CN220986092U - 电子装置 - Google Patents

Abstract

公开了电子装置。电子装置包括显示面板，显示面板包括第一区和与第一区相邻的第二区。显示面板包括第一发光单元和第二发光单元，第一发光单元布置在第一区中并且包括多个第1‑1发光元件、多个第1‑2发光元件和多个第1‑3发光元件，第二发光单元布置在第一区中并且包括多个第2‑1发光元件、多个第2‑2发光元件和多个第2‑3发光元件。多个第1‑1发光元件和多个第2‑1发光元件具有相同的排列图案，多个第1‑3发光元件和多个第2‑3发光元件具有相同的排列图案，并且多个第1‑2发光元件和多个第2‑2发光元件具有不同的排列图案。

Description

电子装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年9月16日提交到韩国知识产权局的第10-2022-0116739号韩国专利申请的优先权以及权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

实施方式涉及具有改善的产品性能的电子装置。

背景技术

电子装置可包括各种电子部，诸如显示面板、电子模块和类似物。电子模块可包括相机、红外传感器、接近传感器或类似物。电子模块可布置在显示面板下方。显示面板的局部区可具有比显示面板的另一局部区高的透射率。电子模块可通过显示面板的局部区接收外部输入，或者可通过显示面板的局部区提供输出。

实用新型内容

实施方式提供了具有改善的产品性能的电子装置。

然而，本公开的实施方式不限于本文中阐述的实施方式。通过参照下面给出的本公开的详细描述，以上和其它的实施方式将对本公开所属的领域的普通技术人员变得更加显而易见。

根据实施方式，电子装置可包括显示面板，显示面板包括第一区和与第一区相邻的第二区。显示面板可包括第一发光单元和第二发光单元，第一发光单元布置在第一区中并且包括多个第1-1发光元件、多个第1-2发光元件和多个第1-3发光元件，第二发光单元布置在第一区中并且包括多个第2-1发光元件、多个第2-2发光元件和多个第2-3发光元件。多个第1-1发光元件和多个第2-1发光元件具有相同的排列图案，多个第1-3发光元件和多个第2-3发光元件具有相同的排列图案，并且多个第1-2发光元件和多个第2-2发光元件具有不同的排列图案。

显示面板还可包括电连接到多个第1-1发光元件的第1-1像素电路、电连接到多个第1-2发光元件的第1-2像素电路以及电连接到多个第1-3发光元件的第1-3像素电路。

第一区可包括第一子区、第二子区、多个第三子区和第四子区，第二子区围绕第一子区并且具有比第一子区的透光率低的透光率，多个第三子区彼此间隔开，第二子区在多个第三子区之间，第四子区围绕第二子区和多个第三子区，并且第二区可围绕第四子区。

第一发光单元和第二发光单元可布置在第一子区中，并且第1-1像素电路、第1-2像素电路和第1-3像素电路可布置在多个第三子区中。

第一子区可包括布置有第一发光单元的第一分区和布置有第二发光单元的第二分区。

第二分区可围绕第一分区。

显示面板还可包括分别布置在第二子区、多个第三子区和第四子区中的多个中间发光单元。多个中间发光单元中的每个可包括多个第3-1发光元件、多个第3-2发光元件和多个第3-3发光元件。多个第1-1发光元件的数量可等于多个第3-1发光元件的数量，并且多个第1-3发光元件的数量可等于多个第3-3发光元件的数量。多个第1-2发光元件的数量可小于多个第3-2发光元件的数量。

显示面板还可包括布置在第二区中的主发光单元。主发光单元可包括多个第一发光元件、多个第二发光元件和多个第三发光元件，并且多个第二发光元件的数量可大于多个第1-2发光元件的数量。

显示面板还可包括多个主像素电路。多个第一发光元件、多个第二发光元件和多个第三发光元件可以一对一的方式电连接到多个主像素电路。

在第一发光单元和第二发光单元中的每个中可限定有第一点、在第一方向上与第一点间隔开的第二点、在与第二方向相交的第二方向上与第一点间隔开的第三点、在第一方向上与第三点间隔开的第四点、布置在第一点、第二点、第三点和第四点之间的第一选择点、在第一方向上与第一选择点间隔开的第二选择点、在第二方向上与第一选择点间隔开的第三选择点以及在第一方向上与第三选择点间隔开的第四选择点。

多个第1-1发光元件可布置在第一发光单元的第二点和第三点处。多个第1-2发光元件可布置在第一发光单元的选自第一选择点至第四选择点中的两个选择点处。多个第1-3发光元件可布置在第一发光单元的第一点和第四点处。多个第2-1发光元件可布置在第二发光单元的第二点和第三点处。多个第2-2发光元件可布置在第二发光单元的选自第一选择点至第四选择点中的两个选择点处。多个第2-3发光元件可布置在第二发光单元的第一点和第四点处。

与多个第1-2发光元件重叠的两个选择点可对应于通过第一选择点到第四选择点形成的六个组合中的一个，并且与多个第2-2发光元件重叠的两个选择点可对应于六个组合中的另一个。

显示面板还可包括布置在第一区中的第三发光单元、布置在第一区中的第四发光单元、布置在第一区中的第五发光单元和布置在第一区中的第六发光单元中的至少一个。包括在第三发光单元至第六发光单元中的各自的多个发光元件的排列图案可分别对应于六个组合的其余四个组合。

多个第1-1发光元件和多个第2-1发光元件可为红色发光元件。多个第1-2发光元件和多个第2-2发光元件可为绿色发光元件。多个第1-3发光元件和多个第2-3发光元件可为蓝色发光元件。

电子装置还可包括布置在显示面板的第一区下方的相机模块，并且可在第一区中限定有多个透射区。

根据实施方式，电子装置可包括显示面板，显示面板包括第一发光单元和第二发光单元，第一发光单元包括六个第一排列发光元件，第二发光单元包括六个第二排列发光元件。在第一发光单元和第二发光单元中的每个中可限定有第一点、在第一方向上与第一点间隔开的第二点、在与第一方向相交的第二方向上与第一点间隔开的第三点、在第一方向上与第三点间隔开的第四点、限定在第一点、第二点、第三点和第四点之间的第一选择点、在第一方向上与第一选择点间隔开的第二选择点、在第二方向上与第一选择点间隔开的第三选择点以及在第一方向上与第三选择点间隔开的第四选择点。在多个第一排列发光元件之中，四个第一排列发光元件可布置在第一点至第四点处，并且两个第一排列发光元件可布置在第一选择点至第四选择点之中的第一组合的两个选择点处。在多个第二排列发光元件之中，四个第二排列发光元件可布置在第一点至第四点处，并且两个第二排列发光元件可布置在第一选择点至第四选择点之中的不同于第一组合的第二组合的两个选择点处。

在显示面板中可限定有第一区和与第一区相邻并且具有比第一区的透光率低的透光率的第二区。第一区可包括第一子区、围绕第一子区并且可具有比第一子区的透光率低的透光率的第二子区、在第二子区介于其间的情况下彼此间隔开的多个第三子区以及围绕第二子区和多个第三子区的第四子区。第一发光单元和第二发光单元可布置在第一子区中。

第一子区可包括布置有第一发光单元的第一分区和布置有第二发光单元的第二分区。

显示面板还可包括电连接到第一发光单元的三个第一像素电路和电连接到第二发光单元的三个第二像素电路，并且第一像素电路和第二像素电路可布置在多个第三子区中。

显示面板还可包括中间发光单元和电连接到中间发光单元的三个第三像素电路，中间发光单元布置在第二子区、多个第三子区或第四子区中，并且包括八个中间发光元件。

根据实施方式，电子装置可包括显示面板，显示面板包括第一区和与第一区相邻的第二区，并且第一区可包括包含有透射区的第一子区和与第一子区间隔开的第二子区。显示面板可包括布置在第一子区中并且包括根据第一排列图案排列的多个第一绿色发光元件的第一发光单元、布置在第一子区中并且包括根据不同于第一排列图案的第二排列图案排列的多个第二绿色发光元件的第二发光单元、布置在第二子区中并且电连接到多个第一绿色发光元件的第一像素电路以及布置在第二子区中并且电连接到多个第二绿色发光元件的第二像素电路。

第一发光单元还可包括多个第一蓝色发光元件和多个第一红色发光元件。第二发光单元还可包括多个第二蓝色发光元件和多个第二红色发光元件，多个第一蓝色发光元件和多个第二蓝色发光元件根据相同的排列图案排列，并且多个第一红色发光元件和多个第二红色发光元件根据相同的排列图案排列。

根据实施方式，电子装置可包括包含有第一区和与第一区相邻的第二区的显示面板。显示面板包括第一发光单元和第二发光单元，第一发光单元布置在第一区中，第一发光单元包括多个第1-2发光元件，第二发光单元布置在第一区中，第二发光单元包括多个第2-2发光元件，并且多个第1-2发光元件和多个第2-2发光元件具有不同的排列图案。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它的目标和特征将变得显而易见。

图1A和图1B是根据实施方式的电子装置的示意性透视图。

图2A是根据实施方式的电子装置的示意性分解透视图。

图2B是根据实施方式的电子装置的框图。

图3是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图4是根据实施方式的显示面板的示意性平面视图。

图5是根据实施方式的像素的等效电路的示意图。

图6是示出根据实施方式的显示面板的局部区的示意性放大平面视图。

图7A至图7F是示出根据实施方式的发光单元的示意性平面视图。

图8A至图8C是示出根据实施方式的第一子区的示意性平面视图。

图9是示出根据实施方式的发光单元的示意性平面视图。

图10是示出根据实施方式的发光单元和像素电路的示意性平面视图。

图11是示出根据实施方式的发光单元和像素电路的示意性平面视图。

图12是示出根据实施方式的发光单元和像素电路的示意性平面视图。

图13是示出根据实施方式的发光单元和像素电路的示意性平面视图。

图14是根据实施方式的显示面板的示意性剖视图。

图15是根据实施方式的显示面板的示意性剖视图。

图16A是示出根据实施方式的显示面板的局部区的示意性放大平面视图。

图16B是示出根据实施方式的显示面板的局部区的示意性放大平面视图。

图17A是示出根据实施方式的显示面板的局部区的示意性放大平面视图。

图17B是示出根据实施方式的显示面板的局部区的示意性放大平面视图。

图17C是示出根据实施方式的显示面板的局部区的示意性放大平面视图。

图18是示出根据实施方式的显示面板的制造方法的步骤的示意性平面视图。

图19是用于描述根据实施方式的随机排列的示意性平面视图。

具体实施方式

在以下描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本申请的各种实施方式或实现方式的透彻理解。如本文中所使用的“实施方式”和“实现方式”为可互换词，为本文中公开的装置或方法的非限制性实例。然而，显而易见的是，各种实施方式可在没有这些具体细节的情况下或者在一个或多个等同布置的情况下实践。这里，各种实施方式不必为排他性的，也不必限制本公开。例如，实施方式的具体形状、配置和特性可在另一实施方式中使用或实现。

除非另有说明，否则示出的实施方式将被理解为提供本申请的特征。因此，除非另有说明，否则各种实施方式的特征、部件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中被单独称为或统称为“元件”)可在不背离本申请的情况下以其它方式组合、分离、互换和/或重新排列。

交叉影线和/或阴影在附图中的使用通常被提供为阐明相邻元件之间的边界。由此，除非说明，否则无论交叉影线或阴影的存在与否都不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。另外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，元件的大小和相对大小可能被夸大。当实施方式可不同地实现时，具体工艺顺序可与描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。而且，类似的附图标记表示类似的元件。

当诸如层的元件被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上，直接连接到或联接到另一元件或层，或者可存在居间元件或居间层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，则不存在居间元件或居间层。为此，术语“连接”可是指在具有或不具有居间元件的情况下的物理、电和/或流体连接。另外，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3不限于直角坐标系的与三个轴(诸如X-轴、Y-轴和Z-轴)对应的方向，并且可被解释为更广泛的意义。例如，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。另外，X-轴、Y-轴和Z-轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可被解释为更广泛的意义。例如，X-轴、Y-轴和Z-轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“A和B中的至少一个”可被解释为理解为意味着仅A、仅B、或A和B的任何组合。而且，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z构成的集群中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z、或X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联所列项目中的一个或多个的任何和全部的组合。

尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件能被称作第二元件。

空间相对术语，诸如“之下(beneath)”、“下面(below)”、“下方(under)”、“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”、“上面(over)”、“更高(higher)”、“侧(side)”(例如，如在“侧壁(sidewall)”中)和类似词，可在本文中出于描述的目的使用，并且从而用于描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语还旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下面”或“之下”的元件将随后被取向在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下面”能够涵盖上方和下面的取向两者。此外，设备可以其它方式取向(例如，旋转90度或在其它取向处)，并且由此，本文中所使用的空间相对描述词被相应地解释。

本文中所使用的专业用语出于描述特定实施方式的目的，并且不旨在进行限制。除非上下文另有清楚指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。此外，当术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时，说明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在，但不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或添加。也要注意的是，如本文中所使用的术语“基本上(substantially)”、“约(about)”以及其它相似术语被用作近似的术语并且不被用作程度的术语，并且由此，被利用以考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。

在本文中参照为实施方式和/或中间结构的示意性图示的剖面图示和/或分解图示对各种实施方式进行描述。由此，由例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化将被预料。因此，本文中公开的实施方式不必须被解释为限于特定所示的区的形状，而是将包括由例如制造引起的形状上的偏差。通过这种方式，附图中所示的区本质上可为示意性的，并且这些区的形状可不反映装置的区的实际形状，并且由此，不必须旨在进行限制。

如本领域中的惯例，在功能块、单元和/或模块方面，在附图中描述并且示出了一些实施方式。本领域技术人员将领会的是，这些块、单元和/或模块通过电子(或光学)电路(诸如可使用基于半导体的制造技术或其它制造技术形成的逻辑电路、分立部件、微处理器、硬连线电路、存储器元件、布线连接件和类似物)物理地实现。在由微处理器或其它相似硬件实现的块、单元和/或模块的情况下，可使用软件(例如，微代码)对它们进行编程和控制，以执行本文中所讨论的各种功能，并且可选择性由固件和/或软件来驱动。也预期的是，每个块、单元和/或模块可由专用硬件实现，或者实现为执行一些功能的专用硬件与执行其它功能的处理器(例如，一个或多个编程的微处理器和相关联的电路)的组合。而且，在不背离本申请的范围的情况下，一些实施方式的每个块、单元和/或模块可物理地分离成两个或更多个交互并且分立的块、单元和/或模块。此外，在不背离本申请的范围的情况下，一些实施方式的块、单元和/或模块可物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。

在下文中，将参照附图来描述实施方式。

图1A和图1B是根据实施方式的电子装置EDE的示意性透视图。图1A示出了电子装置EDE的平坦状态(或展开状态)，并且图1B示出了电子装置EDE的折叠状态。

参照图1A和图1B，根据实施方式的电子装置EDE可包括由第一方向DR1和与第一方向DR1相交的第二方向DR2限定的显示表面DS。电子装置EDE可通过显示表面DS向用户提供图像IM。

显示表面DS可包括显示区DA和围绕显示区DA的非显示区NDA。显示区DA可显示图像IM，并且非显示区NDA可不显示图像IM。非显示区NDA可围绕显示区DA。然而，显示区DA的形状和非显示区NDA的形状可进行修改。在另一实例中，可省略非显示区NDA。

在下文中，基本上垂直于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的方向限定为第三方向DR3。例如，本文中所使用的表述“在平面视图中”可意味着在第三方向DR3上观察。

在电子装置EDE的显示区DA中可限定有传感器区ED-SA。尽管在图1A中示出了传感器区ED-SA作为实例，但传感器区ED-SA的数量不限于此。传感器区ED-SA可为显示区DA的一部分。因此，电子装置EDE可通过传感器区ED-SA显示图像。

在与传感器区ED-SA重叠的区中可布置有电子模块。电子模块可接收通过传感器区ED-SA传送的外部输入，或者可通过传感器区ED-SA提供输出。例如，电子模块可为相机模块、诸如接近传感器的测量距离的传感器、识别用户的身体的一部分(例如，指纹、虹膜或面部)的传感器、或者输出光的小灯。然而，实施方式不限于此。在下文中，将对与传感器区ED-SA重叠的电子模块为相机模块进行描述。

电子装置EDE可包括折叠区FA以及非折叠区NFA1和NFA2。非折叠区NFA1和NFA2可包括第一非折叠区NFA1和第二非折叠区NFA2。折叠区FA可布置在第一非折叠区NFA1与第二非折叠区NFA2之间。折叠区FA可被称为可折叠区，并且第一非折叠区NFA1和第二非折叠区NFA2可被称为第一不可折叠区和第二不可折叠区。

如图1B中所示，折叠区FA可绕平行于第一方向DR1的折叠轴FX折叠。在电子装置EDE的折叠状态下，折叠区FA可具有某一曲率和某一曲率半径。电子装置EDE可向内折叠，以使得第一非折叠区NFA1和第二非折叠区NFA2可彼此面对，并且显示表面DS可不暴露于外部。

在实施方式中，电子装置EDE可向外折叠，以使得显示表面DS可暴露于外部。在实施方式中，电子装置EDE可在平坦状态下向内或向外折叠。然而，实施方式不限于此。在实施方式中，电子装置EDE可选择展开操作、向内折叠操作和向外折叠操作中的一个。在实施方式中，在电子装置EDE中可限定有多个折叠轴，并且电子装置EDE可在平坦状态下绕多个折叠轴中的每个向内或向外折叠。

尽管已参照图1A和图1B将可折叠的电子装置EDE描述为实例，但实施方式不限于可折叠的电子装置EDE。例如，电子装置EDE可实现为刚性电子装置，例如，不包括折叠区FA的电子装置。

图2A是根据实施方式的电子装置EDE的示意性分解透视图。图2B是根据实施方式的电子装置EDE的示意性框图。

参照图2A和图2B，电子装置EDE可包括显示装置DD、第一电子模块EM1、第二电子模块EM2、电源模块PM以及壳体EDC1和EDC2。电子装置EDE还可包括用于控制显示装置DD的折叠操作的机械结构。

显示装置DD可包括窗模块WM和显示模块DM。窗模块WM可形成电子装置EDE的前表面。显示模块DM可至少包括显示面板DP。显示模块DM可生成图像并且检测外部输入。

在图2A中，显示模块DM示出为与显示面板DP相同。然而，显示模块DM基本上可为堆叠有包括显示面板DP的部件的堆叠结构。下面将详细描述显示模块DM的堆叠结构。

显示面板DP可包括与电子装置EDE的显示区DA(参照图1A)和非显示区NDA(参照图1A)对应的显示区DP-DA和非显示区DP-NDA。本文中所使用的表述“一个区/部分对应于另一区或部分”意味着区/部分彼此重叠，并且不限于具有相同的面积。

显示区DP-DA可包括第一区A1和第二区A2。第一区A1可与电子装置EDE的传感器区ED-SA(参照图1A)重叠(或对应)。尽管在本实施方式中第一区A1示出为圆形形状，但第一区A1可具有各种形状，诸如多边形形状、椭圆形形状、具有至少一个曲边的形状或不规则形状，并且不限于任何一个实施方式。第一区A1可被称为部件区，并且第二区A2可被称为主显示区或正常显示区。

第一区A1的至少一部分可具有比第二区A2高的透射率(或高的透光率)。在另一实例中，第一区A1可具有比第二区A2低的分辨率。然而，实施方式不限于此。例如，第一区A1的至少一部分可具有比第二区A2高的透射率(或高的透光率)，但第一区A1的分辨率可与第二区A2的分辨率基本上相同。第一区A1可与下面将要描述的相机模块CMM重叠。

显示面板DP可包括显示层100和传感器层200。

显示层100可为基本上生成图像的部件。显示层100可为发射型显示层。例如，显示层100可为有机发光显示层、无机发光显示层、有机-无机发光显示层、量子点显示层、微LED显示层或纳米LED显示层。

传感器层200可感测从外部施加的外部输入。外部输入可为用户输入。用户输入可包括各种类型的外部输入，诸如用户的身体的一部分、光、热、笔或压力。

显示模块DM可包括布置在非显示区DP-NDA上的驱动器集成电路(IC)DIC。显示模块DM还可包括联接到非显示区DP-NDA的柔性电路膜FCB。

驱动器IC DIC可包括用于驱动显示面板DP的像素的驱动元件(例如，数据驱动电路)。尽管图2A示出了驱动器IC DIC安装在显示面板DP上的结构，但实施方式不限于此。例如，驱动器IC DIC可安装在柔性电路膜FCB上。

电源模块PM可供给电子装置EDE的整体操作所需的电力。电源模块PM可包括电池模块。

第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可包括用于操作电子装置EDE的各种功能模块。第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可安装(例如，直接安装)在与显示面板DP电连接的母板上，或者可安装在单独的衬底上并且可通过连接器与母板电连接。

第一电子模块EM1可包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IIM、音频输入模块AIM、存储器MM和外部接口IF。

控制模块CM可控制电子装置EDE的整体操作。控制模块CM可为微处理器。例如，控制模块CM可激活或停用显示面板DP。控制模块CM可基于从显示面板DP接收的触摸信号来控制其它模块，诸如图像输入模块IIM或音频输入模块AIM。

无线通信模块TM可通过第一网络(例如，诸如蓝牙、WiFi直连或红外数据协会(IrDA)的短距离通信网络)或第二网络(例如，诸如蜂窝网络、互联网或计算机网络(例如，LAN或WAN)的长距离通信网络)与外部电子装置进行通信。包括在无线通信模块TM中的通信模块可集成到部件(例如，单个芯片)中，或者可实现为彼此分离的部件(例如，芯片)。无线通信模块TM可通过使用通用通信线路来发送/接收音频信号。无线通信模块TM可包括对待发送的信号进行调制并且发送经调制的信号的发送器TM2和对接收的信号进行解调的接收器TM1。

图像输入模块IIM可处理图像信号以将图像信号转换为显示在显示面板DP上的图像数据。音频输入模块AIM可在语音记录模式或语音识别模式下通过麦克风接收外部音频信号，并且可将外部音频信号转换为电语音数据。

外部接口IF可包括能够物理连接电子装置EDE和外部电子装置的连接器。例如，外部接口IF可用作控制模块CM与诸如外部充电器、有线/无线数据端口、卡(例如，存储器卡和SIM/UIM卡)等的外部装置之间的接口。

第二电子模块EM2可包括音频输出模块AOM、发光模块LTM、光接收模块LRM和相机模块CMM。音频输出模块AOM可转换从无线通信模块TM接收的音频数据或存储在存储器MM中的音频数据，并且可将经转换的数据输出到外部。

发光模块LTM可生成光并且可输出光。发光模块LTM可输出红外光。发光模块LTM可包括LED元件。光接收模块LRM可感测红外光。在感测到高于某一水平的红外光的情况下，可激活光接收模块LRM。光接收模块LRM可包括CMOS传感器。由发光模块LTM生成的红外光可被外部物体(例如，用户的手指或面部)反射，并且反射的红外光可入射在光接收模块LRM上。

相机模块CMM可拍摄静止图像和运动图像(例如，视频)。可提供(或实现)多个相机模块CMM。相机模块CMM的一部分可与第一区A1重叠。外部输入(例如，光)可通过第一区A1提供到相机模块CMM。例如，相机模块CMM可通过接收经过第一区A1的自然光来拍摄外部图像。

壳体EDC1和EDC2可容纳显示模块DM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2以及电源模块PM。壳体EDC1和EDC2可保护容纳在壳体EDC1和EDC2中的、诸如显示模块DM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2以及电源模块PM的部件。尽管在图2A中示出了彼此分离的两个壳体EDC1和EDC2作为实例，但实施方式不限于此。例如，电子装置EDE还可包括用于连接两个壳体EDC1和EDC2的铰接结构。壳体EDC1和EDC2可联接到窗模块WM。

图3是根据实施方式的显示装置DD的示意性剖视图。图3是根据实施方式的沿图2A的线I-I'截取的显示装置DD的示意性剖视图。

参照图3，显示装置DD可包括窗模块WM和显示模块DM。

窗模块WM可包括窗UT、布置在窗UT上的保护膜PF和边框图案BP。

窗UT可为化学强化的玻璃。由于窗UT应用于显示装置DD，因此尽管重复进行折叠操作和展开操作，但折痕(或褶皱)可最小化。

保护膜PF可包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚酰胺、三乙酰纤维素、聚甲基丙烯酸甲酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。例如，在保护膜PF的上表面上可布置有硬涂层、抗指纹层和抗反射层中的至少一个。

边框图案BP可与非显示区NDA(参照图1A)重叠。边框图案BP可布置在窗UT的表面或保护膜PF的表面上。在图3中，示出了布置在保护膜PF的下表面上的边框图案BP作为实例。然而，实施方式不限于此，并且边框图案BP可布置在保护膜PF的上表面、窗UT的上表面或窗UT的下表面上。边框图案BP可为着色阻光膜，并且可通过例如涂覆方法形成。边框图案BP可包括基础材料和混合在基础材料中的染料或颜料。边框图案BP在平面视图中可具有闭合线形状。

在保护膜PF与窗UT之间可布置有第一粘合层AL1。第一粘合层AL1可为压敏粘合剂(PSA)膜或光学透明粘合剂(OCA)构件。下面将要描述的粘合层也可与第一粘合层AL1相同，并且可包括粘合剂。

第一粘合层AL1可具有足以覆盖边框图案BP的厚度。例如，边框图案BP可具有在约3微米至约8微米的范围内的厚度，并且第一粘合层AL1可具有处于在边框图案BP周围不生成气泡的水平的厚度。

第一粘合层AL1可与窗UT分离。由于保护膜PF具有比窗UT低的强度，因此保护膜PF可能相对容易被刮擦。在第一粘合层AL1和损坏的保护膜PF从窗UT分离之后，新的保护膜PF可附接到窗UT。

显示模块DM可包括冲击吸收层DML、显示面板DP和下构件LM。

冲击吸收层DML可布置在显示面板DP上。冲击吸收层DML可为用于保护显示面板DP免受外部冲击的功能层。冲击吸收层DML可通过第二粘合层AL2联接到窗UT，并且可通过第三粘合层AL3联接到显示面板DP。

下构件LM可布置在显示面板DP下方。下构件LM可包括面板保护层PPF、支承层PLT、覆盖层SCV、数字转换器DGZ、屏蔽层MMP、散热层CU、保护层PET和防水带WFT。在实施方式中，下构件LM可不包括前述部件中的一些，或者还可包括其它部件。此外，图3中所示的堆叠顺序为实例，并且可改变部件堆叠的顺序。

面板保护层PPF可布置在显示面板DP下方。面板保护层PPF可通过第四粘合层AL4附接到显示面板DP的后表面。面板保护层PPF可保护显示面板DP的下部。面板保护层PPF可包括柔性塑料材料。在显示面板DP的制造工艺期间，面板保护层PPF可防止显示面板DP的后表面上的刮擦。面板保护层PPF可为着色聚酰亚胺膜。例如，面板保护层PPF可为不透明的黄色膜，但实施方式不限于此。

支承层PLT可布置在面板保护层PPF下方。支承层PLT可支承布置在支承层PLT的上侧上的部件，并且可保持显示装置DD的平坦状态(或展开状态)和折叠状态。在实施方式中，支承层PLT可至少包括与第一非折叠区NFA1对应(或布置在第一非折叠区NFA1中)的第一支承部分、与第二非折叠区NFA2对应(或布置在第二非折叠区NFA2中)的第二支承部分以及与折叠区FA对应(或布置在折叠区FA中)的折叠部分。第一支承部分和第二支承部分可在第二方向DR2上彼此间隔开。折叠部分可布置在第一支承部分与第二支承部分之间，并且在折叠部分中可形成有开口OP。支承层PLT的一部分的柔性可通过开口OP而改善。支承层PLT的与折叠区FA重叠的部分的柔性可通过开口OP而改善。

支承层PLT可包括碳纤维增强塑料(CFRP)，但实施方式不限于此。在另一实例中，第一支承部分和第二支承部分可包括非金属材料、塑料、玻璃纤维增强塑料或玻璃。塑料可包括聚酰亚胺、聚乙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯，但实施方式不受限制。第一支承部分和第二支承部分可包括相同的材料。折叠部分可包括与第一支承部分和第二支承部分的材料相同(或不同)的材料。例如，折叠部分可包括具有约60GPa或更大的弹性模量的材料，并且可包括诸如不锈钢的金属材料。例如，折叠部分可包括SUS304。然而，在不限于此的情况下，折叠部分可包括各种金属材料。

支承层PLT可通过第五粘合层AL5附接到面板保护层PPF。可提供有多个第五粘合层AL5。多个第五粘合层AL5可在折叠区FA介于其间的情况下彼此间隔开。第五粘合层AL5可不与开口OP重叠。此外，在平面视图中，第五粘合层AL5可与开口OP间隔开。由于第五粘合层AL5没有布置在与折叠区FA对应的区中，因此可改善支承层PLT的柔性。

在与折叠区FA重叠的区中，面板保护层PPF可与支承层PLT间隔开。例如，在与折叠区FA重叠的部分中，空的空间可形成在支承层PLT与面板保护层PPF之间。由于在面板保护层PPF与支承层PLT之间形成有空的空间，因此形成在支承层PLT中的开口OP的形状可不从电子装置EDE(参照图1A)外部可见。

第五粘合层AL5可具有比第四粘合层AL4小的厚度。例如，第四粘合层AL4可具有约25微米的厚度，并且第五粘合层AL5可具有约16微米的厚度。随着第五粘合层AL5的厚度减小，由第五粘合层AL5导致的台阶差可减小。随着台阶差减小，由于电子装置EDE(参照图1A)的折叠操作和展开操作而引起的堆叠结构的变形可减小。然而，开口OP可能为可见的，或者第五粘合层AL5可能通过重复的折叠操作而分离。随着第五粘合层AL5的厚度增加，开口OP可为不可见的，并且尽管重复的折叠操作，相对于第五粘合层AL5的粘合力的可靠性仍可改善，然而，台阶差可能增加。因此，可在考虑折叠可靠性、粘合可靠性和开口OP的可视性的情况下在适当的范围内选择第五粘合层AL5的厚度。

覆盖层SCV可布置在支承层PLT下方。覆盖层SCV可通过粘合构件联接到支承层PLT。覆盖层SCV可覆盖形成在支承层PLT中的开口OP。因此，覆盖层SCV可防止异物渗入(或渗透)到开口OP中。覆盖层SCV可具有比支承层PLT低的弹性模量。例如，覆盖层SCV可包括热塑性聚氨酯、橡胶或硅酮，但实施方式不限于此。

数字转换器DGZ可布置在支承层PLT下方。数字转换器DGZ可通过第六粘合层AL6附接到支承层PLT。可提供有多个数字转换器DGZ。例如，数字转换器DGZ可在第二方向DR2上彼此间隔开。数字转换器DGZ中的每个的一部分可与第一非折叠区NFA1或第二非折叠区NFA2重叠，并且其余部分可与折叠区FA重叠。在平面视图中，数字转换器DGZ中的每个的一部分可与开口OP中的一些重叠。

数字转换器DGZ中的每个可包括生成与输入装置(在下文中被称为笔)的某一谐振频率的磁场的环形线圈。数字转换器DGZ可被称为电磁场辐射(EMR)检测面板。

由数字转换器DGZ形成的磁场可施加到包括电感器(例如，线圈)和电容器的笔的LC谐振电路。线圈可通过接收的磁场生成电流，并且可将生成的电流传送到电容器。电容器可改变从线圈输入的电流，并且将经充电的电流放电到线圈。因此，谐振频率的磁场由线圈发射。由笔发射的磁场可再次由数字转换器DGZ的环形线圈吸收，并且因此可确定与数字转换器DGZ相邻的笔的位置。

可提供有多个屏蔽层MMP。屏蔽层MMP可布置在数字转换器DGZ下方。屏蔽层MMP可包括磁性金属粉末。屏蔽层MMP可被称为磁性金属粉末层、磁性层、磁性电路层或磁性路径层。屏蔽层MMP可屏蔽磁场。

可提供有多个散热层CU。散热层CU可分别布置在屏蔽层MMP下方。散热层CU可为具有高导热性的片。例如，散热层CU可包括石墨、铜或铜合金，但实施方式不限于此。

可提供有多个保护层PET。保护层PET可分别布置在散热层CU下方。保护层PET可为绝缘层。例如，保护层PET可为提供为防止静电引入的层。因此，保护层PET可防止柔性电路膜FCB(参照图2A)电干扰布置在保护层PET上的构件。

可提供有多个防水带WFT。防水带WFT可附接到屏蔽层MMP和保护层PET。防水带WFT可附接到配套支架上。防水带WFT之中的附接到屏蔽层MMP的防水带的厚度和附接到保护层PET的防水带的厚度可彼此不同。

在下构件LM的至少一些部件中可形成有通孔COP。通孔COP可与电子装置EDE的传感器区ED-SA(参照图1A)重叠(或对应)。相机模块CMM(参照图2A)的至少一部分可插入到通孔COP中。

在图3中，通孔COP示出为从多个保护层PET之中的一保护层的后表面提供到第五粘合层AL5。然而，实施方式不限于此。例如，通孔COP可从保护层的后表面提供到面板保护层PPF的上表面，或者从保护层的后表面提供到第四粘合层AL4的上表面。

图4是根据实施方式的显示面板DP的示意性平面视图。

参照图4，在显示面板DP中可限定有显示区DP-DA和在显示区DP-DA周围的非显示区DP-NDA。显示区DP-DA和非显示区DP-NDA可根据是否布置有像素PX来彼此区分开。像素PX布置在显示区DP-DA中。在非显示区DP-NDA中可布置有扫描驱动器SDV、数据驱动器和发射驱动器EDV。数据驱动器可为配置在驱动器IC DIC中的电路。

显示区DP-DA可包括第一区A1和第二区A2。第一区A1和第二区A2可根据像素PX之间的间隙、像素PX的大小、像素PX的形状或者透射区TP(参照图6)的存在与否来彼此区分开。下面将给出关于第一区A1和第二区A2的详细描述。

显示面板DP可包括在第二方向DR2上限定的第一面板区AA1、弯曲区BA和第二面板区AA2。第二面板区AA2和弯曲区BA可为非显示区DP-NDA的局部区。弯曲区BA可布置在第一面板区AA1与第二面板区AA2之间。

第一面板区AA1可为与图1A的显示表面DS对应的区。第一面板区AA1可包括第一非折叠区NFA10、第二非折叠区NFA20和折叠区FA0。第一非折叠区NFA10、第二非折叠区NFA20和折叠区FA0分别对应于图1A和图1B的第一非折叠区NFA1、第二非折叠区NFA2和折叠区FA。

与第一方向DR1平行的弯曲区BA的宽度和第二面板区AA2的宽度(或长度)可小于与第一方向DR1平行的第一面板区AA1的宽度(或长度)。在弯曲轴的方向上具有较小长度的区可更容易弯曲。

显示面板DP可包括像素PX、初始化扫描线GIL1至GILm、补偿扫描线GCL1至GCLm、写入扫描线GWL1至GWLm、黑色扫描线GBL1至GBLm、发射控制线ECL1至ECLm、数据线DL1至DLn、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2、驱动电压线PL以及焊盘PD。这里，“m”和“n”为2或更大的自然数。

多个像素PX可连接到初始化扫描线GIL1至GILm、补偿扫描线GCL1至GCLm、写入扫描线GWL1至GWLm、黑色扫描线GBL1至GBLm、发射控制线ECL1至ECLm以及数据线DL1至DLn。

初始化扫描线GIL1至GILm、补偿扫描线GCL1至GCLm、写入扫描线GWL1至GWLm和黑色扫描线GBL1至GBLm可在第一方向DR1上延伸，并且可电连接到扫描驱动器SDV。数据线DL1至DLn可在第二方向DR2上延伸，并且可经由弯曲区BA电连接到驱动器IC DIC。发射控制线ECL1至ECLm可在与第一方向DR1相反的方向上延伸，并且可电连接到发射驱动器EDV。

驱动电压线PL可包括在第一方向DR1(或近似第一方向DR1的方向)上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分。在第一方向DR1(或近似第一方向DR1的方向)上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分可布置在不同的层上(或中)。驱动电压线PL的在第二方向DR2上延伸的部分可经由弯曲区BA延伸到第二面板区AA2。驱动电压线PL可将驱动电压提供到像素PX。

第一控制线CSL1可连接到扫描驱动器SDV，并且可经由弯曲区BA朝向第二面板区AA2的下端延伸。第二控制线CSL2可连接到发射驱动器EDV，并且可经由弯曲区BA朝向第二面板区AA2的下端延伸。

在平面视图中，焊盘PD可布置为与第二面板区AA2的下端相邻。驱动器IC DIC、驱动电压线PL、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2可电连接到焊盘PD。柔性电路膜FCB可通过各向异性导电粘合层电连接到焊盘PD。

图5是根据实施方式的像素PXij的等效电路图。

图5示出了像素PX(参照图4)之中的像素PXij的等效电路图。像素PX中的每个可具有相同的电路结构。因此，像素PXij的电路结构的描述可应用于其余像素PX，并且将省略其余像素PX的详细描述。

参照图4和图5，像素PXij可连接到数据线DL1至DLn之中的第i数据线DLi、初始化扫描线GIL1至GILm之中的第j初始化扫描线GILj、补偿扫描线GCL1至GCLm之中的第j补偿扫描线GCLj、写入扫描线GWL1至GWLm之中的第j写入扫描线GWLj、黑色扫描线GBL1至GBLm之中的第j黑色扫描线GBLj、发射控制线ECL1至ECLm之中的第j发射控制线ECLj、第一驱动电压线VL1和第二驱动电压线VL2以及第一初始化电压线VL3和第二初始化电压线VL4。“i”为1至n的整数，并且“j”为1至m的整数。

像素PXij可包括发光元件ED和像素电路PDC。发光元件ED可为发光二极管。在实施方式中，发光元件ED可为包括有机发光层的有机发光二极管，但实施方式不限于此。像素电路PDC可响应于第i数据信号Di来控制流过发光元件ED的电流量。发光元件ED可响应于从像素电路PDC提供的电流量来发射具有某一亮度的光。

像素电路PDC可包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7以及第一电容器Cst、第二电容器Cbst和第三电容器Nbst。根据实施方式的像素电路PDC的配置不限于图5中所示的实施方式。图5中所示的像素电路PDC仅为实例，并且能够对像素电路PDC的配置进行各种改变和修改。

第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的至少一个可为具有低温多晶硅(LTPS)半导体层的晶体管。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的至少一个可为具有氧化物半导体层的晶体管。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4可为氧化物半导体晶体管，并且第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可为LTPS晶体管。

具体地，直接影响发光元件ED的亮度的第一晶体管T1可包括由具有高可靠性的多晶硅形成的半导体层，并且因此可实现具有高分辨率的显示装置DD(例如，参照图2A)。例如，氧化物半导体可具有高载流子迁移率和低泄漏电流，并且因此即使操作时间为长的，电压降也可为不大。例如，即使在低频操作期间，图像的颜色也可不根据电压降而极大地改变，并且因此低频操作是可能的。由于氧化物半导体具有如上所述的低泄漏电流的优点，因此连接到第一晶体管T1的栅电极的第三晶体管T3以及第四晶体管T4中的至少一个可实现为氧化物半导体，以在防止可能流到栅电极的泄漏电流的情况下减少功耗。

第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的一些可为P型晶体管，并且剩余可为N型晶体管。例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可为P型晶体管，并且第三晶体管T3和第四晶体管T4可为N型晶体管。

像素电路PDC的配置不限于图5中所示的实施方式。图5中所示的像素电路PDC为实例，并且能够对像素电路PDC的配置进行各种改变和修改。例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可全部为P型晶体管或N型晶体管。在另一实例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6可为P型晶体管，并且第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7可为N型晶体管。

第j初始化扫描线GILj、第j补偿扫描线GCLj、第j写入扫描线GWLj、第j黑色扫描线GBLj和第j发射控制线ECLj可分别将第j初始化扫描信号GIj、第j补偿扫描信号GCj、第j写入扫描信号GWj、第j黑色扫描信号GBj和第j发射控制信号EMj传送到像素PXij。第i数据线DLi可将第i数据信号Di传送到像素PXij。第i数据信号Di可具有与输入到显示装置DD(参照图3)的图像信号对应的电压电平。

第一驱动电压线VL1和第二驱动电压线VL2可分别将第一驱动电压ELVDD和第二驱动电压ELVSS传送到像素PXij。此外，第一初始化电压线VL3和第二初始化电压线VL4可分别将第一初始化电压VINT和第二初始化电压VAINT传送到像素PXij。

第一晶体管T1可连接在接收第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线VL1与发光元件ED之间。第一晶体管T1可包括经由第五晶体管T5连接到第一驱动电压线VL1的第一电极、经由第六晶体管T6连接到发光元件ED的像素电极(或被称为阳极)的第二电极以及连接到第一电容器Cst的一端部(例如，第一节点N1)的第三电极(例如，栅电极)。第一晶体管T1可根据第二晶体管T2的开关操作而接收通过第i数据线DLi传送的第i数据信号Di，并且可将驱动电流供给到发光元件ED。

第二晶体管T2可连接在第i数据线DLi与第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2可包括连接到第i数据线DLi的第一电极、连接到第一晶体管T1的第一电极的第二电极以及连接到第j写入扫描线GWLj的第三电极(例如，栅电极)。第二晶体管T2可响应于通过第j写入扫描线GWLj传送的第j写入扫描信号GWj而导通，并且可将从第i数据线DLi传送的第i数据信号Di传送到第一晶体管T1的第一电极。第二电容器Cbst的一端部可连接到第二晶体管T2的第三电极，并且第二电容器Cbst的相对端可连接到第一节点N1。

第三晶体管T3可连接在第一晶体管T1的第二电极与第一节点N1之间。第三晶体管T3可包括连接到第一晶体管T1的第三电极的第一电极、连接到第一晶体管T1的第二电极的第二电极以及连接到第j补偿扫描线GCLj的第三电极(例如，栅电极)。第三晶体管T3可响应于通过第j补偿扫描线GCLj传送的第j补偿扫描信号GCj而导通，并且可通过连接第一晶体管T1的第三电极和第二电极而二极管连接第一晶体管T1。第三电容器Nbst的一端部可连接到第三晶体管T3的第三电极，并且第三电容器Nbst的相对端可连接到第一节点N1。

第四晶体管T4可连接在施加有第一初始化电压VINT的第一初始化电压线VL3与第一节点N1之间。第四晶体管T4可包括连接到传送第一初始化电压VINT的第一初始化电压线VL3的第一电极、连接到第一节点N1的第二电极以及连接到第j初始化扫描线GILj的第三电极(例如，栅电极)。第四晶体管T4可响应于通过第j初始化扫描线GILj传送的第j初始化扫描信号GIj而导通。导通的第四晶体管T4可通过将第一初始化电压VINT传送到第一节点N1而初始化第一晶体管T1的第三电极的电势(例如，第一节点N1的电势)。

第五晶体管T5可包括连接到第一驱动电压线VL1的第一电极、连接到第一晶体管T1的第一电极的第二电极以及连接到第j发射控制线ECLj的第三电极(例如，栅电极)。第六晶体管T6可包括连接到第一晶体管T1的第二电极的第一电极、连接到发光元件ED的像素电极的第二电极以及连接到第j发射控制线ECLj的第三电极(例如，栅电极)。

第五晶体管T5和第六晶体管T6可响应于通过第j发射控制线ECLj传送的第j发射控制信号EMj而同步地导通。通过导通的第五晶体管T5施加的第一驱动电压ELVDD可通过二极管连接的第一晶体管T1而被补偿，并且此后可通过第六晶体管T6传送到发光元件ED。

第七晶体管T7可包括连接到传送第二初始化电压VAINT的第二初始化电压线VL4的第一电极、连接到第六晶体管T6的第二电极的第二电极以及连接到第j黑色扫描线GBLj的第三电极(例如，栅电极)。第二初始化电压VAINT可具有低于或等于第一初始化电压VINT的电压电平的电压电平。

第一电容器Cst的端部可连接到第一晶体管T1的第三电极，并且第一电容器Cst的相对端可连接到第一驱动电压线VL1。发光元件ED的阴极可连接到传送第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线VL2。第二驱动电压ELVSS可具有比第一驱动电压ELVDD低的电压电平。

图6是示出根据实施方式的显示面板的局部区的示意性放大平面视图。图6是图4中所示的区XX'的示意性放大平面视图。

参照图4和图6，显示面板DP可包括第一区A1和第二区A2。在第一区A1中可布置有第一类型发光单元EU1、第二类型发光单元EU2、第三类型发光单元EU3、第四类型发光单元EU4、第五类型发光单元EU5和第六类型发光单元EU6，并且在第二区A2中可布置有第七类型发光单元EU7。

包括在第一类型发光单元EU1、第二类型发光单元EU2、第三类型发光单元EU3、第四类型发光单元EU4、第五类型发光单元EU5和第六类型发光单元EU6中的发光元件的排列或操作可不同于第七类型发光单元EU7的排列或操作。例如，第一类型发光单元EU1、第二类型发光单元EU2、第三类型发光单元EU3、第四类型发光单元EU4、第五类型发光单元EU5和第六类型发光单元EU6中的每个可包括由像素电路PDC(参照图5)操作的发光元件，并且包括在第七类型发光单元EU7中的发光元件可由像素电路PDC(参照图5)操作。下面将给出关于其的具体描述。

第一区A1可包括第一子区SA1、第二子区SA2、多个第三子区SA3和第四子区SA4。第二子区SA2可围绕第一子区SA1。多个第三子区SA3可在第二子区SA2(例如，在第二方向DR2上)介于其间的情况下彼此间隔开。第四子区SA4可围绕第二子区SA2和多个第三子区SA3。第二区A2可围绕第一区A1。

第一子区SA1可具有比第二子区SA2、第三子区SA3和第四子区SA4以及第二区A2高的透射率。

第一类型发光单元EU1可布置在第一子区SA1中，并且控制第一类型发光单元EU1的操作的第一像素电路单元CU1可布置在多个第三子区SA3中的一个中。第二类型发光单元EU2可布置在第二子区SA2中，并且控制第二类型发光单元EU2的操作的第二像素电路单元CU2可布置在多个第三子区SA3中的一个中。多个第三子区SA3中的一个可为靠近第一类型发光单元EU1和第二类型发光单元EU2中的每个的第三子区SA3。

第一子区SA1可为待提供到相机模块CMM(参照图2A)的光穿过的区。由于第一像素电路单元CU1未布置在第一子区SA1中，因此可进一步提高第一子区SA1的透射率(或透光率)。因此，可改善由相机模块CMM(参照图2A)获得的图像的质量。

第二子区SA2可为线CGL和DRL绕过第一子区SA1而不与第一子区SA1相交的区。具有在第一方向DR1上延伸的部分的线CGL可为参照图4描述的初始化扫描线GIL1至GILm、补偿扫描线GCL1至GCLm、写入扫描线GWL1至GWLm、黑色扫描线GBL1至GBLm和发射控制线ECL1至ECLm中的对应一个的一部分。具有在第二方向DR2上延伸的部分的线DRL可为参照图4描述的数据线DL1至DLn中的对应一个的一部分。尽管在图6中示出了单个线CGL和单个线DRL，但可提供有多个线CGL和多个线DRL。

根据实施方式，由于线CGL和DRL通过第二子区SA2绕过第一子区SA1而不与第一子区SA1相交，因此可进一步提高第一子区SA1的透射率。因此，可改善由相机模块CMM(参照图2A)获得的图像的质量。

多个第三子区SA3中的每个可包括第3-1子区SA3-1和第3-2子区SA3-2。例如，第一像素电路单元CU1和第二像素电路单元CU2可布置在第3-1子区SA3-1中。因此，待布置控制第三类型发光单元EU3的操作的第三像素电路单元CU3的空间可能不足。因此，第三类型发光单元EU3可布置在第3-1子区SA3-1中，并且第三像素电路单元CU3可布置在第3-2子区SA3-2中。

第四类型发光单元EU4和第五类型发光单元EU5可布置在第3-2子区SA3-2中。第四类型发光单元EU4可与控制第四类型发光单元EU4的操作的第四像素电路单元CU4间隔开，并且第五类型发光单元EU5可与控制第五类型发光单元EU5的操作的第五像素电路单元CU5重叠。

第六类型发光单元EU6可布置在第四子区SA4中。第六类型发光单元EU6可与控制第六类型发光单元EU6的操作的第六像素电路单元CU6重叠。在另一实例中，可省略第四子区SA4。例如，第二区A2可扩展为围绕第二子区SA2和第三子区SA3。

图7A至图7F是示出根据实施方式的发光单元的示意性平面视图。图7A至图7F中所示的第一发光单元EU1a、第二发光单元EU1b、第三发光单元EU1c、第四发光单元EU1d、第五发光单元EU1e和第六发光单元EU1f为第一类型发光单元EU1(参照图6)的实例。

参照图6和图7A至图7F，可提供有多个第一类型发光单元EU1。例如，多个第一类型发光单元EU1可布置在第一子区SA1中。多个第一类型发光单元EU1可包括具有不同的排列规则(或图案)的至少两个发光单元。至少两个发光单元可包括选自包括图7A至图7F中所示的第一发光单元EU1a、第二发光单元EU1b、第三发光单元EU1c、第四发光单元EU1d、第五发光单元EU1e和第六发光单元EU1f的集群中的一发光单元和另一发光单元。

根据比较例，包括在多个第一类型发光单元EU1中的发光元件的排列规则(或图案)可全部相同。例如，光晕现象(或眩光现象)和双相(例如，重影)可能由于发光元件的规律排列而发生。根据实施方式，由于多个第一类型发光单元EU1包括具有不同的排列规则(或图案)的至少两个发光单元，因此布置在第一子区SA1中的发光元件可实现为能够设计和制造的随机排列结构。因此，可减轻或消除由于发光元件的规律排列而引起的光晕现象。而且，可消除双相，可减小双相的间隔，或者可减小不必要的双相清晰度。因此，可改善或增强由相机模块CMM(参照图2A)获得的图像的质量。

在第一发光单元EU1a、第二发光单元EU1b、第三发光单元EU1c、第四发光单元EU1d、第五发光单元EU1e和第六发光单元EU1f中的每个中可限定有第一点P1、第二点P2、第三点P3和第四点P4以及第一选择点SP1、第二选择点SP2、第三选择点SP3和第四选择点SP4。第一点P1和第二点P2可在第一方向DR1上彼此间隔开，第一点P1和第三点P3可在第二方向DR2上彼此间隔开，并且第三点P3和第四点P4可在第一方向DR1上彼此间隔开。第一选择点SP1可限定在第一点P1、第二点P2、第三点P3和第四点P4之间。第一选择点SP1和第二选择点SP2可在第一方向DR1上彼此间隔开，第一选择点SP1和第三选择点SP3可在第二方向DR2上彼此间隔开，并且第三选择点SP3和第四选择点SP4可在第一方向DR1上彼此间隔开。

参照图7A，第一发光单元EU1a可包括六个第一排列发光元件EDr1、EDr2、EDg1、EDg2、EDb1和EDb2。第一排列发光元件EDr1、EDr2、EDg1、EDg2、EDb1和EDb2可包括第1-1发光元件EDr1和EDr2、第1-2发光元件EDg1和EDg2以及第1-3发光元件EDb1和EDb2。

参照图7B，第二发光单元EU1b可包括六个第二排列发光元件EDr1、EDr2、EDg1a、EDg2a、EDb1和EDb2。第二排列发光元件EDr1、EDr2、EDg1a、EDg2a、EDb1和EDb2可包括第2-1发光元件EDr1和EDr2、第2-2发光元件EDg1a和EDg2a以及第2-3发光元件EDb1和EDb2。

参照图7C，第三发光单元EU1c可包括第3-1发光元件EDr1和EDr2、第3-2发光元件EDg1b和EDg2b以及第3-3发光元件EDb1和EDb2。

参照图7D，第四发光单元EU1d可包括第4-1发光元件EDr1和EDr2、第4-2发光元件EDg1c和EDg2c以及第4-3发光元件EDb1和EDb2。

参照图7E，第五发光单元EU1e可包括第5-1发光元件EDr1和EDr2、第5-2发光元件EDg1d和EDg2d以及第5-3发光元件EDb1和EDb2。

参照图7F，第六发光单元EU1f可包括第6-1发光元件EDr1和EDr2、第6-2发光元件EDg1e和EDg2e以及第6-3发光元件EDb1和EDb2。

第1-1发光元件EDr1和EDr2、第2-1发光元件EDr1和EDr2、第3-1发光元件EDr1和EDr2、第4-1发光元件EDr1和EDr2、第5-1发光元件EDr1和EDr2以及第6-1发光元件EDr1和EDr2可具有相同的排列规则(或图案)并且在图7A至图7F中被分配有相同的附图标记。第1-3发光元件EDb1和EDb2、第2-3发光元件EDb1和EDb2、第3-3发光元件EDb1和EDb2、第4-3发光元件EDb1和EDb2、第5-3发光元件EDb1和EDb2以及第6-3发光元件EDb1和EDb2可具有相同的排列规则(或图案)并且在图7A至图7F中被分配有相同的附图标记。在下文中，将代表性地描述第1-1发光元件EDr1和EDr2以及第1-3发光元件EDb1和EDb2。下面描述的内容可同样地应用于共享相同附图标记的其余发光元件。

第1-1发光元件EDr1和EDr2可分别布置在第三点P3和第二点P2处。第1-1发光元件EDr1和EDr2可通过第一连接线AL1r彼此电连接。第一电路连接线PL1r可连接到第1-1发光元件EDr1和EDr2中的一个。尽管图7A示出了第一电路连接线PL1r连接到第1-1发光元件EDr1的实例，但实施方式不限于此。例如，第一电路连接线PL1r可连接到第1-1发光元件EDr2。第1-1发光元件EDr1和EDr2的操作可由单个像素电路控制。因此，第1-1发光元件EDr1和EDr2可具有两复制结构。

第1-2发光元件EDg1和EDg2、第2-2发光元件EDg1a和EDg2a、第3-2发光元件EDg1b和EDg2b、第4-2发光元件EDg1c和EDg2c、第5-2发光元件EDg1d和EDg2d以及第6-2发光元件EDg1e和EDg2e可具有不同的排列规则(或图案)。第1-2发光元件EDg1和EDg2、第2-2发光元件EDg1a和EDg2a、第3-2发光元件EDg1b和EDg2b、第4-2发光元件EDg1c和EDg2c、第5-2发光元件EDg1d和EDg2d以及第6-2发光元件EDg1e和EDg2e的排列规则(或图案)可对应于通过第一选择点SP1、第二选择点SP2、第三选择点SP3和第四选择点SP4实现的六个组合。

第1-2发光元件EDg1和EDg2可分别布置在第一选择点SP1和第四选择点SP4处。第2-2发光元件EDg1a和EDg2a可分别布置在第一选择点SP1和第二选择点SP2处。第3-2发光元件EDg1b和EDg2b可分别布置在第一选择点SP1和第三选择点SP3处。第4-2发光元件EDg1c和EDg2c可分别布置在第二选择点SP2和第四选择点SP4处。第5-2发光元件EDg1d和EDg2d可分别布置在第四选择点SP4和第三选择点SP3处。第6-2发光元件EDg1e和EDg2e可分别布置在第二选择点SP2和第三选择点SP3处。

第1-2发光元件EDg1和EDg2可通过第二连接线AL1g彼此电连接。第二电路连接线PL1g可连接到第1-2发光元件EDg1和EDg2中的一个。尽管图7A示出了第二电路连接线PL1g连接到第1-2发光元件EDg1的实例，但实施方式不限于此。第1-2发光元件EDg1和EDg2的操作可由单个像素电路控制。因此，第1-2发光元件EDg1和EDg2可具有两复制结构。

第1-3发光元件EDb1和EDb2可分别布置在第一点P1和第四点P4处。第1-3发光元件EDb1和EDb2可通过第三连接线AL1b彼此电连接。第三电路连接线PL1b可连接到第1-3发光元件EDb1和EDb2中的一个。尽管图7A示出了第三电路连接线PL1b连接到第1-3发光元件EDb1的实例，但实施方式不限于此。例如，第三电路连接线PL1b可连接到第1-3发光元件EDb2。第1-3发光元件EDb1和EDb2的操作可由单个像素电路控制。因此，第1-3发光元件EDb1和EDb2可具有两复制结构。

第1-1发光元件EDr1和EDr2、第2-1发光元件EDr1和EDr2、第3-1发光元件EDr1和EDr2、第4-1发光元件EDr1和EDr2、第5-1发光元件EDr1和EDr2以及第6-1发光元件EDr1和EDr2可为红色发光元件，第1-3发光元件EDb1和EDb2、第2-3发光元件EDb1和EDb2、第3-3发光元件EDb1和EDb2、第4-3发光元件EDb1和EDb2、第5-3发光元件EDb1和EDb2以及第6-3发光元件EDb1和EDb2可为蓝色发光元件，并且第1-2发光元件EDg1和EDg2、第2-2发光元件EDg1a和EDg2a、第3-2发光元件EDg1b和EDg2b、第4-2发光元件EDg1c和EDg2c、第5-2发光元件EDg1d和EDg2d以及第6-2发光元件EDg1e和EDg2e可为绿色发光元件。因此，发光单元中的红色发光元件可具有相同的排列规则(或图案)，发光单元中的蓝色发光元件可有相同的排列规则(或图案)，并且发光单元中的绿色发光元件可具有不同的排列规则(或图案)。

图8A是示出根据实施方式的第一子区SA1的示意性平面视图。

参照图8A，第一子区SA1可包括第一分区SC1、第二分区SC2和第三分区SC3。第一分区SC1、第二分区SC2和第三分区SC3可通过同心圆而彼此划分开。第一分区SC1可布置在中心部分处，第二分区SC2可围绕第一分区SC1，并且第三分区SC3可围绕第二分区SC2。

选自包括图7A至图7F中所示的第一发光单元EU1a、第二发光单元EU1b、第三发光单元EU1c、第四发光单元EU1d、第五发光单元EU1e和第六发光单元EU1f的集群中的三个不同的发光单元可分别布置在第一分区SC1、第二分区SC2和第三分区SC3中。例如，第一发光单元EU1a可布置在第一分区SC1中，第三发光单元EU1c可布置在第二分区SC2中，并且第六发光单元EU1f可布置在第三分区SC3中。然而，这为实例，并且各种组合的发光单元可布置在多个分区中。

根据实施方式，由于三个不同的发光单元在远离第一子区SA1的中心部分的方向上布置，因此可更有利于减轻或消除径向光晕现象。因此，可改善由相机模块CMM(参照图2A)获得的图像的质量。

尽管图8A示出了第一子区SA1划分为三个分区的实例，但实施方式不限于此。例如，第一子区SA1可包括通过一个圆而彼此划分开的两个分区，或者可包括通过三个或更多个同心圆而彼此划分开的四个或更多个分区。

图8B是示出根据实施方式的第一子区SA1-1的示意性平面视图。

参照图8B，第一子区SA1-1可包括第一分区SC1a、第二分区SC2a、第三分区SC3a、第四分区SC4a、第五分区SC5a和第六分区SC6a。第一分区SC1a、第二分区SC2a、第三分区SC3a、第四分区SC4a、第五分区SC5a和第六分区SC6a可通过同心圆和在某一方向上延伸的线而彼此划分开。

选自包括图7A至图7F中所示的第一发光单元EU1a、第二发光单元EU1b、第三发光单元EU1c、第四发光单元EU1d、第五发光单元EU1e和第六发光单元EU1f的集群中的六个不同的发光单元可分别布置在第一分区SC1a、第二分区SC2a、第三分区SC3a、第四分区SC4a、第五分区SC5a和第六分区SC6a中。由于六个不同的发光单元全部布置在第一子区SA1-1中，因此第一子区SA1-1中的发光元件可布置为更随机的排列结构。因此，可进一步改善光晕现象和双相现象的改善程度。因此，可改善由相机模块CMM(参照图2A)获得的图像的质量。

图8C是示出根据实施方式的第一子区SA1-2的示意性平面视图。

参照图8C，第一子区SA1-2可包括第一分区SC1b、第二分区SC2b、第三分区SC3b、第四分区SC4b、第五分区SC5b和第六分区SC6b。第一分区SC1b、第二分区SC2b、第三分区SC3b、第四分区SC4b、第五分区SC5b和第六分区SC6b可通过一个同心圆和在某些方向上延伸的三个线而彼此划分开。

选自包括图7A至图7F中所示的第一发光单元EU1a、第二发光单元EU1b、第三发光单元EU1c、第四发光单元EU1d、第五发光单元EU1e和第六发光单元EU1f的集群中的六个不同的发光单元可分别布置在第一分区SC1b、第二分区SC2b、第三分区SC3b、第四分区SC4b、第五分区SC5b和第六分区SC6b中。由于六个不同的发光单元全部布置在第一子区SA1-2中，因此第一子区SA1-2中的发光元件可布置为更随机的排列结构。因此，可进一步改善光晕现象和双相现象的改善程度。因此，可改善由相机模块CMM(参照图2A)获得的图像的质量。

尽管图8A、图8B和图8C中的每个示出了第一子区SA1、SA1-1或SA1-2划分为多个分区的实例，但实施方式不限于此。第一子区SA1、SA1-1或SA1-2可修改为各种结构，只要具有不同排列的两类或更多类的发光单元能够布置在第一子区SA1、SA1-1或SA1-2中即可。此外，在实施方式中，具有不同排列的两类或更多类的发光单元可在没有区的任何特殊划分的情况下布置在第一子区SA1、SA1-1或SA1-2中。

图9是示出根据实施方式的发光单元的示意性平面视图。

参照图6和图9，示出了第二类型发光单元EU2作为实例。第二类型发光单元EU2可被称为中间发光单元。

第二类型发光单元EU2可包括八个中间发光元件TEDr1、TEDr2、TEDb1、TEDb2、TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4。八个中间发光元件TEDr1、TEDr2、TEDb1、TEDb2、TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4可包括第一颜色发光元件TEDr1和TEDr2、第二颜色发光元件TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4以及第三颜色发光元件TEDb1和TEDb2。第一颜色发光元件TEDr1和TEDr2可被称为第3-1发光元件，第二颜色发光元件TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4可被称为第3-2发光元件，并且第三颜色发光元件TEDb1和TEDb2可被称为第3-3发光元件。

第一颜色发光元件TEDr1和TEDr2的操作可由单个像素电路控制。第一颜色发光元件TEDr1和TEDr2可通过第一连接线AL2r彼此电连接。第一电路连接线PL2r可连接到第一颜色发光元件TEDr1和TEDr2中的一个。因此，第一颜色发光元件TEDr1和TEDr2可具有两复制结构。

第二颜色发光元件TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4的操作可由单个像素电路控制。第二颜色发光元件TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4可通过第二连接线AL2g彼此电连接。第二电路连接线PL2g可连接到第二颜色发光元件TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4中的一个。因此，第二颜色发光元件TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4可具有四复制结构。

第三颜色发光元件TEDb1和TEDb2的操作可由单个像素电路控制。第三颜色发光元件TEDb1和TEDb2可通过第三连接线AL2b彼此电连接。第三电路连接线PL2b可连接到第三颜色发光元件TEDb1和TEDb2中的一个。因此，第三颜色发光元件TEDb1和TEDb2可具有两复制结构。

包括在第一类型发光单元EU1中的第一颜色发光元件(例如，第1-1发光元件EDr1和EDr2(参照图7A))的数量和包括在第二类型发光单元EU2中的第一颜色发光元件TEDr1和TEDr2的数量可等于2，并且可彼此相同。包括在第一类型发光单元EU1中的第三颜色发光元件(例如，第1-3发光元件EDb1和EDb2(参照图7A))的数量和包括在第二类型发光单元EU2中的第三颜色发光元件TEDb1和TEDb2的数量可等于2，并且可彼此相同。包括在第一类型发光单元EU1中的第二颜色发光元件(例如，第1-2发光元件EDg1和EDg2(参照图7A))的数量和包括在第二类型发光单元EU2中的第二颜色发光元件TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4的数量可分别等于2和4，并且可彼此不同。

限定在第二颜色发光元件TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4中的发射区的大小可小于限定在图7A至图7F中所示的第1-2发光元件EDg1和EDg2、第2-2发光元件EDg1a和EDg2a、第3-2发光元件EDg1b和EDg2b、第4-2发光元件EDg1c和EDg2c以及第5-2发光元件EDg1d和EDg2d以及第6-2发光元件EDg1e和EDg2e中的发射区的大小。

例如，在第一类型发光单元EU1的两个第二颜色发光元件的发射区的面积与第二类型发光单元EU2的四个第二颜色发光元件TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4的发射区的面积相同的情况下，在基准区域内实现相同亮度的情况下，第一类型发光单元EU1的两个第二颜色发光元件可发射比第二类型发光单元EU2的四个第二颜色发光元件TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4亮的光。然而，根据实施方式，第一类型发光单元EU1的两个第二颜色发光元件的发射区的面积可大于第二类型发光单元EU2的四个第二颜色发光元件TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4的发射区的面积，并且因此可补偿第一类型发光单元EU1的两个第二颜色发光元件的寿命。

在实施方式中，限定在第一类型发光单元EU1的两个第二颜色发光元件中的发射区的总面积可与限定在第二类型发光单元EU2的四个第二颜色发光元件TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4中的发射区的总面积基本上相同。

第二子区SA2可为线CGL和DRL绕过第一子区SA1而不与第一子区SA1相交的区。因此，用于驱动第二类型发光单元EU2的像素电路可不布置在第二子区SA2中。

图10是示出根据实施方式的发光单元和像素电路的示意性平面视图。

参照图6和图10，第三类型发光单元EU3、第一像素电路单元CU1和第二像素电路单元CU2可布置在第3-1子区SA3-1中。第三类型发光单元EU3可被称为中间发光单元。第三类型发光单元EU3可包括八个中间发光元件TEDr1、TEDr2、TEDb1、TEDb2、TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4，并且可具有与参照图9描述的第二类型发光单元EU2相同的排列。因此，为了描述的便利，将省略关于其的冗余描述。

第一像素电路单元CU1可控制第一类型发光单元EU1的操作，并且第二像素电路单元CU2可控制第二类型发光单元EU2的操作。

第一像素电路单元CU1可包括第1-1像素电路PDC1-1、第1-2像素电路PDC1-2和第1-3像素电路PDC1-3。例如，第1-1像素电路PDC1-1、第1-2像素电路PDC1-2和第1-3像素电路PDC1-3中的每个可具有与图5中所示的像素电路PDC相同的等效电路。然而，实施方式不限于此。

第1-1像素电路PDC1-1可通过第一电路连接线PCL1a连接到包括在第一类型发光单元EU1中的第一发光元件。第1-2像素电路PDC1-2可通过第二电路连接线PCL1b连接到包括在第一类型发光单元EU1中的第二发光元件。第1-3像素电路PDC1-3可通过第三电路连接线PCL1c连接到包括在第一类型发光单元EU1中的第三发光元件。第一电路连接线PCL1a、第二电路连接线PCL1b和第三电路连接线PCL1c可分别对应于参照图7A至图7F描述的第一电路连接线PL1r、第二电路连接线PL1g和第三电路连接线PL1b中的一个、另一个和剩余一个。

例如，第一发光元件可为与第一发光单元EU1a、第二发光单元EU1b、第三发光单元EU1c、第四发光单元EU1d、第五发光单元EU1e和第六发光单元EU1f之中的单个发光单元对应的第一发光元件(例如，第1-1发光元件EDr1和EDr2)。第二发光元件可为与第一发光单元EU1a、第二发光单元EU1b、第三发光单元EU1c、第四发光单元EU1d、第五发光单元EU1e和第六发光单元EU1f之中的单个发光单元对应的第二发光元件(例如，第1-2发光元件EDg1和EDg2)。第三发光元件可为与第一发光单元EU1a、第二发光单元EU1b、第三发光单元EU1c、第四发光单元EU1d、第五发光单元EU1e和第六发光单元EU1f之中的单个发光单元对应的第三发光元件(例如，第1-3发光元件EDb1和EDb2)。

第二像素电路单元CU2可包括第2-1像素电路PDC2-1、第2-2像素电路PDC2-2和第2-3像素电路PDC2-3。例如，第2-1像素电路PDC2-1、第2-2像素电路PDC2-2和第2-3像素电路PDC2-3中的每个可具有与图5中所示的像素电路PDC相同的等效电路。然而，实施方式不限于此。第一电路连接线PCL2a、第二电路连接线PCL2b和第三电路连接线PCL2c可分别对应于参照图9描述的第一电路连接线PL2r、第二电路连接线PL2g和第三电路连接线PL2b中的一个、另一个和剩余一个。

例如，第2-1像素电路PDC2-1可通过第一电路连接线PCL2a连接到包括在第二类型发光单元EU2中的第一颜色发光元件TEDr1和TEDr2。第2-2像素电路PDC2-2可通过第二电路连接线PCL2b连接到包括在第二类型发光单元EU2中的第二颜色发光元件TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4。第2-3像素电路PDC2-3可通过第三电路连接线PCL2c连接到包括在第二类型发光单元EU2中的第三颜色发光元件TEDb1和TEDb2。

由于第一像素电路单元CU1和第二像素电路单元CU2布置在第3-1子区SA3-1中，因此可能不存在待布置用于控制第三类型发光单元EU3的第三像素电路单元CU3的空间。第三类型发光单元EU3和用于驱动第三类型发光单元EU3的第三像素电路单元CU3可彼此间隔开而不彼此重叠。第三像素电路单元CU3可布置在第3-2子区SA3-2中。

图11是示出根据实施方式的发光单元和像素电路的示意性平面视图。

参照图6和图11，第五类型发光单元EU5、第三像素电路单元CU3和第五像素电路单元CU5可布置在第3-2子区SA3-2中。

第五类型发光单元EU5可被称为中间发光单元。第五类型发光单元EU5可包括八个中间发光元件TEDr1、TEDr2、TEDb1、TEDb2、TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4，并且可具有与参照图9描述的第二类型发光单元EU2相同的排列。因此，为了描述的便利，将省略关于其的冗余描述。

在图10和图11中，第三类型发光单元EU3与第三像素电路单元CU3之间的连接关系可与第四类型发光单元EU4与第四像素电路单元CU4之间的连接关系相似。因此，第三类型发光单元EU3和第四类型发光单元EU4的附图标记指示相同的部件，并且第三像素电路单元CU3和第四像素电路单元CU4的附图标记指示相同的部件。因此，关于第三类型发光单元EU3和第三像素电路单元CU3的描述可应用于关于第四类型发光单元EU4和第四像素电路单元CU4的描述。

第三像素电路单元CU3可控制第三类型发光单元EU3的操作，第四像素电路单元CU4可控制第四类型发光单元EU4的操作，并且第五像素电路单元CU5可控制第五类型发光单元EU5的操作。

连接到第三像素电路单元CU3或第四像素电路单元CU4的多个电路连接线PCL3可分别对应于图10中所示的第一电路连接线PL3r、第二电路连接线PL3g和第三电路连接线PL3b中的一个、另一个和剩余一个。第五类型发光单元EU5和第五像素电路单元CU5可彼此重叠。

图12是示出根据实施方式的发光单元和像素电路的示意性平面视图。

参照图6和图12，第六类型发光单元EU6和第六像素电路单元CU6可布置在第四子区SA4中。第六类型发光单元EU6可被称为中间发光单元。第六类型发光单元EU6可包括八个中间发光元件TEDr1、TEDr2、TEDb1、TEDb2、TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4，并且可具有与参照图9描述的第二类型发光单元EU2相同的排列。因此，为了描述的便利，将省略关于其的冗余描述。

第一颜色发光元件TEDr1和TEDr2可具有两复制结构，第二颜色发光元件TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4可具有四复制结构，并且第三颜色发光元件TEDb1和TEDb2可具有两复制结构。因此，包括在第六像素电路单元CU6中的像素电路的数量可小于包括在第六类型发光单元EU6中的中间发光元件TEDr1、TEDr2、TEDb1、TEDb2、TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4的数量。例如，八个中间发光元件TEDr1、TEDr2、TEDb1、TEDb2、TEDg1、TEDg2、TEDg3和TEDg4可包括在第六类型发光单元EU6中，并且三个像素电路可包括在第六像素电路单元CU6中。

第六类型发光单元EU6和第六像素电路单元CU6可彼此重叠。在第四子区SA4中，可没有布置用于驱动布置在另一区中的发光单元的像素电路。因此，在一些情况下，可省略第四子区SA4。

图13是示出根据实施方式的发光单元和像素电路的示意性平面视图。

参照图13，第七类型发光单元EU7和第七像素电路单元CU7可布置在第二区A2中。第七类型发光单元EU7可被称为主发光单元。

第七类型发光单元EU7可包括八个主发光元件MEDr1、MEDr2、MEDb1、MEDb2、MEDg1、MEDg2、MEDg3和MEDg4。八个主发光元件MEDr1、MEDr2、MEDb1、MEDb2、MEDg1、MEDg2、MEDg3和MEDg4可包括第一颜色发光元件MEDr1和MEDr2、第二颜色发光元件MEDg1、MEDg2、MEDg3和MEDg4以及第三颜色发光元件MEDb1和MEDb2。第二颜色发光元件MEDg1、MEDg2、MEDg3和MEDg4的数量可大于第1-2发光元件EDg1和EDg2(参照图7A)的数量。第一颜色发光元件MEDr1和MEDr2可被称为第一发光元件，第二颜色发光元件MEDg1、MEDg2、MEDg3和MEDg4可被称为第二发光元件，并且第三颜色发光元件MEDb1和MEDb2可被称为第三发光元件。

第七像素电路单元CU7可控制第七类型发光单元EU7的操作。第七像素电路单元CU7可包括与包括在第七类型发光单元EU7中的主发光元件MEDr1、MEDr2、MEDb1、MEDb2、MEDg1、MEDg2、MEDg3和MEDg4一样多的像素电路PDC。例如，第七像素电路单元CU7可包括八个像素电路PDC。主发光元件MEDr1、MEDr2、MEDb1、MEDb2、MEDg1、MEDg2、MEDg3和MEDg4可以一对一的方式电连接到各自的像素电路PDC。包括在第七像素电路单元CU7中的像素电路PDC可被称为主像素电路。

图14是根据实施方式的显示面板DP的示意性剖视图。图15是根据实施方式的显示面板DP的示意性剖视图。图14是第二区A2的示意性剖视图，并且图15是示出第一子区SA1的一部分和第三子区SA3的一部分的示意性剖视图。

参照图14和图15，显示面板DP可包括显示层100、传感器层200和抗反射层300。显示层100可包括基础层110、阻挡层120、电路层130、元件层140和封装层150。

基础层110可包括第一子基础层111、第二子基础层112、第三子基础层113和第四子基础层114。

第一子基础层111和第四子基础层114中的每个可包括聚酰亚胺类树脂、丙烯酸酯类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。例如，本文中所使用的“～～”类树脂可是指包括“～～”官能团的树脂。例如，第一子基础层111和第四子基础层114中的每个可包括聚酰亚胺。

第二子基础层112和第三子基础层113中的每个可包括无机材料。例如，第二子基础层112和第三子基础层113中的每个可包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅中的至少一种。例如，第二子基础层112可包括氧氮化硅，并且第三子基础层113可包括氧化硅。

第一子基础层111可比第四子基础层114厚。例如，第一子基础层111可具有约100000埃的厚度，并且第四子基础层114可具有约56000埃的厚度。第二子基础层112可比第三子基础层113薄。例如，第二子基础层112可具有约1000埃的厚度，并且第三子基础层113可具有约5000埃的厚度。然而，第一子基础层111、第二子基础层112、第三子基础层113和第四子基础层114的厚度不限于前述数值。

阻挡层120可布置在基础层110上。阻挡层120可包括子阻挡层121、122、123、124和125、第一下阻光层BML1以及第二下阻光层BML2。

第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2可被称为第一下层和第二下层、第一下金属层和第二下金属层、第一下电极层和第二下电极层、第一下遮蔽层和第二下遮蔽层、第一阻光层和第二阻光层、第一金属层和第二金属层、第一电极层和第二电极层、第一遮蔽层和第二遮蔽层、或者第一重叠层和第二重叠层。

子阻挡层121、122、123、124和125可包括在远离基础层110的方向上顺序地堆叠的第一子阻挡层121、第二子阻挡层122、第三子阻挡层123、第四子阻挡层124和第五子阻挡层125。第一子阻挡层121、第二子阻挡层122、第三子阻挡层123、第四子阻挡层124和第五子阻挡层125中的每个可包括无机材料。例如，第一子阻挡层121、第二子阻挡层122、第三子阻挡层123、第四子阻挡层124和第五子阻挡层125中的每个可包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅中的至少一种。例如，第一子阻挡层121可包括氧氮化硅，第二子阻挡层122可包括氧化硅，第三子阻挡层123可包括非晶硅，第四子阻挡层124可包括氧化硅，并且第五子阻挡层125可包括氧化硅。

在第一子阻挡层121、第二子阻挡层122、第三子阻挡层123、第四子阻挡层124和第五子阻挡层125之中，第五子阻挡层125可最靠近电路层130。第五子阻挡层125可被称为顶部子阻挡层。第五子阻挡层125可比第一子阻挡层121、第二子阻挡层122、第三子阻挡层123和第四子阻挡层124厚。例如，第五子阻挡层125的厚度可大于第一子阻挡层121、第二子阻挡层122、第三子阻挡层123和第四子阻挡层124的厚度之和。例如，第一子阻挡层121可具有约1000埃的厚度，第二子阻挡层122可具有约500埃的厚度，第三子阻挡层123可具有约100埃的厚度，第四子阻挡层124可具有约130埃的厚度，并且第五子阻挡层125可具有约3500埃的厚度。例如，第五子阻挡层125的厚度可大于前述厚度。

第一下阻光层BML1可布置在第一区A1(例如，参照图6)中，并且第二下阻光层BML2可布置在第二区A2中。第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2可彼此电绝缘，并且不同的信号可施加到第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2。例如，具有某一电压电平的恒定电压可施加到第一下阻光层BML1，并且提供到像素电路PDC(参照图5)的第一驱动电压ELVDD(参照图5)可提供到第二下阻光层BML2。

第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2可布置在相同的层上(或中)，并且可包括相同的材料。例如，第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2可布置在第四子阻挡层124与第五子阻挡层125之间。第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2可由第五子阻挡层125覆盖。由于第五子阻挡层125具有第一子阻挡层121、第二子阻挡层122、第三子阻挡层123、第四子阻挡层124和第五子阻挡层125之中的最大厚度，因此晶体管的特性通过提供到第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2的电压而改变的程度可减小。

第一下阻光层BML1可不与透射区TP重叠。在第一子区SA1中，与第一下阻光层BML1重叠的区可限定为元件区EP，并且不与第一下阻光层BML1重叠的区可限定为透射区TP。第一类型发光单元EU1(参照图6)可布置在元件区EP中，并且可与透射区TP间隔开。

在阻挡层120上可布置有缓冲层BFL。缓冲层BFL可提供在第一区A1和第二区A2两者中。缓冲层BFL可防止金属原子或杂质从基础层110扩散(或渗透)到第一半导体图案层。此外，通过调节在用于形成第一半导体图案层的结晶工艺期间提供热的速度，缓冲层BFL可使得第一半导体图案层均匀地形成。

缓冲层BFL可包括无机层。例如，缓冲层BFL可包括包含有氮化硅的第一子缓冲层和布置在第一子缓冲层上并且包括氧化硅的第二子缓冲层。

在图14中示出了第二像素PX2，并且在图15中示出了第一像素PX1。第一像素PX1可包括第一像素电路PDC1以及电连接到第一像素电路PDC1的第一发光元件ED1a和ED1b。第二像素PX2可包括第二发光元件ED2和第二像素电路PDC2。第一发光元件ED1a和ED1b可布置在第一子区SA1中，并且第一像素电路PDC1可布置在第三子区SA3中。第二发光元件ED2和第二像素电路PDC2可布置在第二区A2中。

图14中所示的第二发光元件ED2可为八个主发光元件MEDr1、MEDr2、MEDb1、MEDb2、MEDg1、MEDg2、MEDg3和MEDg4(参照图13)中的一个，并且第二像素电路PDC2可为电连接到八个主发光元件MEDr1、MEDr2、MEDb1、MEDb2、MEDg1、MEDg2、MEDg3和MEDg4中的一个的像素电路(例如，单个像素电路)。

图15中所示的第一发光元件ED1a和ED1b可为包括在第一类型发光单元EU1(参照图6)中的单个发光元件和与该单个发光元件电连接的另一发光元件，并且第一像素电路PDC1可为与该单个发光元件电连接的单个像素电路。例如，第一发光元件ED1a和ED1b可为图7A中所示的第1-2发光元件EDg1和EDg2，并且第一像素电路PDC1可为图10中所示的第1-1像素电路PDC1-1、第1-2像素电路PDC1-2和第1-3像素电路PDC1-3中的一个。

电路层130可布置在缓冲层BFL上，并且元件层140可布置在电路层130上。

参照图14，示出了第二像素电路PDC2的硅薄膜晶体管S-TFT和氧化物薄膜晶体管O-TFT作为实例。硅薄膜晶体管S-TFT可为参照图5描述的第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的一个，并且氧化物薄膜晶体管O-TFT可为第三晶体管T3和第四晶体管T4中的一个。

参照图14和图15，第一半导体图案层可布置在缓冲层BFL上。第一半导体图案层可包括硅半导体。例如，硅半导体可包括非晶硅或多晶硅。例如，第一半导体图案层可包括低温多晶硅。

图14和图15仅示出了布置在缓冲层BFL上的第一半导体图案层的一部分，并且第一半导体图案层可另外布置在另一区中。第一半导体图案层可根据具体规则(或图案)而跨多个像素布置。根据第一半导体图案层是否被掺杂，第一半导体图案层可具有不同的电性质。第一半导体图案层可包括具有高导电性的第一区和具有低导电性的第二区。第一区可掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区，并且N型晶体管可包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区。第二区可为非掺杂区，或者可为比第一区掺杂轻的区。

第一区可具有比第二区高的导电性，并且可基本上用作电极或信号线。第二区可基本上对应于晶体管的有源区(或沟道)。例如，第一半导体图案层的一部分可为晶体管的有源区，另一部分可为晶体管的源极或漏极，并且又一部分可为连接电极或连接信号线。

硅薄膜晶体管S-TFT的源区SE1、有源区AC1和漏区DE1可由第一半导体图案层形成。源区SE1和漏区DE1可在剖面上在相反的方向上从有源区AC1延伸。

在图14和图15中，示出了由第一半导体图案层形成的连接信号线CSL的一部分。连接信号线CSL可电连接到第二节点N2(参照图5)。

电路层130可包括无机层和有机层。在实施方式中，顺序地堆叠在缓冲层BFL上的第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50可为无机层，并且第六绝缘层60、第七绝缘层70、第八绝缘层80和第九绝缘层90可为有机层。

第一绝缘层10可布置在缓冲层BFL上。第一绝缘层10可覆盖第一半导体图案层。第一绝缘层10可为无机层和/或有机层，并且可具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在本实施方式中，第一绝缘层10可为单个氧化硅层。不仅第一绝缘层10，而且下面将要描述的电路层130的绝缘层也可具有单层结构或多层结构。

硅薄膜晶体管S-TFT的栅电极GT1可布置在第一绝缘层10上。栅电极GT1可为金属图案层的一部分。栅电极GT1可与有源区AC1重叠。栅电极GT1可在掺杂第一半导体图案层的工艺中用作掩模。栅电极GT1可包括钛、银、含银合金、钼、含钼合金、铝、含铝合金、氮化铝、钨、氮化钨、铜、氧化铟锡或氧化铟锌，但实施方式不限于此。

第二绝缘层20可布置在第一绝缘层10上并且可覆盖栅电极GT1。第二绝缘层20可为无机层，并且可具有单层结构或多层结构。第二绝缘层20可包括氧化硅、氮化硅和氧氮化硅中的至少一种。在本实施方式中，第二绝缘层20可具有包括氮化硅层的单层结构。

第三绝缘层30可布置在第二绝缘层20上。第三绝缘层30可为无机层，并且可具有单层结构或多层结构。例如，第三绝缘层30可具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。第一电容器Cst(参照图5)的电极Csta可布置在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间。此外，第一电容器Cst的另一电极可布置在第一绝缘层10与第二绝缘层20之间。

在第三绝缘层30上可布置有第二半导体图案层。第二半导体图案层可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括根据金属氧化物是否被还原而区分开的区。金属氧化物被还原的区(在下文中被称为还原区)可具有比金属氧化物未被还原的区(在下文中被称为非还原区)高的导电性。还原区基本上可用作晶体管的源极/漏极或信号线。非还原区基本上对应于晶体管的有源区(例如，半导体区或沟道)。例如，第二半导体图案层的一部分可为晶体管的有源区，另一部分可为晶体管的源区/漏区(例如，源极/漏极)，并且又一部分可为信号发送区(例如，信号线)。

氧化物薄膜晶体管O-TFT的源区SE2、有源区AC2和漏区DE2可由第二半导体图案层形成。源区SE2和漏区DE2可在剖面上在相反的方向上从有源区AC2延伸。第三下阻光层BML3可布置在第二区A2中，并且可布置在第二绝缘层20上并且布置在氧化物薄膜晶体管O-TFT的源区SE2、有源区AC2和漏区DE2下方。例如，第三下阻光层BML3可布置在比第一下阻光层BML1和第二下阻光层BML2高的水平处。

电连接第一发光元件ED1a和ED1b的连接线ALL可由第二半导体图案层形成。例如，可通过还原第二半导体图案层来形成连接线ALL。连接线ALL可包括氧化铟镓锌(IGZO)。然而，连接线ALL的构成材料不限于此。

第一发光元件ED1a可通过第一连接图案层UC1、第二连接图案层UC2和第三连接图案层UC3以及电路连接线PLL电连接到连接线ALL。另一第一发光元件ED1b可通过第四连接图案层UC4、第五连接图案层UC5、第六连接图案层UC6和第七连接图案层UC7电连接到连接线ALL。

第四绝缘层40可布置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可覆盖第二半导体图案层。第四绝缘层40可为无机层，并且可具有单层结构或多层结构。第四绝缘层40可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在实施方式中，第四绝缘层40可具有包括氧化硅(例如，氧化硅层)的单层结构。

氧化物薄膜晶体管O-TFT的栅电极GT2可布置在第四绝缘层40上。栅电极GT2可为金属图案层的一部分。栅电极GT2可与有源区AC2重叠。栅电极GT2可在还原第二半导体图案层的工艺中用作掩模。

第五绝缘层50可布置在第四绝缘层40上并且可覆盖栅电极GT2。第五绝缘层50可为无机层和/或有机层，并且可具有单层结构或多层结构。例如，第五绝缘层50可具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。

在第五绝缘层50上可布置有第一连接电极CNE10。第一连接电极CNE10可通过穿透第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50的第一接触孔CH1连接到连接信号线CSL。

第一连接图案层UC1和第四连接图案层UC4可布置在第五绝缘层50上。第一连接图案层UC1和第四连接图案层UC4可穿过第四绝缘层40和第五绝缘层50，并且可连接到连接线ALL。

第六绝缘层60可布置在第五绝缘层50上。在第六绝缘层60上可布置有第二连接电极CNE20。第二连接电极CNE20可通过穿透第六绝缘层60的第二接触孔CH2连接到第一连接电极CNE10。第二连接图案层UC2和第五连接图案层UC5可布置在第六绝缘层60上。第二连接图案层UC2可穿过第六绝缘层60并且可连接到第一连接图案层UC1，并且第五连接图案层UC5可穿过第六绝缘层60并且可连接到第四连接图案层UC4。

第七绝缘层70可布置在第六绝缘层60上，并且可覆盖第二连接电极CNE20、第二连接图案层UC2和第五连接图案层UC5。

在第七绝缘层70上可布置有第三连接电极CNE30。第三连接电极CNE30可通过穿透第七绝缘层70的第三接触孔CH3连接到第二连接电极CNE20。第六连接图案层UC6可布置在第七绝缘层70上。第六连接图案层UC6可穿过第七绝缘层70并且可连接到第五连接图案层UC5。

电路连接线PLL可布置在第七绝缘层70上。电路连接线PLL可在第三子区SA3中穿过第七绝缘层70，并且可连接到与第一像素电路PDC1电连接的第二连接电极CNE20。此外，电路连接线PLL可在第一子区SA1中穿过第七绝缘层70，并且可连接到第一子区SA的第二连接图案层UC2。

电路连接线PLL可为图7A至图7F中所示的第一电路连接线PL1r、第二电路连接线PL1g和第三电路连接线PL1b中的一个。例如，电路连接线PLL可为第二电路连接线PL1g。

电路连接线PLL、第三连接电极CNE30和第六连接图案层UC6可包括透明导电线。透明导电线可包括透明导电材料或透光材料。例如，电路连接线PLL、第三连接电极CNE30和第六连接图案层UC6可由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In₂O₃)的透明导电氧化物(TCO)形成。因此，即使电路连接线PLL与透射区TP重叠，光也可穿过电路连接线PLL。

第八绝缘层80可布置在第七绝缘层70上，并且可覆盖第三连接电极CNE30和电路连接线PLL。第三连接图案层UC3和第七连接图案层UC7可布置在第八绝缘层80上。第三连接图案层UC3可穿过第八绝缘层80并且可连接到电路连接线PLL，并且第七连接图案层UC7可穿过第八绝缘层80并且可连接到第六连接图案层UC6。第三连接图案层UC3和第七连接图案层UC7可包括前述透明导电材料。

第九绝缘层90可布置在第八绝缘层80上，并且可覆盖第三连接图案层UC3和第七连接图案层UC7。

电路连接线PLL可布置在第七绝缘层70与第八绝缘层80之间，但实施方式不限于此。例如，电路连接线PLL可布置在第八绝缘层80与第九绝缘层90之间。在显示面板DP(参照图4)中，多个电路连接线PLL中的一些可布置在第七绝缘层70与第八绝缘层80之间，并且剩余可布置在第八绝缘层80与第九绝缘层90之间。

第六绝缘层60、第七绝缘层70、第八绝缘层80和第九绝缘层90中的每个可为有机层。例如，第六绝缘层60、第七绝缘层70、第八绝缘层80和第九绝缘层90中的每个可包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸酯类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚基类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其共混物。

参照图14和图15，包括第一发光元件ED1a和ED1b以及第二发光元件ED2的元件层140可布置在电路层130上。第一发光元件ED1a和ED1b以及第二发光元件ED2中的每个可包括像素电极AE(或阳极)、第一功能层HFL、发射层EL、第二功能层EFL和公共电极CE(或阴极)。可对于多个像素PX(参照图4)公共地提供第一功能层HFL、第二功能层EFL和公共电极CE。

像素电极AE可布置在第九绝缘层90上。第二发光元件ED2的像素电极AE可通过穿透第八绝缘层80和第九绝缘层90的第四接触孔CH4连接到与第二像素电路PDC2电连接的第三连接电极CNE30。第一发光元件ED1a可穿过第九绝缘层90并且可电连接到第三连接图案层UC3，并且第一发光元件ED1b可穿过第九绝缘层90并且可电连接到第七连接图案层UC7。

像素电极AE可为半透反射电极、透射电极或反射电极。在实施方式中，像素电极AE可包括由银、镁、铝、铂、钯、金、镍、钕、铱、铬或其化合物形成的反射层和形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可包括选自包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌、氧化锌、氧化铟和铝掺杂的氧化锌的集群中的至少一种。例如，像素电极AE可包括顺序地堆叠有氧化铟锡、银和氧化铟锡的多层结构。

在第九绝缘层90上可布置有像素限定层PDL1和像素限定图案层PDL2。一起参照图6，像素限定层PDL1可布置在第二子区SA2、第三子区SA3和第四子区SA4以及第二区A2中，并且像素限定图案层PDL2可布置在第一子区SA1中。

像素限定层PDL1和像素限定图案层PDL2可具有吸收光的性质。例如，像素限定层PDL1和像素限定图案层PDL2可在颜色上为黑色。像素限定层PDL1和像素限定图案层PDL2可包括黑色着色剂。黑色着色剂可包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可包括炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。

像素限定层PDL1可具有限定在其中的、像素电极AE的一部分暴露的开口PDLop1，并且像素限定图案层PDL2可具有形成在其中的、像素电极AE的一部分暴露的开口PDLop2。例如，像素限定层PDL1和像素限定图案层PDL2中的每个可覆盖对应像素电极AE的外围。发射区可由限定在像素限定层PDL1中的开口PDLop1和像素限定图案层PDL2中的开口PDLop2来限定。例如，在第一发光元件ED1a和ED1b中的每个中可限定有第一发射区PXA1，并且在第二发光元件ED2中可限定有第二发射区PXA2。

在像素限定层PDL1上可布置有间隔件HSPC。在间隔件HSPC上可布置有突出间隔件SPC。间隔件HSPC和突出间隔件SPC可彼此一体地形成，并且可由相同的材料形成。例如，间隔件HSPC和突出间隔件SPC可通过半色调掩模通过同一过程形成。然而，这为实例，并且实施方式不限于此。例如，间隔件HSPC和突出间隔件SPC可包括不同的材料并且可通过分开的工艺形成。

突出间隔件SPC的高度(或厚度)可大于间隔件HSPC的高度(或厚度)。间隔件HSPC的高度可在从约0.1μm至约0.5μm的范围内，并且间隔件HSPC和突出间隔件SPC的总高度可在从约1.1μm至约2.0μm的范围内。然而，间隔件HSPC的高度以及间隔件HSPC和突出间隔件SPC的总高度不限于前述实例。

第一功能层HFL可布置在像素电极AE、像素限定层PDL1、像素限定图案层PDL2、间隔件HSPC和突出间隔件SPC上。第一功能层HFL可包括空穴传输层(HTL)，可包括空穴注入层(HIL)，或可包括空穴传输层和空穴注入层两者。第一功能层HFL可布置在整个显示区DP-DA(参照图4)中。

发射层EL可布置在第一功能层HFL上，并且可布置在与像素限定层PDL1的开口PDLop1或像素限定图案层PDL2的开口PDLop2对应的区中。发射层EL可包括发射某一颜色光的有机材料、无机材料或有机-无机材料。

第二功能层EFL可布置在第一功能层HFL上并且可覆盖发射层EL。第二功能层EFL可包括电子传输层(ETL)，可包括电子注入层(EIL)，或者可包括电子传输层和电子注入层两者。第二功能层EFL可布置在整个显示区DP-DA(参照图4)中。

公共电极CE可布置在第二功能层EFL上。公共电极CE可布置在显示区DP-DA(参照图4)中。例如，公共电极CE可布置在整个显示区DP-DA(参照图4)中。

元件层140还可包括布置在公共电极CE上的盖层CPL。盖层CPL可用于通过相长干涉的原理提高光发射效率。例如，盖层CPL可包括对于具有约589nm的波长的光具有约1.6或更大的折射率的材料。盖层CPL可为包括有机材料的有机盖层、包括无机材料的无机盖层、或者包括有机材料和无机材料的复合盖层。例如，盖层CPL可包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属配合物、碱土金属配合物或其组合物。包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其组合的取代基可选择性地取代碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物。

封装层150可布置在元件层140上。封装层150可包括一个在另一个上方顺序地堆叠的无机层151、有机层152和无机层153。然而，封装层150的各层不限于此。

无机层151和153可保护元件层140免受湿气和氧的影响，并且有机层152可保护元件层140免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。无机层151和153可包括氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层152可包括丙烯酸酯类有机层，但实施方式不限于此。

传感器层200可布置在显示层100上。传感器层200可被称为传感器、输入感测层或输入感测面板。传感器层200可包括传感器基础层210、第一传感器导电层220、传感器绝缘层230、第二传感器导电层240和传感器覆盖层250。

传感器基础层210可布置(例如，直接布置)在显示层100上。传感器基础层210可为包括氮化硅、氧氮化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。在另一实例中，传感器基础层210可为包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺类树脂的有机层。传感器基础层210可具有单层结构，或者可具有在第三方向DR3上堆叠的多层结构。

第一传感器导电层220和第二传感器导电层240中的每个可具有单层结构，或者可具有在第三方向DR3上堆叠的多层结构。

具有单层结构的导电层可包括金属层或透明导电层。金属层可包括钼、银、钛、铜、铝或其合金。透明导电层可包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化铟锌锡。例如，透明导电层可包括诸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)的导电聚合物、金属纳米线或石墨烯。

具有多层结构的导电层可包括多个金属层。例如，多个金属层可具有钛/铝/钛的三层结构。具有多层结构的导电层可包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。

传感器绝缘层230可布置在第一传感器导电层220与第二传感器导电层240之间。传感器绝缘层230可包括无机膜。无机膜可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。

在另一实例中，传感器绝缘层230可包括有机膜。有机膜可包括丙烯酸酯类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。

传感器覆盖层250可布置在传感器绝缘层230上，并且可覆盖第二传感器导电层240。第二传感器导电层240可包括导电图案层。传感器覆盖层250可覆盖导电图案层，并且可减小或消除在后续工艺中对导电图案层的损坏的可能性。传感器覆盖层250可包括无机材料。例如，传感器覆盖层250可包括氮化硅，但实施方式不限于此。在另一实例中，可省略传感器覆盖层250。

抗反射层300可布置在传感器层200上。抗反射层300可包括划分层310、滤色器320和320A1以及平坦化层330。划分层310以及滤色器320和320A1可不布置在第一子区SA1的透射区TP中。

划分层310可布置为与第二传感器导电层240的导电图案层重叠。传感器覆盖层250可布置在划分层310与第二传感器导电层240之间。划分层310可防止外部光由第二传感器导电层240反射。划分层310的材料不受限制，只要其为能够吸收光的材料即可。划分层310可为具有黑颜色的层。在实施方式中，划分层310可包括黑色着色剂。黑色着色剂可包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可包括炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。

一起参照图6，划分层310可布置在第二子区SA2、第三子区SA3和第四子区SA4以及第二区A2中。例如，划分层310可不与第一子区SA1重叠。划分层310可具有形成在其中的划分开口310op。划分开口310op可与布置在第二子区SA2、第三子区SA3和第四子区SA4中的发射层EL重叠。在第二子区SA2、第三子区SA3和第四子区SA4以及第二区A2中，滤色器320可布置为与划分开口310op对应(或重叠)。滤色器320可透射从与滤色器320重叠的发射层EL提供的光。

在第一子区SA1中，滤色器320A1可排列为与第一发光元件ED1a和ED1b重叠。滤色器320A1可与划分层310间隔开。例如，滤色器320A1可不与划分层310接触。

平坦化层330可覆盖划分层310以及滤色器320和320A1。平坦化层330可包括有机材料，并且可在平坦化层330的上表面上提供平坦表面。在另一实例中，可省略平坦化层330。

在实施方式中，抗反射层300可包括反射控制层来代替滤色器320和320A1。例如，在图14和图15中，可省略滤色器320和320A1，并且反射控制层可添加到省略了滤色器320和320A1之处。反射控制层可选择性地吸收在显示面板DP和/或电子装置EDE(例如，参照图2A)内部反射的局部光带中的光或者从显示面板DP和/或电子装置EDE外部入射的局部光带中的光。

例如，反射控制层可吸收约490nm至约505nm的第一波长区和约585nm至约600nm的第二波长区中的光，并且因此第一波长区和第二波长区中的透光率可为约40％或更小。反射控制层可吸收从发射层EL发射的红色光、绿色光和蓝色光的波长范围以外的光。如上所述，由于反射控制层吸收从发射层EL发射的红色光、绿色光和蓝色光的波长范围以外的光，因此可防止或最小化显示面板DP和/或电子装置EDE的亮度减小。例如，可防止或最小化显示面板DP和/或电子装置EDE的光发射效率的劣化，并且可改善可视性。

反射控制层可通过包括染料、颜料或其组合的有机层来实现。反射控制层可包括四氮杂卟啉(TAP)类化合物、卟啉类化合物、金属卟啉类化合物、噁嗪类化合物、方酸菁类化合物、三芳基甲烷类化合物、聚甲炔类化合物、蒽醌类化合物、酞菁类化合物、偶氮类化合物、苝类化合物、呫吨类化合物、联胺类化合物、二吡咯类化合物、菁类化合物以及其组合物。

在实施方式中，反射控制层可具有约64％至约72％的透射率。反射控制层的透射率可根据包括在反射控制层中的颜料和/或染料的含量来调节。反射控制层在平面视图中可与发射区重叠，但在平面视图中可不与透射区TP重叠。

图16A是示出根据实施方式的显示面板的局部区的示意性放大平面视图。

参照图7A和图16A，示出了与两个第一发光单元EU1a重叠的第一下阻光层BML1。

在第一下阻光层BML1中可形成有开口BMop1和BMop1-E。开口BMop1和BMop1-E可限定透射区TP和TP-E。例如，开口BMop1和BMop1-E可包括开口BMop1和扩展开口BMop1-E。

例如，在第一发光单元EU1a的情况下，发光元件可不布置在第二选择点SP2和第三选择点SP3处。扩展开口BMop1-E可形成为通过连接第二选择点SP2和在第二选择点SP2周围的开口而形成的经扩展的开口、或者通过连接第三选择点SP3和在第三选择点SP3周围的开口而形成的经扩展的开口。扩展开口BMop1-E可具有比开口BMop1大的面积。

图16B是示出根据实施方式的显示面板的局部区的示意性放大平面视图。

参照图7B和图16B，示出了与两个第二发光单元EU1b重叠的第一下阻光层BML1。

开口BMop1和BMop1-Ea可形成在第一下阻光层BML1中。开口BMop1和BMop1-Ea可限定透射区TP和TP-Ea。

开口BMop1和BMop1-Ea可包括开口BMop1和扩展开口BMop1-Ea。例如，在第二发光单元EU1b的情况下，发光元件可不布置在第三选择点SP3和第四选择点SP4处。例如，可限定有通过连接在第三选择点SP3和第四选择点SP4周围的开口而形成的扩展开口BMop1-Ea(具体地，可限定有通过连接第三选择点SP3和第四选择点SP4以及在第三选择点SP3和第四选择点SP4周围的开口而形成的扩展开口BMop1-Ea)。因此，扩展开口BMop1-Ea可具有比开口BMop1大的面积。

图17A是示出根据实施方式的显示面板的局部区的示意性放大平面视图。图17B是示出根据实施方式的显示面板的局部区的示意性放大平面视图。图17B是示出图17A的区YY'的示意性放大平面视图。

参照图14、图17A和图17B，间隔件HSPC可具有基本上对应于像素限定层PDL1的形状。例如，间隔件HSPC可与像素限定层PDL1的边缘部分间隔开，并且可布置在像素限定层PDL1的上表面上。突出间隔件SPC可布置在间隔件HSPC上并且可与像素限定层PDL1重叠。在平面视图中，突出间隔件SPC可具有圆形形状。

可提供有多个突出间隔件SPC。例如，两个突出间隔件SPC可布置为彼此相邻。例如，可进一步减小在制造工艺期间发生由掩模导致的凹痕缺陷的可能性。

一起参照图6，突出间隔件SPC可布置在第二子区SA2、第三子区SA3、第四子区SA4和第二区A2中。突出间隔件SPC可不布置在第一子区SA1中。布置在电路层130(参照图15)中的导电层在第一子区SA1中可比在第二子区SA2、第三子区SA3和第四子区SA4以及第二区A2中小。例如，与其它区相比，第一子区SA1可具有相对凹入的形状。例如，在制造工艺期间，第一子区SA1的厚度可小于其它区的厚度。在另一实例中，在制造工艺期间，第一子区SA1的上表面可具有朝向基础层110凹入地凹陷的形状。因此，像素限定图案层PDL2可在制造工艺期间与掩模间隔开而不与掩模接触。因此，在第一子区SA1中，可不发生由掩模而导致的凹痕缺陷。结果，在第一子区SA1中可省略间隔件HSPC和突出间隔件SPC。

在实施方式中，在第二子区SA2、第三子区SA3和第四子区SA4的至少一部分中也可省略突出间隔件SPC。在另一实例中，第二子区SA2、第三子区SA3和第四子区SA4中的突出间隔件SPC的排列密度可与第二区A2中的突出间隔件SPC的排列密度相同(或不同)。例如，第二区A2中的突出间隔件SPC的排列密度可高于第二子区SA2、第三子区SA3和第四子区SA4中的突出间隔件SPC的排列密度。

在图17B中，示出了在平面视图中的像素限定图案层PDL2的形状。例如，像素限定图案层PDL2可具有圆环形状。然而，像素限定图案层PDL2的形状不限于此。例如，像素限定图案层PDL2可具有各种形状，诸如有角度的环形形状、包括直线的环形形状、包括直线和曲线的环形形状以及不规则的环形形状。

图17C是示出根据实施方式的显示面板的局部区的示意性放大平面视图。

参照图17C，在第一子区SA1中可附加地布置有附加间隔件TSPC。附加间隔件TSPC可布置在第九绝缘层90(参照图15)上。附加间隔件TSPC可具有与图14中所示的间隔件HSPC和突出间隔件SPC的剖面形状相似的剖面形状。

图18是示出根据实施方式的显示面板的制造方法的步骤的示意性平面视图。

参照图6和图18，示出了第一发光单元EU1a、第二发光单元EU1b、第三发光单元EU1c、第四发光单元EU1d、第五发光单元EU1e和第六发光单元EU1f以及与第一发光单元EU1a、第二发光单元EU1b、第三发光单元EU1c、第四发光单元EU1d、第五发光单元EU1e和第六发光单元EU1f重叠的掩模FMM。掩模FMM可具有形成在其中的掩模开口FM-H。掩模开口FM-H可根据某一规则(或图案)在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此间隔开。

根据实施方式，多个第一类型发光单元EU1可包括第一发光单元EU1a、第二发光单元EU1b、第三发光单元EU1c、第四发光单元EU1d、第五发光单元EU1e和第六发光单元EU1f之中的具有不同的排列规则(或图案)的至少两个发光单元。如参照图7A至图7F所述，多个第一类型发光单元EU1(例如，包括在多个第一类型发光单元EU1中的至少两个发光单元的不同的排列规则(或图案))可包括通过第一选择点SP1、第二选择点SP2、第三选择点SP3和第四选择点SP4实现的六个组合中的至少两个。例如，布置在第一子区SA1中的发光元件可具有为能够通过掩模FMM而设计和制造的随机结构的随机排列结构。

图19是用于描述根据实施方式的随机排列的示意性平面视图。

参照图19，掩模开口MAAr、MAAg和MAAb的大小可大于像素电极AEr-c、AEg-c和AEb-c的大小。由于掩模开口MAAr、MAAg和MAAb的大小在考虑设计裕度的情况下确定，因此掩模开口MAAr、MAAg和MAAb的大小可大于像素电极AEr-c、AEg-c和AEb-c的大小。

根据实施方式，通过将像素电极AEr-c、AEg-c和AEb-c的位置以及像素限定图案层PDL2(参照图17B)的位置从掩模开口MAAr、MAAg和MAAb的中心部分移位，可实现附加的随机结构。像素限定图案层PDL2可覆盖像素电极AEr-c、AEg-c和AEb-c的边缘部分。因此，像素限定图案层PDL2的位置也可响应于像素电极AEr-c、AEg-c和AEb-c的位置的改变而改变。

在图19中，布置在掩模开口MAAr、MAAg和MAAb的中心部分处的像素电极AEr-c、AEg-c和AEb-c由实线示出，并且经移位的像素电极AEr-cr、AEr-cra、AEg-cr、AEg-cra、AEb-cr和AEb-cra由虚线示出。根据实施方式，多个第一类型发光单元EU1可包括具有不同的排列规则(或图案)的至少两个发光单元，并且在包括在多个发光单元中的每个中的像素电极内，像素电极AEr-cr、AEr-cra、AEg-cr、AEg-cra、AEb-cr和AEb-cra可在从中心部分移位的结构中应用。因此，可进一步增加随机性的程度。因此，可改善由于规律排列而引起的光晕现象和双相。结果，可改善由相机模块CMM(参照图2A)获得的图像的质量。

如上所述，布置在与相机模块重叠的第一子区中的多个第一类型发光单元可包括具有不同的排列规则(或图案)的至少两个发光单元。因此，布置在第一子区中的发光元件可实现为能够设计和制造的随机排列结构。因此，可减轻或消除由于规律排列而引起的光晕现象。而且，可消除双相，可减小双相的间隔，或者可减小不必要的双相清晰度。结果，可改善由相机模块获得的图像的质量。

在结束详细描述时，本领域技术人员将领会的是，在实质上不背离本公开的原理以及精神和范围的情况下，可对实施方式进行许多变化和修改。因此，公开的实施方式仅在概括和描述的意义上使用，并且不出于限制的目的。

Claims (10)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

显示面板，所述显示面板包括第一区和与所述第一区相邻的第二区，

其中，所述显示面板包括：

第一发光单元，所述第一发光单元布置在所述第一区中，所述

第一发光单元包括多个第1-2发光元件；以及

第二发光单元，所述第二发光单元布置在所述第一区中，所述第二发光单元包括多个第2-2发光元件，并且

所述多个第1-2发光元件和所述多个第2-2发光元件具有不同的排列图案。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一发光单元还包括多个第1-1发光元件和多个第1-3发光元件，

所述第二发光单元还包括多个第2-1发光元件和多个第2-3发光元件，

所述多个第1-1发光元件和所述多个第2-1发光元件具有相同的排列图案，并且

所述多个第1-3发光元件和所述多个第2-3发光元件具有相同的排列图案。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述显示面板还包括：

第1-1像素电路，所述第1-1像素电路电连接到所述多个第1-1发光元件；

第1-2像素电路，所述第1-2像素电路电连接到所述多个第1-2发光元件；以及

第1-3像素电路，所述第1-3像素电路电连接到所述多个第1-3发光元件。

4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，

所述第一区包括：

第一子区；

第二子区，所述第二子区围绕所述第一子区，所述第二子区具有比所述第一子区的透光率低的透光率；

多个第三子区，所述多个第三子区彼此间隔开，所述第二子区布置在所述多个第三子区之间；以及

第四子区，所述第四子区围绕所述第二子区和所述多个第三子区，并且

所述第二区围绕所述第四子区。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，

所述第一发光单元和所述第二发光单元布置在所述第一子区中，并且

所述第1-1像素电路、所述第1-2像素电路和所述第1-3像素电路布置在所述多个第三子区中。

6.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述第一子区包括：

第一分区，在所述第一分区中布置有所述第一发光单元，以及

第二分区，在所述第二分区中布置有所述第二发光单元。

7.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，

所述显示面板还包括分别布置在所述第二子区、所述多个第三子区和所述第四子区中的多个中间发光单元，

所述多个中间发光单元中的每个包括多个第3-1发光元件、多个第3-2发光元件和多个第3-3发光元件，

所述多个第1-1发光元件的数量等于所述多个第3-1发光元件的数量，

所述多个第1-3发光元件的数量等于所述多个第3-3发光元件的数量，并且

所述多个第1-2发光元件的数量小于所述多个第3-2发光元件的数量。

8.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，在所述第一发光单元和所述第二发光单元中的每个中限定有第一点、在第一方向上与所述第一点间隔开的第二点、在与所述第一方向相交的第二方向上与所述第一点间隔开的第三点、在所述第一方向上与所述第三点间隔开的第四点、布置在所述第一点、所述第二点、所述第三点和所述第四点之间的第一选择点、在所述第一方向上与所述第一选择点间隔开的第二选择点、在所述第二方向上与所述第一选择点间隔开的第三选择点以及在所述第一方向上与所述第三选择点间隔开的第四选择点，

所述多个第1-1发光元件布置在所述第一发光单元的所述第二点和所述第三点处，

所述多个第1-2发光元件布置在所述第一发光单元的选自所述第一选择点至所述第四选择点中的两个选择点处，

所述多个第1-3发光元件布置在所述第一发光单元的所述第一点和所述第四点处，

所述多个第2-1发光元件布置在所述第二发光单元的所述第二点和所述第三点处，

所述多个第2-2发光元件布置在所述第二发光单元的选自所述第一选择点至所述第四选择点中的两个选择点处，并且

所述多个第2-3发光元件布置在所述第二发光单元的所述第一点和所述第四点处。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，

与所述多个第1-2发光元件重叠的所述两个选择点对应于通过所述第一选择点至所述第四选择点形成的六个组合中的一个，并且

与所述多个第2-2发光元件重叠的所述两个选择点对应于所述六个组合中的另一个。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，

所述显示面板还包括布置在所述第一区中的第三发光单元、布置在所述第一区中的第四发光单元、布置在所述第一区中的第五发光单元和布置在所述第一区中的第六发光单元中的至少一个，并且

包括在所述第三发光单元至所述第六发光单元中的各自的多个发光元件的排列图案分别对应于所述六个组合中的其余四个组合。