CN220491890U - 显示面板与显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制备方法与显示装置，所述显示面板包括基板；第一器件层，包括第一电极板；第一绝缘层；第二器件层，包括对应所述第一电极板设置的第二电极板；第二绝缘层；第三器件层，包括对应所述第二电极板设置的第三电极板，所述第三电极板在所述基板上的正投影与所述第一电极板在所述基板上的正投影至少部分重合；其中，所述显示面板包括电容，所述电容的第一极包括所述第一电极板以及与所述第一电极板电性连接的所述第三电极板，所述电容的第二极包括所述第二电极板，且所述第一绝缘层与所述第二绝缘层中的至少一者的材料为高介电材料，所述高介电材料的介电常数高于氧化硅的介电常数，如此设置可大幅提升电容的容值。

Description

显示面板与显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板与显示装置。

背景技术

现有的显示面板的驱动电路中通常设置有薄膜晶体管以及电容，其中，电容能够补偿驱动晶体管的阈值及迁移率，为实现发光器件的发光或液晶偏转提供稳定的电流和电压，该电容的容值需达到一定值，当电容过小时易导致画面闪烁等显示不良。

电容的容值与电容的面积正相关，为了足够的电容，需要电容面积要达到对应的容值要求。实际上在现有的显示面板的驱动电路中，电容占据了大量的面积，是显示面板分辨率提升过程中的一个重要难点，如何在不扩大电容面积的情况下提升电容值是当前需解决的关键问题之一。

综上，亟须开发面积小、容值高的新型电容结构及制备方式，以提升显示面板的抗漏电性能，减少画面闪烁，提升画面品质。

实用新型内容

本实用新型提供一种显示面板及其制备方法与显示装置，可有效提升显示面板内电容的可以提升存储电容的容值，改善由于电容的容值不足导致的显示不良的问题。

为解决上述问题，第一方面，本实用新型提供了一种显示面板，所述显示面板包括电容，所述显示面板包括：

基板；

第一器件层，设置于所述基板上，包括第一电极板；

第一绝缘层，设置于所述第一器件层以及所述基板上；

第二器件层，设置于所述第一绝缘层上，包括对应所述第一电极板设置的

第二绝缘层，设置于所述第二器件层以及所述第一绝缘层上；

第三器件层，设置于所述第二绝缘层上，包括对应所述第二电极板设置的第三电极板，所述第三电极板与所述第一电极板电性连接，且所述第三电极板在所述基板上的正投影与所述第一电极板在所述基板上的正投影至少部分重合；

其中，所述第一电极板与所述第三电极板作为所述电容的第一极，所述第二电极板作为所述电容的第二极，且所述第一绝缘层与所述第二绝缘层中的至少一者的材料为高介电材料，所述高介电材料的介电常数大于3.8。

在本实用新型实施例提供的一显示面板中，所述第二器件层包括有源部与所述第二电极板，所述第一绝缘层的材料为所述高介电材料。

在本实用新型实施例提供的一显示面板中，所述第二器件层的材料选自金属氧化物半导体材料，所述高介电材料选自金属氧化物绝缘材料。

在本实用新型实施例提供的一显示面板中，所述第一器件层包括遮光部与所述第一电极板，或所述第一器件层包括栅极与所述第一电极板；

所述第三器件层包括源极、漏极与所述第三电极板。

在本实用新型实施例提供的一显示面板中，所述显示面板还包括设置于所述第三器件层上的第三绝缘层以及设置于所述第三绝缘层上的第四器件层，所述第四器件层包括对应所述第三电极板设置的第四电极板，所述第四电极板在所述基板上的正投影与所述第二电极板在所述基板上的正投影至少部分重合，且所述第四电极板与所述第二电极板电性连接。

在本实用新型实施例提供的一显示面板中，所述第四器件层包括电极部与所述第四电极板，或所述第四器件层包括桥接端子与所述第四电极板。

在本实用新型实施例提供的一显示面板中，所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度，所述第二绝缘层的材料选自氮化硅与氧化硅的至少一种。

在本实用新型实施例提供的一显示面板中，所述第二电极板在所述基板上的正投影与所述第一电极板在所述基板上的正投影的重叠面积大于所述第三电极板在所述基板上的正投影与所述第二电极板在所述基板上的正投影的重叠面积

第二方面，本实用新型提供了一种显示面板的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

提供一基板，在所述基板上形成第一器件层，所述第一器件层包括第一电极板；

在所述第一器件层以及所述基板上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二器件层，所述第二器件层包括对应所述第一电极板设置的第二电极板；

在所述第二器件层以及所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层中的至少一者的材料为高介电材料，所述高介电材料的介电常数高于氧化硅的介电常数；以及

在所述第二绝缘层上形成第三器件层，所述第三器件层包括对应所述第二电极板设置的第三电极板，所述第三电极板与所述第一电极板电性连接，且所述第三电极板在所述基板上的正投影与所述第一电极板在所述基板上的正投影至少部分重合。

第二方面，本实用新型提供了一种显示装置，所述显示装置包括前述的显示面板。

有益效果：本实用新型提供了一种显示面板及其制备方法与显示装置，在所述显示面板中，一方面，通过将所述电容的所述第一极设置为电性连接的所述第一电极板与所述第三电极板且所述第三电极板与所述第一电极板在所述基板上的正投影存在重合，同时将所述电容的所述第二极设置为位于所述第一电极板与所述第三电极板之间的所述第二电极板，则所述电容的正对面积可理解为所述第一电极板与所述第二电极板的正对面积以及所述第二电极板与所述第三电极板的正对面积之和，即有效提升了所述电容内的有效正对面积，进而提升了所述电容的容值；另一方面，通过进一步将所述第一绝缘层与所述第二绝缘层中的至少一者的材料设置为高介电材料，所述高介电材料的介电常数大于3.8，即有效提升了所述电容内绝缘介质的介电常数，进一步提升所述电容的容值；如此设置，在电容所占面积一定时，仍能大幅提升电容的容值，即在满足显示面板高分辨率的需求下，保证电容具有较高的容值，从而避免由于电容的容值不足而导致的画面闪烁等显示不良出现，进而使得所述显示面板具有优良的显示画质。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的第一种显示面板截面结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的第二种显示面板截面结构示意图；

图3是本实用新型实施例提供的第三种显示面板截面结构示意图；

图4是本实用新型实施例提供的第四种显示面板截面结构示意图；

图5是本实用新型实施例提供的第五种显示面板截面结构示意图；

图6是本实用新型实施例提供的一种显示面板的制备方法的文字流程示意图；

图7a-7g是本实用新型实施例提供的一种显示面板的制备方法的结构流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本实用新型，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本实用新型。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本实用新型的描述变得晦涩。因此，本实用新型并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。

本实用新型实施例提供了一种显示面板，以下结合附图进行详细说明。

参阅图1，所述显示面板包括基板11以及设置于所述基板11上的驱动器件层，所述驱动器件层包括多个薄膜晶体管TFT与多个电容C；

所述驱动器件层包括设置于所述基板11上的第一器件层12、设置于所述第一器件层12上以及所述基板11的第一绝缘层13、设置于所述第一绝缘层13上的第二器件层14、设置于所述第二器件层14以及所述第一绝缘层13上的第二绝缘层15以及设置于所述第二绝缘层15上的第三器件层16；

所述第一器件层12包括第一电极板31，所述第二器件层14包括第二电极板32，所述第三器件层16包括第三电极板，其中，所述第二电极板32对应设置于所述第一电极板31上，即所述第一电极板31在所述基板11上的正投影与所述第二电极板32在所述基板11上的正投影至少部分重合；所述第三电极板33对应设置于所述第二电极板32上，即所述第三电极板33在所述基板11上的正投影与所述第二电极板32在所述基板11上的正投影至少部分重合，同时，所述第一电极板31与所述第三电极板33通过所述第一绝缘层13以及所述第二绝缘层15中的过孔电性连接，且所述第三电极板33在所述基板11上的正投影与所述第一电极板31在所述基板11上的正投影至少部分重合；

其中，相电性连接的所述第一电极板31与所述第三电极板33构成所述电容C的第一极，所述第二电极板32位于所述第一电极板31与所述第三电极板33之间，且所述第二电极板32分别与所述第一电极板31与所述第三电极板33存在投影重合，因此所述第二电极板32构成所述电容C的第二极，而位于所述第一电极板31与所述第二电极板32之间的第一绝缘层13以及位于所述第二电极板32与所述第三电极板33之间的第二绝缘层15作为所述电容C内的绝缘介质，且所述第一绝缘层与所述第二绝缘层中的至少一者的材料为高介电材料，所述高介电材料的介电常数大于3.8。

在本实用新型实施例提供的显示面板中，一方面，通过将所述电容C的所述第一极设置为电性连接的所述第一电极板31与所述第三电极板33且所述第三电极板33与所述第一电极板31在所述基板上的正投影存在重合，同时将所述电容C的所述第二极设置为位于所述第一电极板31与所述第三电极板33之间的所述第二电极板32，则所述电容C的正对面积可理解为所述第一电极板31与所述第二电极板32的正对面积以及所述第二电极板32与所述第三电极板33的正对面积之和，即有效提升了所述电容C内的有效正对面积，进而提升了所述电容C的容值；另一方面，通过进一步将所述第一绝缘层13与所述第二绝缘层15中的至少一者的材料为高介电材料，所述高介电材料的介电常数大于氧化硅的介电常数，具体为所述高介电材料的介电常数大于3.8，即相较于常规由氮化硅或氧化硅构成的绝缘介质，通过提升所述电容C内绝缘介质的介电常数，进一步提升所述电容C的容值；

如此设置，在电容C所占面积一定时，仍能大幅提升电容C的容值，即在满足显示面板高分辨率的需求下，保证电容C具有较高的容值，从而避免由于电容C的容值不足而导致的画面闪烁等显示不良出现，进而使得所述显示面板具有优良的显示画质。

补充说明的是，所述显示面板包括显示区以及设置于所述显示区外围的非显示区，所述显示区包括多个像素区，每一所述像素区均包括独立的驱动电路，每一像素区的驱动电路均包括一个或多个电容，另非显示区同样根据需求设置有多个电容，其中，电容的第一极与第二极分别与对应的薄膜晶体管电性连接，具体根据实际工艺需求电性连接对应薄膜晶体管中的栅极、源极与漏极中的一者。

在一些实施例中，参阅图1，所述第二器件层14包括有源部41与所述第二电极板32，所述第一绝缘层13的材料为所述高介电材料。

即，所述有源部41与所述第二电极板32由同一成膜工艺与图案化工艺形成，具体地，所述有源部41包括沟道段411以及位于所述沟道段411两侧且与所述沟道段411连接的导体化段412，所述第二电极板32与所述导体化段412的材料相同；

进一步地，位于所述有源部41之下的所述第一绝缘层13的厚度通常较薄，具体地，当所述显示面板的所述薄膜晶体管TFT为顶栅结构时，所述第一绝缘层13为缓冲层，而当所述显示面板的所述薄膜晶体管TFT为底栅结构时，所述第一绝缘层13为栅极绝缘层，而无论是缓冲层还是栅极绝缘层，其厚度均较薄，且通常为显示面板中厚度最薄的绝缘层，因此选择将厚度相对较薄的所述第一绝缘层13的材料设置为高介电材料，相较于将厚度更厚的绝缘层的材料设置为高介电材料，对于提升所述电容C的容值贡献更大，即有利于使得所述电容C获得相对更高的容值。

在一些实施例中，参阅图1，所述第二器件层14的材料选自金属氧化物半导体材料，所述金属氧化物半导体材料为氧化铟镓锌，所述高介电材料选自金属氧化物绝缘材料，示例性地，所述高介电材料选自氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化钛；

如此设置，相较于由氧化硅或氮化硅构成所述第一绝缘层13的常规设置，由金属氧化物半导体材料构成的所述有源部41与由金属氧化物绝缘材料构成的所述第一绝缘层13间的晶格更为匹配，则所述有源部41与所述第一绝缘层13的界面缺陷更少，从而使得所述薄膜晶体管TFT的性能更优，即在所述第二器件层14的材料为金属氧化物半导体材料时，通过将所述第一绝缘层13的材料设置为具有较高介电常数的金属氧化物绝缘材料，使得在提升所述电容C容值的同时，还进一步优化了所述薄膜晶体管TFT的器件性能。

在一些实施例中，参阅图1，所述第一器件层12包括遮光部42与所述第一电极板31，即所述遮光部42与所述第一电极板31由同一成膜工艺与图案化工艺形成，其中，所述遮光部42对应设置于所述有源部41的下侧，用于避免外部的光线入射至有源部41而影响所述薄膜晶体管TFT的性能；

所述第三器件层包括源极44、漏极45与所述第三电极板33，即所述第三电极板33与所述源极44以及漏极45由同一成膜工艺与图案化工艺形成，其中，所述源极44与所述漏极45分别通过所述第二绝缘层15中的过孔与所述有源部41的导体化段412搭接；

另所述有源部41中的沟道段411远离所述基板11的一侧设置有栅极绝缘层21以及栅极43，则所述栅极43、所述有源部41、所述源极44、所述漏极45以及其间的绝缘层构成所述薄膜晶体管TFT。

在一些实施例中，参阅图2，或所述第一器件层12包括栅极43与所述第一电极板31，即，所述第一电极板31与所述栅极43由同一成膜工艺与图案化工艺形成，其中，所述栅极43对应设置于所述有源部41中的沟道段411靠近所述基板11的一侧并通过所述第一绝缘层13与所述有源部41绝缘；

所述第三器件层包括源极44、漏极45与所述第三电极板33，即所述第三电极板33与所述源极44以及漏极45由同一成膜工艺与图案化工艺形成，其中，所述源极44与所述漏极45分别通过所述第二绝缘层15中的过孔与所述有源部41的导体化段412搭接。

在一些实施例中，参阅图1或图2，所述显示面板还包括设置于所述第三器件层16上的第三绝缘层17以及设置于所述第三绝缘层17上的第四器件层18，所述第四器件层18包括对应所述第三电极板33设置的第四电极板34，即所述第四电极板34在所述基板11上的正投影与所述第三电极板33在所述基板11上的正投影至少部分重合，且所述第四电极板34在所述基板11上的正投影与所述第二电极板32在所述基板11上的正投影至少部分重合，所述第四电极板34通过所述第三绝缘层17以及所述第二绝缘层15内的过孔与所述第二电极板32电性连接，则相电性连接的所述第四电极板34与第二电极板32构成所述电容C的第二极，所述电容C的正对面积可理解为所述第一电极板31与所述第二电极板32的正对面积、所述第二电极板32与所述第三电极板33的正对面积以及所述第三电极板33与所述第四电极板34的正对面积之和，即进一步提升了所述电容C内的有效正对面积，进而进一步提升了所述电容C的容值。

在一些实施例中，参阅图1或图2，所述第四器件层18包括电极部46与所述第四电极板34，即所述第四电极板34与所述电极部46由同一成膜工艺与图案化工艺形成，其中，所述电极部46通过所述第三绝缘层17内的过孔与所述漏极45电性连接，可以理解的是，根据所述显示面板的类型不同，所述电极部46具体作为发光器件的阳极或用于控制液晶偏转的像素电极。

在一些实施例中，参阅图3，所述第四器件层包括桥接端子47与所述第四电极板34，即所述第四电极板34与所述桥接端子47由同一成膜工艺与图案化工艺形成，其中，所述桥接端子47通过所述第三绝缘层17内的过孔与所述漏极45电性连接，所述显示面板还包括设置于所述第四器件层18上的第四绝缘层19以及设置于所述第四绝缘层19上的电极部46，所述电极部46通过所述第四绝缘层19内的过孔与所述桥接端子47电性连接进而实现与所述漏极45电性连接。

在一些实施例中，参阅图4，所述显示面板还包括设置于所述第四器件层18上的第四绝缘层19以及设置于所述第四绝缘层19上的第五器件层22，所述第五器件层22包括对应所述第四电极板34设置的第五电极板35，即所述第五电极板35在所述基板11上的正投影与所述第四电极板34在所述基板11上的正投影至少部分重合，且所述第五电极板35在所述基板11上的正投影与所述第一电极板31以及所述第三电极板33在所述基板11上的正投影至少部分重合，所述第五电极板35与所述第三电极板33通过所述第三绝缘层17以及所述第四绝缘层19内的过孔电性连接，依次电性连接的所述第一电极板31、所述第三电极板33以及所述第五电极板35构成所述电容C的第一极，所述电容C的正对面积可理解为所述第一电极板31与所述第二电极板32的正对面积、所述第二电极板32与所述第三电极板33的正对面积、所述第三电极板33与所述第四电极板34的正对面积以及所述第四电极板34与所述第五电极板35的正对面积之和，即进一步提升了所述电容C内的有效正对面积，进而进一步提升了所述电容C的容值。

在一些实施例中，参阅图4，所述第五器件层22包括电极部46与所述第五电极板35，即所述第五电极板35与所述电极部46由同一成膜工艺与图案化工艺形成。

在一些实施例中，与所述源极44以及漏极45同层制备的所述第三电极板33还可与所述栅极43同层制备，具体参阅图5，所述第三器件层16包括所述第三电极板33与所述栅极43，即所述第三电极板33与所述栅极43由同一成膜工艺与图案化工艺形成，相对应的，所述第三电极板33与所述第二电极板32之间的绝缘介质与所述栅极绝缘层21由同一成膜工艺与图案化工艺形成。

在一些实施例中，参阅图1，基于所述薄膜晶体管TFT的性能需求，所述第二绝缘层15的厚度大于所述第一绝缘层13的厚度，通常情况下，所述第一绝缘层13的厚度小于或等于1000埃，进一步地，所述第一绝缘层13的厚度小于或等于500埃，所述第二绝缘层15的厚度为2000埃-10000埃，进一步地，考虑到高介电材料的沉积速率相较氮化硅或氧化硅慢，若将厚度较厚的所述第二绝缘层15的材料设置为高介电材料，会导致显示面板的制备周期与成本提升，因此综合考量显示面板的制备成本以及显示品质，将所述第一绝缘层13的材料设置为高介电材料，而将所述第二绝缘层15的材料设置为氮化硅或氧化硅。

在一些实施例中，进一步地，所述第三绝缘层17的厚度通常为1000-5000埃，根据具体的工艺需求，所述第三绝缘层17的材料选自高介电材料、氮化硅以及氧化硅。

在一些实施例中，参阅图1，由于所述第一绝缘层13的厚度小于所述第二绝缘层15的厚度，且所述第一绝缘层13的介电常数大于所述第二绝缘层15的介电常数，因此，在设置空间允许的前提下应优先将所述第二电极板32与所述第一电极板31的正对面积设置地尽可能的大，即所述第二电极板32在所述基板11上的正投影与所述第一电极板31在所述基板11上的正投影的重叠面积大于所述第三电极板33在所述基板11上的正投影与所述第二电极板32在所述基板11上的正投影的重叠面积，如此设置，有利于进一步提升所述电容C的容值。

本实用新型另一实施例还提供了一种显示面板的制备方法，参阅图6，所述制备方法包括如下步骤：

S10:提供一基板，在所述基板上形成第一器件层，所述第一器件层包括第一电极板；

S20:在所述第一器件层以及所述基板上形成第一绝缘层；

S30:在所述第一绝缘层上形成第二器件层，所述第二器件层包括对应所述第一电极板设置的第二电极板；

S40:在所述第二器件层以及所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层中的至少一者的材料为高介电材料，所述高介电材料的介电常数高于氧化硅的介电常数；以及

S50:在所述第二绝缘层上形成第三器件层，所述第三器件层包括对应所述第二电极板设置的第三电极板，所述第三电极板与所述第一电极板电性连接，且所述第三电极板在所述基板上的正投影与所述第一电极板在所述基板上的正投影至少部分重合。

如下结合图7a-7g给出一显示面板的详细制备过程：

请参阅图7a，提供一基板11，在所述基板11上形成第一器件层12，所述第一器件层12包括第一电极板31与遮光部42，所述第一器件层12的材料选自Mo，Al，Cu以及Ti；

请参阅图7b，在所述第一器件层12上形成第一绝缘层13，并在所述第一绝缘层13上通过一次成膜及图案化工艺形成第一半导体图案41a与第二半导体图案32a，所述第一半导体图案41a与第二半导体图案32a的厚度为200埃-800埃，所述第一半导体图案41a对应形成于所述遮光部42上方，所述第二半导体图案32a在所述基板11上的正投影与所述第一电极板31在所述基板11上的正投影至少部分重合；

请参阅图7c，在所述第一半导体图案41a上形成层叠设置的栅极绝缘层21与栅极43，并在所述栅极43的遮蔽下对所述第一半导体图案41a以及所述第二半导体图案32a进行等离子体掺杂实现导体化，所述第一半导体图案41a转变为有源部41，所述第二半导体图案32a转变为第二电极板32，所述有源部41以及所述第二电极板32即构成所述第二器件层14，所述有源部41包括位于所述栅极43下方的沟道段411以及位于所述沟道段411两侧的导体化段412；

请参阅图7d，在所述第二器件层14、所述栅极43以及所述第一绝缘层13上形成第二绝缘层15，所述第二绝缘层15包括对应所述导体化段412以及所述第二电极板32的过孔，所述第一绝缘层13与所述第二绝缘层15中的至少一者的材料为高介电材料，所述高介电材料的介电常数高于氧化硅的介电常数；

请参阅图7e，在所述第二绝缘层15上形成第三器件层16，所述第三器件层16包括第三电极板33、源极44以及漏极45，所述第三器件层16的厚度为2000埃-8000埃，所述第三器件层16的材料选自Mo，Al，Cu以及Ti，所述第三电极板33在所述基板11上的正投影与所述第二电极板32在所述基板11上的正投影至少部分重合，所述第三电极板33在所述基板11上的正投影与所述第一电极板31在所述基板11上的正投影至少部分重合，且所述第三电极板33通过所述第二绝缘层15中的过孔与所述第一电极板31电性连接，所述源极44以及漏极45分别通过所述第二绝缘层15中的过孔与所述导体化段412电性连接；

请参阅图7f，在所述第三器件层16与所述第二绝缘层15上形成第三绝缘层17，所述第三绝缘层17包括对应所述漏极45以及所述第二电极板32的过孔；

请参阅图7g，在所述第三绝缘层17上形成第四器件层18，所述第四器件层18包括电极部46与第四电极板34，所述第四电极板34在所述基板11上的正投影与所述第三电极板33在所述基板11上的正投影至少部分重合，所述第四电极板34在所述基板11上的正投影与所述第二电极板32在所述基板11上的正投影至少部分重合，所述电极部46通过所述第三绝缘层17中的过孔与所述漏极45以电性连接，所述第四电极板34通过所述第三绝缘层17以及所述第二绝缘层15中的过孔与所述第二电极板32电性连接，即完成制备。

由上述实施例提供的显示面板的制备方法制备得到的显示面板中，相电性连接的所述第三电极板33与第一电极板31构成电容C的第一极，相电性连接的所述第四电极板34与第二电极板32构成电容C的第二极，所述栅极43、所述有源部41、所述源极44、所述漏极45以及其间的绝缘层构成薄膜晶体管TFT，在本实施例所提供的显示面板的制备方法中，一方面，由于形成的所述电容C具有特殊的结构设计以及将所述第一绝缘层13与所述第二绝缘层15中的至少一者的材料设置为高介电材料，使得所述电容C的容值得到有效提升，另一方面，所述电容C的各电极板均与显示面板中的常规结构同层制备，在实现电容C容值提升的同时，也无需增加显示面板的制备工序。

本实用新型另一实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述实施例所提供的显示面板，所述显示装置包括但不限于为手机、智能手表、平板电脑、笔记本电脑、电视机等。

以上对本实用新型实施例所提供的一种显示面板及其制备方法与显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims (9)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括电容，所述显示面板包括：

基板；

第一器件层，设置于所述基板上，包括第一电极板；

第一绝缘层，设置于所述第一器件层以及所述基板上；

第二器件层，设置于所述第一绝缘层上，包括对应所述第一电极板设置的第二电极板；

第二绝缘层，设置于所述第二器件层以及所述第一绝缘层上；

第三器件层，设置于所述第二绝缘层上，包括对应所述第二电极板设置的第三电极板，所述第三电极板与所述第一电极板电性连接，且所述第三电极板在所述基板上的正投影与所述第一电极板在所述基板上的正投影至少部分重合；

其中，所述第一电极板与所述第三电极板作为所述电容的第一极，所述第二电极板作为所述电容的第二极，且所述第一绝缘层与所述第二绝缘层中的至少一者的材料为高介电材料，所述高介电材料的介电常数大于3.8。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二器件层包括有源部与所述第二电极板，所述第一绝缘层的材料为所述高介电材料。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二器件层的材料选自金属氧化物半导体材料，所述高介电材料选自金属氧化物绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一器件层包括遮光部与所述第一电极板，或所述第一器件层包括栅极与所述第一电极板；

所述第三器件层包括源极、漏极与所述第三电极板。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述第三器件层上的第三绝缘层以及设置于所述第三绝缘层上的第四器件层，所述第四器件层包括对应所述第三电极板设置的第四电极板，所述第四电极板在所述基板上的正投影与所述第二电极板在所述基板上的正投影至少部分重合，且所述第四电极板与所述第二电极板电性连接。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第四器件层包括电极部与所述第四电极板，或所述第四器件层包括桥接端子与所述第四电极板。

7.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度，所述第二绝缘层的材料选自氮化硅与氧化硅的至少一种。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极板在所述基板上的正投影与所述第一电极板在所述基板上的正投影的重叠面积大于所述第三电极板在所述基板上的正投影与所述第二电极板在所述基板上的正投影的重叠面积。

9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-8任意一项所述的显示面板。