CN220672563U - 一种封装装置 - Google Patents
一种封装装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220672563U CN220672563U CN202321777115.2U CN202321777115U CN220672563U CN 220672563 U CN220672563 U CN 220672563U CN 202321777115 U CN202321777115 U CN 202321777115U CN 220672563 U CN220672563 U CN 220672563U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- die
- layer
- mold
- assembly
- present application
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 16
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ICXAPFWGVRTEKV-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC(C3=CC=C(C=C3)C=3OC4=CC=CC=C4N=3)=NC2=C1 ICXAPFWGVRTEKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XRWSZZJLZRKHHD-WVWIJVSJSA-N asunaprevir Chemical compound O=C([C@@H]1C[C@H](CN1C(=O)[C@@H](NC(=O)OC(C)(C)C)C(C)(C)C)OC1=NC=C(C2=CC=C(Cl)C=C21)OC)N[C@]1(C(=O)NS(=O)(=O)C2CC2)C[C@H]1C=C XRWSZZJLZRKHHD-WVWIJVSJSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229940125961 compound 24 Drugs 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000033458 reproduction Effects 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
本申请提供了一种封装装置，其包括基板组件；裸片组件，裸片组件包括裸片，裸片组件倒装键合在基板组件上，裸片包含位于与基板组件相对一侧的第一表面；第一模封层，第一模封层包覆在第一表面上。本申请的优点在于：通过背部载板增加了顶部裸片的强度，顶部裸片不会在加工过程中发生翘曲，从而避免顶部裸片因翘曲而发生焊接问题，提高了使用质量回流进行封装的良品率；通过背部载板增加的顶部裸片的高度，提高了使用激光辅助键合进行封装的良品率。
Description
技术领域
本申请涉及半导体领域，具体涉及一种封装装置。
背景技术
裸片(Die)容易发生翘曲(Warpage)且封装前的裸片本身高度通常较小，这会带来一些加工过程中的问题。一方面，在植球制程中，裸片的翘曲会导致良品率下降。图1示出了一种现有技术的封装装置的顶部裸片(Top Die)向下弯曲的示意图；图2示出了一种现有技术的封装装置的顶部裸片向上弯曲的示意图。如图1和图2所示，采用质量回流(MR，MassReflow)工艺时，裸片组件101无论发生两端向下或者两端向上的弯曲都会造成其底部的焊球102无法对准凸块103，使两者无法正确对准焊接，导致未焊(non-joint)问题的发生。
另一方面，除了批量回流工艺，现有技术还使用激光辅助键合(LAB)和热压键合(TCB)工艺对顶部裸片进行封装。在使用这两种工艺时，由于现有的顶部裸片的高度较低，这也造成了一些问题。图3示出了一种现有技术的封装装置使用激光辅助键合的方式封装顶部裸片的示意图，如图3所示，在使用激光辅助键合时，由于导电柱104高于顶部裸片101安装后的高度，这导致石英板105无法向顶部裸片101施加压力，进而使作业无法完成。图4示出了一种现有技术的封装装置使用热压键合的方式封装顶部裸片的示意图。如图4所示，由于导电柱104高于顶部裸片101安装后的高度且顶部裸片101与两侧的导电柱104之间的间距较小，这导致对热压头106的精度要求较高，且热压头106在下压时容易与顶部裸片101两侧的导电柱104发生接触，进而造成产品良率的下降。
综上所述，本领域需要提供一种封装装置，其能够克服现有技术的缺陷。
实用新型内容
本申请提供了一种封装装置，其能够解决磁场对封装装置包覆性不足的问题。本申请的目的通过以下技术方案得以实现。
本申请的一个实施方式提供了一种封装装置，其包括:基板组件；裸片组件，裸片组件包括裸片，裸片组件倒装键合在基板组件上，裸片包含位于与基板组件相对一侧的第一表面；第一模封层，第一模封层包覆在第一表面上。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中裸片组件包括第一导体，第一导体设置于裸片的第一表面上，第一模封层包覆第一导体，第一导体的顶端从第一模封层露出。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中裸片组件还包括位于与第一表面相对的裸片的另一侧的凸块和焊材，焊材通过凸块与裸片连接。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中基板组件包括导电柱、重布线层、连接柱和基板，连接柱包括依次设置的连接层、第三模封层和下凸块，下凸块的底部与重布线层连接，导电柱设置在多个连接柱的两侧，导电柱的底端与重布线层连接，基板设置在重布线层上与导电柱相对的另一侧，焊材与连接层的顶部连接。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中第一模封层的上表面与第一导体的上表面平齐。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中第一模封层的上表面和第一导体的上表面具有沟槽结构。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中封装装置还包括第二模封层，第二模封层的上表面与第一模封层的上表面平齐。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中裸片的边缘位于第一模封层的边缘之内。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中第一模封层包覆裸片的边缘。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中第二模封层包覆裸片的侧面。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中第二模封层包覆裸片的侧面的面积大于第一模封层包覆裸片的侧面的面积。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中第二模封层和裸片在连接处形成阶梯结构。
根据本申请实施方式封装装置的优点在于：通过背部载板增加了顶部裸片的强度，顶部裸片不会在加工过程中发生翘曲，从而避免顶部裸片因翘曲而发生焊接问题，提高了使用质量回流进行封装的良品率；通过背部载板增加的顶部裸片的高度，提高了使用激光辅助键合进行封装的良品率。
附图说明
通过参照以下附图对本申请非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显。
图1示出了一种现有技术的封装装置的顶部裸片向下弯曲的示意图；
图2示出了一种现有技术的封装装置的顶部裸片向上弯曲的示意图；
图3示出了一种现有技术的封装装置使用激光辅助键合的方式封装顶部裸片的示意图；
图4示出了一种现有技术的封装装置使用热压键合的方式封装顶部裸片的示意图；
图5示出了根据本申请一个实施方式的封装装置的示意图；
图6示出了如图5所示的根据本申请一个实施方式的封装装置中标识为A的部分的放大示意图；
图7示出了根据本申请一个实施方式的封装装置的制作过程的示意图；
图8示出了根据本申请一个实施方式的封装装置的又一种制作过程的示意图。
标号和部件名称：1-裸片组件，2-基板组件，3-导电柱，4-第二模封层，5-基板，6-下凸块，7-重布线层，11-第一导体，12-第一模封层，13-裸片，14-上凸块，15-焊材，20-裸片单元，21-基板组件，22-载板，23-第一模封层，30-激光辅助键合工艺，40-质量回流工艺，101-芯片组件，102-焊球，103-凸块，104-导电柱，105-石英板，106-热压头，131-第一表面，200-裸片组件，201-焊材，202-上凸块，203-芯片，204-第一导体，211-导电柱，212-重布线层，213-基板，214-下凸块。
具体实施方式
下面结合附图和实施例说明本申请的具体实施方式，通过本说明书记载的内容，本领域技术人员可以清楚完整地了解本申请的技术方案、解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分。
应容易理解，本申请中的“在...上”、“在...之上”和“在...上面”的含义应该以最广义的方式解释，使得“在...上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还意味着包括存在两者之间的中间部件或层的“在某物上”。
此外，为了便于描述，本文中可能使用诸如“在...下面”、“在...之下”、“下部”、“在...之上”、“上部”等空间相对术语来描述一个元件或部件与附图中所示的另一元件或部件的关系。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中的不同方位。设备可以以其他方式定向(旋转90°或以其他定向)，并且在本文中使用的空间相对描述语可以被同样地相应地解释。
本文中所使用的术语“层”是指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个下层或上层结构上延伸，或者可以具有小于下层或上层结构的范围的程度。此外，层可以是均质或不均质连续结构的区域，其厚度小于连续结构的厚度。例如，层可以位于连续结构的顶表面和底表面之间或在其之间的任何一对水平平面之间。层可以水平地、垂直地和/或沿着锥形表面延伸。基板(substrate)可以是一层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以在其上、之上和/或之下具有一个或多个层。一层可以包括多层。例如，半导体层可以包括一个或多个掺杂或未掺杂的半导体层，并且可以具有相同或不同的材料。
本文中使用的术语“基板(substrate)”是指在其上添加后续材料层的材料。基板本身可以被图案化。添加到基板顶部的材料可以被图案化或可以保持未图案化。此外，基板可以包括各种各样的半导体材料，诸如硅、碳化硅、氮化镓、锗、砷化镓、磷化铟等。可替选地，基板可以由非导电材料制成，诸如玻璃、塑料、蓝宝石晶片、聚酰胺纤维(Polyamide，PA)，聚酰亚胺(Polyimide，PI)，环氧树脂(Epoxy)，聚对苯撑苯并二噁唑(Poly-p-phenylene benzobisoxazole，PBO)纤维，FR-4环氧玻璃布层压板，PP(PrePreg，预浸材料或称为半固化树脂、半固化片)或ABF(Ajinomoto Build-up Film)等。进一步可替选地，基板可以具有在其中形成的半导体装置或电路。
本文中使用的术语“重布线层(RDL)”可以是由导电材料和介电材料(Dielectric)组成的重布线层。需要说明的是，制程上可以采用当前已知或未来开发的重布线层形成技术，本公开对此不做具体限定，例如可采用包括但不限于光刻、电镀(plating)，化学镀(Electroless plating)等形成重布线层。这里，介电材料可包括有机物和/或无机物，其中有机物例如可以是：聚酰胺纤维(Polyamide，PA)、聚酰亚胺(Polyimide，PI)、环氧树脂(Epoxy)、聚对苯撑苯并二噁唑(Poly-p-phenylene benzobisoxazole，PBO)纤维、FR-4环氧玻璃布层压板、PP(PrePreg，预浸材料或称为半固化树脂、半固化片)、ABF(AjinomotoBuild-up Film)等，而无机物例如可以是硅(Si),玻璃(glass)，陶瓷(ceramic)，氧化硅，氮化硅，氧化钽等。导电材料可包括种子层和金属层。这里，种子层例如可以是钛(Ti)，钨(W)，镍(Ni)等，而金属层例如可以是金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、钯(Pd)、铜(Cu)或其合金。
本文中使用的术语“裸片”可以是各种类型的裸芯片(即，Die)。本公开对此不做具体限定。比如，可以包括逻辑功能芯片、存储芯片、通信芯片、微处理器芯片、图形芯片、微机电系统(MEMS，Micro-Electro-Mechanical System)芯片、射频芯片、裸片或芯片尺度封装、插入物或其组合等。
需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本申请可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本申请所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本申请所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本申请可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本申请可实施的范畴。
还需要说明的是，本申请的实施例对应的纵向截面可以为对应前视图方向截面，横向截面可以为对应右视图方向截面，水平截面可以为对应上视图方向截面。
另外，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
图5示出了根据本申请一个实施方式的封装装置的示意图。如图5所示，封装装置包括:基板组件2；裸片组件1，裸片组件1包括裸片13，裸片组件1倒装键合在基板组件2上，裸片13包含位于与基板组件2相对一侧的第一表面131；第一模封层12，第一模封层12包覆在第一表面131上。裸片组件1倒装键合在基板组件2上的封装工艺包括但不限于质量回流、激光辅助键合或热压键合。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中裸片组件1包括第一导体11，第一导体11设置于裸片13的第一表面131上，第一模封层12包覆第一导体11，第一导体11的顶端从第一模封层12露出。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中裸片组件1还包括位于与第一表面131相对的裸片13的另一侧的上凸块14和焊材15，焊材15设置在上凸块14下方。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中基板组件2包括导电柱3、基板5、重布线9层和连接柱(未标示)，连接柱包括下凸块6，下凸块6的底部与重布线层9连接，导电柱3设置在多个连接柱的两侧，导电柱3的底端与重布线层9连接，基板5设置在重布线层9上与导电柱3相对的另一侧，焊材15连接上凸块14和下凸块6。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中第一模封层12的上表面与第一导体11的上表面平齐。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中第一模封层12的上表面和第一导体11的上表面具有沟槽结构。沟槽结构是通过对封装装置的上表面进行研磨而形成，具体请见后面对于封装装置的制作过程的描述。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中封装装置还包括第二模封层4，第二模封层4的上表面与第一模封层12的上表面平齐。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中裸片13的边缘位于第一模封层12的边缘之内。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中第二模封层4包覆裸片13的侧面。
图6示出了如图5所示的根据本申请一个实施方式的封装装置中标识为A的部分的放大示意图。如图6所示，第一模封层12包覆裸片13的边缘。第二模封层4包覆裸片13的侧面的面积大于第一模封层12包覆裸片13的侧面的面积。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中第二模封层4和裸片组件1在连接处形成阶梯结构，其中，第一模封层12、裸片13和上凸块14的边缘与第二模封层4接触且第一模封层12、裸片13和上凸块14的边缘形成阶梯结构。
图7示出了根据本申请一个实施方式的封装装置的制作过程的示意图。如图7所示，封装装置的制作过程包括多个步骤：
步骤1001：提供载板22，在载板22的上方设置第一模封层23，在第一模封层23上间隔设置多个裸片单元20，位于裸片单元20一侧的第一导体204插入第一模封层23；其中裸片单元20包括裸片203、设置在裸片203一侧的第一导体204以及设置在与第一导体204相对的裸片203的另一侧的上凸块202和焊材201，焊材201通过凸块201与裸片23连接；
步骤1002：沿相邻的螺片单元之20之间的间隙切割载板22和第一模封层23，从而得到裸片组件200；
步骤1003：翻转裸片组件200，使焊材201对准基板组件21的下凸块214；其中，基板组件21包括导电柱211、重布线层212、下凸块214和基板213，导电柱211设置在多个下凸块214的两侧，导电柱211的底端与重布线层212连接，基板213设置在重布线层212上与导电柱211相对的另一侧；
步骤1004：通过激光辅助键合工艺倒装连接裸片组件200和基板组件21；裸片组件200和基板组件21连接后，导电柱211的顶端位置高于第一模封层23与载板22的接触面；
步骤1005：使用模封材24包覆导电柱211和芯片组件200形成封装装置；以及
步骤1006：研磨封装装置的顶部直至导电柱211和第一导体204从封装装置的顶部露出并在第一模封层23和第一导体204的上表面形成沟槽结构。
图8示出了根据本申请一个实施方式的封装装置的又一种制作过程的示意图。如图8所示，封装装置的又一种制作过程包括多个步骤：
步骤2001：提供载板22，在载板22的上方设置第一模封层23，在第一模封层23上间隔设置多个裸片单元20，位于裸片单元20一侧的第一导体204插入第一模封层23；其中裸片单元20包括裸片203、设置在裸片203一侧的第一导体204以及设置在与第一导体204相对的裸片203的另一侧的上凸块202和焊材201，焊材201通过凸块201与裸片23连接；
步骤2002：沿相邻的螺片单元之20之间的间隙切割载板22和第一模封层23，从而得到裸片组件200；
步骤2003：翻转裸片组件200，使焊材201对准基板组件21的下凸块214；其中，基板组件21包括导电柱211、重布线层212、下凸块214和基板213，导电柱211设置在多个下凸块214的两侧，裸片组件200的宽度小于下凸块214两侧的导电柱211之间的间距，导电柱211的底端与重布线层212连接，基板213设置在重布线层212上与导电柱211相对的另一侧；
步骤2004：通过质量回流工艺倒装连接裸片组件200和基板组件21；裸片组件200和基板组件21连接后，导电柱211的顶端位置高于第一模封层23与载板22的接触面；
步骤2005：使用模封材24包覆导电柱211和芯片组件200形成封装装置；以及
步骤2006：研磨封装装置的顶部直至导电柱211和第一导体204从封装装置的顶部露出并在第一模封层23和第一导体204的上表面形成沟槽结构。
根据本申请实施方式封装装置的优点在于：通过背部载板增加了顶部裸片的强度，顶部裸片不会在加工过程中发生翘曲，从而避免顶部裸片因翘曲而发生焊接问题，提高了使用质量回流进行封装的良品率；通过背部载板增加的顶部裸片的高度，提高了使用激光辅助键合进行封装的良品率。
尽管已参考本申请的特定实施例描述并说明了本申请，但这些描述和说明并不是用于限制本申请。所属领域的技术人员可清楚地理解，可进行各种改变，且可在实施例内替代等效元件而不脱离如由权利要求限定的本申请的保护范围。归因于制造过程中的变量等等，本申请中的技术再现与实际设备之间可能存在区别。可存在未特定说明的本申请的其它实施例。应将说明书和图示视为说明性的，而非限制性的，可根据本申请的目的和精神做出修改，所有这些修改都在权利要求的保护范围内。虽然已参考按特定次序执行的特定操作描述本文中所公开的方法，但应理解，在不脱离本申请的启示的情况下，可重新组合、细分或排列这些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特别指示，否则操作的次序和分组并不限制本申请。
Claims (10)
1.一种封装装置，其特征在于，包括：
基板组件；
裸片组件，所述裸片组件包括裸片和第一导体，所述裸片组件倒装键合在基板组件上，所述裸片包含位于与所述基板组件相对一侧的第一表面，所述第一导体设置于所述裸片的所述第一表面上；
第一模封层，所述第一模封层包覆在所述第一表面上，所述第一模封层包覆所述第一导体，所述第一导体的顶端从所述第一模封层露出，所述第一模封层的上表面与所述第一导体的上表面平齐。
2.根据权利要求1所述的封装装置，其特征在于，所述第一模封层的上表面和所述第一导体的上表面具有沟槽结构。
3.根据权利要求1所述的封装装置，其特征在于，所述封装装置还包括第二模封层，所述第二模封层的上表面与所述第一模封层的上表面平齐。
4.根据权利要求3所述的封装装置，其特征在于，所述裸片的边缘位于所述第一模封层的边缘之内。
5.根据权利要求4所述的封装装置，其特征在于，所述第一模封层包覆所述裸片的边缘。
6.根据权利要求5所述的封装装置，其特征在于，所述第二模封层包覆所述裸片的侧面。
7.根据权利要求6所述的封装装置，其特征在于，所述第二模封层包覆所述裸片的侧面的面积大于所述第一模封层包覆所述裸片的侧面的面积。
8.根据权利要求5所述的封装装置，其特征在于，所述第一模封层、所述第二模封层和所述裸片组件在连接处形成阶梯结构。
9.根据权利要求3所述的封装装置，其特征在于，所述基板组件包括导电柱，所述第二模封层包覆所述导电柱。
10.根据权利要求9所述的封装装置，其特征在于，所述导电柱的顶端从所述封装装置的顶部露出。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321777115.2U CN220672563U (zh) | 2023-07-07 | 2023-07-07 | 一种封装装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321777115.2U CN220672563U (zh) | 2023-07-07 | 2023-07-07 | 一种封装装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220672563U true CN220672563U (zh) | 2024-03-26 |
Family
ID=90352576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202321777115.2U Active CN220672563U (zh) | 2023-07-07 | 2023-07-07 | 一种封装装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN220672563U (zh) |
-
2023
- 2023-07-07 CN CN202321777115.2U patent/CN220672563U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11961742B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| US10629531B2 (en) | Semiconductor device and method of fabricating 3D package with short cycle time and high yield | |
| US11018107B2 (en) | Semiconductor device | |
| TWI667762B (zh) | 半導體封裝中的重佈線層及其形成方法 | |
| US9543284B2 (en) | 3D packages and methods for forming the same | |
| US9461020B2 (en) | Semiconductor package including an embedded surface mount device and method of forming the same | |
| US9781843B2 (en) | Method of fabricating packaging substrate having embedded through-via interposer | |
| US7498196B2 (en) | Structure and manufacturing method of chip scale package | |
| US20080230884A1 (en) | Semiconductor device package having multi-chips with side-by-side configuration and method of the same | |
| EP3848962A2 (en) | Semiconductor package having re-distribution layer structure on substrate component | |
| US11901252B2 (en) | Semiconductor device package and method of manufacturing the same | |
| KR101982905B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
| CN111293112B (zh) | 半导体封装和其制造方法 | |
| KR20020038546A (ko) | 볼 그리드 어레이 패키지용 플립-칩 온 필름 어셈블리 | |
| US9112063B2 (en) | Fabrication method of semiconductor package | |
| CN220672563U (zh) | 一种封装装置 | |
| CN220456417U (zh) | 一种封装装置 | |
| CN219642831U (zh) | 一种封装结构 | |
| CN112435996A (zh) | 半导体封装装置及其制造方法 | |
| CN220796723U (zh) | 半导体封装装置 | |
| CN219917164U (zh) | 半导体封装装置 | |
| CN220796738U (zh) | 封装结构 | |
| US20240030174A1 (en) | Quad flat no-lead (qfn) package with backside conductive material and direct contact interconnect build-up structure and method for making the same | |
| US10497657B1 (en) | Semiconductor package device and method of manufacturing the same | |
| KR20240010689A (ko) | 칩-투-웨이퍼 장치용 반도체 장치 및 언더필 댐 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |