CN219811494U - 一种限位一体化桥接式封装结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及电子器件的技术领域，提出一种限位一体化桥接式封装结构，包括导线框架、芯片和铜桥框架；导线框架包括基座和引脚，基座与引脚电性隔离；芯片设置于基座内；铜桥框架包括主铜桥和副铜桥，主铜桥和副铜桥电性隔离；主铜桥的一端与芯片的S极电性连接，主铜桥的另一端与引脚的S极电性连接；副铜桥的一端与芯片的G极电性连接，副铜桥的另一端与引脚的G极电性连接；本实用新型铜桥框架包括主铜桥和副铜桥两部分，芯片、导线框架、铜桥框架一次性完成组装，避免二次上焊接设备再进行G极的引线焊接，有效提升了生产效率，解决目前铜线焊接效率低，容易导致铜线虚焊，在使用过程中容易出现铜线断开引起开路的问题。

Description

一种限位一体化桥接式封装结构

技术领域

本实用新型涉及电子器件的技术领域，特别是一种限位一体化桥接式封装结构。

背景技术

目前电子器件的功率器件一般采用焊线的方式来实现电性连接，或者在芯片的S极进行铜桥焊接，而G极都是在焊接完成芯片与框架、铜桥与芯片的焊接后，需要两次上机，生产效率慢，再重新上焊接设备进行铜线焊接，在进行引线焊接前，都需要进行化学清洗及等离子清洗，而由于在铜桥焊接过程较多实用的锡膏工艺，锡膏焊接过程容易释放出助焊剂，容易污染到铜线焊接的功能区(芯片G极)，在上述清洗过程中不彻底，容易导致引线虚焊；或在使用过程中容易出现引线断开引起开路的质量隐患问题。

实用新型内容

针对上述缺陷，本实用新型的目的在于提出一种限位一体化桥接式封装结构，解决目前铜线焊接，效率低，容易导致引线虚焊，在使用过程中容易出现引线断开引起开路的问题。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种限位一体化桥接式封装结构，包括导线框架、芯片和铜桥框架；

所述导线框架包括基座和引脚，所述基座与引脚电性隔离；

所述芯片设置于所述基座内；

所述铜桥框架包括主铜桥和副铜桥，所述主铜桥和副铜桥电性隔离；

所述主铜桥的一端与所述芯片的S极电性连接，所述主铜桥的另一端与所述引脚的S极电性连接；

所述副铜桥的一端与所述芯片的G极电性连接，所述副铜桥的另一端与所述引脚的G极电性连接。

优选的，所述主铜桥和副铜桥为一体成型结构。

优选的，所述副铜桥的一端向下凸起设置有接触凸点。

优选的，所述接触凸点包括有一层凸台和二层凸点，所述一层凸台沿所述副铜桥的底面向下凸起设置，所述二层凸点沿所述一层凸台的底面向下凸起设置。

优选的，所述一层凸台设置为直径0.05mm-0.1mm的圆形凸台，所述二层凸点设置为直径0.01mm-0.03mm的圆形凸台。

优选的，所述一层凸台的直径尺寸不超过所述芯片的G极宽度的一半。

优选的，所述一层凸台和二层凸点分别通过在所述副铜桥进行冲压成型制备而成。

优选的，所述主铜桥的一侧设置有限位卡口，所述主铜桥通过所述限位卡口与所述芯片卡扣连接。

优选的，所述芯片的上表面设置有塑封料，所述塑封料用于封装所述铜桥框架、芯片以及导线框架。

优选的，所述铜桥框架的底面设置有粘片材料，所述铜桥框架通过所述粘片材料与所述导线框架固定连接。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：

一种限位一体化桥接式封装结构，铜桥框架包括主铜桥和副铜桥两部分，在组装本封装结构时，利用同移动吸爪将主铜桥与副铜桥同时吸持，由设备进行定位放置，通过主铜桥和副铜桥与芯片之间的对位，实现一次性对位贴桥，使得芯片、导线框架、铜桥框架一次性完成完整的电性回路，避免二次上焊接设备再进行G极的引线焊接，有效提升了生产效率，解决铜线焊接效率慢，容易导致引线虚焊、断开等隐患问题；另外，采用副铜桥连接芯片G极，替代现有技术的引线焊接，使用焊接焊接，焊接牢固，而且不会存在断裂问题，保证产品品质，且在过电流能力上得到提升，封装后的电子器件不会存在过电流差的问题。

附图说明

图1是本实用新型中一个实施例的俯视图；

图2是本实用新型中一个实施例的铜桥框架的示意图；

图3是本实用新型中一个实施例的侧面剖视图；

图4是本实用新型中一个实施例的副铜桥的局部剖视图。

其中：导线框架1、基座11、引脚12、芯片2、铜桥框架3、主铜桥31、限位卡口311、副铜桥32、接触凸点33、一层凸台331、二层凸点332、塑封料4、粘片材料5。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征，用于区别描述特征，无顺序之分，无轻重之分。

在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

下面结合图1至图4描述本实用新型实施例的一种限位一体化桥接式封装结构，

包括导线框架1、芯片2和铜桥框架3；

所述导线框架1包括基座11和引脚12，所述基座11与引脚12电性隔离；

所述芯片2设置于所述基座11内；

所述铜桥框架3包括主铜桥31和副铜桥32，所述主铜桥31和副铜桥32电性隔离；

所述主铜桥31的一端与所述芯片2的S极电性连接，所述主铜桥31的另一端与所述引脚12的S极电性连接；

所述副铜桥32的一端与所述芯片2的G极电性连接，所述副铜桥32的另一端与所述引脚12的G极电性连接。

在现有技术中，功率器件一般采用焊线的方式来实现电性连接，或者在芯片2的S极进行铜桥焊接，而G极都是在焊接完成芯片2与框架、铜桥与芯片2的焊接后，需要两次上机，生产效率慢，再重新上焊接设备进行铜线焊接，在进行引线焊接前，都需要进行化学清洗及等离子清洗，而由于在铜桥焊接过程较多实用的锡膏工艺，锡膏焊接过程容易释放出助焊剂，容易污染到铜线焊接的功能区(芯片2G极)，在上述清洗过程中不彻底，容易导致引线虚焊；或在使用过程中容易出现引线断开引起开路的质量隐患问题；在本申请的封装结构中，铜桥框架3包括主铜桥31和副铜桥32两部分，在组装本封装结构时，利用同平面的分支移动吸爪吸取铜桥框架3，将主铜桥31与副铜桥32同时吸持，由设备进行定位放置，通过主铜桥31和副铜桥32与芯片2之间的对位，实现一次性对位贴桥，使得芯片2、导线框架1、铜桥框架3一次性完成完整的电性回路，避免二次上焊接设备再进行G极的引线焊接，有效提升了生产效率，解决铜线焊接效率慢，容易导致引线虚焊、断开等隐患问题；另外，采用副铜桥32连接芯片2G极，替代现有技术的引线焊接，使用焊接焊接，焊接牢固，而且不会存在断裂问题，保证产品品质，且在过电流能力上得到提升，封装后的电子器件不会存在过电流差的问题。

进一步的是，所述主铜桥31和副铜桥32为一体成型结构。

具体的，在本实施例中，主铜桥31和副铜桥32为一体成型结构，在组装本封装结构时，利用移动吸爪吸取铜桥框架3，就可以将主铜桥31与副铜桥32整体同时吸持，由设备进行定位放置，通过主铜桥31与芯片2之间的对位，就可以实现芯片2、导线框架1、铜桥框架3完成连接，一体成型结构使得对位更方便，定位更准确，结构更牢靠。

进一步的是，所述副铜桥32的一端向下凸起设置有接触凸点33。

具体的，在本实施例中，副铜桥32的一端向下凸起设置有接触凸点33，副铜桥32与芯片2G极之间通过凸点接触式连接，使得凸点能够保证与芯片2G极连接，能够有效保证接触的有效性。

进一步的是，所述接触凸点33包括有一层凸台331和二层凸点332，所述一层凸台331沿所述副铜桥32的底面向下凸起设置，所述二层凸点332沿所述一层凸台331的底面向下凸起设置。

具体的，在本实施例中，接触凸点33采用两层凸台设置，二层凸点332设置在一层凸台331的中心，通过两层凸台的设置，进一步保证接触凸点33与芯片2G极之间的连接稳定，能够有效保证接触的有效性，提高连接的稳定性。

进一步的是，所述一层凸台331设置为直径0.05mm-0.1mm的圆形凸台，所述二层凸点332设置为直径0.01mm-0.03mm的圆形凸台。

具体的，在本实施例中，一层凸台331设置为直径0.05mm-0.1mm的圆形凸台，二层凸点332设置为直径0.01mm-0.03mm的圆形凸台，且二层凸点332位于一层凸台331的中心，使得副铜桥32在位置偏移的情况下，也能保证二层凸台的较小圆形凸台与芯片2G极接触连接，能够有效保证接触的有效性，提高连接的稳定性。

进一步的是，所述一层凸台331的直径尺寸不超过所述芯片2的G极宽度的一半。

具体的，在本实施例中，一层凸台331的直径尺寸不超过所述芯片2的G极宽度的一半，预留了副铜桥32足够的偏移空间，有效保证接触的有效性，方便生产，提升优良率，提高连接的稳定性。

进一步的是，所述一层凸台331和二层凸点332分别通过在所述副铜桥32进行冲压成型制备而成。

具体的，在本实施例中，一层凸台331和二层凸点332分别通过在副铜桥32进行冲压成型制备而成。有利于保证结构的整体性，提高一层凸台331、二层凸点332和副铜桥32之间连接的紧密性和稳定性，使得整体结构更稳定。

进一步的是，所述主铜桥31的一侧设置有限位卡口311，所述主铜桥31通过所述限位卡口311与所述芯片2卡扣连接。

具体的，在本实施例中，在组装铜桥框架3时，只需将主铜桥31的限位卡扣与芯片2对位，并完成卡扣连接后，就可以完成副铜桥32的对位和连接，有利于提高组装的效率，同时有助于提高铜桥框架3定位的准确度。

进一步的是，所述芯片2的上表面设置有塑封料4，所述塑封料4用于封装所述铜桥框架3、芯片2以及导线框架1。

具体的，在本实施例中，塑封料4可以是环氧树脂胶膜，通过在铜桥框架3、芯片2以及导线框架1上覆盖塑封料4，对铜桥框架3、芯片2以及导线框架1封装，有利于对铜桥框架3、芯片2以及导线框架1进行保护。

进一步的是，所述铜桥框架3的底面设置有粘片材料5，所述铜桥框架3通过所述粘片材料5与所述导线框架1固定连接。

具体的，在本实施例中，在组装本封装结构时，将铜桥框架3对位芯片2后，通过吸爪设备将铜桥框架3往导线框架1按压，通过粘片材料5可以将铜桥框架3固定于导线框架1上，从而实现铜桥框架3与导线框架1之间的固定连接。

根据本实用新型实施例的一种限位一体化桥接式封装结构的其他构成等以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。

在本说明书的描述中，参考术语“实施例”、“示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：包括导线框架、芯片和铜桥框架；

所述导线框架包括基座和引脚，所述基座与引脚电性隔离；

所述芯片设置于所述基座内；

所述铜桥框架包括主铜桥和副铜桥，所述主铜桥和副铜桥电性隔离；

所述主铜桥的一端与所述芯片的S极电性连接，所述主铜桥的另一端与所述引脚的S极电性连接；

所述副铜桥的一端与所述芯片的G极电性连接，所述副铜桥的另一端与所述引脚的G极电性连接。

2.根据权利要求1所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述主铜桥和副铜桥为一体成型结构。

3.根据权利要求1所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述副铜桥的一端向下凸起设置有接触凸点。

4.根据权利要求3所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述接触凸点包括有一层凸台和二层凸点，所述一层凸台沿所述副铜桥的底面向下凸起设置，所述二层凸点沿所述一层凸台的底面向下凸起设置。

5.根据权利要求4所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述一层凸台设置为直径0.05mm-0.1mm的圆形凸台，所述二层凸点设置为直径0.01mm-0.03mm的圆形凸台。

6.根据权利要求4所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述一层凸台的直径尺寸不超过所述芯片的G极宽度的一半。

7.根据权利要求4所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述一层凸台和二层凸点分别通过在所述副铜桥进行冲压成型制备而成。

8.根据权利要求1所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述主铜桥的一侧设置有限位卡口，所述主铜桥通过所述限位卡口与所述芯片卡扣连接。

9.根据权利要求1所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述芯片的上表面设置有塑封料，所述塑封料用于封装所述铜桥框架、芯片以及导线框架。

10.根据权利要求1所述的一种限位一体化桥接式封装结构，其特征在于：所述铜桥框架的底面设置有粘片材料，所述铜桥框架通过所述粘片材料与所述导线框架固定连接。