CN217562578U - 电子装置 - Google Patents

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Abstract

公开了电子装置。电子装置包括显示面板。显示面板包括衬底、阻光层、至少一个下绝缘层、像素电路、发光元件和封装层，阻光层布置在衬底上，阻光层包括限定透射区域的第一开口，至少一个下绝缘层布置在阻光层与衬底之间，至少一个下绝缘层包括与第一开口重叠的第二开口，像素电路布置在阻光层上，发光元件电连接到像素电路，封装层与发光元件重叠。

Description

电子装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年6月18日提交到韩国知识产权局的第10-2021-0079462号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及在其区域中具有改善的透射率的显示面板和包括显示面板的电子装置。
背景技术
电子装置可包括各种电子部件，诸如显示面板、电子模块等。电子模块可包括相机、红外传感器或接近传感器。电子模块可布置在显示面板下或下方。显示面板的一部分可具有比显示面板的另一部分的透射率高的透射率。电子模块通过显示面板的一部分接收外部输入或通过显示面板的一部分提供输出。
应理解，技术部分的此背景部分地旨在提供用于理解技术的有用背景。然而，技术部分的此背景也可包括不属于在本文中所公开的主题的对应有效申请日之前被相关领域的技术人员已知或领会的内容的想法、概念或认知。
实用新型内容
本公开提供了在其区域中具有改善的透射率的显示面板。
本公开提供了能够改善由电子模块获取或接收的信号的质量的电子装置。
实施方式提供了电子装置，电子装置可包括显示面板、窗、电子模块和壳体，窗布置在显示面板上，电子模块布置在显示面板的第一区域下方，壳体布置在显示面板和电子模块下方。显示面板可包括衬底、阻光层、至少一个下绝缘层、多个像素电路、多个发光元件和封装层，阻光层布置在衬底上，阻光层包括限定透射区域的第一开口，至少一个下绝缘层布置在阻光层与衬底之间，至少一个下绝缘层包括与第一开口重叠的第二开口，多个像素电路布置在阻光层上，多个发光元件电连接到多个像素电路，封装层与多个发光元件重叠。
阻光层的限定阻光层的第一开口的侧壁可与至少一个下绝缘层的限定至少一个下绝缘层的第二开口的侧壁对齐。
至少一个下绝缘层可包括布置在衬底与阻光层之间的第一下绝缘层和布置在第一下绝缘层与衬底之间的第二下绝缘层，并且第一下绝缘层可具有与第二下绝缘层的折射率不同的折射率。
第一下绝缘层可包括氧化硅(SiOx)，并且第二下绝缘层可包括非晶硅(a-Si)。
显示面板还可包括包含有透射区域和元件区域的第一区域和与第一区域相邻的第二区域。显示面板还可包括布置在衬底与至少一个下绝缘层之间的第一子阻挡层和布置在第一子阻挡层与至少一个下绝缘层之间的第二子阻挡层，并且第一子阻挡层和第二子阻挡层可布置在显示面板的第一区域和第二区域两者中。
显示面板还可包括布置在第二子阻挡层中的后表面阻光层，并且后表面阻光层可布置在显示面板的第二区域中。
衬底可包括第一子基础层、布置在第一子基础层上的第一中间阻挡层、布置在第一中间阻挡层上的第二中间阻挡层和布置在第二中间阻挡层上的第二子基础层，并且第一中间阻挡层可具有介于第一子基础层的折射率与第二中间阻挡层的折射率之间的折射率。
第一子阻挡层的折射率可介于第二子基础层的折射率与第二子阻挡层的折射率之间。
第一子基础层和第二子基础层可包括聚酰亚胺基树脂，第一子阻挡层和第一中间阻挡层包括氮氧化硅(SiON)，并且第二子阻挡层和第二中间阻挡层包括氧化硅(SiOx)。
显示面板还可包括布置在第二子阻挡层上以与至少一个下绝缘层和阻光层重叠的缓冲层。
缓冲层可包括第一子缓冲层和布置在第一子缓冲层上的第二子缓冲层，并且第二子缓冲层的布置在显示面板的元件区域中的部分可具有比第二子缓冲层的布置在显示面板的透射区域中的部分的厚度大的厚度。
缓冲层可包括第一子缓冲层和布置在第一子缓冲层上的第二子缓冲层，并且第二子缓冲层的布置在显示面板的透射区域中的部分可被去除。
显示面板还可包括布置在阻光层上的多个绝缘层，多个绝缘层中的若干绝缘层可包括第三开口，并且第三开口的最小宽度可小于阻光层的第一开口的最小宽度。
多个绝缘层可包括与若干绝缘层的第三开口重叠的有机层。
有机层可包括聚酰亚胺基树脂。
多个发光元件中的每一个可包括像素电极、布置在像素电极上的发光层和布置在发光层上的公共电极，公共电极包括在平面图中与第一开口重叠的开口，并且开口的最小宽度可大于阻光层的第一开口的最小宽度。
多个发光元件中的每一个还可包括布置在像素电极与发光层之间的第一功能层和布置在发光层与公共电极之间的第二功能层，并且第一功能层和第二功能层可与重叠于阻光层的第一开口的区域重叠。
多个发光元件中的每一个的像素电极可布置在显示面板的元件区域或第二区域中。
显示面板还可包括布置在封装层上的传感器层，传感器层可包括布置在封装层上的传感器基础层、布置在传感器基础层上的第一传感器导电层、布置在第一传感器导电层上的传感器绝缘层、布置在传感器绝缘层上的第二传感器导电层和与第二传感器导电层重叠的传感器覆盖层，并且传感器基础层、传感器绝缘层和传感器覆盖层可与重叠于阻光层的第一开口的区域重叠。
显示面板还可包括布置在传感器层上的抗反射层，并且抗反射层可包括分割层和多个滤色器，分割层包括与多个发光元件分别重叠的多个分割开口，多个滤色器分别对应于分割层的多个分割开口。
分割层可包括限定为与阻光层的第一开口重叠的开口，并且分割层的开口的最小宽度可大于阻光层的第一开口的最小宽度。
实施方式提供了显示面板，显示面板包括衬底、阻光层、电路层、发光元件层和封装层，阻光层布置在衬底上，阻光层包括第一开口，电路层布置在阻光层上，电路层包括多个绝缘层和多个导电层，发光元件层布置在电路层上，发光元件层包括在平面图中布置在与阻光层的第一开口间隔开的区域中的多个发光层，封装层与发光元件层重叠。多个绝缘层中的若干绝缘层可包括与阻光层的第一开口重叠的第二开口，并且若干绝缘层的第二侧壁可比阻光层的限定阻光层的第一开口的第一侧壁更突出。
多个绝缘层包括与若干绝缘层的第二开口重叠的有机层。
显示面板还可包括布置在阻光层与衬底之间的至少一个下绝缘层，至少一个下绝缘层可包括与阻光层的第一开口重叠的第三开口，并且第一侧壁可与至少一个下绝缘层的限定至少一个下绝缘层的第三开口的第三侧壁对齐。
至少一个下绝缘层可包括布置在衬底与阻光层之间的第一下绝缘层和布置在第一下绝缘层与衬底之间的第二下绝缘层，并且第一下绝缘层可具有与第二下绝缘层的折射率不同的折射率。
显示面板还可包括布置在衬底与至少一个下绝缘层之间的第一子阻挡层和布置在第一子阻挡层与至少一个下绝缘层之间的第二子阻挡层。
衬底可包括第一子基础层、布置在第一子基础层上的第一中间阻挡层、布置在第一中间阻挡层上的第二中间阻挡层和布置在第二中间阻挡层上的第二子基础层，并且第一中间阻挡层可具有介于第一子基础层的折射率与第二中间阻挡层的折射率之间的折射率。
第一子阻挡层的折射率可介于第二子基础层的折射率与第二子阻挡层的折射率之间。
实施方式提供了显示面板，显示面板可包括衬底、布置在衬底上的至少一下绝缘层、布置在至少一下绝缘层上的阻光层、布置在阻光层上方的多个绝缘层、布置在阻光层上方的多个像素电路、与多个像素电路电连接的多个发光元件和与多个发光元件重叠的封装层。至少一个下绝缘层和阻光层可包括开口，并且多个像素电路可在平面图中与开口间隔开。
至少一个下绝缘层可包括布置在衬底与阻光层之间的第一下绝缘层和布置在第一下绝缘层与衬底之间的第二下绝缘层，第一下绝缘层可具有与第二下绝缘层的折射率不同的折射率，第一下绝缘层可包括氧化硅(SiOx)，并且第二下绝缘层可包括非晶硅(a-Si)。
衬底可包括第一子基础层、布置在第一子基础层上的第一中间阻挡层、布置在第一中间阻挡层上的第二中间阻挡层和布置在第二中间阻挡层上的第二子基础层，并且第一中间阻挡层可具有介于第一子基础层的折射率与第二中间阻挡层的折射率之间的折射率。
显示面板还可包括布置在衬底与至少一个下绝缘层之间的第一子阻挡层和布置在第一子阻挡层与至少一个下绝缘层之间的第二子阻挡层，其中第一子阻挡层可具有介于第二子基础层的折射率与第二子阻挡层的折射率之间的折射率。
显示面板还可包括布置在第二子阻挡层上的与至少一个下绝缘层和阻光层重叠的缓冲层。缓冲层可包括第一子缓冲层和布置在第一子缓冲层上的第二子缓冲层，并且第二子缓冲层的与开口重叠的一部分可被去除。
多个绝缘层进一步可包括布置在阻光层上的多个无机层和布置在多个无机层上的有机层。多个无机层可包括与开口重叠的绝缘开口，并且有机层可与绝缘开口重叠。
根据以上内容，透射区域可由阻光层的开口限定，并且至少一个下绝缘层可布置在阻光层下或下方。至少一个下绝缘层减少由阻光层引起的光的反射。因此，减少或消除了在由电子模块获取的图像中的噪声图像出现(例如，重影现象)的可能性。
显示面板可包括顺序地布置在衬底上的第一子阻挡层和第二子阻挡层，并且第一子阻挡层的折射率可介于衬底的折射率与第二子阻挡层的折射率之间。因为彼此接触的层之间的折射率的差减小，所以可减少在彼此接触的层之间的界面处的光的反射。结果，可改善穿过透射区域的光的透射率。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参照以下详细描述，本公开的以上和其它优点将变得易于显而易见，在附图中：
图1A和图1B是示出根据实施方式的电子装置的示意性透视图；
图2A是示出根据实施方式的电子装置的分解透视图；
图2B是示出根据实施方式的电子装置的框图；
图3是根据实施方式的沿图2A的线I-I'截取的以示出显示装置的示意性剖视图；
图4是示出根据实施方式的显示面板的示意性平面图；
图5是示出图4中所示的区域XX'的放大示意性平面图；
图6是示出根据实施方式的像素的等效电路的示意图；
图7是示出根据实施方式的显示面板的第一区域的示意性剖视图；
图8A是示出根据实施方式的显示面板的第二区域的示意性剖视图；
图8B是示出根据实施方式的显示面板的第二区域的示意性剖视图；以及
图9是示出根据实施方式的显示面板的第一区域的示意性剖视图。
具体实施方式
现在，在下文中将参照其中示出了实施方式的附图对本公开进行更全面的描述。然而，本公开可以不同的形式实施，并且不应被解释为受限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达本公开的范围。
在本公开中，应理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，该元件或层能够直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到另一元件或层，或者可存在有居间元件或层。
应理解，术语“连接到”或“联接到”可包括物理或电的连接或联接。
通篇相同的标记指示相同的元件。在附图中，为了技术内容的有效描述，部件的厚度、比例和尺寸可被夸大。
将理解，尽管在本文中可使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被称为第二元件。
除非上下文中另有明确指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”与“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可理解为意味着“A、B、或者A和B”。术语“和”与“或”可在结合或分离的意义上使用，并且可理解为相当于“和/或”。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“至少一个”旨在包括“选自……的组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可理解为意味着“A、B、或者A和B”。
空间相对术语，诸如“下面(beneath)”、“下方(below)”、“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”等，可在本文中为了描述的便利而使用，以描述如图中所示的一个元件或特征与另一(多个)元件或特征的关系，但是不限于图中所示的关系。
术语“重叠”或“重叠的”意味着第一对象可在第二对象的上方或下方或者第二对象的侧面，并且反之亦然。另外，术语“重叠”可包括层叠、堆叠、面对或面向、在……上面延伸、覆盖或部分覆盖，或者如由本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
当元件被描述为与另一元件“不重叠”或“将不重叠”时，这可包括元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分开，或者如由本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
术语“面对”和“面向”意味着第一元件可与第二元件直接或间接地相对。在其中第三元件介于第一元件和第二元件之间的情况下，尽管仍然彼此面对，但是第一元件和第二元件可被理解为彼此间接相对。
还应理解，术语“包括(comprises)”、“包括有(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括有(including)”、“具有(has)”、“具有(have)”和/或“具有(having)”及其变型当在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或者多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或者添加。
短语“在平面图中”意味着从顶部观察对象，并且短语“在示意性剖视图中”意味着从侧面观察对象被垂直地切割的剖面。
考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关联的误差(即测量系统的限制)，如本文中所使用的“约”或“大致”包括所陈述的值并且意味着在如由本领域普通技术人员所确定的针对特定值的偏差的可接受范围内。例如，“约”可意味着在一个或多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非另有定义，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应理解，术语，诸如常用词典中定义的那些术语，应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则将不在理想化或者过于刻板的意义上解释。
在下文中，将参照附图对本公开进行详细解释。
图1A和图1B是示出根据实施方式的电子装置ED的示意性透视图。图1A示出了电子装置ED的展开状态，并且图1B示出了电子装置ED的折叠状态。
参照图1A和图1B，电子装置ED可包括由第一方向DR1和与第一方向DR1交叉或相交的第二方向DR2限定的显示表面DS。电子装置ED可通过显示表面DS将图像IM提供给用户。
显示表面DS可包括显示区域DA和在显示区域DA周围的非显示区域NDA。显示区域DA可显示图像IM，并且非显示区域NDA可不显示图像IM。非显示区域NDA可围绕显示区域DA或者可与显示区域DA相邻，然而，它不应限于此或由此限制，并且可改变显示区域DA的形状和非显示区域NDA的形状。
在下文中，实质上垂直于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的方向可被称为第三方向DR3。在本公开中，表述“当在平面图中观察时”可意味着在第三方向DR3上观察的状态。
在电子装置ED的显示区域DA中可限定有感测区域ED-SA。图1A示出了一个感测区域ED-SA作为代表性实例，然而，感测区域ED-SA的数量不应限于此或由此限制。感测区域ED-SA可为显示区域DA的一部分。因此，电子装置ED可通过感测区域ED-SA显示图像。
电子装置ED可包括布置在与感测区域ED-SA重叠的区域中的电子模块。电子模块可通过感测区域ED-SA接收从外部提供的外部输入，或者可通过感测区域ED-SA来输出信号。作为实例，电子模块可为相机模块、诸如接近传感器的测量距离的传感器、识别用户的身体的一部分(例如指纹、虹膜或面部)的传感器或输出光的小灯，然而，它不应受到特别限制。在下文中，相机模块将被描述为与感测区域ED-SA重叠的电子模块。
电子装置ED可包括折叠区域FA和非折叠区域NFA1和NFA2。非折叠区域NFA1和NFA2可包括第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2。折叠区域FA可在第二方向DR2上布置在第一非折叠区域NFA1与第二非折叠区域NFA2之间。折叠区域FA可被称为可折叠区域，并且第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2可分别被称为第一不可折叠区域和第二不可折叠区域。
如图1B中所示，折叠区域FA可相对于实质上平行于第一方向DR1的折叠轴FX折叠。在电子装置ED处于折叠状态的情况下，折叠区域FA可具有曲率和曲率半径。电子装置ED可向内折叠(内折)，使得第一非折叠区域NFA1面对第二非折叠区域NFA2并且显示表面DS不暴露于外部。
根据实施方式，电子装置ED可向外折叠(外折)，使得显示表面DS暴露于外部。根据实施方式，电子装置ED可被设置使得从展开操作能够进行内折操作和外折操作两者。根据实施方式，电子装置ED可被设置为进行展开操作、内折操作和外折操作中的任何一个。
图1A和图1B示出了可折叠电子装置ED作为代表性实例，然而，本公开不应限于可折叠电子装置ED。作为实例，本公开可应用于刚性电子装置，例如不包括折叠区域FA的电子装置。
图2A是示出根据实施方式的电子装置ED的分解透视图。图2B是示出根据实施方式的电子装置ED的框图。
参照图2A和图2B，电子装置ED可包括显示装置DD、第一电子模块EM1、第二电子模块EM2、电源模块PM和壳体EDC1和EDC2。尽管在图中没有示出，但是电子装置ED还可包括机械结构以控制显示装置DD的折叠操作。
显示装置DD可包括窗模块WM和显示模块DM。窗模块WM可提供电子装置ED的前表面。显示模块DM可至少包括显示面板DP。显示模块DM可生成图像并且可感测外部输入。
尽管在图2A中显示模块DM被示出为与显示面板DP相同，然而，显示模块DM可为其中包括显示面板DP的多个部件可彼此堆叠的堆叠结构。稍后将对关于显示模块DM的堆叠结构的详细描述进行描述。
显示面板DP可包括分别对应于电子装置ED的显示区域DA(参照图1A)和非显示区域NDA(参照图1A)的显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA。在本公开中，表述“区域/部分对应于另一区域/部分”意味着“区域/部分与另一区域/部分重叠”，然而，“区域和部分”不应限于具有彼此相同的大小。
显示区域DP-DA可包括第一区域A1和第二区域A2。第一区域A1可与电子装置ED的感测区域ED-SA(参照图1A)重叠或对应。在实施方式中，第一区域A1被示出为圆形形状，然而，第一区域A1的形状不应限于此或由此限制。第一区域A1可具有诸如多边形形状、椭圆形形状、具有至少一个弯折边的图形或不规则形状的各种形状。第一区域A1可被称为部件区域，并且第二区域A2可被称为主显示区域或正常显示区域。此外，应理解，本文中所公开的形状可包括与这些形状实质上相同或相似的形状。
第一区域A1可具有比第二区域A2的透射率高的透射率。第一区域A1可具有比第二区域A2的分辨率低的分辨率。第一区域A1可与稍后描述的相机模块CMM重叠。
显示面板DP可包括显示层100和传感器层200。
显示层100可具有实质上生成图像的配置。显示层100可为发光型显示层。例如，显示层100可为有机发光显示层、无机发光显示层、有机-无机发光显示层、量子点显示层、微LED显示层或纳米LED显示层。
传感器层200可感测从外部施加到其的外部输入。例如，外部输入可为用户输入。用户输入可包括各种外部输入，诸如用户的身体的一部分、光、热、笔或压力。
显示模块DM可包括布置在非显示区域DP-NDA中的驱动芯片DIC。显示模块DM还可包括与非显示区域DP-NDA连接或联接的柔性电路膜FCB。
驱动芯片DIC可包括驱动显示面板DP的像素的驱动元件，例如数据驱动电路。图2A示出了其中驱动芯片DIC安装在显示面板DP上的结构，然而，本公开不应限于此或由此限制。作为实例，驱动芯片DIC可安装在柔性电路膜FCB上。
电源模块PM可供给对于电子装置ED的整体操作所需的电源。电源模块PM可包括电池模块。
第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可包括各种功能模块以驱动电子装置ED。第一电子模块EM1和第二电子模块EM2中的每一个可安装在或直接安装在可电连接到显示面板DP的母板上，或者可在安装在单独衬底上之后经由连接器(未示出)电连接到母板。
第一电子模块EM1可包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IIM、音频输入模块AIM、存储器MM和外部接口IF。
控制模块CM可控制电子装置ED的整体操作。控制模块CM可为但不限于微处理器。例如，控制模块CM可激活或停用显示面板DP。控制模块CM可基于从显示面板DP提供的触摸信号来控制其它模块，诸如图像输入模块IIM或音频输入模块AIM。
无线通信模块TM可通过第一网络(例如，短距离通信网络，诸如蓝牙、Wi-Fi直连或红外数据协会(IrDA))或第二网络(例如，长距离通信网络，诸如蜂窝网络、互联网或计算机网络(例如，LAN或WAN))与外部电子装置进行通信。包括在无线通信模块TM中的通信模块可集成到一个部件，例如单个芯片中，或者可实现为彼此分离的部件，例如芯片。无线通信模块TM可使用一般通信线发送或接收语音信号。无线通信模块TM可包括调制待发送的信号并且发送经调制的信号的发送器TM1和解调施加到其的信号的接收器TM2。
图像输入模块IIM可处理图像信号并且可将图像信号转换为可通过显示面板DP显示的图像数据。音频输入模块AIM可在记录模式或语音识别模式下通过麦克风接收外部声音信号，并且可将外部声音信号转换为电语音数据。
外部接口IF可包括将电子装置ED物理地连接到外部电子装置的连接器。例如，在本公开的精神和范围内，外部接口IF可用作控制模块CM与外部装置之间的接口，诸如外部充电器、有线或无线数据端口、卡(例如，存储卡和SIM或UIM卡)座等。
第二电子模块EM2可包括音频输出模块AOM、发光模块LTM、光接收模块LRM和相机模块CMM。音频输出模块AOM可转换从无线通信模块TM提供的音频数据或存储在存储器MM中的音频数据，并且可将经转换的音频数据输出到外部。
发光模块LTM可生成并且发射光。发光模块LTM可发射红外光。发光模块LTM可包括LED元件。光接收模块LRM可感测红外光。在感测到高于一水平的红外光的情况下，光接收模块LRM可被激活。光接收模块LRM可包括CMOS传感器。从发光模块LTM生成并且发射的红外光可被外部对象(例如，用户的手指或面部)反射，并且经反射的红外光可入射到光接收模块LRM中。
相机模块CMM可拍摄照片或视频。相机模块CMM可设置或布置为多个。在它们之中，相机模块CMM中的一些或若干可与第一区域A1重叠。外部输入(例如光)可经由第一区域A1提供到相机模块CMM。作为实例，相机模块CMM可通过第一区域A1接收自然光以拍摄外部对象的图片。
壳体EDC1和EDC2可容纳显示模块DM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2以及电源模块PM。壳体EDC1和EDC2可保护容纳在其中的部件，例如显示模块DM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2以及电源模块PM。图2A示出了彼此分离的两个壳体EDC1和EDC2作为代表性实例，然而，本公开不应限于此或由此限制。尽管在图中没有示出，但是电子装置ED还可包括铰接结构以连接两个壳体EDC1和EDC2。壳体EDC1和EDC2可与窗模块WM连接或联接。
图3是根据实施方式的沿图2A的线I-I'截取的以示出显示装置DD的示意性剖视图。
参照图3，显示装置DD可包括窗模块WM和显示模块DM。
窗模块WM可包括窗UT、布置在窗UT上的保护膜PF和边框图案BP。
窗UT可为化学强化玻璃。由于窗UT应用于显示装置DD，因此即使重复地执行折叠操作和展开操作，也可最小化折痕的出现。
保护膜PF可包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚酰胺、三乙酰纤维素、聚甲基丙烯酸甲酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。尽管图中没有示出，但是在保护膜PF的上表面上可布置有硬涂层、抗指纹层和抗反射层中的至少一个。
边框图案BP可与图1A中所示的非显示区域NDA重叠。边框图案BP可布置在窗UT的一个表面或保护膜PF的一个表面上。图3示出了其中边框图案BP布置在保护膜PF的下表面上的结构，然而，它不应限于此或由此限制。根据实施方式，边框图案BP可布置在保护膜PF的上表面、窗UT的上表面或窗UT的下表面上。边框图案BP可为有色阻光层并且可通过涂覆工艺形成。边框图案BP可包括基础材料和与基础材料混合的颜料或染料。当在平面图中观察时，边框图案BP可具有闭合线形状。
在保护膜PF与窗UT之间可布置有第一粘合剂层AL1。第一粘合剂层AL1可为压敏粘合剂(PSA)膜或光学透明粘合剂(OCA)。在下文中描述的粘合剂层可包括与第一粘合剂层AL1的粘合剂相同的粘合剂并且可包括常规粘合剂。
第一粘合剂层AL1可具有足以覆盖边框图案BP或与边框图案BP重叠的厚度。作为实例，边框图案BP可具有从约3微米至约8微米的厚度，并且第一粘合剂层AL1可具有足以防止气泡在边框图案BP周围出现的厚度。
第一粘合剂层AL1可与窗UT分离。由于保护膜PF的强度低于窗UT的强度，因此在保护膜PF上可相对容易地出现刮擦。在将第一粘合剂层AL1和保护膜PF从窗UT分离之后，可将另一保护膜PF附接到窗UT。
显示模块DM可包括冲击吸收层DML、显示面板DP和下构件LM。
冲击吸收层DML可布置在显示面板DP上方。冲击吸收层DML可为保护显示面板DP免受外部冲击的功能层。冲击吸收层DML可通过第二粘合剂层AL2与窗UT连接或联接，并且可通过第三粘合剂层AL3与显示面板DP连接或联接。
附加边框图案BPa可与图1A中所示的非显示区域NDA重叠。附加边框图案BPa可布置在冲击吸收层DML的一个表面上。图3示出了其中附加边框图案BPa布置在冲击吸收层DML的下表面上的结构作为代表性实例。附加边框图案BPa可包括与上述边框图案BP的材料相同的材料或相似的材料。根据实施方式，可省略附加边框图案BPa。
下构件LM可布置在显示面板DP下或下方。下构件LM可通过第四粘合剂层AL4与显示面板DP连接或联接。下构件LM可包括面板保护层PPF、阻挡层BRL、支承层PLT、覆盖层SCV、第一数字转换器DGZ1、第二数字转换器DGZ2、第一下板RHL1、第二下板RHL2、第一垫层CUL1、第二垫层CUL2和防水带WFT。根据实施方式，下构件LM可不包括上述部件中的一些或若干，或者还可包括其它部件。图3中所示的堆叠顺序仅是一个实例，并且可改变部件的堆叠顺序。
面板保护层PPF可布置在显示面板DP下或下方。第四粘合剂层AL4可将面板保护层PPF附接到显示面板DP。面板保护层PPF可保护显示面板DP的下部。面板保护层PPF可包括柔性塑料材料。面板保护层PPF可防止在显示面板DP的制造工艺期间在显示面板DP的后表面上出现刮擦。面板保护层PPF可为有色聚酰亚胺膜。例如，面板保护层PPF可为不透明的黄色膜，然而，它不应限于此或由此限制。
阻挡层BRL可布置在面板保护层PPF下或下方。第五粘合剂层AL5可布置在面板保护层PPF与阻挡层BRL之间并且可将阻挡层BRL附接到面板保护层PPF。阻挡层BRL可增加抵抗由外部压力引起的压缩力的抵抗力。因此，阻挡层BRL可防止显示面板DP变形。阻挡层BRL可包括柔性塑料材料，诸如聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
阻挡层BRL可吸收从外部入射到其的光。阻挡层BRL可包括阻光材料或者可为具有低透光率的有色膜。作为实例，阻挡层BRL可为黑色塑料膜，例如黑色聚酰亚胺膜。在从窗模块WM的上侧观看显示模块DM的情况下，布置在阻挡层BRL下或下方的部件可不被用户观察到。
支承层PLT可布置在阻挡层BRL下或下方。支承层PLT可支承在支承层PLT上布置的部件并且可保持显示装置DD的展开状态和折叠状态。根据实施方式，支承层PLT可包括对应于第一非折叠区域NFA1的第一支承部分、对应于第二非折叠区域NFA2的第二支承部分和对应于折叠区域FA的折叠部分。第一支承部分和第二支承部分可在第二方向DR2上彼此间隔开。折叠部分可布置在第一支承部分与第二支承部分之间并且可设置有通过其限定的开口OP。由于开口OP，可改善折叠部分的一部分的柔性。
支承层PLT可包括碳纤维增强塑料(CFRP)，然而，它不应限于此或由此限制。第一支承部分和第二支承部分可包括非金属材料、塑料材料、玻璃纤维增强塑料或玻璃材料。塑料材料可包括聚酰亚胺、聚乙烯或聚对苯二甲酸乙二酯，然而，它不应受到特别限制。第一支承部分和第二支承部分可包括彼此相同的材料或相似的材料。折叠部分可包括与第一支承部分和第二支承部分的材料相同的材料或相似的材料或者可包括与第一支承部分和第二支承部分的材料不同的材料。作为实例，折叠部分可包括具有等于或大于约60GPa的弹性模量的材料并且可包括诸如不锈钢的金属材料。例如，折叠部分可包括SUS 304，然而，它不应限于此或由此限制。折叠部分可包括各种金属材料。
在阻挡层BRL与支承层PLT之间可布置有第六粘合剂层AL6-1和AL6-2。第六粘合剂层AL6-1和AL6-2可将阻挡层BRL附接到支承层PLT。当在平面图中观察时，第六粘合剂层AL6-1和AL6-2可不与开口OP重叠。第六粘合剂层AL6-1和AL6-2可在平面中与开口OP间隔开。
第六粘合剂层AL6-1和AL6-2可包括第一部分AL6-1和与第一部分AL6-1间隔开的第二部分AL6-2。当在平面中观察时，第一部分AL6-1和第二部分AL6-2可彼此间隔开，使得开口OP介于第一部分AL6-1与第二部分AL6-2之间。第一部分AL6-1可与第一非折叠区域NFA1重叠，第二部分AL6-2可与第二非折叠区域NFA2重叠，并且第一部分AL6-1和第二部分AL6-2中的每一个可不与折叠区域FA重叠。由于第六粘合剂层AL6-1和AL6-2没有布置在与折叠区域FA重叠的区域中，因此可改善支承层PLT的柔性。
在与折叠区域FA重叠的区域中，阻挡层BRL可与支承层PLT间隔开。例如，在与折叠区域FA重叠的区域中，在支承层PLT与阻挡层BRL之间可限定有空的空间。
由于在电子装置ED(参照图1A)被折叠的情况下在阻挡层BRL与支承层PLT之间限定有空的空间，因此通过支承层PLT限定的开口OP从电子装置ED(参照图1A)的外部可不被观察到。
由于阻挡层BRL可包括阻光材料或者可为具有低透光率的有色膜，因此支承层PLT的区域之间的色差从外部可不被观察到。作为实例，支承层PLT的通过其限定有开口OP的第一支承区域与支承层PLT的通过其未限定有开口OP的第二支承区域之间的色差从外部可不被观察到。第一支承区域可与折叠区域FA重叠，并且第二支承区域可与第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2重叠。
第六粘合剂层AL6-1和AL6-2可具有比第五粘合剂层AL5的厚度小的厚度。作为实例，第五粘合剂层AL5的厚度可为约25微米，并且第六粘合剂层AL6-1和AL6-2的厚度可为约16微米。
随着第六粘合剂层AL6-1和AL6-2的厚度减小，由第六粘合剂层AL6-1和AL6-2引起的台阶差可减小。在台阶差减小的情况下，存在的优点在于可减少由于电子装置ED(参照图1A)的折叠操作和展开操作导致的堆叠结构的变形，但是开口OP可被观察到或者第六粘合剂层AL6-1和AL6-2由于重复的折叠操作而可能脱离。随着第六粘合剂层AL6-1和AL6-2的厚度增加，开口OP可不被观察到，并且尽管重复的折叠操作，但是可改善第六粘合剂层AL6-1和AL6-2的相对于粘合力的可靠性。然而，台阶差可增加。因此，第六粘合剂层AL6-1和AL6-2的厚度可在考虑折叠可靠性、粘合可靠性和开口OP的可视性的适当范围内确定。
第七粘合剂层AL7可布置在支承层PLT下或下方，并且覆盖层SCV可布置在第七粘合剂层AL7下或下方。支承层PLT可通过第七粘合剂层AL7与覆盖层SCV连接或联接。覆盖层SCV可以片材的形式制造并且可附接到支承层PLT。
第七粘合剂层AL7和覆盖层SCV可覆盖通过支承层PLT限定的多个开口OP或与通过支承层PLT限定的多个开口OP重叠。因此，覆盖层SCV可防止异物进入多个开口OP。覆盖层SCV可具有比支承层PLT的弹性模量小的弹性模量。作为实例，覆盖层SCV可包括热塑性聚氨酯、橡胶或硅酮，然而，它不应限于此或由此限制。
在覆盖层SCV下或下方可布置有第八粘合剂层AL8-1和AL8-2。第八粘合剂层AL8-1和AL8-2可包括第一部分AL8-1和第二部分AL8-2。第一部分AL8-1和第二部分AL8-2可彼此间隔开。当在平面中观察时，第一部分AL8-1和第二部分AL8-2可彼此间隔开，使得多个开口OP介于第一部分AL8-1与第二部分AL8-2之间。第一部分AL8-1和第二部分AL8-2可不与折叠区域FA重叠。
第一数字转换器DGZ1和第二数字转换器DGZ2可分别布置在第一部分AL8-1和第二部分AL8-2下或下方。第一数字转换器DGZ1可附接到第一部分AL8-1，并且第二数字转换器DGZ2可附接到第二部分AL8-2。第一数字转换器DGZ1和第二数字转换器DGZ2可通过间隙彼此间隔开。间隙可限定为对应于折叠区域FA。当在平面图中观察时，第一数字转换器DGZ1的一部分可与多个开口OP中的一部分重叠，并且第二数字转换器DGZ2的一部分可与多个开口OP中的另一部分重叠。
第一数字转换器DGZ1和第二数字转换器DGZ2中的每一个可包括以共振频率与电子笔生成磁场的环形线圈。第一数字转换器DGZ1和第二数字转换器DGZ2可被称为EMR感测面板。
由第一数字转换器DGZ1和第二数字转换器DGZ2生成的磁场可施加到由电子笔的电感器(线圈)和电容器形成的LC谐振电路。线圈可响应于对其施加的磁场生成电流并且可将生成的电流供给到电容器。因此，电容器可用从线圈供给到其的电流充电，并且可将充电的电流放电到线圈。结果，可从线圈发射共振频率的磁场。由电子笔发射的磁场可被数字转换器的环形线圈吸收，并且因此能够确定电子笔靠近的第一数字转换器DGZ1和第二数字转换器DGZ2中的位置。
在第一数字转换器DGZ1和第二数字转换器DGZ2下或下方可布置有第九粘合剂层AL9-1和AL9-2。第九粘合剂层AL9-1和AL9-2可包括第一部分AL9-1和第二部分AL9-2。第一部分AL9-1和第二部分AL9-2可彼此间隔开。
第一下板RHL1和第二下板RHL2可分别布置在第一部分AL9-1和第二部分AL9-2下或下方。第一下板RHL1和第二下板RHL2可保护布置在其上方的部件免受外部压力的影响。第一下板RHL1和第二下板RHL2可包括SUS 316，然而，它不应受到特别限制。
第一垫层CUL1和第二垫层CUL2可分别布置在第一下板RHL1和第二下板RHL2下或下方。第一垫层CUL1和第二垫层CUL2可吸收外部冲击以保护显示面板DP。第一垫层CUL1和第二垫层CUL2可包括具有弹性的泡沫片材。第一垫层CUL1和第二垫层CUL2中的每一个可包括海绵或聚氨酯。
防水带WFT可附接到第一下板RHL1和第二下板RHL2。作为实例，防水带WFT可布置在第一垫层CUL1和第二垫层CUL2外部。防水带WFT可附接到固定支架(未示出)。防水带WFT可具有比第一垫层CUL1和第二垫层CUL2中的每一个的厚度大的厚度。尽管电子装置ED(参照图2A)被浸没，但是可通过防水带WFT来减少驱动芯片DIC(参照图2A)被浸没的风险。
下构件LM的部件中的至少一些或若干可设置有通过其限定的通孔COP。通孔COP可与电子装置ED的感测区域ED-SA(参照图1A)重叠或对应。相机模块CMM(参照图2A)的至少一部分可插入通孔COP中。
图4是示出根据实施方式的显示面板DP的示意性平面图。
参照图4，显示面板DP可包括显示区域DP-DA和在显示区域DP-DA周围的非显示区域DP-NDA。显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA可通过像素PX的存在与否来彼此区分开。像素PX可布置在显示区域DP-DA中。在非显示区域NDA中可布置有扫描驱动器SDV、数据驱动器和发射驱动器EDV。数据驱动器可为设置在驱动芯片DIC中的电路。
显示区域DP-DA可包括第一区域A1和第二区域A2。第一区域A1和第二区域A2可通过像素PX的排列间隔、像素PX的大小或者透射区域TP(参照图5)的存在与否来彼此区分开。稍后将对第一区域A1和第二区域A2进行详细描述。
显示面板DP可包括在第二方向DR2上限定的第一面板区域AA1、弯曲区域BA和第二面板区域AA2。第二面板区域AA2和弯曲区域BA可为非显示区域DP-NDA中的区域。弯曲区域BA可限定在第一面板区域AA1与第二面板区域AA2之间。
第一面板区域AA1可对应于图1A的显示表面DS。第一面板区域AA1可包括第一非折叠区域NFA10、第二非折叠区域NFA20和折叠区域FA0。第一非折叠区域NFA10、第二非折叠区域NFA20和折叠区域FA0可分别对应于图1A和图1B的第一非折叠区域NFA1、第二非折叠区域NFA2和折叠区域FA。
弯曲区域BA的在第一方向DR1上的宽度(或长度)和第二面板区域AA2的在第一方向DR1上的宽度(或长度)可小于第一面板区域AA1的在第一方向DR1上的宽度(或长度)。在弯曲轴方向上具有相对短的长度的区域可相对容易地被弯曲。
显示面板DP可包括像素PX、扫描线SL1至SLm、数据线DL1至DLn、发射控制线ECL1至ECLm、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2、驱动电压线PL和焊盘PD。在实施方式中，“m”和“n”中的每一个是大于0的自然数。像素PX可连接到扫描线SL1至SLm、数据线DL1至DLn和发射控制线ECL1至ECLm。
扫描线SL1至SLm可在第一方向DR1上延伸并且可电连接到扫描驱动器SDV。数据线DL1至DLn可在第二方向DR2上延伸并且可经由弯曲区域BA电连接到驱动芯片DIC。发射控制线ECL1至ECLm可在第一方向DR1上延伸并且可电连接到发射驱动器EDV。
驱动电压线PL可包括在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分。在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分可布置在彼此不同的层。驱动电压线PL的在第二方向DR2上延伸的部分可经由弯曲区域BA延伸到第二面板区域AA2。驱动电压线PL可将第一电压提供到像素PX。
第一控制线CSL1可连接到扫描驱动器SDV并且可经由弯曲区域BA延伸到第二面板区域AA2的下端。第二控制线CSL2可连接到发射驱动器EDV并且可经由弯曲区域BA延伸到第二面板区域AA2的下端。
当在平面图中观察时，焊盘PD可布置为与第二面板区域AA2的下端相邻。驱动芯片DIC、驱动电压线PL、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2可连接到焊盘PD。柔性电路膜FCB可通过各向异性导电粘合剂层电连接到焊盘PD。
图5是示出图4中所示的区域XX'的放大示意性平面图。
参照图4和图5，像素PX可设置或布置为多个，并且像素PX可包括布置在第一区域A1中的第一像素PX11、PX12和PX13以及布置在第二区域A2中的第二像素PX21、PX22和PX23。当在平面图中观察时，图5中所示的第一像素PX11、PX12和PX13中的每一个和第二像素PX21、PX22和PX23中的每一个可具有与一个发光元件LD(参照图6)的发光区域对应的形状。
布置在区域RFA1中的第一像素PX11、PX12和PX13的数量(在下文中，被称为第一数量)可小于布置在区域RFA2中的第二像素PX21、PX22和PX23的数量(在下文中，被称为第二数量)。因此，第一区域A1可具有比第二区域A2的分辨率低的分辨率。限定在第一区域A1中的区域RFA1和限定在第二区域A2中的区域RFA2可具有实质上相同的形状和相同的大小。作为实例，第一数量可为八(8)，并且第二数量可为二十五(25)，然而，这仅是一个实例以解释分辨率的差异，并且第一数量和第二数量不应限于此或由此限制。
第一像素PX11、PX12和PX13可包括第一红色像素PX11、第一绿色像素PX12和第一蓝色像素PX13。第二像素PX21、PX22和PX23可包括第二红色像素PX21、第二绿色像素PX22和第二蓝色像素PX23。
在第一区域A1中，两个第一红色像素PX11、四个第一绿色像素PX12和两个第一蓝色像素PX13可布置为彼此相邻。作为实例，四个第一绿色像素PX12可在第二方向DR2上排列或布置，并且一个第一红色像素PX11和一个第一蓝色像素PX13可在第一方向DR1上隔着两个第一绿色像素PX12彼此间隔开。一个第一红色像素PX11可在第二方向DR2上与一个第一蓝色像素PX13间隔开。
显示面板DP可包括限定在第一区域A1中的透射区域TP。透射区域TP可在第一区域A1中彼此间隔开。两个第一红色像素PX11、四个第一绿色像素PX12和两个第一蓝色像素PX13可被限定为一个组，并且该一个组可布置为与至少一个透射区域TP相邻。由于透射区域TP限定在第一区域A1中，因此第一区域A1可具有比第二区域A2的透射率高的透射率。
在第一区域A1中还可限定有第一子区域SA1和第二子区域SA2。透射区域TP可具有比第一子区域SA1和第二子区域SA2中的每一个的透射率高的透射率。例如，透射区域TP、第一子区域SA1和第二子区域SA2可由阻光层BML(参照图7)限定，并且透射区域TP以及第一子区域SA1和第二子区域SA2可通过透射区域TP以及第一子区域SA1和第二子区域SA2是否被分割层310(参照图7)或像素限定层PDL(参照图7)覆盖或与分割层310(参照图7)或像素限定层PDL(参照图7)重叠来彼此区分开。根据实施方式，可省略第二子区域SA2。
作为实例，第一子区域SA1可与透射区域TP相邻并且可被分割层310(参照图7)覆盖或与分割层310(参照图7)重叠。第二子区域SA2可与透射区域TP间隔开并且被分割层310(参照图7)覆盖或与分割层310(参照图7)重叠。因此，光可不穿过第一子区域SA1和第二子区域SA2，或者第一子区域SA1和第二子区域SA2可具有比透射区域TP的透射率低的透射率。因此，第一子区域SA1和第二子区域SA2可被称为阻光区域。
在图5中，第一子区域SA1和与第一子区域SA1接触的透射区域TP用不同的影线表示，以区分第一子区域SA1和与第一子区域SA1接触的透射区域TP。第二子区域SA2由不同的影线表示，以区分第二子区域SA2和第一子区域SA1。
第二子区域SA2可与第二区域A2相邻。作为实例，第二子区域SA2可与第一区域A1和第二区域A2之间的边界接触。第二子区域SA2可限定在第一像素PX11、PX12和PX13与第二像素PX21、PX22和PX23之间的第一区域A1或第二区域A2中。因此，第二子区域SA2可与布置在第一区域A1中的像素组和布置在第二区域A2中的像素组相邻。第二子区域SA2可具有比透射区域TP的大小小的大小。
根据实施方式，像素限定层PDL(参照图7)可进一步布置在第二子区域SA2中。像素限定层PDL(参照图7)可不布置在透射区域TP和第一子区域SA1中。例如，第一子区域SA1可不与像素限定层PDL(参照图7)重叠并且可与分割层310(参照图7)重叠。第二子区域SA2可与像素限定层PDL(参照图7)和分割层310(参照图7)两者重叠。透射区域TP可不与像素限定层PDL(参照图7)和分割层310(参照图7)重叠。
透射区域TP与第一子区域SA1之间的边界可包括弯折线。在透射区域TP与第一子区域SA1之间的边界彼此连接的情况下，可形成圆形形状。第一子区域SA1和第二子区域SA2可布置在与第二区域A2相邻的第一区域A1中。在第一区域A1中，其中限定有第一子区域SA1和第二子区域SA2的区域可被限定为边界区域。例如，两个第一红色像素PX11、四个第一绿色像素PX12和两个第一蓝色像素PX13可形成一个组并且可布置在边界区域中，并且一个组可被分割层310(参照图7)覆盖或与分割层310(参照图7)重叠并且可与具有比透射区域TP的透射率相对更低的透射率的第一子区域SA1和/或第二子区域SA2中的至少一个相邻。
在第二区域A2中，第二红色像素PX21和第二绿色像素PX22可沿第四方向DR4和第五方向DR5一个接一个地交替排列或布置。在第二区域A2中，第二蓝色像素PX23和第二绿色像素PX22可沿第四方向DR4和第五方向DR5一个接一个地交替排列或布置。第四方向DR4可为介于第一方向DR1与第二方向DR2之间的方向，并且第五方向DR5可为与第四方向DR4交叉或相交或者与第四方向DR4垂直的方向。基于一个第二绿色像素PX22的位置，第二红色像素PX21可在第四方向DR4上与该一个第二绿色像素PX22间隔开，并且第二蓝色像素PX23可在第五方向DR5上与该一个第二绿色像素PX22间隔开。
在第二区域A2中，第二红色像素PX21和第二蓝色像素PX23可沿第一方向DR1和第二方向DR2一个接一个地交替排列或布置。第二绿色像素PX22可在第一方向DR1和第二方向DR2上重复地排列或布置。
第一红色像素PX11可具有比第二红色像素PX21的面积大的面积，第一绿色像素PX12可具有比第二绿色像素PX22的面积大的面积，并且第一蓝色像素PX13可具有比第二蓝色像素PX23的面积大的面积。然而，这仅是一个实例，并且第一红色像素PX11、第一绿色像素PX12和第一蓝色像素PX13与第二红色像素PX21、第二绿色像素PX22和第二蓝色像素PX23的面积之间的关系不应限于此或由此限制。
第一红色像素PX11可具有与第二红色像素PX21的形状不同的形状，第一绿色像素PX12可具有与第二绿色像素PX22的形状不同的形状，并且第一蓝色像素PX13可具有与第二蓝色像素PX23的形状不同的形状。然而，这仅是一个实例，并且第一红色像素PX11、第一绿色像素PX12和第一蓝色像素PX13可具有与第二红色像素PX21、第二绿色像素PX22和第二蓝色像素PX23的形状分别实质上相同的形状。
图6是示出根据实施方式的像素PX的等效电路的示意图。
图6示出了一个像素PX的等效电路的示意图。图6中所示的像素PX可为图5中所示的第一红色像素PX11、第一绿色像素PX12、第一蓝色像素PX13、第二红色像素PX21、第二绿色像素PX22或第二蓝色像素PX23。
像素PX可包括发光元件LD和像素电路PC。像素电路PC可包括薄膜晶体管T1至T7和存储电容器Cst。薄膜晶体管T1至T7、升压电容器Cbs和存储电容器Cst可电连接到信号线SL1、SL2、SL3、SLn、ECL和DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2(或被称为阳极初始化电压线)和驱动电压线PL。根据实施方式，线中的至少一个(例如，驱动电压线PL)可由彼此相邻的像素PX共享。
薄膜晶体管T1至T7可包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
发光元件LD可包括第一电极(例如，阳极或像素电极)和第二电极(例如，阴极或公共电极)。发光元件LD的第一电极可经由发射控制薄膜晶体管T6连接到驱动薄膜晶体管T1以接收驱动电流ILD，并且第二电极可接收低电源电压ELVSS。发光元件LD可生成具有与驱动电流ILD对应的亮度的光。
薄膜晶体管T1至T7中的一些或若干晶体管可为n沟道MOSFET(NMOS)，并且薄膜晶体管T1至T7中的其它晶体管可为p沟道MOSFET(PMOS)。作为实例，薄膜晶体管T1至T7之中的补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可为n沟道MOSFET(NMOS)，并且薄膜晶体管T1至T7之中的其它晶体管可为p沟道MOSFET(PMOS)。
根据实施方式，在薄膜晶体管T1至T7之中，补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7可为NMOS，并且其它晶体管可为PMOS。根据实施方式，在薄膜晶体管T1至T7之中，仅一个晶体管可为NMOS，并且其它晶体管可为PMOS。根据实施方式，薄膜晶体管T1至T7中的所有可为NMOS或PMOS。
信号线可包括发送第一扫描信号Sn的第一扫描线SL1、发送第二扫描信号Sn'的第二扫描线SL2、将第三扫描信号Si发送到第一初始化薄膜晶体管T4的第三扫描线SL3、将发射控制信号En发送到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制线ECL、将下一扫描信号Sn+1发送到第二初始化薄膜晶体管T7的下一扫描线SLn和与第一扫描线SL1交叉或相交并且发送数据信号Dm的数据线DL。第一扫描信号Sn可为当前扫描信号，并且下一扫描信号Sn+1可为第一扫描信号Sn的下一扫描信号。
驱动电压线PL可将驱动电压ELVDD发送到驱动薄膜晶体管T1，第一初始化电压线VL1可发送初始化电压Vint以初始化驱动薄膜晶体管T1，并且第二初始化电压线VL2可发送阳极初始化电压Aint以初始化像素电极。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极可连接到存储电容器Cst，驱动薄膜晶体管T1的驱动源极区域可经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL，并且驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极区域可经由发射控制薄膜晶体管T6电连接到发光元件LD的第一电极。驱动薄膜晶体管T1可响应于开关薄膜晶体管T2的开关操作来接收数据信号Dm，并且可将驱动电流ILD供给到发光元件LD。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极可连接到发送第一扫描信号Sn的第一扫描线SL1，开关薄膜晶体管T2的开关源极区域可连接到数据线DL，并且开关薄膜晶体管T2的开关漏极区域可连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源极区域，并且可经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2可响应于通过第一扫描线SL1提供的第一扫描信号Sn而导通，并且可执行开关操作以将施加到数据线DL的数据信号Dm发送到驱动薄膜晶体管T1的驱动源极区域。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极可连接到第二扫描线SL2。补偿薄膜晶体管T3的补偿漏极区域可连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极区域，并且可经由发射控制薄膜晶体管T6连接到发光元件LD的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的补偿源极区域可连接到存储电容器Cst的第一电极CE1和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极。补偿薄膜晶体管T3的补偿源极区域可连接到第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏极区域。
补偿薄膜晶体管T3可响应于经由第二扫描线SL2施加到其的第二扫描信号Sn'而导通，并且可电连接驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极和驱动漏极区域以允许驱动薄膜晶体管T1以二极管配置进行连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极可连接到第三扫描线SL3。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源极区域可连接到第一初始化电压线VL1。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏极区域可连接到存储电容器Cst的第一电极CE1、补偿薄膜晶体管T3的补偿源极区域和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极。第一初始化薄膜晶体管T4可响应于通过第三扫描线SL3施加到其的第三扫描信号Si而导通，并且可将初始化电压Vint发送到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极以执行对驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极的电压进行初始化的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极可连接到发射控制线ECL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源极区域可连接到驱动电压线PL，并且操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏极区域可连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源极区域和开关薄膜晶体管T2的开关漏极区域。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极可连接到发射控制线ECL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源极区域可连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极区域和补偿薄膜晶体管T3的补偿漏极区域，并且发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏极区域可连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏极区域和发光元件LD的像素电极。
操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6可响应于经由发射控制线ECL施加到它们的发射控制信号En而实质上同时导通，并且驱动电压ELVDD可施加到发光元件LD以允许驱动电流ILD流过发光元件LD。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极可连接到下一扫描线SLn，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏极区域可连接到发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏极区域和发光元件LD的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源极区域可连接到第二初始化电压线VL2以接收阳极初始化电压Aint。第二初始化薄膜晶体管T7可响应于经由下一扫描线SLn施加到其的下一扫描信号Sn+1而导通，以初始化发光元件LD的像素电极。
根据实施方式，第二初始化薄膜晶体管T7可连接到发射控制线ECL并且可响应于发射控制信号En而被驱动。源极区域和漏极区域的位置可根据晶体管的类型(例如，p型或n型)彼此改变。
存储电容器Cst可包括第一电极CE1和第二电极CE2。存储电容器Cst的第一电极CE1可连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极，并且存储电容器Cst的第二电极CE2可连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst可充电有与驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极的电压和驱动电压ELVDD之间的差对应的电荷。
升压电容器Cbs可包括第一电极CE1'和第二电极CE2'。升压电容器Cbs的第一电极CE1'可连接到存储电容器Cst的第一电极CE1，并且升压电容器Cbs的第二电极CE2'可接收第一扫描信号Sn。升压电容器Cbs可在停止提供第一扫描信号Sn的时间点对驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极的电压进行升压，并且因此，可补偿驱动栅电极的电压降。
根据实施方式的每个像素PX的详细操作如下。
在初始化时段期间经由第三扫描线SL3提供第三扫描信号Si的情况下，第一初始化薄膜晶体管T4可响应于第三扫描信号Si而导通，并且驱动薄膜晶体管T1可通过从第一初始化电压线VL1提供的初始化电压Vint被初始化。
在数据编程时段期间经由第一扫描线SL1和第二扫描线SL2分别提供第一扫描信号Sn和第二扫描信号Sn'的情况下，开关薄膜晶体管T2和补偿薄膜晶体管T3可分别响应于第一扫描信号Sn和第二扫描信号Sn'而导通。驱动薄膜晶体管T1可通过导通的补偿薄膜晶体管T3以二极管配置进行连接并且可被正向偏置。
驱动薄膜晶体管T1的阈值电压被称为Vth。通过从由数据线DL提供的数据信号Dm中减去驱动薄膜晶体管T1的阈值电压而获得的补偿电压Dm+Vth(Vth是负(-)值)可施加到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极。
驱动电压ELVDD和补偿电压Dm+Vth可分别施加到存储电容器Cst的两端，并且存储电容器Cst可充电有与存储电容器Cst的两端之间的电压差对应的电荷。
在发光时段期间，操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6可通过从发射控制线ECL提供的发射控制信号En而导通。可生成根据驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极的电压与驱动电压ELVDD之间的差的驱动电流ILD，并且驱动电流ILD可经由发射控制薄膜晶体管T6供给到发光元件LD。
根据实施方式，薄膜晶体管T1至T7中的至少一个可包括包含有氧化物的半导体层，并且薄膜晶体管T1至T7中的其它晶体管可包括包含有硅的半导体层。
详细地，直接影响显示装置的亮度的驱动薄膜晶体管T1可包括包含有具有高可靠性的多晶硅的半导体层，并且因此可实现具有高分辨率的显示装置。
由于氧化物半导体具有高载流子迁移率和低漏电流，因此即使驱动时间长，电压降也不大。例如，即使在像素PX以低频率驱动的情况下，由于电压降而引起的图像的颜色变化也不大，并且因此，像素PX可以低频率驱动。
如上所述，由于氧化物半导体具有低漏电流，因此连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极的补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7中的至少一个可包括氧化物半导体。因此，可防止漏电流流到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极，并且可减少功耗。
图7是示出根据实施方式的显示面板DP的第一区域A1的示意性剖视图。图8A是示出根据实施方式的显示面板DP的第二区域A2的示意性剖视图。
参照图7和图8A，显示面板DP可包括显示层100、传感器层200和抗反射层300。显示层100可包括衬底110、电路层120、发光元件层130和封装层140。
衬底110可包括层111、112、113和114。作为实例，衬底110可包括第一子基础层111、第一中间阻挡层112、第二中间阻挡层113和第二子基础层114。第一子基础层111、第一中间阻挡层112、第二中间阻挡层113和第二子基础层114可在第三方向DR3彼此顺序地堆叠。
第一子基础层111和第二子基础层114中的每一个可包括聚酰亚胺基树脂、丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和萘基树脂中的至少一种。在本公开中，术语“A基树脂”意味着包括“A”的官能团。
在衬底110上可布置有阻挡层BR。阻挡层BR可包括布置在衬底110上的第一子阻挡层BR1和布置在第一子阻挡层BR1上的第二子阻挡层BR2。
第一中间阻挡层112和第二中间阻挡层113中的每一个以及第一子阻挡层BR1和第二子阻挡层BR2中的每一个可包括无机材料。第一中间阻挡层112和第二中间阻挡层113中的每一个以及第一子阻挡层BR1和第二子阻挡层BR2中的每一个可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的至少一种。作为实例，第一子基础层111和第二子基础层114中的每一个可包括具有约1.9的折射率的聚酰亚胺。第一中间阻挡层112和第一子阻挡层BR1可包括具有约1.72的折射率的氮氧化硅(SiON)。第二中间阻挡层113和第二子阻挡层BR2可包括具有约1.5的折射率的氧化硅(SiOx)。
例如，第一中间阻挡层112的折射率可具有介于第一子基础层111的折射率与第二中间阻挡层113的折射率之间的值。第一子阻挡层BR1的折射率可具有介于第二子基础层114的折射率与第二子阻挡层BR2的折射率之间的值。随着彼此接触的层之间的折射率的差减小，可减少彼此接触的层之间的界面处的光的反射。结果，可改善穿过透射区域TP的光的透射率。
第一子基础层111可具有比第二子基础层114的厚度大的厚度。作为实例，第一子基础层111的厚度可为约100000埃，并且第二子基础层114的厚度可为约56000埃。然而，第一子基础层111和第二子基础层114中的每一个的厚度不应限于此或由此限制。
第一中间阻挡层112可具有比第二中间阻挡层113的厚度小的厚度，并且第一子阻挡层BR1可具有比第二子阻挡层BR2的厚度小的厚度。作为实例，第一中间阻挡层112的厚度可为约1000埃，第二中间阻挡层113的厚度可为约5000埃，第一子阻挡层BR1的厚度可为约1000埃，并且第二子阻挡层BR2的厚度可为约4000埃。然而，第一中间阻挡层112和第二中间阻挡层113中的每一个以及第一子阻挡层BR1和第二子阻挡层BR2中的每一个的厚度不应限于此或由此限制。
阻光层BML可布置在阻挡层BR上。阻光层BML可布置为与第一区域A1重叠，并且阻光层BML可不布置在第二区域A2中。阻光层BML可设置有通过其限定的第一开口BM-OP以限定透射区域TP。阻光层BML可为在开口CE-OP通过公共电极CE形成的情况下用作掩模的图案。作为实例，从衬底110的后侧照射到公共电极CE的光可在穿过阻光层BML的第一开口BM-OP之后供给到公共电极CE的一部分和遮盖层CPL的一部分中的每一个。例如，公共电极CE和遮盖层CPL中的每一个的该部分可通过穿过阻光层BML的第一开口BM-OP的光去除。光可为但不限于激光束。
阻光层BML可包括钼(Mo)、含钼(Mo)合金、银(Ag)、含银(Ag)合金、铝(Al)、含铝(Al)合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、钛(Ti)、p+掺杂的非晶硅、MoTaOx等，然而，它不应限于此或由此限制。阻光层BML可被称为后表面金属层或后表面层。
阻光层BML可连接到电极或布线并且可从电极或布线接收恒定电压或信号。作为实例，阻光层BML可接收初始化电压Vint(参照图6)，然而，它不应限于此或由此限制。阻光层BML可接收阳极初始化电压Aint(参照图6)、低电源电压ELVSS(参照图6)或驱动电压ELVDD(参照图6)。根据实施方式，阻光层BML可以与其它电极或布线隔离的形式设置或布置。阻光层BML可防止由第一子基础层111或第二子基础层114的极化现象引起的电位对第一像素电路PC1施加影响。
在第一区域A1中，与第一开口BM-OP重叠的区域可被限定为透射区域TP，并且其它区域可被限定为元件区域EP。第一像素PX11、PX12和PX13(参照图5)可布置在元件区域EP中，并且第一像素PX11、PX12和PX13(参照图5)中的每一个可与透射区域TP间隔开。
在阻光层BML与阻挡层BR之间可布置有至少一个下绝缘层BMB。下绝缘层BMB可设置有通过其限定的第二开口ML-OP以与第一开口BM-OP重叠。第一开口BM-OP和第二开口ML-OP可通过相同的工艺实质上同时形成。因此，阻光层BML的限定第一开口BM-OP的侧壁BM-OPS可与下绝缘层BMB的限定第二开口ML-OP的侧壁BML-OPS对齐。
第一像素电路PC1可与阻光层BML的第一开口BM-OP和下绝缘层BMB的第二开口ML-OP间隔开。例如，当在平面图中观察时，第一像素电路PC1可不与阻光层BML的第一开口BM-OP和下绝缘层BMB的第二开口ML-OP中的每一个重叠。
下绝缘层BMB可包括布置在阻挡层BR与阻光层BML之间的第一下绝缘层BL1和布置在第一下绝缘层BL1与阻挡层BR之间的第二下绝缘层BL2。
第一下绝缘层BL1和第二下绝缘层BL2中的每一个可包括无机材料。作为实例，第一下绝缘层BL1和第二下绝缘层BL2中的每一个可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的至少一种。作为实例，第一下绝缘层BL1可包括具有约1.5的折射率的氧化硅，并且第二下绝缘层BL2可包括具有约1.7的折射率的非晶硅。
第一下绝缘层BL1的折射率和第二下绝缘层BL2的折射率可彼此不同。作为实例，第一下绝缘层BL1的折射率可小于第二下绝缘层BL2的折射率，然而，它不应限于此或由此限制。作为实例，第一下绝缘层BL1的折射率可大于第二下绝缘层BL2的折射率。
因为第一下绝缘层BL1和第二下绝缘层BL2顺序地布置在阻光层BML下或下方，因此可减少由阻光层BML引起的光的反射。作为实例，入射到阻光层BML的后表面的光或由阻光层BML的后表面反射的光可被在第一下绝缘层BL1与第二下绝缘层BL2之间反射的光相消干涉。结果，可减少或消除在由相机模块CMM(参照图2A)获取的图像中出现噪声图像(例如，重影现象)的可能性。因此，可改善由相机模块CMM(参照图2A)获取或从相机模块CMM(参照图2A)接收的信号的质量。第一下绝缘层BL1和第二下绝缘层BL2可分别被称为第一抗反射层和第二抗反射层。
图7示出了其中两个下绝缘层(例如，第一下绝缘层BL1和第二下绝缘层BL2)布置在阻光层BML下或下方的结构作为代表性实例，然而，它不应限于此或由此限制。作为实例，布置在阻光层BML下或下方的下绝缘层可包括一个层、或者三个层或更多个层。
第一下绝缘层BL1的厚度可与第二下绝缘层BL2的厚度实质上相同。作为实例，第一下绝缘层BL1的厚度和第二下绝缘层BL2的厚度中的每一个可为约130埃，然而，它不应限于此或由此限制。第一下绝缘层BL1的厚度和第二下绝缘层BL2的厚度可彼此不同。
在第一区域A1和第二区域A2两者中可布置有缓冲层BF。缓冲层BF可布置在阻挡层BR上并且可覆盖在第一区域A1中布置的阻光层BML和下绝缘层BMB或与在第一区域A1中布置的阻光层BML和下绝缘层BMB重叠。缓冲层BF可防止金属原子或杂质从衬底110扩散到第一半导体图案。缓冲层BF可控制在形成第一半导体图案的结晶工艺期间的热供给速率，使得可均匀地形成第一半导体图案。
缓冲层BF可覆盖第一开口BM-OP和第二开口ML-OP或与第一开口BM-OP和第二开口ML-OP重叠，并且缓冲层BF可与透射区域TP重叠。缓冲层BF可包括第一子缓冲层BF1和布置在第一子缓冲层BF1上的第二子缓冲层BF2。第一子缓冲层BF1和第二子缓冲层BF2中的每一个可包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。作为实例，第一子缓冲层BF1可包括氮化硅，并且第二子缓冲层BF2可包括氧化硅。
第二子缓冲层BF2的与透射区域TP重叠的一部分可被去除。因此，第二子缓冲层BF2的布置在元件区域EP中的部分的厚度TKa可大于第二子缓冲层BF2的布置在透射区域TP中的部分的厚度TKb。作为实例，第二子缓冲层BF2的布置在透射区域TP中的部分的厚度TKb可为约500埃，然而，它不应受到特别限制。
第一像素PX11、PX12和PX13(参照图5)中的每一个可包括第一发光元件LD1和第一像素电路PC1，并且第二像素PX21、PX22和PX23中的每一个可包括第二发光元件LD2和第二像素电路PC2。第一发光元件LD1可布置在元件区域EP中，并且第二发光元件LD2可布置在第二区域A2中。
图7示出了布置在第一区域A1中的第一发光元件LD1和第一像素电路PC1的一部分的剖面，并且图8A示出了布置在第二区域A2中的第二发光元件LD2和第二像素电路PC2的一部分的剖面。图8A示出了第二像素电路PC2的硅薄膜晶体管S-TFT和氧化物薄膜晶体管O-TFT。
参照图8A，在硅薄膜晶体管S-TFT下或下方可布置有第一阻光层BMLa，并且在氧化物薄膜晶体管O-TFT下或下方可布置有第二阻光层BMLb。第一阻光层BMLa和第二阻光层BMLb中的每一个可布置为与第二像素电路PC2重叠以保护第二像素电路PC2。第一阻光层BMLa和第二阻光层BMLb可不布置在第一区域A1中。
第一阻光层BMLa和第二阻光层BMLb可防止由第一子基础层111或第二子基础层114的极化现象引起的电位对第二像素电路PC2施加影响。根据实施方式，可省略第二阻光层BMLb。
第一阻光层BMLa可布置在第二子阻挡层BR2中。作为实例，形成第二子阻挡层BR2的在厚度方向上的一部分，并且在其上形成第一阻光层BMLa。第二子阻挡层BR2的在厚度方向上的其它部分可形成为覆盖第一阻光层BMLa或与第一阻光层BMLa重叠。第一阻光层BMLa可被称为后表面阻光层。
第二阻光层BMLb可布置在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间。第二阻光层BMLb可布置在与其上布置有存储电容器Cst的第二电极CE2的层相同的层上。第二阻光层BMLb可连接到接触电极BML2-C以接收恒定电压或信号。接触电极BML2-C可布置在与其上布置有氧化物薄膜晶体管O-TFT的栅极GT2的层相同的层上。第一阻光层BMLa和第二阻光层BMLb中的每一个可包括与阻光层BML的材料相同的材料或相似的材料或不同的材料。
第一阻光层BMLa和第二阻光层BMLb中的每一个可连接到电极或布线以接收恒定电压或信号。施加到第一阻光层BMLa和第二阻光层BMLb中的每一个的电压和信号可不同于施加到阻光层BML的电压和信号。作为实例，第一阻光层BMLa和第二阻光层BMLb中的每一个可接收驱动电压ELVDD(参照图6)。根据实施方式，施加到第一阻光层BMLa和第二阻光层BMLb中的每一个的电压和信号可与施加到阻光层BML的电压和信号实质上相同。根据实施方式，第一阻光层BMLa和第二阻光层BMLb中的每一个可以与另一电极或另一布线隔离的形式来设置或布置。
第一半导体图案可布置在缓冲层BF上。第一半导体图案可包括硅半导体。作为实例，硅半导体可包括非晶硅或多晶硅。例如，第一半导体图案可包括低温多晶硅。
图7和图8A仅示出了布置在缓冲层BF上的第一半导体图案的一部分，并且第一半导体图案可进一步布置在其它区域中。第一半导体图案可遍及多个像素以特定或给定规则排列或布置。第一半导体图案可具有取决于其是否被掺杂或者其是否被掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂而不同的电特性。第一半导体图案可包括具有相对高的电导率的第一区和具有相对低的电导率的第二区。第一区可被掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可包括被掺杂有P型掺杂剂的掺杂区，并且N型晶体管可包括被掺杂有N型掺杂剂的掺杂区。第二区可为非掺杂区或以比第一区的浓度低的浓度掺杂的区。
第一区可具有比第二区的电导率大的电导率并且可实质上用作电极或信号线。第二区可实质上对应于晶体管的有源区域(或沟道)。换句话说，第一半导体图案的一部分可为晶体管的有源区域，第一半导体图案的另一部分可为晶体管的源极或漏极，并且第一半导体图案的其它部分可为连接电极或连接信号线。
硅薄膜晶体管S-TFT的源极区域SE1、有源区域AC1和漏极区域DE1可由第一半导体图案形成。源极区域SE1和漏极区域DE1可在剖面中从有源区域AC1在彼此相反的方向上延伸。
在缓冲层BF上可布置有第一绝缘层10。第一绝缘层10可公共地与多个像素重叠并且可覆盖第一半导体图案或与第一半导体图案重叠。第一绝缘层10可为无机层和/或有机层，并且可具有单层或多层结构。第一绝缘层10可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在实施方式中，第一绝缘层10可具有氧化硅层的单层结构。不仅第一绝缘层10，而且稍后描述的电路层120的其它绝缘层也可为无机层和/或有机层，并且可具有单层或多层结构。无机层可包括以上提及的材料中的至少一种，然而，它不应限于此或由此限制。
硅薄膜晶体管S-TFT的栅极GT1可布置在第一绝缘层10上。栅极GT1可为金属图案的一部分。栅极GT1可与有源区域AC1重叠。栅极GT1可用作在掺杂第一半导体图案的工艺中的掩模。栅极GT1可包括钛(Ti)、银(Ag)、含银(Ag)合金、钼(Mo)、含钼(Mo)合金、铝(Al)、含铝(Al)合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，然而，它不应受到特别限制。
第二绝缘层20可布置在第一绝缘层10上并且可覆盖栅极GT1或与栅极GT1重叠。第二绝缘层20可为无机层并且可具有单层或多层结构。第二绝缘层20可包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。根据实施方式，第二绝缘层20可具有氧化硅层和氮化硅层的多层结构。
第三绝缘层30可布置在第二绝缘层20上。第三绝缘层30可具有单层或多层结构。作为实例，第三绝缘层30可具有氧化硅层和氮化硅层的多层结构。存储电容器Cst的第二电极CE2可布置在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间。存储电容器Cst的第一电极CE1可布置在第一绝缘层10与第二绝缘层20之间。
第二半导体图案可布置在第三绝缘层30上。第二半导体图案可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括根据金属氧化物是否被还原而彼此区分开的区域。其中金属氧化物被还原的区域(在下文中，被称为还原区域)具有比其中金属氧化物未被还原的区域(在下文中，被称为非还原区域)的电导率大的电导率。还原区域可充当晶体管的源极或漏极或信号线。非还原区域可实质上对应于晶体管的有源区域(或半导体区域或沟道)。换句话说，第二半导体图案的一部分可为晶体管的有源区域，第二半导体图案的另一部分可为晶体管的源极区域或漏极区域，并且第二半导体图案的其它部分可为信号传输区域。
氧化物薄膜晶体管O-TFT的源极区域SE2、有源区域AC2和漏极区域DE2可由第二半导体图案形成。源极区域SE2和漏极区域DE2可在剖面中从有源区域AC2在彼此相反的方向上延伸。
在第三绝缘层30上可布置有第四绝缘层40。第四绝缘层40可公共地与多个像素重叠并且可覆盖第二半导体图案或与第二半导体图案重叠。第四绝缘层40可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
氧化物薄膜晶体管O-TFT的栅极GT2可布置在第四绝缘层40上。氧化物薄膜晶体管O-TFT的栅极GT2可为金属图案的一部分。氧化物薄膜晶体管O-TFT的栅极GT2可与有源区域AC2重叠。栅极GT2可用作在掺杂第二半导体图案的工艺中的掩模。
第五绝缘层50可布置在第四绝缘层40上并且可覆盖栅极GT2或与栅极GT2重叠。第五绝缘层50可为无机层和/或有机层并且可具有单层或多层结构。
在第五绝缘层50上可布置有第一连接电极CNE1。第一连接电极CNE1可经由通过第一绝缘层10至第五绝缘层50限定的接触孔而连接到硅薄膜晶体管S-TFT的漏极区域DE1。
参照图7，包括在电路层120中的缓冲层BF和绝缘层10、20、30、40、50、60、70和80中的至少一些或若干绝缘层可设置有通过其限定的第三开口IL-OP。作为实例，第三开口IL-OP可通过第二子缓冲层BF2的在厚度方向上的一部分和第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50来限定。第三开口IL-OP可限定在与透射区域TP重叠的区域中。例如，因为与透射区域TP重叠的第二子缓冲层BF2的在厚度方向上的一部分以及第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50被去除，所以可改善透射区域TP的透射率。
第三开口IL-OP的最小宽度可小于第一开口BM-OP的最小宽度。第二子缓冲层BF2以及第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50的限定第三开口IL-OP的侧壁IL-OPS可比阻光层BML的侧壁BM-OPS更突出。例如，第二子缓冲层BF2以及第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50的侧壁IL-OPS可比阻光层BML的侧壁BM-OPS更靠近透射区域TP的中心突出。
在第五绝缘层50上可布置有第六绝缘层60。第六绝缘层60可包括有机材料。例如，第六绝缘层60可包括聚酰亚胺基树脂。第二连接电极CNE2可布置在第六绝缘层60上。第二连接电极CNE2可经由通过第六绝缘层60限定的接触孔而连接到第一连接电极CNE1。
第六绝缘层60可覆盖第三开口IL-OP或与第三开口IL-OP重叠。例如，第六绝缘层60可与透射区域TP重叠。由于第六绝缘层60设置或布置在透射区域TP中，因此可减小布置在第六绝缘层60上方的部件之间的台阶差。在减小与透射区域TP重叠的层之间的台阶差的情况下，可减轻(或减少)入射到透射区域TP中的光的衍射。因此，可减少由衍射引起的图像的变形，并且可改善由相机模块CMM(参照图2A)获取的图像的质量。
可通过调整第六绝缘层60的厚度来控制透射区域TP的透射率。第六绝缘层60的厚度可为约15000埃，这使得与具有约几埃至几百埃的厚度的绝缘层相比更容易控制第六绝缘层60的厚度。因此，可减少针对每个电子装置的透射率分布，并且因此可促进工艺管理。
第六绝缘层60可覆盖第三开口IL-OP或与第三开口IL-OP重叠。因此，可减少第六绝缘层60的将设置有第七绝缘层70、第八绝缘层80和像素限定层PDL的一部分与第六绝缘层60的与透射区域TP重叠的一部分之间的台阶差。在制造工艺期间，可防止布置在第六绝缘层60上的第七绝缘层70、第八绝缘层80和像素限定层PDL向下流到透射区域TP。
第七绝缘层70可布置在第六绝缘层60上并且可覆盖第二连接电极CNE2或与第二连接电极CNE2重叠。第八绝缘层80可布置在第七绝缘层70上。
第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每一个可为有机层。作为实例，第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每一个可包括通用聚合物(诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或其共混物。
包括第一发光元件LD1和第二发光元件LD2的发光元件层130可布置在电路层120上。第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每一个可包括像素电极AE、第一功能层HFL、发光层EL、第二功能层EFL和公共电极CE。第一功能层HFL、第二功能层EFL和公共电极CE可连接到多个像素PX(参照图4)并且可公共地设置。
像素电极AE可布置在第八绝缘层80上。像素电极AE可为半透射电极、透射电极或反射电极。根据实施方式，像素电极AE可包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物形成的反射层和形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可包括选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)和掺铝氧化锌(AZO)构成的组中的至少一种。例如，像素电极AE可具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层PDL可布置在第八绝缘层80上。像素限定层PDL可具有光吸收特性，例如，像素限定层PDL可具有黑色。像素限定层PDL可包括黑色着色剂。黑色着色剂可包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可包括炭黑、诸如铬的金属材料或金属材料的氧化物。
像素限定层PDL可设置有通过其限定的开口PDL-OP，以暴露像素电极AE的一部分。例如，像素限定层PDL可覆盖像素电极AE的边缘或与像素电极AE的边缘重叠。像素限定层PDL可覆盖第八绝缘层80的与透射区域TP相邻的侧表面或与第八绝缘层80的与透射区域TP相邻的侧表面重叠。
第一功能层HFL可布置在像素电极AE和像素限定层PDL上。第一功能层HFL可包括空穴传输层，可包括空穴注入层，或者可包括空穴传输层和空穴注入层两者。第一功能层HFL可遍及第一区域A1和第二区域A2布置，并且第一功能层HFL可布置在透射区域TP中。
发光层EL可布置在第一功能层HFL上并且可布置在与像素限定层PDL的开口PDL-OP对应的区域中。发光层EL可包括发射具有颜色的光的有机材料、无机材料或有机-无机材料。发光层EL可布置在第一区域A1和第二区域A2中。布置在第一区域A1中的发光层EL可布置在与透射区域TP间隔开的区域，例如，元件区域EP中。
第二功能层EFL可布置在第一功能层HFL上并且可覆盖发光层EL或与发光层EL重叠。第二功能层EFL可包括电子传输层，可包括电子注入层，或者可包括电子传输层和电子注入层两者。第二功能层EFL可遍及第一区域A1和第二区域A2布置，并且第二功能层EFL也可布置在透射区域TP中。
公共电极CE可布置在第二功能层EFL上。公共电极CE可布置在第一区域A1和第二区域A2中。公共电极CE可设置有通过其限定的开口CE-OP，以与第一开口BM-OP重叠。开口CE-OP的最小宽度可大于阻光层BML的第一开口BM-OP的最小宽度。
发光元件层130还可包括布置在公共电极CE上的遮盖层CPL。遮盖层CPL可包括LiF、无机材料和/或有机材料。遮盖层CPL的与公共电极CE的开口CE-OP重叠的一部分可被去除。因为与透射区域TP重叠的遮盖层CPL的一部分和公共电极CE的一部分被去除，所以可改善透射区域TP的透射率。
封装层140可布置在发光元件层130上。封装层140可包括可彼此顺序地堆叠的无机层141、有机层142和无机层143，然而，包括在封装层140中的层不应限于此或由此限制。
无机层141和143可保护发光元件层130免受湿气和氧气的影响，并且有机层142可保护发光元件层130免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。无机层141和143可包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层142可包括丙烯酸基有机层，然而，它不应限于此或由此限制。
传感器层200可布置在显示层100上。传感器层200可被称为传感器、输入感测层或输入感测面板。传感器层200可包括传感器基础层210、第一传感器导电层220、传感器绝缘层230、第二传感器导电层240和传感器覆盖层250。
传感器基础层210可布置在或直接布置在显示层100上。传感器基础层210可为包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。根据实施方式，传感器基础层210可为包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺基树脂的有机层。传感器基础层210可具有单层结构或在第三方向DR3上堆叠的多个层的多层结构。
第一传感器导电层220和第二传感器导电层240中的每一个可具有单层结构或在第三方向DR3上堆叠的多个层的多层结构。
具有单层结构的导电层可包括金属层或透明导电层。金属层可包括钼、银、钛、铜、铝或其合金。在本公开的精神和范围内，透明导电层可包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌锡(ITZO)等。在本公开的精神和范围内，透明导电层可包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线、石墨烯等。
具有多层结构的导电层可包括金属层。金属层可具有钛/铝/钛的三层结构。具有多层结构的导电层可包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
传感器绝缘层230可布置在第一传感器导电层220与第二传感器导电层240之间。传感器绝缘层230可包括无机层。无机层可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
根据实施方式，传感器绝缘层230可包括有机层。有机层可包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和萘基树脂中的至少一种。
传感器覆盖层250可布置在传感器绝缘层230上并且可覆盖第二传感器导电层240或与第二传感器导电层240重叠。第二传感器导电层240可包括导电图案240P(参照图5)。传感器覆盖层250可覆盖导电图案240P(参照图5)或与导电图案240P(参照图5)重叠并且可减少在后续工艺中在导电图案240P(参照图5)中出现损伤的可能性。
传感器覆盖层250可包括无机材料。作为实例，传感器覆盖层250可包括氮化硅，然而，它不应限于此或由此限制。
抗反射层300可布置在传感器层200上。抗反射层300可包括分割层310、滤色器320和平坦化层330。分割层310和滤色器320可不布置在第一区域A1的透射区域TP中。
分割层310可布置为与第二传感器导电层240重叠。传感器覆盖层250可布置在分割层310与第二传感器导电层240之间。分割层310可防止外部光被第二传感器导电层240反射。用于分割层310的材料不应受到特别限制，只要该材料吸收光即可。分割层310可具有黑色并且可具有黑色着色剂。黑色着色剂可包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可包括炭黑、诸如铬的金属材料或金属材料的氧化物。
分割层310可设置有通过其限定的分割开口3100P和开口31-OP。分割开口3100P可分别与发光层EL重叠。滤色器320可布置为分别对应于分割开口3100P。滤色器320可透射从与滤色器320重叠的发光层EL提供的光。分割层310的开口31-OP可与阻光层BML的第一开口BM-OP重叠。分割层310的开口31-OP的最小宽度可大于阻光层BML的第一开口BM-OP的最小宽度。在与透射区域TP相邻的区域中，分割层310的边缘可比像素限定层PDL的边缘更突出。当在平面图中观察时，分割层310的边缘可布置在像素限定层PDL的边缘与阻光层BML的边缘之间。
平坦化层330可覆盖分割层310和滤色器320或与分割层310和滤色器320重叠。平坦化层330可包括有机材料并且可在其上表面上提供平坦表面。根据实施方式，可省略平坦化层330。
图8B是示出根据实施方式的显示面板DP-1的第二区域A2的示意性剖视图。在参照图8B的以下描述中，将描述与图8A的特征不同的特征。在图8B中，相同的附图标记表示图8A中的相同元件，并且因此，可省略相同元件的详细描述。
参照图8B，显示面板DP-1可包括显示层100-1、传感器层200和抗反射层300-1。显示层100-1可包括衬底110、电路层120、发光元件层130和封装层140。
抗反射层300-1可包括在分割层310上的反射控制层320-1反射控制层320-1320-1，而不是滤色器320。反射控制层320-1反射控制层320-1320-1可选择性地吸收从显示面板和/或电子装置的内部反射的多个光或从显示面板和/或电子装置的外部入射的多个光之中的特定波带的光。
例如，反射控制层320-1反射控制层320-1320-1可吸收约490nm至约505nm的第一波长带和约585nm至约600nm的第二波长带的光，使得第一波长带和第二波长带中的光的透光率为约40％或更小。反射控制层320-1可吸收分别从第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件发射的红色光、绿色光和蓝色光的波长范围之外的波长的光。因为反射控制层320-1吸收不属于从显示元件发射的红色光、绿色光和蓝色光的波长范围的波长的光，因此可防止或最小化显示面板和/或电子装置的亮度的减小。此外，可防止或最小化显示面板和/或电子装置的发光效率的减小，并且可改善显示面板和/或电子装置的可视性。
反射控制层320-1可包括包含有染料、颜料和/或其任何组合的有机材料层。反射控制层320-1可包括四氮杂卟啉(TAP)基化合物、卟啉基化合物、金属卟啉基化合物、恶嗪基化合物、方酸基化合物、三芳基甲烷基化合物、聚甲炔基化合物、蒽醌基化合物、酞菁基化合物、偶氮基化合物、苝基化合物、呫吨基化合物、二亚胺基化合物、二吡咯亚甲基系化合物、花青基化合物和/或其任何组合。
在实施方式中，反射控制层320-1可具有约64％至约72％的透射率。可根据包括在反射控制层320-1中的颜料和/或染料的量来控制反射控制层320-1的透射率。反射控制层320-1在平面图中与显示元件重叠，但是在平面图中不与透射区域TP重叠。在平面图中，透射区域TP可与像素限定层PDL重叠而不与反射控制层320-1重叠。
根据包括反射控制层320-1的实施方式，低反射层LRL可附加地位于遮盖层CPL与封装层140之间。
由于相长干涉的原理，遮盖层CPL可改善显示元件的发光效率。遮盖层CPL可包括例如对于具有约589nm的波长的光具有约1.6或更大的折射率的材料。
遮盖层CPL可为包括有机材料的有机遮盖层、包括无机材料的无机遮盖层或包括有机材料和无机材料的复合遮盖层。例如，遮盖层CPL可包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物和/或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可选择性地被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I和/或其任何组合的取代基取代。
低反射层LRL可位于遮盖层CPL上。低反射层LRL可包括具有低反射率的无机材料。在实施方式中，低反射层LRL可包括金属或金属氧化物。当低反射层LRL包括金属时，低反射层LRL可包括例如镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr))、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)、锗(Ge)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铜(Cu)、钙(Ca)和/或其任何组合。此外，当低反射层LRL包括金属氧化物时，低反射层LRL可包括例如SiO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5、HfO2、Al2O3、ZnO、Y2O3、BeO、MgO、PbO2、WO3、SiNx、LiF、CaF2、MgF2、CdS和/或任何组合。
在实施方式中，包括在低反射层LRL中的无机材料可具有大于0.5且小于或等于4.0(0.5<k≤4.0)的吸收系数(k)。此外，包括在低反射层LRL中的无机材料可具有1或更大(n≥1.0)的折射率(n)。
低反射层LRL诱导在入射到显示面板和/或电子装置上的光与从低反射层LRL下方的金属反射的光之间的相消干涉，使得可减少外部光反射率。因此，可改善显示面板和/或电子装置的显示质量和可视性。
在一些实施方式中，可省略遮盖层CPL，并且低反射层LRL可与公共电极CE接触。
图9是示出根据实施方式的显示面板DP的第一区域A1的示意性剖视图。在参照图9的以下描述中，将对与图7的那些特征不同的特征进行描述。在图9中，相同的附图标记表示图7中的相同元件，并且因此，可省略相同元件的详细描述。
参照图9，包括在电路层120中的缓冲层BF和绝缘层10、20、30、40、50、60、70和80中的至少一些或若干绝缘层可设置有通过其限定的第三开口IL-OPa。作为实例，第三开口IL-OPa可通过第二子缓冲层BF2以及第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50来限定。第一子缓冲层BF1可通过第三开口IL-OPa暴露。因此，第一子缓冲层BF1可与第六绝缘层60接触。
第三开口IL-OPa的最小宽度可小于第一开口BM-OP的最小宽度。第二子缓冲层BF2以及第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50的限定第三开口IL-OPa的侧壁IL-OPSa可比阻光层BML的侧壁BM-OPS更突出。例如，第二子缓冲层BF2和第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50的侧壁IL-OPSa可比阻光层BML的侧壁BM-OPS更靠近透射区域TP的中心突出。
第三开口IL-OPa可限定在与透射区域TP重叠的区域中。例如，因为第二子缓冲层BF2、第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50中的每一个的与透射区域TP重叠的一部分被去除，所以可改善透射区域TP的透射率。
虽然已描述了实施方式，但是应理解，本公开不应限于这些实施方式，而是能够由本领域普通技术人员在如随附的要求保护的本公开的精神和范围内进行各种改变和修改。因此，所公开的主题不应限于本文中所描述的任何单个实施方式，并且本公开的范围也应根据随附的权利要求书来确定。

Claims (10)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
显示面板，所述显示面板包括：
衬底；
阻光层，所述阻光层布置在所述衬底上，所述阻光层包括限定透射区域的第一开口；
至少一个下绝缘层，所述至少一个下绝缘层布置在所述阻光层与所述衬底之间，所述至少一个下绝缘层包括与所述第一开口重叠的第二开口；
多个像素电路，所述多个像素电路布置在所述阻光层上；
多个发光元件，所述多个发光元件电连接到所述多个像素电路；以及
封装层，所述封装层与所述多个发光元件重叠。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述阻光层的限定所述阻光层的所述第一开口的侧壁与所述至少一个下绝缘层的限定所述至少一个下绝缘层的所述第二开口的侧壁对齐。
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，
所述至少一个下绝缘层包括：
第一下绝缘层，所述第一下绝缘层布置在所述衬底与所述阻光层之间；以及
第二下绝缘层，所述第二下绝缘层布置在所述第一下绝缘层与所述衬底之间，并且
所述第一下绝缘层具有与所述第二下绝缘层的折射率不同的折射率。
4.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，
所述第一下绝缘层包括氧化硅，并且
所述第二下绝缘层包括非晶硅。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，
所述显示面板还包括：
第一区域，所述第一区域包括所述透射区域和元件区域；以及
第二区域，所述第二区域与所述第一区域相邻，并且
所述显示面板还包括：
第一子阻挡层，所述第一子阻挡层布置在所述衬底与所述至少一个下绝缘层之间；以及
第二子阻挡层，所述第二子阻挡层布置在所述第一子阻挡层与所述至少一个下绝缘层之间，并且
所述第一子阻挡层和所述第二子阻挡层布置在所述显示面板的所述第一区域和所述第二区域两者中。
6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，
所述显示面板还包括布置在所述第二子阻挡层中的后表面阻光层，并且
所述后表面阻光层布置在所述显示面板的所述第二区域中。
7.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，
所述衬底包括：
第一子基础层；
第一中间阻挡层，所述第一中间阻挡层布置在所述第一子基础层上；
第二中间阻挡层，所述第二中间阻挡层布置在所述第一中间阻挡层上；以及
第二子基础层，所述第二子基础层布置在所述第二中间阻挡层上，并且
所述第一中间阻挡层具有介于所述第一子基础层的折射率与所述第二中间阻挡层的折射率之间的折射率。
8.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述第一子阻挡层的折射率介于所述第二子基础层的折射率与所述第二子阻挡层的折射率之间。
9.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，
所述第一子基础层和所述第二子基础层包括聚酰亚胺基树脂，
所述第一子阻挡层和所述第一中间阻挡层包括氮氧化硅，并且
所述第二子阻挡层和所述第二中间阻挡层包括氧化硅。
10.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述显示面板还包括布置在所述第二子阻挡层上的与所述至少一个下绝缘层和所述阻光层重叠的缓冲层。
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