CN219642831U - 一种封装结构 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种封装结构，其包括第一重布线层；第二重布线层，第二重布线层位于第一重布线层的上方；被动元件，被动元件设置于所述第一重布线层和所述第二重布线层之间并电连接第一重布线层和第二重布线层，所述被动元件形成所述第一重布线层和所述第二重布线层之间的电通讯通路。本申请的优点在于：通过直接使用被动元件作为连通封装上下两侧重布线层的互连结构，不必使用额外的导电柱，在缩短了的信号路径长度的同时减少了封装内电柱的数量；减少了需要使用的导电柱的数量，降低了封装结构的复杂程度，提高了制程良率。
Description
技术领域
本申请涉及封装技术领域，具体涉及一种封装结构。
背景技术
扇出型堆叠封装(FOPoP,Fan Out Package on Package)是解决复杂集成需求的重要封装技术，有助于提供应用处理器、封装内天线设备和硅光子(SiPh)应用产品的下一代解决方案。扇出型堆叠封装拥有更薄的封装尺寸，并可消除基板寄生电感，其高密度、无基板的特性实现更高的封装性能。同时其结构通过更精细的重布线层(RDL，Re-distributed layer)线距，与基板相比，能提供更高的互连密度和集成度，更短距的互连长度，实现更好的电性性能以及更小、更轻薄的尺寸。
现有的扇出型堆叠封装结构在需要使用被动元件(如：电容、电阻、电感等)时，通常会将被动元件设置在载板上，然后在通过重布线层将被动元件连接至芯片，这种结构的导电线路路径较长，不利于高速通信。而且在现有的封装结构中，即便将被动元件埋入封装内时，通过被动元件的信号依然无法直接在两层重布线层之间直接传输，必须通过导电柱才能够从一侧的重布线层传输至另一侧的重布线层，信号需要经过的路径依然较长。此外，随着封装结构上输入输出(IO)的需求的提高，现有的封装结构对于封装内导电柱数量的需求也越来越高，这导致了良品率的下降。
综上所述，本领域需要提供一种封装结构，其能够克服现有技术的缺陷。
实用新型内容
本申请提供了一种封装结构，其能够解决在扇出型堆叠封装中使用被动元件时信号路径较长以及必须使用导电柱才能将信号传输至封装结构另一侧的重布线层的问题。本申请的目的通过以下技术方案得以实现。
第一方面，本申请的一个实施方式提供了一种封装结构，其包括:
第一重布线层；
第二重布线层，位于第一重布线层的上方；
被动元件，设置于第一重布线层和第二重布线层之间并电连接第一重布线层和第二重布线层，被动元件形成第一重布线层和第二重布线层之间的电通讯通路。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中被动元件为电容、电阻或电感。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括芯片，芯片通过凸块与第二重布线层连接。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括模封材，模封材设置于第一重布线层和第二重布线层之间并包覆被动元件。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中第一重布线层上设有第一开口，第二重布线层上设有第二开口，第一开口暴露被动元件的一端，第二开口暴露被动元件的另一端。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中第一开口贯穿第一重布线层，第一开口与被动元件接触的一端的面积小于第一开口另一端的面积。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中第二开口贯穿第二重布线层，第二开口与被动元件接触的一端的面积小于第二开口另一端的面积。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中设置于第二重布线层上方的电子元件通过被动元件与第一重布线层电连接。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括导电柱，设置于第一重布线层和第二重布线层之间并电连接第一重布线层和第二重布线层。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中被动元件的两端设有端部，被动元件通过端部分别与第一重布线层和第二重布线层电连接。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中模封材为环氧模塑化合物。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括阻焊层，阻焊层设置在模封材两侧且包覆第一重布线层和第二重布线层。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括焊球，焊球穿过阻焊层与第一重布线层连接。
第二方面，本申请的一个实施方式提供了一种封装结构，其包括:
模封材，具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；
被动元件，埋设于模封材内，具有露出于第一表面的第一端和露出于第二表面的第二端，被配置成为分别位于模封材的第一表面和第二表面的电路结构提供电通讯通路。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，封装结构还包括：
第一重布线层，与第一表面接触；
第二重布线层，位于第一重布线层的上方并与第二表面接触；
其中，被动元件电连接第一重布线层和第二重布线层，被动元件形成第一重布线层和第二重布线层之间的电通讯通路。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，被动元件为电容、电阻或电感。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括芯片，芯片通过凸块与第二重布线层连接。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，第一重布线层上设有第一开口，第二重布线层上设有第二开口，第一开口暴露被动元件的一端，第二开口暴露被动元件的另一端。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，第一开口贯穿第一重布线层，第一开口与被动元件接触的一端的面积小于第一开口另一端的面积。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，第二开口贯穿第二重布线层，第二开口与被动元件接触的一端的面积小于第二开口另一端的面积。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，设置于第二重布线层上方的电子元件通过被动元件与第一重布线层电连接。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，封装结构还包括导电柱，设置于第一重布线层和第二重布线层之间并电连接第一重布线层和第二重布线层。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，被动元件的两端设有端部，被动元件通过端部分别与第一重布线层和第二重布线层电连接。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，模封材为环氧模塑化合物。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括阻焊层，阻焊层设置在模封材两侧且包覆第一重布线层和第二重布线层。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括焊球，焊球穿过阻焊层与第一重布线层连接。
如上所述，为了解决在扇出型堆叠封装中使用被动元件时信号路径较长以及必须使用导电柱才能将信号传输至封装结构另一侧的重布线层的问题，本申请的一个实施方式提出了一种封装结构。根据本申请实施方式封装结构的优点在于：通过直接使用被动元件作为连通封装上下两侧导电层的互连结构，不必使用额外的导电柱，在缩短了的信号路径长度的同时减少了封装内电柱的数量；减少了需要使用的导电柱的数量，降低了封装结构的复杂程度，提高了制程良率。
附图说明
通过参照以下附图对本申请非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显。
图1示出了根据本申请一个实施方式的封装结构的示意图；
图2示出了如图1所示的根据本申请一个实施方式的被动元件的示意图；
图3示出了采用了本申请一个实施方式的封装结构的面朝上被动扇出型堆叠式封装的制作过程示意图；
图4示出了采用了本申请一个实施方式的封装结构的面朝下被动扇出型堆叠式封装的制作过程示意图；
图5示出了采用了本申请一个实施方式的封装结构的芯片对芯片被动扇出型堆叠式封装的制作过程示意图；
图6示出了采用了本申请一个实施方式的封装结构的多层被动扇出型堆叠式封装的制作过程示意图。
标号和部件名称：1-第一重布线层，2-第二重布线层，3-被动元件，4-模封材，5-阻焊层，6-电子元件，7-芯片，8-焊球，9-凸块，10-导电柱，11-第一开口，21-第二开口，31-端部，101-载板，102-被动元件，103-芯片，104-凸块，105-导电柱，106-模封材，107-第一导电层，108-第二导电层，109-第一重布线层，110-第二重布线层，111-阻焊层，112-焊球，113-电子元件，201-载板，202-被动元件，203-芯片，204-导电柱，205-模封材，206-第一导电层，207-第二导电层，208-第一重布线层，209-第二重布线层，210-阻焊层，211-焊球，212-电子元件，301-载板，302-导电柱，303-第一导电层，304-第一被动元件，305-第一芯片，306-凸块，307-芯片粘合膜，308-导电粘接剂，309-模封材，310-第二导电层，311-第二重布线层，312-阻焊层，313-第一重布线层，314-第二被动元件，315-焊球，316-电子元件，317-第二芯片，401-载板，402-第一导电层，403-第一导电柱，405-第一芯片，406-第一凸块，407-芯片粘合膜，408-导电粘接剂，409-第一模封材，410-第一重布线层，411-第二导电柱，412-第二被动元件，413-第二芯片，414-第二凸块，415-第二模封材，416-第二导电层，417-第三导电层，418-第二重布线层，419-第三重布线层，420-阻焊层，421-焊球，422-电子原件，423-第三芯片，424-第三被动元件，425-打线，430-封装模块。
具体实施方式
下面结合附图和实施例说明本申请的具体实施方式，通过本说明书记载的内容，本领域技术人员可以清楚完整地了解本申请的技术方案、解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分。
应容易理解，本公开中的“在...上”、“在...之上”和“在...上面”的含义应该以最广义的方式解释，使得“在...上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还意味着包括存在两者之间的中间部件或层的“在某物上”。
此外，为了便于描述，本文中可能使用诸如“在...下面”、“在...之下”、“下部”、“在...之上”、“上部”等空间相对术语来描述一个元件或部件与附图中所示的另一元件或部件的关系。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中的不同方位。设备可以以其他方式定向(旋转90°或以其他定向)，并且在本文中使用的空间相对描述语可以被同样地相应地解释。
本文中所使用的术语“层”是指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个下层或上层结构上延伸，或者可以具有小于下层或上层结构的范围的程度。此外，层可以是均质或不均质连续结构的区域，其厚度小于连续结构的厚度。例如，层可以位于连续结构的顶表面和底表面之间或在其之间的任何一对水平平面之间。层可以水平地、垂直地和/或沿着锥形表面延伸。基板(substrate)可以是一层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以在其上、之上和/或之下具有一个或多个层。一层可以包括多层。例如，半导体层可以包括一个或多个掺杂或未掺杂的半导体层，并且可以具有相同或不同的材料。
本文中使用的术语“基板(substrate)”是指在其上添加后续材料层的材料。基板本身可以被图案化。添加到基板顶部的材料可以被图案化或可以保持未图案化。此外，基板可以包括各种各样的半导体材料，诸如硅、碳化硅、氮化镓、锗、砷化镓、磷化铟等。可替选地，基板可以由非导电材料制成，诸如玻璃、塑料或蓝宝石晶片等。进一步可替选地，基板可以具有在其中形成的半导体装置或电路。
需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本公开可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本公开所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本公开所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本公开可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本公开可实施的范畴。
还需要说明的是，本公开的实施例对应的纵向截面可以为对应前视图方向截面，横向截面可以为对应右视图方向截面，水平截面可以为对应上视图方向截面。
另外，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
图1示出了根据本申请一个实施方式的封装结构的示意图。如图1所示，封装结构包括:
第一重布线层1；
第二重布线层2，位于第一重布线层1的上方；
被动元件3，设置于第一重布线层1和第二重布线层2之间并电连接第一重布线层1和第二重布线层2，被动元件3形成第一重布线层1和第二重布线层2之间的电通讯通路。
第一重布线层1和第二重布线层2可以是由导电材料和介电材料(Dielectric)组成的重布线层。需要说明的是，制程上可以采用当前已知或未来开发的重布线层形成技术，本公开对此不做具体限定，例如可采用包括但不限于光刻、电镀(plating)，化学镀(Electroless plating)等形成重布线层。这里，介电材料可包括有机物和/或无机物，其中有机物例如可以是：聚酰胺纤维(Polyamide，PA)、聚酰亚胺(Polyimide，PI)、环氧树脂(Epoxy)、聚对苯撑苯并二噁唑(Poly-p-phenylene benzobisoxazole，PBO)纤维、FR-4环氧玻璃布层压板、PP(PrePreg，预浸材料或称为半固化树脂、半固化片)、ABF(AjinomotoBuild-up Film)等，而无机物例如可以是硅(Si)、玻璃(glass)、陶瓷(ceramic)、氧化硅、氮化硅、氧化钽等。导电材料可包括种子层和金属层。这里，种子层例如可以是钛(Ti)、钨(W)、镍(Ni)等，而金属层例如可以是金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、钯(Pd)、铜(Cu)或其合金。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中被动元件3包括但不限于电容、电阻或电感。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括芯片7，芯片7通过凸块9与第二重布线层2连接。
在一些可选的实施方式中，芯片7可以是各种类型的裸芯片(即，Die)。本公开对此不做具体限定。比如，可以包括逻辑功能芯片、存储芯片、通信芯片、微处理器芯片、图形芯片、微机电系统(MEMS，Micro-Electro-Mechanical System)芯片、射频芯片、裸片或芯片尺度封装、插入物或其组合等。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括模封材4，模封材4设置于第一重布线层1和第二重布线层2之间并包覆被动元件3。
参考图2，在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中第一重布线层1上设有第一开口11，第二重布线层2上设有第二开口21，第一开口11暴露被动元件3的一端，第二开口21暴露被动元件3的另一端。
参考图1，在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中设置于第二重布线层2上方的电子元件6通过被动元件3与第一重布线层1电连接。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括导电柱10，设置于第一重布线层1和第二重布线层2之间并电连接第一重布线层1和第二重布线层2。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中被动元件3的两端分别设有端部31，被动元件3通过端部31分别与第一重布线层1和第二重布线层2电连接。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中模封材4为环氧模塑化合物。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括阻焊层5，阻焊层5设置在模封材4两侧且包覆第一重布线层1和第二重布线层2。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括焊球8，位于封装结构下方的焊球8穿过阻焊层5与第一重布线层1连接，电子元件6通过位于封装结构上方的焊球8与第二重布线层2连接。
图2示出了如图1所示的根据本申请一个实施方式的被动元件3的示意图。如图2所示，第一开口11贯穿第一重布线层1，第一开口11与被动元件3接触的一端的面积小于第一开口11另一端的面积。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中第二开口21贯穿第二重布线层2，第二开口21与被动元件3接触的一端的面积小于第二开口21另一端的面积。
如图1-2所示，本申请的另一个实施方式提供了一种封装结构，其包括:
模封材4，具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；
被动元件3，埋设于模封材4内，具有露出于第一表面的第一端和露出于第二表面的第二端，被配置成为分别位于模封材4的第一表面和第二表面的电路结构提供电通讯通路。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，封装结构还包括：
第一重布线层1，与第一表面接触；
第二重布线层2，位于第一重布线层1的上方并与第二表面接触；
其中，被动元件3电连接第一重布线层1和第二重布线层2，被动元件3形成第一重布线层1和第二重布线层2之间的电通讯通路。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，被动元件3包括但不限于电容、电阻或电感。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括芯片7，芯片7通过凸块与第二重布线层2连接。
在一些可选的实施方式中，芯片71以是各种类型的裸芯片7(即，Die)。本公开对此不做具体限定。比如，可以包括逻辑功能芯片7、存储芯片7、通信芯片7、微处理器芯片7、图形芯片7、微机电系统(MEMS，Micro-Electro-Mechanical System)芯片7、射频芯片7、裸片或芯片7尺度封装、插入物或其组合等。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，第一重布线层1上设有第一开口11，第二重布线层2上设有第二开口21，第一开口11暴露被动元件3的一端，第二开口21暴露被动元件3的另一端。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，第一开口11贯穿第一重布线层1，第一开口11与被动元件3接触的一端的面积小于第一开口11另一端的面积。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，第二开口21贯穿第二重布线层2，第二开口21与被动元件3接触的一端的面积小于第二开口21另一端的面积。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，设置于第二重布线层2上方的电子元件6通过被动元件3与第一重布线层1电连接。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，封装结构还包括导电柱，设置于第一重布线层1和第二重布线层2之间并电连接第一重布线层1和第二重布线层2。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，被动元件3的两端设有端部31，被动元件3通过端部31分别与第一重布线层1和第二重布线层2电连接。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，模封材4为环氧模塑化合物。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括阻焊层5，阻焊层5设置在模封材4两侧且包覆第一重布线层1和第二重布线层2。
在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括焊球8，焊球8穿过阻焊层5与芯片7连接。
图3示出了采用了本申请一个实施方式的封装结构的面朝上被动扇出型堆叠式封装的制作过程示意图。如图3所示，采用了本申请一个实施方式的封装结构的面朝上被动扇出型堆叠式封装的制作过程包括多个步骤：
步骤1001：提供载板101，在载板101上设置被动元件102、芯片103和导电柱105，芯片103的上侧设有多个凸块104；
步骤1002：使用模封材106包覆被动元件102、芯片103和导电柱105，并在必要时研磨模封材106从而使被动元件102的端部、导电柱105的端部和凸块104的端部从模封材106顶部露出；
步骤1003：移除载板101；
步骤1004：在模封材106两侧分别设置第一导电层107和第二导电层108，其中第一导电层107与凸块104接触；
步骤1005：蚀刻第一导电层107形成第一重布线层109，蚀刻第二导电层108形成第二重布线层110，被动元件102的两端分别与第一重布线层109和第二重布线层110接触，导电柱105的两端分别与第一重布线层109和第二重布线层110接触；以及
步骤1006：分别在第一重布线层109和第二重布线层110上设置焊球112和阻焊层111，阻焊层111包覆第一重布线层109和第二重布线层110，多个焊球112穿过阻焊层111分别与第一重布线层109和第二重布线层110连接，第一重布线层109通过焊球112与电子元件113连接。
图4示出了采用了本申请一个实施方式的封装结构的面朝下被动扇出型堆叠式封装的制作过程示意图。如图4所示，采用了本申请一个实施方式的封装结构的面朝下被动扇出型堆叠式封装的制作过程包括多个步骤：
步骤2001：提供载板201，在载板201上设置被动元件202、芯片203和导电柱204；
步骤2002：使用模封材205包覆被动元件202、芯片203和导电柱204，并在必要时研磨模封材205，从而使被动元件202的端部和导电柱204的端部从模封材205顶部露出；
步骤2003：移除载板201；
步骤2004：在模封材205两侧分别设置第一导电层206和第二导电层207；
步骤2005：蚀刻第一导电层206形成第一重布线层208，蚀刻第二导电层207形成第二重布线层209，被动元件202的两端分别与第一重布线层208和第二重布线层209接触，导电柱204的两端分别与第一重布线层208和第二重布线层209接触；以及
步骤2006：分别在第一重布线层208和第二重布线层209上设置焊球211和阻焊层210，阻焊层210包覆第一重布线层208和第二重布线层209，多个焊球211穿过阻焊层210分别与第一重布线层208和第二重布线层209连接，第一重布线层208通过焊球211与电子元件212连接。
图5示出了采用了本申请一个实施方式的封装结构的芯片对芯片被动扇出型堆叠式封装的制作过程示意图。如图5所示，采用了本申请一个实施方式的封装结构的芯片对芯片被动扇出型堆叠式封装的制作过程包括多个步骤：
步骤3001：提供载板301，在载板301上设置第一导电层303，在第一导电层303上设置导电柱302；
步骤3002：通过导电粘接剂308在第一导电层303上设置第一被动元件304，通过芯片粘合膜307在第一导电层303上设置第一芯片305，第一芯片305上侧设有凸块306；其中导电粘接剂308可采用包括但不限于锡膏、导电树脂等材料制成；
步骤3003：使用模封材309包覆导电柱302、第一被动元件304和第一芯片305；
步骤3004：研磨模封材309上表面，使电柱302、第一被动元件304和第一芯片305上的凸块306从模封材309上表面露出；
步骤3005：在模封材309上设置第二导电层310；
步骤3006：蚀刻第二导电层310形成第二重布线层311；
步骤3007：在第二重布线层311上设置阻焊层312；
步骤3008：移除载板301；
步骤3009：蚀刻第一导电层303形成第一重布线层313，在第一重布线层313上设置阻焊层312；以及
步骤3010：在第一重布线层313下方设置焊球315，在第二重布线层311上方设置电子元件316，电子元件316包括第二被动元件314和第二芯片317，被动元件314和第二芯片317分别与第二重布线层311连接且第二芯片317位于第一芯片305的上方。
图6示出了采用了本申请一个实施方式的封装结构的多层被动扇出型堆叠式封装的制作过程示意图。如图6所示，采用了本申请一个实施方式的封装结构的多层被动扇出型堆叠式封装的制作过程包括多个步骤：
步骤4001：提供载板401，在载板401上设置第一导电层402，在第一导电层402上设置第一导电柱403；
步骤4002：通过导电粘接剂408在第一导电层402上设置第一被动元件404，通过芯片粘合膜407在第一导电层402上设置第一芯片405，第一芯片405上侧设有第一凸块406；其中导电粘接剂408可采用包括但不限于锡膏、导电树脂等材料制成；
步骤4003：使用第一模封材409包覆第一导电柱403、第一被动元件404和第一芯片405；
步骤4004：移除载板401形成封装模块430；
步骤4005：翻转封装模块430，蚀刻第一导电层402形成第一重布线层410；
步骤4006：在第一重布线层410上设置第二导电柱411；
步骤4007：通过导电粘接剂408在第一重布线层410上设置第二被动元件412，通过芯片粘合膜407在第一重布线层410上设置第二芯片413，第二芯片413上侧设有第二凸块414；
步骤4008：使用第二模封材415包覆第二导电柱411、第二被动元件412和第二芯片413；
步骤4009：研磨第二模封材415的上表面和第一模封材409的下表面，使第二导电柱411、第二被动元件412和第二芯片413的第二凸块414从第二模封材415的上表面露出，使第一导电柱403、第一被动元件404和第一芯片405上的第一凸块406从第一模封材409的下表面露出；
步骤4010：在第二模封材415的上表面设置第二导电层416，在第一模封材409的下表面设置第三导电层417；
步骤4011：蚀刻第二导电层416形成第二重布线层418，蚀刻第三导电层417形成第三重布线层419，分别在第二重布线层418和第三重布线层419上设置阻焊层420；以及
步骤4012：在第三重布线层419下方设置焊球421，在第二重布线层418上方设置电子元件422，电子元件422包括第三芯片423、第三被动元件424、打线425和阻焊层420，电子元件422通过焊球421与第二重布线层418连接。
如上所述，为了解决在扇出型堆叠封装中使用被动元件时信号路径较长以及必须使用导电柱才能将信号传输至封装结构另一侧的重布线层的问题，本申请的一个实施方式提出了一种封装结构。根据本申请实施方式封装结构的优点在于：通过直接使用被动元件作为连通封装上下两侧导电层的互连结构，不必使用额外的导电柱，在缩短了的信号路径长度的同时减少了封装内电柱的数量；减少了需要使用的导电柱的数量，降低了封装结构的复杂程度，提高了制程良率。
尽管已参考本申请的特定实施例描述并说明了本申请，但这些描述和说明并不是用于限制本申请。所属领域的技术人员可清楚地理解，可进行各种改变，且可在实施例内替代等效元件而不脱离如由权利要求限定的本申请的保护范围。归因于制造过程中的变量等等，本申请中的技术再现与实际设备之间可能存在区别。可存在未特定说明的本申请的其它实施例。应将说明书和图示视为说明性的，而非限制性的，可根据本申请的目的和精神做出修改，所有这些修改都在权利要求的保护范围内。虽然已参考按特定次序执行的特定操作描述本文中所公开的方法，但应理解，在不脱离本申请的启示的情况下，可重新组合、细分或排列这些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特别指示，否则操作的次序和分组并不限制本申请。
Claims (10)
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
第一重布线层；
第二重布线层，位于第一重布线层的上方；
被动元件，设置于所述第一重布线层和所述第二重布线层之间并电连接第一重布线层和第二重布线层，所述被动元件形成所述第一重布线层和所述第二重布线层之间的电通讯通路。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述被动元件为电容、电阻或电感。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括模封材，所述模封材设置于所述第一重布线层和所述第二重布线层之间并包覆所述被动元件。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一重布线层上设有第一开口，所述第二重布线层上设有第二开口，所述第一开口暴露所述被动元件的一端，所述第二开口暴露所述被动元件的另一端。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第一开口贯穿所述第一重布线层，所述第一开口与所述被动元件接触的一端的面积小于所述第一开口另一端的面积。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括导电柱，设置于所述第一重布线层和所述第二重布线层之间并电连接第一重布线层和第二重布线层。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述被动元件的两端设有端部，所述被动元件通过所述端部分别与第一重布线层和第二重布线层电连接。
8.一种封装结构，其特征在于，包括：
模封材，具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；
被动元件，埋设于所述模封材内，具有露出于所述第一表面的第一端和露出于所述第二表面的第二端，被配置成为分别位于所述模封材的第一表面和第二表面的电路结构提供电通讯通路。
9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：
第一重布线层，与所述第一表面接触；
第二重布线层，位于第一重布线层的上方并与所述第二表面接触；
其中，所述被动元件电连接第一重布线层和第二重布线层，所述被动元件形成所述第一重布线层和所述第二重布线层之间的电通讯通路。
10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述被动元件为电容、电阻或电感，所述第一重布线层上设有第一开口，所述第二重布线层上设有第二开口，所述第一开口暴露所述被动元件的一端，所述第二开口暴露所述被动元件的另一端。
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