挡层112和第一子阻挡层BR1可以包括具有约1.72的折射率的氮氧化硅(SiON)。第二中间阻挡层113和第二子阻挡层BR2可以包括具有约1.5的折射率的氧化硅(SiO2)。
即，第一中间阻挡层112的折射率可以具有在第一子基底层111的折射率与第二中间阻挡层113的折射率之间的值。第一子阻挡层BR1的折射率可以具有在第二子基底层114的折射率与第二子阻挡层BR2的折射率之间的值。由于邻接的层之间的折射率差异降低，因此可以减少光在邻接的层之间的界面处的反射。结果，可以提高光穿过透射区TP的透射程度。
第一子基底层111可以比第二子基底层114厚。例如，第一子基底层111的厚度可以是约100,000埃，并且第二子基底层114的厚度可以是约56,000埃。然而，第一子基底层111和第二子基底层114中的每一个的厚度不限于上述值。
第一中间阻挡层112可以比第二中间阻挡层113薄，并且第一子阻挡层BR1可以比第二子阻挡层BR2薄。例如，第一中间阻挡层112的厚度可以是约1,000埃，第二中间阻挡层113的厚度可以是约5,000埃，第一子阻挡层BR1的厚度可以是约1,000埃，并且第二子阻挡层BR2的厚度可以是约4,000埃。然而，第一中间阻挡层112和第二中间阻挡层113以及第一子阻挡层BR1和第二子阻挡层BR2中的每一个的厚度不限于上述值。
光阻挡层BML可以设置在阻挡层BR上。光阻挡层BML可以设置为与第一区A1重叠，并且可以不设置在第二区A2中。光阻挡层BML可以具有限定透射区TP的第一开口BM-OP。当电极开口CE-OP形成在公共电极CE中时，光阻挡层BML可以是用作掩模的图案。例如，从基板110的后表面朝向公共电极CE辐射的光可以穿过光阻挡层BML的第一开口BM-OP以到达公共电极CE和盖层CPL中的每一个的一部分。即，公共电极CE和盖层CPL中的每一个的该部分可以通过已经穿过光阻挡层BML的第一开口BM-OP的光被去除。光可以是激光束。
光阻挡层BML可以包括钼(Mo)、包含钼的合金、银(Ag)、包含银的合金、铝(Al)、包含铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、钛(Ti)、p+掺杂非晶硅或MoTaOx等，但是光阻挡层BML不具体限于此。光阻挡层BML可以被称为背面金属层或背面层。
光阻挡层BML可以连接到电极或线以从其接收恒定电压或信号。例如，光阻挡层BML可以接收初始化电压Vint(参见图6)。然而，本实用新型构思的实施例不限于此，并且光阻挡层BML可以接收阳极初始化电压Aint(参见图6)、低电源电压ELVSS(参见图6)或驱动电压ELVDD(参见图6)。在另一实施例中，光阻挡层BML可以以与其它电极或线隔离的形式被提供。由于恒定电压被施加到光阻挡层BML，因此可以防止由于第一子基底层111或第二子基底层114的极化而引起的电势影响第一像素电路PC1。
在第一区A1中，与第一开口BM-OP重叠的区可以被限定为透射区TP，并且剩余的区可以被限定为元件区EP。元件区EP可以设置成与透射区TP相邻。多个第一像素PX11、PX12和PX13(参见图5)中的每一个可以设置在元件区EP中，并且可以与透射区TP间隔开。
至少一个下绝缘层BMB可以设置在光阻挡层BML与阻挡层BR之间。与第一开口BM-OP重叠的第二开口BL-OP可以被限定在至少一个下绝缘层BMB中。第一开口BM-OP和第二开口BL-OP可以通过同一工艺同时形成。例如，下绝缘层BMB的侧壁BL-OPS(参见图9)可以比光阻挡层BML的侧壁BM-OPS突出。相应地，下绝缘层BMB的上表面的一部分可以不被光阻挡层BML覆盖。
第一像素电路PC1可以与光阻挡层BML的第一开口BM-OP和下绝缘层BMB的第二开口BL-OP间隔开。即，在平面图中，第一像素电路PC1可以不与光阻挡层BML的第一开口BM-OP和下绝缘层BMB的第二开口BL-OP中的每一个重叠。
至少一个下绝缘层BMB可以包括设置在阻挡层BR与光阻挡层BML之间的第一下绝缘层BL1以及设置在第一下绝缘层BL1与阻挡层BR之间的第二下绝缘层BL2。
第一下绝缘层BL1和第二下绝缘层BL2中的每一个可以包括无机材料。例如，第一下绝缘层BL1和第二下绝缘层BL2中的每一个可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的至少一种。例如，第一下绝缘层BL1可以包括具有约1.5的折射率的氧化硅，并且第二下绝缘层BL2可以包括具有约1.7的折射率的非晶硅。
第一下绝缘层BL1的折射率和第二下绝缘层BL2的折射率可以彼此不同。例如，第一下绝缘层BL1的折射率可以低于第二下绝缘层BL2的折射率，但不具体限于此。例如，第一下绝缘层BL1的折射率可以高于第二下绝缘层BL2的折射率。
由于第一下绝缘层BL1和第二下绝缘层BL2顺序地设置在光阻挡层BML之下，因此可以减少来自光阻挡层BML的光的反射。例如，朝向光阻挡层BML的后表面入射的光和从光阻挡层BML的后表面反射的光可以在第一下绝缘层BL1和第二下绝缘层BL2中相消干涉。结果，可以降低或消除在从相机模块CMM(参见图2A)获得的图像中出现噪声图像(例如，重影现象)的可能性。相应地，可以提高从相机模块CMM(参见图2A)获得或接收的信号的质量。第一下绝缘层BL1和第二下绝缘层BL2可以分别被称为第一噪声防止层和第二噪声防止层。
尽管在图7中作为示例两个下绝缘层(即，第一下绝缘层BL1和第二下绝缘层BL2)被示出为设置在光阻挡层BML之下，但是本实用新型构思的实施例不限于此。例如，设置在光阻挡层BML之下的下绝缘层BMB可以由一层构成，或者可以由三层或更多层构成。
第一下绝缘层BL1的厚度和第二下绝缘层BL2的厚度可以相同。例如，第一下绝缘层BL1的厚度和第二下绝缘层BL2的厚度中的每一个可以是约130埃，但不具体限于此。此外，第一下绝缘层BL1的厚度和第二下绝缘层BL2的厚度可以彼此不同。
凹槽HM可以被限定在阻挡层BR的一部分中。凹槽HM可以被提供在透射区TP中，并且凹槽HM可以与第一开口BM-OP和第二开口BL-OP重叠。凹槽HM可以通过去除阻挡层BR的在厚度方向上(例如，在第三方向DR3上)与透射区TP相对应的一部分被提供。例如，第二子阻挡层BR2的在厚度方向上与透射区TP相对应的一部分可以被去除以提供凹槽HM。由于阻挡层BR的在厚度方向上与透射区TP相对应的一部分被去除，因此可以提高透过透射区TP的光的透光率。
下绝缘层BMB的侧壁BL-OPS(参见图9)可以比阻挡层BR的限定凹槽HM的侧壁HM-S(参见图9)突出。在平面图中，凹槽HM的尺寸可以大于第二开口BL-OP的尺寸。下绝缘层BMB的一部分可以与凹槽HM重叠，并且下绝缘层BMB的一部分的下表面可以不接触阻挡层BR。
缓冲层BF可以被提供在第一区A1和第二区A2两者中。缓冲层BF可以设置在阻挡层BR上，并且可以覆盖设置在第一区A1中的光阻挡层BML和至少一个下绝缘层BMB。缓冲层BF可以防止金属原子或杂质从基板110扩散到第一半导体图案中。此外，缓冲层BF可以在用于形成第一半导体图案的结晶工艺期间调整第一半导体图案的热导率，使得可以均匀地形成第一半导体图案。
缓冲层BF可以覆盖第一开口BM-OP、第二开口BL-OP和凹槽HM，并且可以与透射区TP重叠。缓冲层BF可以包括第一子缓冲层BF1以及设置在第一子缓冲层BF1上的第二子缓冲层BF2。第一子缓冲层BF1和第二子缓冲层BF2中的每一个可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。例如，第一子缓冲层BF1可以包括氮化硅，并且第二子缓冲层BF2可以包括氧化硅。
第二子缓冲层BF2的与透射区TP重叠的一部分可以被去除。相应地，第二子缓冲层BF2的设置在元件区EP中的部分的厚度TKa可以大于第二子缓冲层BF2的设置在透射区TP中的部分的厚度TKb。例如，第二子缓冲层BF2的设置在透射区TP中的部分的厚度TKb可以是约500埃，但不具体限于此。
多个第一像素PX11、PX12和PX13(参见图5)中的每一个可以包括第一发光元件LD1和第一像素电路PC1，并且多个第二像素PX21、PX22和PX23(参见图5)中的每一个可以包括第二发光元件LD2和第二像素电路PC2。第一发光元件LD1可以设置在元件区EP中，并且第二发光元件LD2可以设置在第二区A2中。
图7是设置在第一区A1中的第一发光元件LD1和第一像素电路PC1的一部分的截面图，图8A是设置在第二区A2中的第二发光元件LD2和第二像素电路PC2的一部分的截面图。此外，图8A中示出了第二像素电路PC2的硅薄膜晶体管S-TFT和氧化物薄膜晶体管O-TFT。
参考图8A，第一光阻挡层BMLa可以设置在硅薄膜晶体管S-TFT之下，并且第二光阻挡层BMLb可以设置在氧化物薄膜晶体管O-TFT之下。第一光阻挡层BMLa和第二光阻挡层BMLb中的每一个可以设置为与第二像素电路PC2重叠以保护第二像素电路PC2。第一光阻挡层BMLa和第二光阻挡层BMLb可以不设置在第一区A1中。
第一光阻挡层BMLa和第二光阻挡层BMLb可以防止由于第一子基底层111或第二子基底层114的极化而引起的电势影响第二像素电路PC2。在本实用新型构思的实施例中，第二光阻挡层BMLb可以被省略。
第一光阻挡层BMLa可以被第二子阻挡层BR2围绕。例如，在形成第二子阻挡层BR2的一部分之后，可以形成第一光阻挡层BMLa，并且第二子阻挡层BR2的第二部分可以覆盖第一光阻挡层BMLa。第一光阻挡层BMLa可以被称为后光阻挡层。
第二光阻挡层BMLb可以设置在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间。第二光阻挡层BMLb可以与存储电容器Cst的第二电极CE2设置在同一层。第二光阻挡层BMLb可以连接到接触电极BML2-C以接收恒定电压或信号。接触电极BML2-C可以与氧化物薄膜晶体管O-TFT的栅电极GT2设置在同一层。第一光阻挡层BMLa和第二光阻挡层BMLb中的每一个可以包括与光阻挡层BML的材料相同的材料，或者可以包括与光阻挡层BML的材料不同的材料。
第一光阻挡层BMLa和第二光阻挡层BMLb各自可以连接到电极或线以从其接收恒定电压或信号。分别被施加到第一光阻挡层BMLa和第二光阻挡层BMLb的电压或信号可以与被施加到光阻挡层BML的电压或信号不同。例如，第一光阻挡层BMLa可以接收驱动电压ELVDD(参见图6)。可替代地，分别被施加到第一光阻挡层BMLa和第二光阻挡层BMLb的电压或信号可以与被施加到光阻挡层BML的电压或信号相同。在另一实施例中，第一光阻挡层BMLa和第二光阻挡层BMLb各自可以以与其它电极或线隔离的形式被提供。
第一半导体图案可以设置在缓冲层BF上。第一半导体图案可以包括硅半导体。例如，硅半导体可以包括非晶硅或多晶硅等。例如，第一半导体图案可以包括低温多晶硅。
图7和图8A仅示出了设置在缓冲层BF上的第一半导体图案的一部分，并且第一半导体图案的另一部分可以进一步设置在另一区中。第一半导体图案可以跨像素以特定规则布置。第一半导体图案可以根据其是否被掺杂而具有不同的电属性。第一半导体图案可以包括具有高电导率的第一区以及具有低电导率的第二区。第一区可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可以包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区，并且N型晶体管可以包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区。第二区可以是非掺杂区或者以比第一区的浓度低的浓度掺杂的区。
第一区的电导率可以高于第二区的电导率，并且第一区可以基本上用作电极或信号线。第二区可以基本上与晶体管的有源区(或者半导体区或沟道)相对应。换言之，第一半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区，第一半导体图案的另一部分可以是晶体管的源区或漏区，并且第一半导体图案的又一部分可以是连接电极或连接信号线。
硅薄膜晶体管S-TFT的源区SE1、有源区AC1和漏区DE1可以由第一半导体图案形成。当在截面图中观看时，源区SE1和漏区DE1可以从有源区AC1分别在相反的方向上延伸。
第一绝缘层10可以设置在缓冲层BF上。第一绝缘层10可以公共地与多个像素重叠，并且可以覆盖第一半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在本实施例中，第一绝缘层10可以是单层氧化硅层。除了第一绝缘层10之外，稍后描述的电路层120的绝缘层中的每一个可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包括上述材料中的至少一种，但不限于此。
硅薄膜晶体管S-TFT的栅电极GT1设置在第一绝缘层10上。栅电极GT1可以是金属图案的一部分。栅电极GT1与有源区AC1重叠。在掺杂第一半导体图案的工艺中，栅电极GT1可以起到自对准掩模的作用。尽管栅电极GT1可以包括钛(Ti)、银(Ag)、包含银的合金、钼(Mo)、包含钼的合金、铝(Al)、包含铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等，但是形成栅电极GT1的材料不具体限于此。
第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上，并且可以覆盖栅电极GT1。第二绝缘层20可以是无机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第二绝缘层20可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。在本实施例中，第二绝缘层20可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。
第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。第三绝缘层30可以具有单层结构或多层结构。例如，第三绝缘层30可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。存储电容器Cst的第二电极CE2可以设置在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间。此外，存储电容器Cst的第一电极CE1可以设置在第一绝缘层10与第二绝缘层20之间。
第二半导体图案可以设置在第三绝缘层30上。第二半导体图案可以包括氧化物半导体。氧化物半导体可以包括包含还原区和未还原区的多个区。其中金属氧化物被还原的区(还原区)具有比其中金属氧化物未被还原的区(未还原区)的电导率高的电导率。还原区基本上用作晶体管的源区或漏区或者信号线。未还原区基本上与晶体管的有源区(或者半导体区或沟道)相对应。换言之，第二半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区，第二半导体图案的另一部分可以是晶体管的源区或漏区，并且第二半导体图案的又一部分可以是信号传输区。
氧化物薄膜晶体管O-TFT的源区SE2、有源区AC2和漏区DE2可以由第二半导体图案形成。在截面中，源区SE2和漏区DE2可以从有源区AC2分别在相反的方向上延伸。
第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以公共地与多个像素重叠，并且可以覆盖第二半导体图案。第四绝缘层40可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
氧化物薄膜晶体管O-TFT的栅电极GT2设置在第四绝缘层40上。栅电极GT2可以是金属图案的一部分。栅电极GT2与有源区AC2重叠。在还原第二半导体图案的工艺中，栅电极GT2可以起到自对准掩模的作用。
第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上，并且可以覆盖栅电极GT2。第五绝缘层50可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。
第一连接电极CNE1可以设置在第五绝缘层50上。第一连接电极CNE1可以通过穿过第一至第五绝缘层10、20、30、40和50而形成的接触孔连接到硅薄膜晶体管S-TFT的漏区DE1。
参考图7，第三开口IL-OP可以被限定在缓冲层BF以及包括在电路层120中的多个绝缘层10、20、30、40、50、60、70和80中的至少一些中。例如，第三开口IL-OP可以被限定在第二子缓冲层BF2的在厚度方向上的一部分中以及第一至第五绝缘层10、20、30、40和50中。第三开口IL-OP可以被限定在与透射区TP重叠的区中。即，由于第二子缓冲层BF2的在厚度方向上与透射区TP重叠的一部分以及第一至第五绝缘层10、20、30、40和50中的每一个的与透射区TP重叠的部分被去除，因此可以提高透射区TP的透光率。
第三开口IL-OP的最小宽度可以小于第一开口BM-OP的最小宽度。限定第三开口IL-OP的第二子缓冲层BF2以及第一至第五绝缘层10、20、30、40和50的侧壁IL-OPS可以比光阻挡层BML的侧壁BM-OPS突出。
第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。第六绝缘层60可以包括有机材料，并且可以包括例如聚酰亚胺类树脂。第二连接电极CNE2可以设置在第六绝缘层60上。第二连接电极CNE2可以通过穿过第六绝缘层60而形成的接触孔连接到第一连接电极CNE1。
第六绝缘层60可以覆盖第三开口IL-OP。即，第六绝缘层60可以与透射区TP重叠。由于第六绝缘层60被提供在透射区TP中，因此可以减小由设置在第六绝缘层60下方的组件形成的台阶。当由设置在第六绝缘层60下方的组件形成的台阶被减小时，可以减轻(或减少)入射在透射区TP上的光的衍射。相应地，减少了由于衍射而引起的图像失真，并且因此可以增强从相机模块CMM(参见图2A)获得的图像的质量。
此外，透射区TP的透光率可以通过调整第六绝缘层60的厚度被控制。第六绝缘层60的厚度是约15,000埃，并且因此其厚度可以比数埃至数百埃的其它薄的绝缘层的厚度更容易被控制。相应地，由于电子装置的透光率分布的变化降低，因此工艺管理可以变得更容易。
此外，由于提供了第六绝缘层60，因此可以确保设置在第六绝缘层60上的第七绝缘层70、第八绝缘层80和像素限定层PDL的厚度均匀性。
第七绝缘层70可以设置在第六绝缘层60上，并且可以覆盖第二连接电极CNE2。第八绝缘层80可以设置在第七绝缘层70上。
第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每一个可以是有机层。例如，第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每一个可以包括苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯的通用聚合物(PS)、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸酯类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的混合物等。
包括第一发光元件LD1和第二发光元件LD2的发光元件层130可以设置在电路层120上。第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每一个可以包括像素电极AE、第一功能层HFL、发光层EL、第二功能层EFL和公共电极CE。第一功能层HFL、第二功能层EFL和公共电极CE可以遍及多个像素PX(参见图4)公共地形成。
像素电极AE可以设置在第八绝缘层80上。像素电极AE可以是(半)透射电极或反射电极。在实施例中，像素电极AE可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或者它们的化合物形成的反射层以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括选自包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)和铝掺杂氧化锌(AZO)的组中的至少一种。例如，像素电极AE可以由ITO/Ag/ITO形成。
像素限定层PDL可以设置在第八绝缘层80上。像素限定层PDL可以具有吸收光的属性，并且可以具有例如黑色。像素限定层PDL可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。
暴露像素电极AE的一部分的开口PDL-OP可以被限定在像素限定层PDL中。即，像素限定层PDL可以覆盖像素电极AE的边缘。此外，像素限定层PDL可以覆盖第八绝缘层80的与透射区TP相邻的侧表面。
第一功能层HFL可以设置在像素电极AE和像素限定层PDL上。第一功能层HFL可以包括空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)或者空穴传输层(HTL)和空穴注入层(HIL)两者。第一功能层HFL可以设置在第一区A1和第二区A2的全部中，并且也可以设置在透射区TP中。
发光层EL可以设置在第一功能层HFL上，并且可以设置在与像素限定层PDL的开口PDL-OP相对应的区中。发光层EL可以包括发射预定颜色的光的有机材料、无机材料或有机无机材料。发光层EL可以设置在第一区A1和第二区A2中。设置在第一区A1中的发光层EL可以设置在与透射区TP间隔开的区中(即，在元件区EP中)。
第二功能层EFL可以设置在第一功能层HFL上，并且可以覆盖发光层EL。第二功能层EFL可以包括电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)或者电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)两者。第二功能层EFL可以设置在第一区A1和第二区A2的全部中，并且也可以设置在透射区TP中。
公共电极CE可以设置在第二功能层EFL上。公共电极CE可以设置在第一区A1和第二区A2中。与第一开口BM-OP重叠的电极开口CE-OP可以被限定在公共电极CE中。电极开口CE-OP的最小宽度可以大于光阻挡层BML的第一开口BM-OP的最小宽度。
发光元件层130可以进一步包括设置在公共电极CE上的盖层CPL。盖层CPL可以包括诸如LiF的无机材料和/或有机材料。盖层CPL的与公共电极CE的电极开口CE-OP重叠的部分可以被去除。由于盖层CPL的与透射区TP重叠的部分以及公共电极CE的与透射区TP重叠的部分被去除，因此可以进一步提高透射区TP的透光率。
封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以包括顺序地层叠的无机层141、有机层142和无机层143，但是构成封装层140的层不限于此。
无机层141和143可以保护发光元件层130免受湿气和氧气的影响，并且有机层142可以保护发光元件层130免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。无机层141和143可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层等。有机层142可以包括丙烯酸酯类有机层，但不限于此。
传感器层200可以设置在显示层100上。传感器层200可以被称为传感器、输入感测层或输入感测面板。传感器层200可以包括传感器基底层210、第一传感器导电层220、传感器绝缘层230、第二传感器导电层240和传感器覆盖层250。
传感器基底层210可以直接设置在显示层100上。传感器基底层210可以是包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。可替代地，传感器基底层210可以是包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺类树脂的有机层。传感器基底层210可以具有单层结构或者在第三方向DR3上层叠的多层结构。
第一传感器导电层220和第二传感器导电层240中的每一个可以具有单层结构，或者可以具有在第三方向DR3上层叠的多层结构。
单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或者它们的合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锌锡(IZTO)的透明导电氧化物。此外，透明导电层可以包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线和石墨烯等。
多层结构的导电层可以包括多个金属层。多个金属层可以具有例如钛/铝/钛的三层结构。多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
传感器绝缘层230可以设置在第一传感器导电层220与第二传感器导电层240之间。传感器绝缘层230可以包括无机膜。无机膜可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
可替代地，传感器绝缘层230可以包括有机膜。有机膜可以包括丙烯酸酯类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
传感器覆盖层250可以设置在传感器绝缘层230上，并且可以覆盖第二传感器导电层240。第二传感器导电层240可以包括导电图案240P(参见图5)。传感器覆盖层250可以覆盖导电图案240P(参见图5)，并且可以降低或消除在后续工艺中损坏导电图案240P的可能性。
传感器覆盖层250可以包括无机材料。例如，传感器覆盖层250可以包括氮化硅，但不具体限于此。
抗反射层300可以设置在传感器层200上。抗反射层300可以包括分隔层310、多个滤色器320和平坦化层330。分隔层310和滤色器320不设置在第一区A1的透射区TP中。
在平面图中，分隔层310可以设置为与第二传感器导电层240重叠。传感器覆盖层250可以设置在分隔层310与第二传感器导电层240之间。分隔层310可以防止外部光被第二传感器导电层240反射。构成分隔层310的材料不具体限制，只要材料吸收光即可。分隔层310可以是具有黑色的层，并且在实施例中可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。
开口31-OP和多个分隔开口310OP可以被限定在分隔层310中。发光层EL可以被提供为多个。多个分隔开口310OP可以分别与多个发光层EL重叠。滤色器320可以设置为分别与多个分隔开口310OP相对应。滤色器320中的每一个可以透射从与滤色器320重叠的发光层EL提供的光。分隔层310的开口31-OP可以与光阻挡层BML的第一开口BM-OP重叠。分隔层310的开口31-OP的最小宽度可以大于光阻挡层BML的第一开口BM-OP的宽度。在与透射区TP相邻的区中，分隔层310的端部可以比像素限定层PDL的端部突出。在平面图中，分隔层310的端部可以设置在像素限定层PDL的端部与光阻挡层BML的端部之间。
平坦化层330可以覆盖分隔层310和滤色器320。平坦化层330可以包括有机材料，并且可以在平坦化层330的顶表面上提供平坦的表面。在实施例中，平坦化层330可以被省略。
图8B是示出根据本实用新型构思的实施例的显示面板DP-1的第二区A2的截面图。在参考图8B的以下描述中，将描述与图8A的特征不同的特征。在图8B中，相同的附图标记表示与图8A中的元件相同的元件，并且因此相同元件的详细描述可以被省略。
参考图8B，显示面板DP-1可以包括显示层100、传感器层200和抗反射层300-1。显示层100可以包括基板110、电路层120、发光元件层130和封装层140。
抗反射层300-1可以包括在分隔层310上的反射控制层320-1。反射控制层320-1可以选择性地吸收从显示面板DP-1和/或电子装置的内部反射的多种光或者从显示面板DP-1和/或电子装置的外部入射的多种光当中的特定波段的光。
例如，反射控制层320-1可以吸收约490nm至约505nm的第一波段以及约585nm至约600nm的第二波段的光，使得第一波段和第二波段中的光的透光率是约40％以下。反射控制层320-1可以吸收分别从第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件发射的红光、绿光和蓝光的波长范围之外的波长的光。因为反射控制层320-1吸收不属于从显示元件发射的红光、绿光和蓝光的波长范围的波长的光，所以可以防止或最小化显示面板DP-1和/或电子装置的亮度的降低。此外，可以防止或最小化显示面板DP-1和/或电子装置的发光效率的降低，并且可以提高显示面板DP-1和/或电子装置的可视性。
反射控制层320-1可以包括包含染料、颜料和/或它们的任何组合的有机材料层。反射控制层320-1可以包括四氮杂卟啉(TAP)类化合物、卟啉类化合物、金属卟啉类化合物、恶嗪类化合物、方酸(squarylium)类化合物、三芳基甲烷类化合物、聚甲炔类化合物、蒽醌类化合物、酞菁类化合物、偶氮类化合物、苝类化合物、氧杂蒽类化合物、二亚胺类化合物、二吡咯亚甲基类化合物、菁类化合物和/或它们的任何组合。
在实施例中，反射控制层320-1可以具有约64％至约72％的透光率。反射控制层320-1的透光率可以根据包括在反射控制层320-1中的颜料和/或染料的量被控制。反射控制层320-1在平面图中与显示元件重叠，但是在平面图中不与透射区TP重叠。在平面图中，透射区TP可以与像素限定层PDL重叠，而不与反射控制层320-1重叠。
根据包括反射控制层320-1的实施例，低反射层LRL可以附加地在盖层CPL与封装层140之间。
由于相长干涉的原理，盖层CPL可以提高显示元件的发光效率。盖层CPL可以包括例如针对具有约589nm波长的光而具有约1.6以上的折射率的材料。
盖层CPL可以是包括有机材料的有机盖层、包括无机材料的无机盖层或者包括有机材料和无机材料的复合盖层。例如，盖层CPL可以包括碳环化合物、杂环化合物、包含胺类基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物和/或它们的任何组合。碳环化合物、杂环化合物和包含胺类基团的化合物可以任选地被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I和/或它们的任何组合的取代基取代。
低反射层LRL可以在盖层CPL上。低反射层LRL可以包括具有低反射率的无机材料。在实施例中，低反射层LRL可以包括金属或金属氧化物。当低反射层LRL包括金属时，低反射层LRL可以包括例如镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)、锗(Ge)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铜(Cu)、钙(Ca)和/或它们的任何组合。此外，当低反射层LRL包括金属氧化物时，低反射层LRL可以包括例如TiO2、ZrO2、Ta2O5、HfO2、Al2O3、ZnO、Y2O3、BeO、MgO、PbO2、WO3、LiF、CaF2、MgF2、CdS和/或它们的任何组合。此外，当低反射层LRL包括无机材料时，低反射层LRL可以包括例如SiO2、SiNx和/或它们的任何组合。
在实施例中，包括在低反射层LRL中的无机材料可以具有大于0.5且小于或等于4.0的吸收系数(k)(0.5<k≤4.0)。此外，包括在低反射层LRL中的无机材料可以具有1以上的折射率(n)(n≥1.0)。
低反射层LRL在入射在显示面板DP-1和/或电子装置上的光与从低反射层LRL下方的金属反射的光之间引起相消干涉，使得可以降低外部光反射率。因此，可以提高显示面板DP-1和/或电子装置的显示质量和可视性。
在一些实施例中，盖层CPL可以被省略，并且低反射层LRL可以与公共电极CE接触。
图9是示出图7中所示的区YY'的放大图。
参考图7和图9，下绝缘层BMB的侧壁BL-OPS可以比阻挡层BR的限定凹槽HM的侧壁HM-S突出。在平面图中，凹槽HM的尺寸可以大于第二开口BL-OP的尺寸。下绝缘层BMB的一部分BMBp可以与凹槽HM重叠，并且下绝缘层BMB的该部分BMBp的下表面可以不接触阻挡层BR。
第二子阻挡层BR2的在厚度方向上与透射区TP相对应的一部分可以被去除以提供凹槽HM。相应地，第二子阻挡层BR2的设置在元件区EP中的部分的第一厚度TKx可以大于第二子阻挡层BR2的设置在透射区TP中的部分的第二厚度TKy。例如，第一厚度TKx可以是约4000埃，并且第二厚度TKy可以是约3900埃。即，凹槽HM的深度可以是约100埃的水平。然而，以上附图仅是示例，并且本实用新型构思的实施例不限于此。
图10A、图10B、图10C和图10D是示出用于制造显示面板的方法的一部分的截面图。
参考图7和图10A，阻挡层BR形成在基板110上。阻挡层BR可以包括氧化硅层。例如，阻挡层BR的第二子阻挡层BR2可以是氧化硅层。
初步下绝缘层BMBx形成在阻挡层BR上。初步下绝缘层BMBx的形成可以包括在阻挡层BR上形成非晶硅层BL2x以及在非晶硅层BL2x上形成氧化硅层BL1x。
初步光阻挡层BMLx形成在初步下绝缘层BMBx上。光致抗蚀剂图案PR形成在初步光阻挡层BMLx上。此后，可以对初步光阻挡层BMLx和初步下绝缘层BMBx进行初次蚀刻EC1。初次蚀刻EC1可以是干法蚀刻。例如，诸如SF6和O2的气体可以在初次蚀刻EC1中被使用。
参考图7和图10B，通过初次蚀刻EC1，第一开口OP1x可以形成在初步光阻挡层BMLy中，并且第二开口OP2x可以形成在初步下绝缘层BMBy中。可以对通过初次蚀刻EC1形成的第一开口OP1x的侧表面OP1s和第二开口OP2x的侧表面OP2s进行第二蚀刻EC2。第二蚀刻EC2可以是干法蚀刻。例如，诸如Cl2和O2的气体可以在第二蚀刻EC2中被使用。
参考图7和图10C，可以形成光阻挡层BML的倾斜的侧壁BM-OPS和下绝缘层BMB的倾斜的侧壁BL-OPS。此后，光致抗蚀剂图案PR被去除。
在光阻挡层BML中形成第一开口BM-OP和在下绝缘层BMB中形成第二开口BL-OP的工艺中可能会产生颗粒PTC。颗粒PTC可能是在初次蚀刻EC1和第二蚀刻EC2期间产生的副产物。
根据本实用新型构思的实施例，提供了用于去除颗粒PTC的附加蚀刻工艺。例如，颗粒PTC可以通过第三蚀刻EC3被去除。第三蚀刻EC3可以是使用蚀刻剂的湿法蚀刻。蚀刻剂可以是缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)。例如，蚀刻剂可以是NH4F和HF的混合物。蚀刻剂可以进一步包括典型的添加剂。
颗粒PTC可以是氧化硅(SiO2)类，颗粒PTC可以通过以下反应式被去除，并且在以下反应式中，H2SiF6可以被溶解在水中。结果，由于颗粒PTC通过第三蚀刻EC3被去除，因此可以减少或消除由颗粒PTC引起的缺陷像素(诸如白色亮点缺陷)的出现。此外，由于颗粒PTC被去除，因此可以提高从相机模块CMM(参见图2A)获得或接收的信号的质量。
反应式：SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O
第二子阻挡层BR2可以是氧化硅层。相应地，第二子阻挡层BR2的在厚度方向上与透射区TP相对应的一部分可以在用于去除颗粒PTC的第三蚀刻EC3期间被去除，如图10D中所示。因此，可以在第二子阻挡层BR2中形成凹槽HM。即，由于阻挡层BR的在厚度方向上与透射区TP相对应的一部分被去除，因此可以提高穿过透射区TP的光的透光率。
根据上述描述，在于光阻挡层和至少一个下绝缘层中形成开口之后，附加蚀刻被执行。在形成光阻挡层和至少一个下绝缘层期间产生的颗粒可以通过附加蚀刻被去除。结果，可以减少由颗粒引起的缺陷像素的出现。此外，阻挡层的在厚度方向上与透射区相对应的一部分在附加蚀刻期间被去除，并且相应地，可以提高穿过透射区的光的透光率。
尽管已经参考本实用新型构思的优选实施例描述了本实用新型构思，但是将理解，本实用新型构思不应限于这些实施例，而是本领域技术人员在不脱离如所要求保护的本实用新型构思的精神和范围的情况下可以进行各种改变和修改。相应地，本实用新型构思的技术范围不旨在限于在说明书的详细描述中阐述的内容，而是旨在由所附权利要求限定。

Claims (10)

1.一种电子装置，包括：
显示面板，包括具有透射区和元件区的第一区以及设置为与所述第一区相邻的第二区，其中，所述显示面板包括：
基板；
阻挡层，设置在所述基板上；
光阻挡层，设置在所述阻挡层上并且具有限定所述透射区的第一开口；
至少一个下绝缘层，设置在所述光阻挡层与所述阻挡层之间并且具有与所述第一开口重叠的第二开口；以及
多个像素电路，设置在所述光阻挡层上，并且
其中，所述阻挡层包括从所述阻挡层的上表面凹陷并且与所述第二开口重叠的凹槽。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述阻挡层包括：
第一子阻挡层，设置在所述基板与所述至少一个下绝缘层之间；以及
第二子阻挡层，设置在所述第一子阻挡层与所述至少一个下绝缘层之间，并且
其中，所述第一子阻挡层和所述第二子阻挡层设置在所述第一区和所述第二区两者中。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述凹槽设置在所述第二子阻挡层中、所述透射区中，或者
其中，所述第二子阻挡层的设置在所述元件区中的部分的厚度大于所述第二子阻挡层的设置在所述透射区中的部分的厚度。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述至少一个下绝缘层的限定所述第二开口的侧壁比所述阻挡层的限定所述凹槽的侧壁突出。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述至少一个下绝缘层的限定所述第二开口的侧壁比所述光阻挡层的限定所述第一开口的侧壁突出。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述至少一个下绝缘层包括：
第一下绝缘层，设置在所述基板与所述光阻挡层之间；以及
第二下绝缘层，设置在所述第一下绝缘层与所述基板之间，并且
其中，所述第一下绝缘层的折射率与所述第二下绝缘层的折射率不同。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子装置，其中，在平面图中，所述凹槽的尺寸大于所述第二开口的尺寸，或者
其中，所述至少一个下绝缘层的一部分与所述凹槽重叠。
8.一种显示面板，包括：
基板；
阻挡层，设置在所述基板上；
光阻挡层，设置在所述阻挡层上并且具有限定透射区的第一开口；
至少一个下绝缘层，设置在所述光阻挡层与所述阻挡层之间并且具有与所述第一开口重叠的第二开口；以及
多个像素电路，设置在所述光阻挡层上并且不与所述透射区重叠，
其中，设置在与所述透射区相邻的元件区中的所述阻挡层的厚度大于设置在所述透射区中的所述阻挡层的厚度。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述阻挡层包括：
第一子阻挡层，设置在所述基板与所述至少一个下绝缘层之间；以及
第二子阻挡层，设置在所述第一子阻挡层与所述至少一个下绝缘层之间，并且
其中，所述第二子阻挡层包括从所述第二子阻挡层的上表面凹陷的凹槽。
10.根据权利要求8或9所述的显示面板，其中，所述至少一个下绝缘层包括：
第一下绝缘层，设置在所述基板与所述光阻挡层之间；以及
第二下绝缘层，设置在所述第一下绝缘层与所述基板之间，并且
其中，所述第一下绝缘层的折射率与所述第二下绝缘层的折射率不同。
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