CN114883414B - 显示背板、显示模组及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种显示背板、显示模组及显示装置；该显示背板包括多个第一薄膜晶体管、多个第二薄膜晶体管、及位于该第二有源层靠近该第一有源层一侧的表面且整层设置的第一功能绝缘层，该第一薄膜晶体管包括第一有源层，该第一有源层包括低温多晶硅，该第二薄膜晶体管包括第二有源层，该第二有源层包括金属氧化物，该第一有源层与该第二有源层异层设置，该第一功能绝缘层包括氧化铝；本发明通过将金属氧化物晶体管的绝缘层设置为整层含氧化铝的功能绝缘层，阻止低温多晶硅晶体管的膜层的杂质氢扩散至金属氧化物晶体管的有源层中，提高了金属氧化物晶体管的稳定性，开态电流更大，像素电路写入补偿更加充分，提升了显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，具体涉及一种显示背板、显示模组及显示装置。
背景技术
近些年，将低温多晶硅晶体管和金属氧化物晶体管结合在同一个像素电路的LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)新技术应运而生。使用金属氧化物晶体管为开关，低温多晶硅晶体管为驱动，在保证有足够的像素驱动能力后，同时保证电路较低的漏电流，目前低温多晶硅晶体管的绝缘层均采用硅氧化合物或氮硅化合物，其制备的气体源SiH4/N2O不能充分反应，在硅氧化合物或氮硅化合物中会留存富余的氢，而氢则会在高温制程中扩散进金属氧化物晶体管的有源层中，氢作为杂质原子会严重影响金属氧化物晶体管的有源层的载流子浓度，特别是在外加应力的作用下，例如温度、偏压、光照，金属氧化物晶体管的稳定性会严重恶化，金属氧化物晶体管的阈值电压会出现偏移，直接影响金属氧化物晶体管的实际的工作电压，在显示上，会出现黑画面偷亮，垂直亮线等问题，影响显示效果。
因此，亟需一种显示背板、显示模组及显示装置以解决上述技术问题。
发明内容
本发明提供一种显示背板、显示模组及显示装置，可以缓解目前低温多晶硅晶体管的绝缘层中氢影响金属氧化物晶体管稳定性的技术问题。
本发明提供了一种显示背板，包括：
多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括低温多晶硅；
多个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括金属氧化物，所述第一有源层与所述第二有源层异层设置；
整层设置的第一功能绝缘层，位于所述第二有源层靠近所述第一有源层一侧的表面；
其中，所述第一功能绝缘层包括氧化铝。
优选的，所述显示背板还包括整层设置的第二功能绝缘层，所述第二功能绝缘层位于所述第二有源层远离所述第一有源层一侧的表面；其中，所述第二功能绝缘层包括氧化铝。
优选的，所述第一功能绝缘层包括第一氧化铝层，所述第二功能绝缘层包括第二氧化铝层；或者，所述第一功能绝缘层包括层叠设置的至少一第一氧化铝层、及至少一第一硅氧化合物层，所述第二功能绝缘层包括层叠设置的至少一第二氧化铝层、及至少一第二硅氧化合物层。
优选的，所述第一薄膜晶体管还包括：第一栅极层，位于所述第一有源层靠近所述第二有源层一侧；第二栅极层，位于所述第一栅极层靠近所述第二有源层一侧；所述显示背板还包括位于所述第一栅极层与所述第二栅极层之间的第三功能绝缘层；其中，所述第三功能绝缘层包括氧化铝。
优选的，所述第三功能绝缘层包括第三氧化铝层；或者，所述第三功能绝缘层包括层叠设置的至少一第三氧化铝层、及至少一氮硅化合物层。
优选的，所述第二薄膜晶体管还包括：第三栅极层，位于所述第二功能绝缘层远离所述第二有源层的表面；或者，所述第二薄膜晶体管还包括：第三栅极层，位于所述第二功能绝缘层远离所述第二有源层的表面；第四栅极层，与所述第二栅极层同层且与所述第二栅极层的材料相同。
优选的，所述显示背板还包括位于所述第三栅极层远离所述第二有源层一侧的表面上的第四功能绝缘层；其中，所述第四功能绝缘层包括氧化铝。
优选的，所述第三功能绝缘层中的氧化铝的颗粒平均直径小于所述第一功能绝缘层中的氧化铝的颗粒平均直径，所述第三功能绝缘层中的氧化铝的颗粒平均直径小于所述第二功能绝缘层中的氧化铝的颗粒平均直径。
本发明还提供了一种显示模组，包括如任一上述的显示背板。
本发明还提供了一种显示装置，包括如任一上述的显示模组及装置主体，所述装置主体与所述显示模组组合为一体。
本发明有益效果：本发明通过将金属氧化物晶体管的有源层靠近低温多晶硅晶体管一侧的表面的绝缘层由原先硅氧化合物或氮硅化合物，替换为整层设置的含氧化铝的功能绝缘层，可以阻止低温多晶硅晶体管的膜层的杂质氢扩散至金属氧化物晶体管的有源层中，避免了杂质氢的影响，从而提高了金属氧化物晶体管的稳定性，金属氧化物晶体管的开态电流更大，像素电路写入补偿更加充分，提升了显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的显示背板的第一种结构的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的显示背板的第二种结构的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的显示背板的器件稳定性效果示意图；
图4是本发明实施例提供的显示背板的器件开态电流效果示意图；
图5是本发明实施例提供的显示模组的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
近些年，将低温多晶硅晶体管和金属氧化物晶体管结合在同一个像素电路的LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)新技术应运而生。使用金属氧化物晶体管为开关，低温多晶硅晶体管为驱动，在保证有足够的像素驱动能力后，同时保证电路较低的漏电流，目前低温多晶硅晶体管的绝缘层均采用硅氧化合物或氮硅化合物，其制备的气体源SiH4/N2O不能充分反应，在硅氧化合物或氮硅化合物中会留存富余的氢，而氢则会在高温制程中扩散进金属氧化物晶体管的有源层中，氢作为杂质原子会严重影响金属氧化物晶体管的有源层的载流子浓度，特别是在外加应力的作用下，例如温度、偏压、光照，金属氧化物晶体管的稳定性会严重恶化，金属氧化物晶体管的阈值电压会出现偏移，直接影响金属氧化物晶体管的实际的工作电压，在显示上，会出现黑画面偷亮，垂直亮线等问题，影响显示效果。
请参阅图1至图4，本发明实施例提供一种显示背板100，包括：
多个第一薄膜晶体管200，所述第一薄膜晶体管200包括第一有源层410，所述第一有源层410包括低温多晶硅；
多个第二薄膜晶体管300，所述第二薄膜晶体管300包括第二有源层420，所述第二有源层420包括金属氧化物，所述第一有源层410与所述第二有源层420异层设置；
整层设置的第一功能绝缘层510，位于所述第二有源层420靠近所述第一有源层410一侧的表面；
其中，所述第一功能绝缘层510包括氧化铝。
本发明通过将金属氧化物晶体管的有源层靠近低温多晶硅晶体管一侧的表面的绝缘层由原先硅氧化合物或氮硅化合物，替换为整层设置的含氧化铝的功能绝缘层，可以阻止低温多晶硅晶体管的膜层的杂质氢扩散至金属氧化物晶体管的有源层中，避免了杂质氢的影响，从而提高了金属氧化物晶体管的稳定性，金属氧化物晶体管的开态电流更大，像素电路写入补偿更加充分，提升了显示效果。
现结合具体实施例对本发明的技术方案进行描述。
本实施例中，请参阅图1，所述显示背板100包括多个第一薄膜晶体管200、多个第二薄膜晶体管300、及位于所述第二有源层420靠近所述第一有源层410一侧的表面且整层设置的第一功能绝缘层510，所述第一薄膜晶体管200包括第一有源层410，所述第一有源层410包括低温多晶硅，所述第二薄膜晶体管300包括第二有源层420，所述第二有源层420包括金属氧化物，所述第一有源层410与所述第二有源层420异层设置，其中，所述第一功能绝缘层510包括氧化铝。
相较于传统的氮硅化物或硅氧化物材料的绝缘层，氧化铝具的颗粒致密性较好，对于阻止水汽以及阻止杂质扩散均有非常好的效果，所述第一功能绝缘层510包括氧化铝，由于氧化铝致密的属性，尤其可以阻止来自第一薄膜晶体管200中膜层的杂质氢扩散至第二薄膜晶体管300中的第二有源层420中，避免了杂质氢的影响，从而提高了第二薄膜晶体管300的稳定性，依据薄膜晶体管转移特性曲线饱和区电流Ids＝1/2μ·Cox·W/L(Vgs-Vth)2公式，第二薄膜晶体管300的开态电流更大，像素电路写入补偿更加充分，有利于提升显示效果。
在一些实施例中，请参阅图1，所述第一功能绝缘层510可以替代原有位于所述第二有源层420靠近所述第一有源层410一侧表面的氮硅化物或硅氧化物材料的绝缘层，或者替代一些图案化的阻挡层，减少了工艺制程，绝缘的同时，避免了杂质氢的影响，有利于提升显示效果。
在一些实施例中，所述第二有源层420包括金属氧化物，可以为IGZO、IGZTO、IGTO、Pr-IZO和InO中的任意一种，本文以IGZO为例进行实验表征。
在一些实施例中，请参阅图1，所述显示背板100还包括整层设置的第二功能绝缘层520，所述第二功能绝缘层520位于所述第二有源层420远离所述第一有源层410一侧的表面；其中，所述第二功能绝缘层520包括氧化铝。
所述第二功能绝缘层520含有氧化铝，对于第二有源层420远离所述第一有源层410一侧的膜层中的杂质氢的扩散，同样具有较好的阻氢效果，进一步减少杂质氢的影响，从而提高了第二薄膜晶体管300的稳定性，依据薄膜晶体管转移特性曲线饱和区电流Ids＝1/2μ·Cox·W/L(Vgs-Vth)2公式，第二薄膜晶体管300的开态电流更大，像素电路写入补偿更加充分，有利于提升显示效果。
在一些实施例中，请参阅图1，所述第一功能绝缘层510包括第一氧化铝层，所述第二功能绝缘层520包括第二氧化铝层；或者，所述第一功能绝缘层510包括层叠设置的至少一第一氧化铝层、及至少一第一硅氧化合物层，所述第二功能绝缘层520包括层叠设置的至少一第二氧化铝层、及至少一第二硅氧化合物层。
所述第一功能绝缘层510为单层氧化铝层，或者为氧化铝与硅氧化合物的叠层，均可以同样具有较好的阻氢效果，氧化铝可以具有更大的介电常数，氧化铝的K值约为7.5左右，可以提供第二薄膜晶体管300更加的电位稳定性，同时，氧化铝与硅氧化合物的叠层还可以提供更好的膜层覆盖性和均一性，有利于膜层的平整度。所述第二功能绝缘层520为单层氧化铝层，或者为氧化铝与硅氧化合物的叠层的技术效果与所述第一功能绝缘层510的效果相似，在此不再赘述。
在一些实施例中，请参阅图1，所述第一薄膜晶体管200还包括：第一栅极层610，位于所述第一有源层410靠近所述第二有源层420一侧；第二栅极层620，位于所述第一栅极层610靠近所述第二有源层420一侧；所述显示背板100还包括位于所述第一栅极层610与所述第二栅极层620之间的第三功能绝缘层530；其中，所述第三功能绝缘层530包括氧化铝。
所述第一薄膜晶体管200为双栅结构，氧化铝可以具有更大的介电常数，氧化铝的K值约为7.5左右，在保证绝缘层厚度相同的情况下，第一栅极层610和第二栅极层620之间的电容更大，对像素驱动电路中栅极电位稳定性更佳，在写入和发光阶段，输入到像素电极的电流更稳定，相应进一步提高了第二薄膜晶体管300的稳定性，有利于提升显示效果。
在一些实施例中，请参阅图1，所述第三功能绝缘层530包括第三氧化铝层；或者，所述第三功能绝缘层530包括层叠设置的至少一第三氧化铝层、及至少一氮硅化合物层。
所述第三功能绝缘层530为单层氧化铝层，或者为氧化铝与氮硅化合物的叠层，均可以同样具有较好的阻氢效果，氧化铝可以具有更大的介电常数，氧化铝的K值约为7.5左右，第一栅极层610和第二栅极层620之间的电容更大，氧化铝与氮硅化合物的叠层中的氢含量较硅氧化合物中氢含量少，相应的可以提供第二薄膜晶体管300更加的电位稳定性，同时，还可以提供更好的膜层覆盖性和均一性，有利于膜层的平整度。
在一些实施例中，请参阅图3，所述第三功能绝缘层530包括氧化铝，可以使所述第二薄膜晶体管300的PBTS稳定性得到大幅提升，对比所述第三功能绝缘层530为氮硅化合物时，所述第二薄膜晶体管300阈值Vth偏移量非常小，预计小于0.15V，而所述第三功能绝缘层530为氮硅化合物时，在电压和温度的外界应力下，所述第二薄膜晶体管300阈值Vth在时间7200s后偏移量达到了1V以上，因此，所述第三功能绝缘层530包括氧化铝，所述第二薄膜晶体管300的稳定性得到大幅提升；此外，请参阅图4，所述第二薄膜晶体管300器件的开态电流同步得到大幅提升，晶体管的转移特性曲线所示，开态电流Ion可以预计提升将近3个数量级，述第二薄膜晶体管300的器件稳定性和开态电流均得到大幅提升，显示效果和稳定性将同步得到大幅提高。
在一些实施例中，请参阅图2，所述第二薄膜晶体管300还包括：第三栅极层630，位于所述第二功能绝缘层520远离所述第二有源层420的表面；或者，所述第二薄膜晶体管300还包括：第三栅极层630，位于所述第二功能绝缘层520远离所述第二有源层420的表面；第四栅极层640，与所述第二栅极层620同层且与所述第二栅极层620的材料相同。
所述第二薄膜晶体管300也是双栅结构，利用所述第二栅极层620的材料，所述第二栅极层620和所述第四栅极层640可以同时形成，节省了工艺制程，同时所述第三功能绝缘层530中的氧化铝可以对所述第四栅极层640及所述第二有源层420进行阻隔氢的保护，同时所述第三功能层中的氢含量很低，从源头上减小了氢扩展至所述第二有源层420的几率，第二薄膜晶体管300的开态电流更大，像素电路写入补偿更加充分，有利于提升显示效果。
在一些实施例中，请参阅图1，所述显示背板100还包括位于所述第三栅极层630远离所述第二有源层420一侧的表面上的第四功能绝缘层540；其中，所述第四功能绝缘层540包括氧化铝。
所述第四功能绝缘层540含有氧化铝，对于第二有源层420远离所述第一有源层410一侧的膜层中的杂质氢的扩散，同样具有较好的阻氢效果，进一步减少杂质氢的影响，从而提高了第二薄膜晶体管300的稳定性，依据薄膜晶体管转移特性曲线饱和区电流Ids＝1/2μ·Cox·W/L(Vgs-Vth)2公式，第二薄膜晶体管300的开态电流更大，像素电路写入补偿更加充分，有利于提升显示效果。
在一些实施例中，所述第三功能绝缘层530的厚度为5nm至150nm。所述第三功能绝缘层530中的氧化铝具有更大的介电常数，氧化铝的K值约为7.5左右，不需要较厚的膜层厚度，同样可以使第一栅极层610和第二栅极层620之间具有较大的电容，对像素驱动电路中栅极电位稳定性更佳，在写入和发光阶段，输入到像素电极的电流更稳定，相应进一步提高了第二薄膜晶体管300的稳定性，有利于提升显示效果。
在一些实施例中，优选的，所述第三功能绝缘层530的厚度为5nm至50nm。减小膜层厚度的同时，使第一栅极层610和第二栅极层620之间具有较大的电容，对像素驱动电路中栅极电位稳定性更佳，在写入和发光阶段，输入到像素电极的电流更稳定，相应进一步提高了第二薄膜晶体管300的稳定性，有利于提升显示效果。
在一些实施例中，所述第三功能绝缘层530中的氧化铝的颗粒平均直径小于所述第一功能绝缘层510中的氧化铝的颗粒平均直径，所述第三功能绝缘层530中的氧化铝的颗粒平均直径小于所述第二功能绝缘层520中的氧化铝的颗粒平均直径。
氧化铝的颗粒平均直径越小，所述第三功能绝缘层530的致密程度越高，覆盖性越好，同时使所述第三功能绝缘层530的介电常数越大，使第一栅极层610和第二栅极层620之间具有更大的电容，对像素驱动电路中栅极电位稳定性更佳，在写入和发光阶段，输入到像素电极的电流更稳定，相应进一步提高了第二薄膜晶体管300的稳定性，有利于提升显示效果。
在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管200还包括第一源漏极层，所述第一源漏极层与所述第一有源层410电连接，所述第一源漏极层的具体位置可以根据不同工艺要求进行设置，可以为过孔连接，也可以为直接接触。所述第二薄膜晶体管300还包括第二源漏极层，所述第二源漏极层与所述第二有源层420电连接，所述第二源漏极层的具体位置可以根据不同工艺要求进行设置，可以为过孔连接，也可以为直接接触，不是本文的重点，在此不再赘述。
在一些实施例中，请参阅图1，所述显示背板100还包括位于所述第一有源层410和所述第一栅极层610之间的栅绝缘层130。
在一些实施例中，所述第一有源层410包括第一有源段和位于所述第一有源段两侧的第一导体段，所述第一源漏极层与所述第一导体段电连接。所述第二有源层420包括第二有源段和位于所述第二有源段两侧的第二导体段，所述第二源漏极层与所述第二导体段电连接。
在一些实施例中，请参阅图1，所述显示背板100还包括位于所述第一有源层410远离所述第二有源层420一侧的衬底110和位于所述衬底110与所述第一有源层410之间的缓冲层120。
在一些实施例中，所述衬底110的材料可以为硬质材料，例如玻璃，也可以为柔性材料，例如聚酰亚胺，在此不做具体限定。
在一些实施例中，请参阅图1，所述显示背板100还包括位于所述第二薄膜晶体管300远离所述衬底110一侧的有机平坦层140。
本发明通过将金属氧化物晶体管的有源层靠近低温多晶硅晶体管一侧的表面的绝缘层由原先硅氧化合物或氮硅化合物，替换为整层设置的含氧化铝的功能绝缘层，可以阻止低温多晶硅晶体管的膜层的杂质氢扩散至金属氧化物晶体管的有源层中，避免了杂质氢的影响，从而提高了金属氧化物晶体管的稳定性，金属氧化物晶体管的开态电流更大，像素电路写入补偿更加充分，提升了显示效果。
请参阅图5，本发明实施例还提供了一种显示模组10，包括如任一上述的显示背板100。
本实施例中，所述显示模组10可以为液晶显示模组10，也可以为自发光式显示模组10。即所述显示背板100可以作为液晶显示模组10的背光模组，也可以作为自发光式显示模组10的显示器件。
在一些实施例中，所述显示模组10可以为液晶显示模组10，所述显示模组10还包括液晶层、彩膜层、及上下偏光层。
请参阅图6，本发明实施例还提供了一种显示装置1，包括如任一上述的显示模组10及装置主体2，所述装置主体2与所述显示模组10组合为一体。
所述显示模组10及显示背板100的具体结构请参阅任一上述显示模组10及显示背板100的实施例及附图，在此不再赘述。
本实施例中，所述装置主体2可以包括中框、框胶等，所述显示装置1可以为手机、平板、电视等显示终端，在此不做限定。
本发明实施例公开了一种显示背板、显示模组及显示装置；该显示背板包括多个第一薄膜晶体管、多个第二薄膜晶体管、及位于该第二有源层靠近该第一有源层一侧的表面且整层设置的第一功能绝缘层，该第一薄膜晶体管包括第一有源层，该第一有源层包括低温多晶硅，该第二薄膜晶体管包括第二有源层，该第二有源层包括金属氧化物，该第一有源层与该第二有源层异层设置，该第一功能绝缘层包括氧化铝；本发明通过将金属氧化物晶体管的绝缘层设置为整层含氧化铝的功能绝缘层，阻止低温多晶硅晶体管的膜层的杂质氢扩散至金属氧化物晶体管的有源层中，提高了金属氧化物晶体管的稳定性，开态电流更大，像素电路写入补偿更加充分，提升了显示效果。
以上对本发明实施例所提供的一种显示背板、显示模组及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (8)
1.一种显示背板，其特征在于，包括：
多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括低温多晶硅；
多个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括金属氧化物，所述第一有源层与所述第二有源层异层设置；
整层设置的第一功能绝缘层，位于所述第二有源层靠近所述第一有源层一侧的表面；
其中，所述第一功能绝缘层包括氧化铝；
所述显示背板还包括第二功能绝缘层，第二功能绝缘层设置于所述第一功能绝缘层之上，且覆盖所述第二有源层，所述第二功能绝缘层包括氧化铝；
所述第一薄膜晶体管还包括：
第一栅极层，位于所述第一有源层靠近所述第二有源层一侧；
第二栅极层，位于所述第一栅极层靠近所述第二有源层一侧；
所述显示背板还包括位于所述第一栅极层与所述第二栅极层之间的第三功能绝缘层；
其中，所述第三功能绝缘层包括氧化铝；
所述第三功能绝缘层中的氧化铝的颗粒平均直径小于所述第一功能绝缘层中的氧化铝的颗粒平均直径，所述第三功能绝缘层中的氧化铝的颗粒平均直径小于所述第二功能绝缘层中的氧化铝的颗粒平均直径。
2.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述第一功能绝缘层包括第一氧化铝层，所述第二功能绝缘层包括第二氧化铝层；或者，
所述第一功能绝缘层包括层叠设置的至少一第一氧化铝层、及至少一第一硅氧化合物层，所述第二功能绝缘层包括层叠设置的至少一第二氧化铝层、及至少一第二硅氧化合物层。
3.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述第三功能绝缘层包括第三氧化铝层；或者，
所述第三功能绝缘层包括层叠设置的至少一第三氧化铝层、及至少一氮硅化合物层。
4.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述第三功能绝缘层的厚度为5nm至150nm。
5.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括：
第三栅极层，位于所述第二功能绝缘层远离所述第二有源层的表面；或者，
所述第二薄膜晶体管还包括：
第三栅极层，位于所述第二功能绝缘层远离所述第二有源层的表面；
第四栅极层，与所述第二栅极层同层且与所述第二栅极层的材料相同。
6.根据权利要求5所述的显示背板，其特征在于，所述显示背板还包括位于所述第三栅极层远离所述第二有源层一侧的表面上的第四功能绝缘层；
其中，所述第四功能绝缘层包括氧化铝。
7.一种显示模组，其特征在于，包括如权利要求1至6中任一项所述的显示背板。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的显示模组及装置主体，所述装置主体与所述显示模组组合为一体。
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