CN202084544U - 方块式桥堆 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及方块式桥堆，其包括一个方块式封装体和设置在封装体内的两块支撑片、两块连接片、四个二极管芯片；两块连接片位于上层，四个二极管芯片位于中间层，两块支撑片位于下层；其封装体为方块式结构，所述两块支撑片位于封装体的一个对角构成交流输入端；该方块式桥堆还包括两个分别与两块连接片固定连接的引线结构，两个引线结构位于封装体的另一个对角，所述两块支撑片和两个引线结构构成桥堆的正、负极输出端和交流输入端。本实用新型组装时在焊接模具上摆放占用较小的空间，使得同一焊接模具焊接的桥堆数量较多，提高了生产效率，降低了成本。

Description

方块式桥堆
技术领域
本实用新型涉及整流堆，尤其涉及一种交流变直流的方块式桥堆。
背景技术
桥式整流器是由四个整流二极管组成的一个桥式结构，它利用二极管的单向导电特性对交流电进行整流，由于桥式整流器对输入正弦波得利用效率比半波整流高一倍，是对二极管半波整流的一种显著改进，故被广泛应用于交流电转换成直流电的电路中。
随着电子产品向小型化方向发展，要求半导体电子器件的外形做的又小又薄。目前的微型桥堆主要分为两类，一类是直插式桥堆，另一种是贴片式桥堆。
对于直插式桥堆而言，目前比较典型的结构有以下几种：
1、中国专利ZL97247861.2公开的一种名为“单排列竖式全波桥式整流堆”，其包括由引线脚A、B、C、D、单向导电芯片、塑封外壳以及边接片E、F。在引线脚与连接片相交处装夹有单向导电芯片或过渡片，在单向导电芯片或过渡片与引线脚、边接片之间分装焊片，引线脚与连接片通过单向导电芯片构成单向导通电路。虽然其构成桥式整流电路，但还存在以下缺点：1)在该整流堆中由于引线脚直接延伸到塑封外壳内，而单向导电芯片夹于引线脚与连接片间，使芯片集中于塑封外壳的中部，其芯片的分布不均，从而造成整流堆使用时产生的热量集中于塑封外壳的中部，使热量难以散去，因而容易造成芯片因热量过大而损坏，使整流堆的使用寿命大大缩短；2)而连接片包括有三个安装段，其安装起来十分麻烦而且费时，且由于上述的整流堆结构中可以了解到，其芯片极性朝向不统一，因而其装配困难，焊接不可靠，费时费工，造成直接后果是装配和焊接可靠性下降，合格率降低，成本上升。
2、中国专利授权公告号CN2901580Y公开的单列直插式全波整流桥堆，其包括绝缘外壳、固定在绝缘外壳内部的框架、引线脚、导电芯片及其连接片构成，框架由左、右交流输入框以及左、右整流输出框构成，左交流输入框的上部两端分别设有导电芯片，右交流输入框的上部延伸至左交流输入框的导电芯片之间的间隙位置，左、右整流输出框分别置于左、右交流输入框上部的下方，右交流输入框上部分别设有供连接片焊固的第一、二焊固部，其下方的左、右整流输出框固定有导电芯片，导电芯片通过连接片与第一、二焊固部连接，左、右整流输出框分别设有第三、四焊固部，且通过连接片与左交流输入框上的导电芯片连接。该专利虽然具有散热效果好、使用寿命长、装配简单方便的优点，但是由于其导电芯片与引线脚成平行状态，组装时在焊接模具上摆放占用较多的空间，造成同一焊接模具焊接的桥堆数量较少，使得生产效果无法提高。而为了提高生产效率，又需要制备较大的模具，造成焊接模具制造成本上升。另该专利公开的桥堆焊点较多，容易出现质量事故。
3、如图1公开的一种单列直插式全波整流桥堆，其包括两个大致成L形的引线2、3和两根直引线1，两根直引线1设于两个大致成L形的引线2、3下方，两根直引线1与两个大致成L形的引线2、3之间焊接有四颗导电芯片，图1所示的单列直插式全波整流桥堆虽然解决了焊点多的问题，但是由于其导电芯片与直引线1、大致成L形的引线2、3的引线脚成平行状态，组装时在焊接模具上摆放占用较多的空间，造成同一焊接模具焊接的桥堆数量较少，使得生产效果无法提高。而为了提高生产效率，又需要制备较大的模具，造成焊接模具制造成本上升。
对于贴片式桥堆而言，目前比较典型的结构有以下几种：
1、中国发明专利公开号公开的一种微型半导体桥式整流器，其包括一共N型的双二极体晶粒以及一共P型的双二极体晶粒，其中共N型晶粒的一P型区与共P型晶粒的一相对应N型区系连接至第一组导线架的一端子电极，共N型晶粒的另一P型区则与共P型晶粒的另一N型区连接至第一组导线架的另一端子电极，且共N型晶粒的N型区与共P型晶粒的P型区则分别连接至第二组导线架的两端子电极，从而构成一桥式整流器，这种微型整流器尽管在结构上有利于微型化，但制造上需要采用两个品种的双二极管芯片，即一共N型双二极管芯片和一共P型双二极管芯片，容易造成如下问题：1)核心芯片品种多，工艺复杂形增大；2)芯片合格率相对较低；3)由于存在两个芯片品种，均匀性较差；4)P型衬底的芯片相对比较难做。
2、中国实用新型专利授权公告号CN2545706Y公开的片式微型桥堆，其在一个封装体内，由四个整流二极管形成桥式整流器，四个整流二极管由相同的PN结芯片构成，四个PN结芯片在空间上两个并列在上，另两个并列在下，每个PN结芯片的P型区和N型区上下布置，其中对角位置PN结芯片的P型区和N型区方位相同，上下迭放的两个PN结芯片之间分别采用一连接片连接，并列在上和并列在下的两个PN结芯片分别采用另一连接片连接，中间层上的两个连接片作为一组电极端子，上层和下层上的两个连接片作为另一组电极端子，并分别从封装体内引出，以此构成微型五层整流桥堆结构。由于该专利采用五层结构，其产品的厚度一般在2.5～2.7mm左右，不仅占用了电子产品内部比较多的容置空间，且由于多层结构的设置使得桥堆生产加工的工艺步骤增多，同时给各层部件安装定位提出了较高的要求。
3、中国专利授权公告号CN201181702公开的一种薄型焊接式整流桥堆，该整流桥堆的环氧封装体内部由两块连接片、四个二极管芯片和两块框架支撑片组成，在厚度方向上，连接片、二极管芯片、框架支撑片分别位于上、中、下三层，在俯视平面上，第一连接片与第一、第二二极管芯片的正极端固定连接；第二连接片与第三、第四二极管芯片的负极端固定连接；第一框架支撑片与第一二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，第二框架支撑片与第二二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的正极端固定连接，第一连接片上的引脚作为正极输出端，第二连接片上的引脚作为负极输出端，两块框架支撑片上的引脚作为交流输入端。该专利存在的缺点是：1)两块连接片的结构不相同，两块框架支撑片的结构不相同，而且引线的结构也不相同，因此需要至少5种以上的零件才能与晶粒组装而成，而开发5种以上的零件需要5种以上的模具，造成制造成本偏高，生产管理复杂；2)一块框架支撑片上的两颗晶粒一正一负放置，造成晶粒放置过程复杂化，增加了工艺的难度。该专利的焊接点多，容易出现焊接事故。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述整流桥堆所存在的问题而提供一种组装方便、散热效果好、体积小的方块式桥堆。
本实用新型所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现：
方块式桥堆，包括一个封装体和设置在封装体内的两块支撑片、两块连接片、四个二极管芯片；在桥堆厚度方向上，两块连接片位于上层，四个二极管芯片位于中间层，两块支撑片位于下层；在桥堆的俯视平面上，在桥堆的俯视平面上，在桥堆的俯视平面上，每一块支撑片上固定连接有两个二极管芯片，而每一块连接片分别与两块支撑片上的各一个二极管芯片固定连接，其特征在于，所述封装体为方块式结构，所述两块支撑片位于封装体的一个对角构成交流输入端；该方块式桥堆还包括两个分别与两块连接片固定连接的引线结构，两个引线结构位于封装体的另一个对角，所述两块支撑片和两个引线结构构成桥堆的正、负极输出端和交流输入端。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述两块连接片的结构相同，两块支撑片的结构相同，两个引线结构的结构完全相同。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述两块支撑片分为第一、第二支撑片，两块连接片分为第一、第二连接片，两各引线结构分为第一、第二引线结构，四个二极管芯片分为第一、第二、第三、第四二极管芯片，其中所述第一引线结构为第一柱状引线脚，所述第一柱状引线脚与所述第一连接片固定连接；所述第二引线结构为第二柱状引线脚，所述第二柱状引线脚与所述第二连接片固定连接；所述的方块式桥堆还包括第三柱状引线脚和第四柱状引线脚，第三柱状引线脚与所述第一支撑片的底面固定连接，第四柱状引线脚与所述第二支撑片的底面固定连接；第三柱状引线脚和第四柱状引线脚位于封装体的一个对角，第一柱状引线脚和第二柱状引线位于封装体的另一个对角；第一、二、三、四柱状引线构成桥堆的正、负极输出端和交流输入端。
在本实用新型的一个优选实施例中，第一、第二二极管芯片的正极端与第一支撑片的正面固定连接，第三、第四二极管芯片的负极端与第二支撑片的正面固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的正极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，其中第一柱状引线脚和第二柱状引线脚作为桥堆的交流输入端，第三柱状引线脚作为桥堆的正极输出端，第四柱状引线脚作为桥堆的负极输出端。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一、第二二极管芯片的负极端与第一支撑片的正面固定连接，第三、第四二极管芯片的正极端与第二支撑片的正面固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的负极端固定连接，其中第一柱状引线脚和第二柱状引线脚作为桥堆的交流输入端，第三柱状引线脚作为桥堆的负极输出端，第四柱状引线脚作为桥堆的正极输出端。
在本实用新型的一个优选实施例中，第一二极管芯片的正极端和第二二极管芯片的负极端与第一支撑片固定连接，第三二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的负极端与第二支撑片固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，其中第一柱状引线脚作为桥堆的负极输出端，第二柱状引线脚作为桥堆的正极输出端，第三柱状引线脚和第四柱状引线脚作为桥堆的交流输入端。
在本实用新型的一个优选实施例中，第一二极管芯片的负极端和第二二极管芯片的正极端与第一支撑片固定连接，第三二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的正极端与第二支撑片固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第三二极管芯片的正极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的负极端固定连接，其中第一柱状引线脚作为桥堆的正极输出端，第二柱状引线脚作为桥堆的负极输出端，第三柱状引线脚和第四柱状引线脚作为桥堆的交流输入端。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述两块支撑片分为第一、第二支撑片，两块连接片分为第一、第二连接片，两各引线结构分为第一、第二引线结构，四个二极管芯片分为第一、第二、第三、第四二极管芯片，其中所述第一引线结构包括第一片式引线，所述第一片式引线的正面与所述第一连接片固定连接；所述第二引线结构包括第二片式引线，所述第二片式引线的正面与所述第二连接片固定连接；所述第一、二支撑片的底面和第一、二片式引线的底面均露出封装体，第一、二支撑片的底面位于封装体的一个对角，第一、二片式引线的底面位于封装体的另一个对角；构成桥堆的正、负极输出端和交流输入端。
在本实用新型的一个优选实施例中，第一、第二二极管芯片的正极端与第一支撑片的正面固定连接，第三、第四二极管芯片的负极端与第二支撑片的正面固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的正极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，其中第一片式引线的底面和第二片式引线的底面作为桥堆的交流输入端，第一支撑片的底面作为桥堆的正极输出端，第二支撑片的底面作为桥堆的负极输出端。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一、第二二极管芯片的负极端与第一支撑片的正面固定连接，第三、第四二极管芯片的正极端与第二支撑片的正面固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的负极端固定连接，其中第一片式引线的底面和第二片式引线的底面作为桥堆的交流输入端，第一支撑片的底面作为桥堆的负极输出端，第二支撑片的底面作为桥堆的正极输出端。
在本实用新型的一个优选实施例中，第一二极管芯片的正极端和第二二极管芯片的负极端与第一支撑片固定连接，第三二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的负极端与第二支撑片固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，其中第一片式引线的底面作为桥堆的负极输出端，第二片式引线的底面作为桥堆的正极输出端，第一支撑片的底面和第二支撑片的底面作为桥堆的交流输入端。
在本实用新型的一个优选实施例中，第一二极管芯片的负极端和第二二极管芯片的正极端与第一支撑片固定连接，第三二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的正极端与第二支撑片固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第三二极管芯片的正极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的负极端固定连接，其中第一片式引线的底面作为桥堆的正极输出端，第二片式引线的底面作为桥堆的负极输出端，第一支撑片的底面和第二支撑片的底面作为桥堆的交流输入端。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述两块支撑片分为第一、第二支撑片，两块连接片分为第一、第二连接片，两各引线结构分为第一、第二引线结构，四个二极管芯片分为第一、第二、第三、第四二极管芯片，其中所述第一引线结构包括第一片式引线，所述第一片式引线的正面与所述第一连接片固定连接；所述第二引线结构包括第二片式引线，所述第二片式引线的正面与所述第二连接片固定连接；在所述第一片式引线上设置有延伸出封装体并贴合在封装体底面的第一弯折式引线脚，在所述第二片式引线上设置有延伸出封装体并贴合在封装体底面的第二弯折式引线脚，在所述第一支撑片上设置有延伸出封装体并贴合在封装体底面的第三弯折式引线脚，在所述第二支撑片上设置有延伸出封装体并贴合在封装体底面的第四弯折式引线脚，第三弯折式引线脚和第四弯折式引线脚位于封装体的一个对角，第一弯折式引线脚和第二弯折式引线脚位于封装体的另一个对角，构成桥堆的正、负极输出端和交流输入端。
在本实用新型的一个优选实施例中，第一、第二二极管芯片的正极端与第一支撑片的正面固定连接，第三、第四二极管芯片的负极端与第二支撑片的正面固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的正极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，其中第一弯折式引线脚和第二弯折式引线脚作为桥堆的交流输入端，第三弯折式引线脚作为桥堆的正极输出端，第四弯折式引线脚作为桥堆的负极输出端。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一、第二二极管芯片的负极端与第一支撑片的正面固定连接，第三、第四二极管芯片的正极端与第二支撑片的正面固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的负极端固定连接，其中第一弯折式引线脚和第二弯折式引线脚作为桥堆的交流输入端，第三弯折式引线脚作为桥堆的负极输出端，第四弯折式引线脚作为桥堆的正极输出端。
在本实用新型的一个优选实施例中，第一二极管芯片的正极端和第二二极管芯片的负极端与第一支撑片固定连接，第三二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的负极端与第二支撑片固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，其中第一弯折式引线脚作为桥堆的负极输出端，第二弯折式引线脚作为桥堆的正极输出端，第三弯折式引线脚和第四弯折式引线脚作为桥堆的交流输入端。
在本实用新型的一个优选实施例中，第一二极管芯片的负极端和第二二极管芯片的正极端与第一支撑片固定连接，第三二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的正极端与第二支撑片固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第三二极管芯片的正极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的负极端固定连接，其中第一弯折式引线脚作为桥堆的正极输出端，第二弯折式引线脚作为桥堆的负极输出端，第三弯折式引线脚和第四弯折式引线脚作为桥堆的交流输入端。
本实用新型由于将封装体为方块式结构，两块支撑片位于封装体的一个对角，两个引线结构位于封装体的另一个对角，组装时在焊接模具上摆放占用较小的空间，使得同一焊接模具焊接的桥堆数量较多，提高了生产效率，降低了成本；再者由于两块支撑片、两块连接片、四个二极管芯片、两个引线结构采用分层平铺，可以实现自动化生产，同时降低了桥堆的厚度，节省了胶料，使得桥堆的体积更小，重量更轻。本实用新型将二极管芯片直接焊接在支撑片和连接片上，无须跳线，同时散热效果好。本实用新型还有一个重要的特点，就是由于所述两块连接片的结构相同，两块支撑片的结构相同，两个引线结构的结构完全相同，因此只需要生产三种零件，就可以与晶粒组装成一个桥堆，节省了模具费用，降低了成本，同时也简化了生产管理。
附图说明
图1为现有单列直插式全波整流桥堆的内部结构示意图。
图2为本实用新型实施例1的内部结构示意图。
图3为本实用新型实施例2的内部结构示意图。
图4为本实用新型实施例3的内部结构示意图。
图5为本实用新型实施例4的内部结构示意图。
图6为本实用新型实施例5的内部结构示意图。
图7为本实用新型实施例6的内部结构示意图。
图8为本实用新型实施例7的内部结构示意图。
图9为本实用新型实施例8的内部结构示意图。
图10为本实用新型实施例9的内部结构示意图。
图11为本实用新型实施例10的内部结构示意图。
图12为本实用新型实施例11的内部结构示意图。
图13为本实用新型实施例12的内部结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体附图和实施例，进一步阐述本实用新型。
实施例1
参见图2，图中所示的方块式桥堆，包括一个封装体100和设置在封装体100内的两块支撑片210、220、两块连接片310、320、四个二极管芯片510、520、530、540以及由封状体100内延伸出来的四根柱状引线610、620、630、640。两块连接片310、320结构完全相同，大致成L形状。两块支撑片210、220的结构也完全相同，成矩形结构。四根引线610、620、630、640的结构也完全相同。
在桥堆厚度方向上，两块连接片310、320位于上层，四个二极管芯片510、520、530、540位于中间层，两块支撑片210、220位于下层。四根柱状引线610、620、630、640平行由封状体100内延伸出来且与四个二极管芯片510、520、530、540的法线方向平行。四根柱状引线610、620、630、640位于封装体100内的固定端设置有钉头。
在桥堆的俯视平面上，整个封装体100成方块状结构，两块支撑片210、220位于封装体100内的一个对角位置；四根柱状引线610、620、630、640布置在封装体100的四个角位置处。
支撑片210与二极管芯片510的正极端和二极管芯片520的正极端固定连接。支撑片220与二极管芯片530的负极端和二极管芯片540的负极端固定连接。
连接片310的一端与二极管芯片510的负极端固定连接，另一端与二极管芯片530的正极端固定连接；连接片320的一端与二极管芯片520的负极端固定连接，另一端与二极管芯片540的正极端固定连接。
柱状引线610固定端的钉头与连接片310的转折点固定连接，引线620固定端的钉头与连接片320固定连接，柱状引线610、620构成桥堆的交流输入端，柱状引线630固定端的钉头与支撑片210固定连接作为桥堆的正极输出端，柱状引线640固定端的钉头与支撑片220固定连接作为桥堆的负极输出端。作为正、负极输出端的引线630、640位于封装体100的一个对角，作为交流输入端的引线610、620分别位于封装体100的另一个对角。
实施例2
参见图3，图中所示的方块式桥堆，包括一个封装体100和设置在封装体100内的两块支撑片210、220、两块连接片310、320、四个二极管芯片510、520、530、540以及由封状体100内延伸出来的四根柱状引线610、620、630、640。两块连接片310、320结构完全相同，大致成L形状。两块支撑片210、220的结构也完全相同，成矩形结构。四根引线610、620、630、640的结构也完全相同。
在桥堆厚度方向上，两块连接片310、320位于上层，四个二极管芯片510、520、530、540位于中间层，两块支撑片210、220位于下层。四根柱状引线610、620、630、640平行由封状体100内延伸出来且与四个二极管芯片510、520、530、540的法线方向平行。四根柱状引线610、620、630、640位于封装体100内的固定端设置有钉头。
在桥堆的俯视平面上，整个封装体100成方块状结构，两块支撑片210、220位于封装体100内的一个对角位置；四根柱状引线610、620、630、640布置在封装体100的四个角位置处。
支撑片210与二极管芯片510的负极端和二极管芯片520的负极端固定连接。支撑片220与二极管芯片530的正极端和二极管芯片540的正极端固定连接。
连接片310的一端与二极管芯片510的正极端固定连接，另一端与二极管芯片530的负极端固定连接；连接片320的一端与二极管芯片520的正极端固定连接，另一端与二极管芯片540的负极端固定连接。
柱状引线610固定端的钉头与连接片310的转折点固定连接，引线620固定端的钉头与连接片320固定连接，柱状引线610、620构成桥堆的交流输入端，柱状引线630固定端的钉头与支撑片210固定连接作为桥堆的负极输出端，柱状引线640固定端的钉头与支撑片220固定连接作为桥堆的正极输出端。作为正、负极输出端的引线630、640位于封装体100的一个对角，作为交流输入端的引线610、620分别位于封装体100的另一个对角。
实施例3
参见图4，图中所示的方块式桥堆，包括一个封装体100和设置在封装体100内的两块支撑片210、220、两块连接片310、320、四个二极管芯片510、520、530、540以及由封状体100内延伸出来的四根柱状引线610、620、630、640。两块连接片310、320结构完全相同，大致成L形状。两块支撑片210、220的结构也完全相同，成矩形结构。四根引线610、620、630、640的结构也完全相同。
在桥堆厚度方向上，两块连接片310、320位于上层，四个二极管芯片510、520、530、540位于中间层，两块支撑片210、220位于下层。四根柱状引线610、620、630、640平行由封状体100内延伸出来且与四个二极管芯片510、520、530、540的法线方向平行。四根柱状引线610、620、630、640位于封装体100内的固定端设置有钉头。
在桥堆的俯视平面上，整个封装体100成方块状结构，两块支撑片210、220位于封装体100内的一个对角位置；四根柱状引线610、620、630、640布置在封装体100的四个角位置处。
支撑片210与二极管芯片510的正极端和二极管芯片520的负极端固定连接。支撑片220与二极管芯片530的正极端和二极管芯片540的负极端固定连接。
连接片310的一端与二极管芯片510的负极端固定连接，另一端与二极管芯片530的负极端固定连接；连接片320的一端与二极管芯片520的正极端固定连接，另一端与二极管芯片540的正极端固定连接。
柱状引线610固定端的钉头与连接片310的转折点固定连接构成桥堆的负极输出端，引线620固定端的钉头与连接片320固定连接构成桥堆的正极输出端；柱状引线630固定端的钉头与支撑片210固定连接，柱状引线640固定端的钉头与支撑片220固定连接，柱状引线630、540作为桥堆的交流输入端。作为交流输入端的引线630、640分别位于封装体100的另一个对角，作为正、负极输出端的引线620、610位于封装体100的另一个对角。
实施例4
参见图5，图中所示的方块式桥堆，包括一个封装体100和设置在封装体100内的两块支撑片210、220、两块连接片310、320、四个二极管芯片510、520、530、540以及由封状体100内延伸出来的四根柱状引线610、620、630、640。两块连接片310、320结构完全相同，大致成L形状。两块支撑片210、220的结构也完全相同，成矩形结构。四根引线610、620、630、640的结构也完全相同。
在桥堆厚度方向上，两块连接片310、320位于上层，四个二极管芯片510、520、530、540位于中间层，两块支撑片210、220位于下层。四根柱状引线610、620、630、640平行由封状体100内延伸出来且与四个二极管芯片510、520、530、540的法线方向平行。四根柱状引线610、620、630、640位于封装体100内的固定端设置有钉头。
在桥堆的俯视平面上，整个封装体100成方块状结构，两块支撑片210、220位于封装体100内的一个对角位置；四根柱状引线610、620、630、640布置在封装体100的四个角位置处。
支撑片210与二极管芯片510的负极端和二极管芯片520的正极端固定连接。支撑片220与二极管芯片530的负极端和二极管芯片540的正极端固定连接。
连接片310的一端与二极管芯片510的正极端固定连接，另一端与二极管芯片530的正极端固定连接；连接片320的一端与二极管芯片520的负极端固定连接，另一端与二极管芯片540的负极端固定连接。
柱状引线610固定端的钉头与连接片310的转折点固定连接构成桥堆的正极输出端，引线620固定端的钉头与连接片320固定连接构成桥堆的负极输出端；柱状引线630固定端的钉头与支撑片210固定连接，柱状引线640固定端的钉头与支撑片220固定连接，柱状引线630、540作为桥堆的交流输入端。作为交流输入端的引线630、640分别位于封装体100的另一个对角，作为正、负极输出端的引线620、610位于封装体100的另一个对角。
实施例5
参见图6，图中所示的方块状桥堆，包括一个封装体100a和设置在封装体100a内的两块支撑片210a、220a、两块连接片310a、320a、四个二极管芯片510a、520a、530a、540a以及两块片式引线610a、620a。两块连接片310a、320a结构完全相同，大致成L形状。两块支撑片210a、220a的结构也完全相同，成矩形结构。两块片式引线610a、620a的结构也完全相同，成矩形结构。
在桥堆厚度方向上，两块连接片310a、320a位于上层，四个二极管芯片510a、520a、530a、540a位于中间层，两块支撑片210a、220a和两块片式引线610a、620a位于下层并处于同一平面上。
在桥堆的俯视平面上，整个封装体100a成方块状结构，两块支撑片210a、220a位于封装体100a内的一个对角位置，两块片式引线610a、620a位于封装体100a内的另一个对角位置。
支撑片210a的正面与二极管芯片510a的正极端和二极管芯片520a的正极端固定连接。支撑片220a的正面与二极管芯片530a的负极端和二极管芯片540a的负极端固定连接。
连接片310a的一端与二极管芯片510a的负极端固定连接，另一端与二极管芯片530a的正极端固定连接；连接片320a的一端与二极管芯片520a的正极端固定连接，另一端与二极管芯片540a的正极端固定连接。
片式引线610a的正面与连接片310a的转折点固定连接，片式引线620a的正面与连接片320a的转折点固定连接，片式引线610a、620a露出封装体100，构成桥堆的交流输入端，支撑片210a的底面露出封装体100作为桥堆的正极输出端，支撑片220a的底面露出封装体100作为桥堆的负极输出端。作为正、负极输出端的支撑片210a、220a位于封装体100a的一个对角，作为交流输入端的片式引线610a、620a分别位于封装体100a的另一个对角。
实施例6
参见图7，图中所示的方块状桥堆，包括一个封装体100a和设置在封装体100a内的两块支撑片210a、220a、两块连接片310a、320a、四个二极管芯片510a、520a、530a、540a以及两块片式引线610a、620a。两块连接片310a、320a结构完全相同，大致成L形状。两块支撑片210a、220a的结构也完全相同，成矩形结构。两块片式引线610a、620a的结构也完全相同，成矩形结构。
在桥堆厚度方向上，两块连接片310a、320a位于上层，四个二极管芯片510a、520a、530a、540a位于中间层，两块支撑片210a、220a和两块片式引线610a、620a位于下层并处于同一平面上。
在桥堆的俯视平面上，整个封装体100a成方块状结构，两块支撑片210a、220a位于封装体100a内的一个对角位置，两块片式引线610a、620a位于封装体100a内的另一个对角位置。
支撑片210a的正面与二极管芯片510a的负极端和二极管芯片520a的负极端固定连接。支撑片220a的正面与二极管芯片530a的正极端和二极管芯片540a的正极端固定连接。
连接片310a的一端与二极管芯片510a的正极端固定连接，另一端与二极管芯片530a的负极端固定连接；连接片320a的一端与二极管芯片520a的正极端固定连接，另一端与二极管芯片540a的负极端固定连接。
片式引线610a的正面与连接片310a的转折点固定连接，片式引线620a的正面与连接片320a的转折点固定连接，片式引线610a、620a露出封装体100，构成桥堆的交流输入端，支撑片210a的底面露出封装体100作为桥堆的负极输出端，支撑片220a的底面露出封装体100作为桥堆的正极输出端。作为正、负极输出端的支撑片220a、210a位于封装体100a的一个对角，作为交流输入端的片式引线610a、620a分别位于封装体100a的另一个对角。
实施例7
参见图8，图中所示的方块状桥堆，包括一个封装体100a和设置在封装体100a内的两块支撑片210a、220a、两块连接片310a、320a、四个二极管芯片510a、520a、530a、540a以及两块片式引线610a、620a。两块连接片310a、320a结构完全相同，大致成L形状。两块支撑片210a、220a的结构也完全相同，成矩形结构。两块片式引线610a、620a的结构也完全相同，成矩形结构。
在桥堆厚度方向上，两块连接片310a、320a位于上层，四个二极管芯片510a、520a、530a、540a位于中间层，两块支撑片210a、220a和两块片式引线610a、620a位于下层并处于同一平面上。
在桥堆的俯视平面上，整个封装体100a成方块状结构，两块支撑片210a、220a位于封装体100a内的一个对角位置，两块片式引线610a、620a位于封装体100a内的另一个对角位置。
支撑片210a的正面与二极管芯片510a的正极端和二极管芯片520a的负极端固定连接。支撑片220a的正面与二极管芯片530a的正极端和二极管芯片540a的负极端固定连接。
连接片310a的一端与二极管芯片510a的负极端固定连接，另一端与二极管芯片530a的负极端固定连接；连接片320a的一端与二极管芯片520a的正极端固定连接，另一端与二极管芯片540a的正极端固定连接。
片式引线610a的正面与连接片310a的转折点固定连接，片式引线610a的底面露出封装体100a构成桥堆的负极输出端，片式引线620a的正面与连接片320a的转折点固定连接，片式引线620a的底面露出封装体100a构成桥堆的正极输出端。支撑片210a、220a的底面露出封装体100构成桥堆的交流输入端。作为交流输入端的支撑片220a、210a的底面位于封装体100a的一个对角，作为正、负极输出端的片式引线620a、610a分别位于封装体100a的另一个对角。
实施例8
参见图9，图中所示的方块状桥堆，包括一个封装体100a和设置在封装体100a内的两块支撑片210a、220a、两块连接片310a、320a、四个二极管芯片510a、520a、530a、540a以及两块片式引线610a、620a。两块连接片310a、320a结构完全相同，大致成L形状。两块支撑片210a、220a的结构也完全相同，成矩形结构。两块片式引线610a、620a的结构也完全相同，成矩形结构。
在桥堆厚度方向上，两块连接片310a、320a位于上层，四个二极管芯片510a、520a、530a、540a位于中间层，两块支撑片210a、220a和两块片式引线610a、620a位于下层并处于同一平面上。
在桥堆的俯视平面上，整个封装体100a成方块状结构，两块支撑片210a、220a位于封装体100a内的一个对角位置，两块片式引线610a、620a位于封装体100a内的另一个对角位置。
支撑片210a的正面与二极管芯片510a的负极端和二极管芯片520a的正极端固定连接。支撑片220a的正面与二极管芯片530a的负极端和二极管芯片540a的正极端固定连接。
连接片310a的一端与二极管芯片510a的正极端固定连接，另一端与二极管芯片530a的正极端固定连接；连接片320a的一端与二极管芯片520a的负极端固定连接，另一端与二极管芯片540a的负极端固定连接。
片式引线610a的正面与连接片310a的转折点固定连接，片式引线610a的底面露出封装体100a构成桥堆的正极输出端，片式引线620a的正面与连接片320a的转折点固定连接，片式引线620a的底面露出封装体100a构成桥堆的负极输出端。支撑片210a、220a的底面露出封装体100构成桥堆的交流输入端。作为交流输入端的支撑片210a、220a的底面位于封装体100a的一个对角，作为正、负极输出端的片式引线620a、610a分别位于封装体100a的另一个对角。
实施例9
参见图10，图中所示的方块式桥堆，包括一个方块形状的封装体100b和设置在封装体100b内的两块支撑片210b、220b、两块连接片310b、320b、四个二极管芯片510b、520b、530b、540b以及两个引线结构610b、620b。两块连接片310b、320b结构完全相同，大致成L形状。两块支撑片210b、220b的结构也完全相同。两个引线结构610b、620b的结构也完全相同。
在桥堆厚度方向上，两块连接片310b、320b位于上层，四个二极管芯片510b、520b、530b、540b位于中间层，两块支撑片210b、220b和两个引线结构610b、620b位于下层。
在桥堆的俯视平面上，两块支撑片210b、220b位于封装体100b内的一个对角位置，两个引线结构610b、620b位于封装体100b内的另一个对角位置。
支撑片210b位于封装体100b内的部分211b为矩形，与二极管芯片510b的正极端和二极管芯片520b的正极端固定连接，支撑片210b支撑片210b延伸出封装体100b外的部分为一弯折式引线脚212b，弯折式引线脚212b贴合在封装体100b的底面；支撑片220b位于封装体100b内的部分221b为矩形，与二极管芯片530b的负极端和二极管芯片540b的负极端固定连接，支撑片220b支撑片220b延伸出封装体100b外的部分为一弯折式引线脚222b，弯折式引线脚222b贴合在封装体100b的底面。
连接片310b的一端与二极管芯片510b的负极端固定连接，另一端与二极管芯片530b的正极端固定连接；连接片320b的一端与二极管芯片520b的负极端固定连接，另一端与二极管芯片540b的正极端固定连接。
引线结构610b位于封装体100内的部分611b为矩形，与连接片310b的转折点固定连接，片式引线610b延伸出封装体100b外的部分为一弯折式引线脚612b，弯折式引线脚612b贴合在封装体100b的底面；片式引线620b位于封装体100b内的部分621b为矩形，与连接片320b的转折点固定连接，片式引线620b延伸出封装体100b外的部分为一弯折式引线脚622b，弯折式引线脚622b贴合在封装体100b的底面。
引线结构610b位于封装体100内的部分611b、片式引线620b位于封装体100b内的部分621b、支撑片210b位于封装体100b内的部分211b、支撑片220b位于封装体100b内的部分221b处于同一平面上，弯折式引线脚612b、622b、212b、222b的底面处于同一平面上。弯折式引线脚612b、622b构成桥堆的交流输入端，弯折式引线脚212b构成桥堆的正极输出端，弯折式引线脚222b构成桥堆的负极输出端，作为正、负极输出端的弯折式引线脚212b、222b位于封装体100a的一个对角，作为交流输入端的弯折式引线脚612b、622b位于封装体100a的另一个对角。
实施例10
参见图11，图中所示的方块式桥堆，包括一个方块形状的封装体100b和设置在封装体100b内的两块支撑片210b、220b、两块连接片310b、320b、四个二极管芯片510b、520b、530b、540b以及两个引线结构610b、620b。两块连接片310b、320b结构完全相同，大致成L形状。两块支撑片210b、220b的结构也完全相同。两个引线结构610b、620b的结构也完全相同。
在桥堆厚度方向上，两块连接片310b、320b位于上层，四个二极管芯片510b、520b、530b、540b位于中间层，两块支撑片210b、220b和两个引线结构610b、620b位于下层。
在桥堆的俯视平面上，两块支撑片210b、220b位于封装体100b内的一个对角位置，两个引线结构610b、620b位于封装体100b内的另一个对角位置。
支撑片210b位于封装体100b内的部分211b为矩形，与二极管芯片510b的负极端和二极管芯片520b的负极端固定连接，支撑片210b支撑片210b延伸出封装体100b外的部分为一弯折式引线脚212b，弯折式引线脚212b贴合在封装体100b的底面；支撑片220b位于封装体100b内的部分221b为矩形，与二极管芯片530b的正极端和二极管芯片540b的正极端固定连接，支撑片220b支撑片220b延伸出封装体100b外的部分为一弯折式引线脚222b，弯折式引线脚222b贴合在封装体100b的底面。
连接片310b的一端与二极管芯片510b的正极端固定连接，另一端与二极管芯片530b的负极端固定连接；连接片320b的一端与二极管芯片520b的正极端固定连接，另一端与二极管芯片540b的负极端固定连接。
引线结构610b位于封装体100内的部分611b为矩形，与连接片310b的转折点固定连接，片式引线610b延伸出封装体100b外的部分为一弯折式引线脚612b，弯折式引线脚612b贴合在封装体100b的底面；片式引线620b位于封装体100b内的部分621b为矩形，与连接片320b的转折点固定连接，片式引线620b延伸出封装体100b外的部分为一弯折式引线脚622b，弯折式引线脚622b贴合在封装体100b的底面。
引线结构610b位于封装体100内的部分611b、片式引线620b位于封装体100b内的部分621b、支撑片210b位于封装体100b内的部分211b、支撑片220b位于封装体100b内的部分221b处于同一平面上，弯折式引线脚612b、622b、212b、222b的底面处于同一平面上。弯折式引线脚612b、622b构成桥堆的交流输入端，弯折式引线脚212b构成桥堆的负极输出端，弯折式引线脚222b构成桥堆的正极输出端，作为正、负极输出端的弯折式引线脚222b、212b位于封装体100a的一个对角，作为交流输入端的弯折式引线脚612b、622b位于封装体100a的另一个对角。
实施例11
参见图12，图中所示的方块式桥堆，包括一个方块形状的封装体100b和设置在封装体100b内的两块支撑片210b、220b、两块连接片310b、320b、四个二极管芯片510b、520b、530b、540b以及两个引线结构610b、620b。两块连接片310b、320b结构完全相同，大致成L形状。两块支撑片210b、220b的结构也完全相同。两个引线结构610b、620b的结构也完全相同。
在桥堆厚度方向上，两块连接片310b、320b位于上层，四个二极管芯片510b、520b、530b、540b位于中间层，两块支撑片210b、220b和两个引线结构610b、620b位于下层。
在桥堆的俯视平面上，两块支撑片210b、220b位于封装体100b内的一个对角位置，两个引线结构610b、620b位于封装体100b内的另一个对角位置。
支撑片210b位于封装体100b内的部分211b为矩形，与二极管芯片510b的正极端和二极管芯片520b的负极端固定连接，支撑片210b支撑片210b延伸出封装体100b外的部分为一弯折式引线脚212b，弯折式引线脚212b贴合在封装体100b的底面；支撑片220b位于封装体100b内的部分221b为矩形，与二极管芯片530b的正极端和二极管芯片540b的负极端固定连接，支撑片220b支撑片220b延伸出封装体100b外的部分为一弯折式引线脚222b，弯折式引线脚222b贴合在封装体100b的底面。
连接片310b的一端与二极管芯片510b的负极端固定连接，另一端与二极管芯片530b的负极端固定连接；连接片320b的一端与二极管芯片520b的正极端固定连接，另一端与二极管芯片540b的正极端固定连接。
引线结构610b位于封装体100内的部分611b为矩形，与连接片310b的转折点固定连接，片式引线610b延伸出封装体100b外的部分为一弯折式引线脚612b，弯折式引线脚612b贴合在封装体100b的底面；片式引线620b位于封装体100b内的部分621b为矩形，与连接片320b的转折点固定连接，片式引线620b延伸出封装体100b外的部分为一弯折式引线脚622b，弯折式引线脚622b贴合在封装体100b的底面。
引线结构610b位于封装体100内的部分611b、片式引线620b位于封装体100b内的部分621b、支撑片210b位于封装体100b内的部分211b、支撑片220b位于封装体100b内的部分221b处于同一平面上，弯折式引线脚612b、622b、212b、222b的底面处于同一平面上。弯折式引线脚212b、222b构成桥堆的交流输入端，弯折式引线脚612b构成桥堆的负极输出端，弯折式引线脚622b构成桥堆的正极输出端，作为正、负极输出端的弯折式引线脚622b、612b位于封装体100a的一个对角，作为交流输入端的弯折式引线脚212b、222b位于封装体100a的另一个对角。
实施例12
参见图13，图中所示的方块式桥堆，包括一个方块形状的封装体100b和设置在封装体100b内的两块支撑片210b、220b、两块连接片310b、320b、四个二极管芯片510b、520b、530b、540b以及两个引线结构610b、620b。两块连接片310b、320b结构完全相同，大致成L形状。两块支撑片210b、220b的结构也完全相同。两个引线结构610b、620b的结构也完全相同。
在桥堆厚度方向上，两块连接片310b、320b位于上层，四个二极管芯片510b、520b、530b、540b位于中间层，两块支撑片210b、220b和两个引线结构610b、620b位于下层。
在桥堆的俯视平面上，两块支撑片210b、220b位于封装体100b内的一个对角位置，两个引线结构610b、620b位于封装体100b内的另一个对角位置。
支撑片210b位于封装体100b内的部分211b为矩形，与二极管芯片510b的负极端和二极管芯片520b的正极端固定连接，支撑片210b支撑片210b延伸出封装体100b外的部分为一弯折式引线脚212b，弯折式引线脚212b贴合在封装体100b的底面；支撑片220b位于封装体100b内的部分221b为矩形，与二极管芯片530b的负极端和二极管芯片540b的正极端固定连接，支撑片220b支撑片220b延伸出封装体100b外的部分为一弯折式引线脚222b，弯折式引线脚222b贴合在封装体100b的底面。
连接片310b的一端与二极管芯片510b的正极端固定连接，另一端与二极管芯片530b的正极端固定连接；连接片320b的一端与二极管芯片520b的负极端固定连接，另一端与二极管芯片540b的负极端固定连接。
引线结构610b位于封装体100内的部分611b为矩形，与连接片310b的转折点固定连接，片式引线610b延伸出封装体100b外的部分为一弯折式引线脚612b，弯折式引线脚612b贴合在封装体100b的底面；片式引线620b位于封装体100b内的部分621b为矩形，与连接片320b的转折点固定连接，片式引线620b延伸出封装体100b外的部分为一弯折式引线脚622b，弯折式引线脚622b贴合在封装体100b的底面。
引线结构610b位于封装体100内的部分611b、片式引线620b位于封装体100b内的部分621b、支撑片210b位于封装体100b内的部分211b、支撑片220b位于封装体100b内的部分221b处于同一平面上，弯折式引线脚612b、622b、212b、222b的底面处于同一平面上。弯折式引线脚212b、222b构成桥堆的交流输入端，弯折式引线脚612b构成桥堆的正极输出端，弯折式引线脚622b构成桥堆的负极输出端，作为正、负极输出端的弯折式引线脚612b、622b位于封装体100a的一个对角，作为交流输入端的弯折式引线脚212b、222b位于封装体100a的另一个对角。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (17)

1.方块式桥堆，包括一个封装体和设置在封装体内的两块支撑片、两块连接片、四个二极管芯片；在桥堆厚度方向上，两块连接片位于上层，四个二极管芯片位于中间层，两块支撑片位于下层；在桥堆的俯视平面上，在桥堆的俯视平面上，在桥堆的俯视平面上，每一块支撑片上固定连接有两个二极管芯片，而每一块连接片分别与两块支撑片上的各一个二极管芯片固定连接，其特征在于，所述封装体为方块式结构，所述两块支撑片位于封装体的一个对角构成交流输入端；该方块式桥堆还包括两个分别与两块连接片固定连接的引线结构，两个引线结构位于封装体的另一个对角，所述两块支撑片和两个引线结构构成桥堆的正、负极输出端和交流输入端。
2.如权利要求1所述的方块式桥堆，其特征在于，所述两块连接片的结构相同，两块支撑片的结构相同，两个引线结构的结构完全相同。
3.如权利要求1或2所述的方块式桥堆，其特征在于，所述两块支撑片分为第一、第二支撑片，两块连接片分为第一、第二连接片，两各引线结构分为第一、第二引线结构，四个二极管芯片分为第一、第二、第三、第四二极管芯片，其中所述第一引线结构为第一柱状引线脚，所述第一柱状引线脚与所述第一连接片固定连接；所述第二引线结构为第二柱状引线脚，所述第二柱状引线脚与所述第二连接片固定连接；所述的方块式桥堆还包括第三柱状引线脚和第四柱状引线脚，第三柱状引线脚与所述第一支撑片的底面固定连接，第四柱状引线脚与所述第二支撑片的底面固定连接；第三柱状引线脚和第四柱状引线脚位于封装体的一个对角，第一柱状引线脚和第二柱状引线位于封装体的另一个对角；第一、二、三、四柱状引线构成桥堆的正、负极输出端和交流输入端。
4.如权利要求3所述的方块式桥堆，其特征在于，第一、第二二极管芯片的正极端与第一支撑片的正面固定连接，第三、第四二极管芯片的负极端与第二支撑片的正面固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的正极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，其中第一柱状引线脚和第二柱状引线脚作为桥堆的交流输入端，第三柱状引线脚作为桥堆的正极输出端，第四柱状引线脚作为桥堆的负极输出端。
5.如权利要求3所述的方块式桥堆，其特征在于，所述第一、第二二极管芯片的负极端与第一支撑片的正面固定连接，第三、第四二极管芯片的正极端与第二支撑片的正面固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的负极端固定连接，其中第一柱状引线脚和第二柱状引线脚作为桥堆的交流输入端，第三柱状引线脚作为桥堆的负极输出端，第四柱状引线脚作为桥堆的正极输出端。
6.如权利要求3所述的方块式桥堆，其特征在于，所述第一二极管芯片的正极端和第二二极管芯片的负极端与第一支撑片固定连接，第三二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的负极端与第二支撑片固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，其中第一柱状引线脚作为桥堆的负极输出端，第二柱状引线脚作为桥堆的正极输出端，第三柱状引线脚和第四柱状引线脚作为桥堆的交流输入端。
7.如权利要求3所述的方块式桥堆，其特征在于，所述第一二极管芯片的负极端和第二二极管芯片的正极端与第一支撑片固定连接，第三二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的正极端与第二支撑片固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第三二极管芯片的正极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的负极端固定连接，其中第一柱状引线脚作为桥堆的正极输出端，第二柱状引线脚作为桥堆的负极输出端，第三柱状引线脚和第四柱状引线脚作为桥堆的交流输入端。
8.如权利要求1或2所述的方块式桥堆，其特征在于，所述两块支撑片分为第一、第二支撑片，两块连接片分为第一、第二连接片，两各引线结构分为第一、第二引线结构，四个二极管芯片分为第一、第二、第三、第四二极管芯片，其中所述第一引线结构包括第一片式引线，所述第一片式引线的正面与所述第一连接片固定连接；所述第二引线结构包括第二片式引线，所述第二片式引线的正面与所述第二连接片固定连接；所述第一、二支撑片的底面和第一、二片式引线的底面均露出封装体，第一、二支撑片的底面位于封装体的一个对角，第一、二片式引线的底面位于封装体的另一个对角；构成桥堆的正、负极输出端和交流输入端。
9.如权利要求8所述的方块式桥堆，其特征在于，第一、第二二极管芯片的正极端与第一支撑片的正面固定连接，第三、第四二极管芯片的负极端与第二支撑片的正面固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的正极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，其中第一片式引线的底面和第二片式引线的底面作为桥堆的交流输入端，第一支撑片的底面作为桥堆的正极输出端，第二支撑片的底面作为桥堆的负极输出端。
10.如权利要求8所述的方块式桥堆，其特征在于，所述第一、第二二极管芯片的负极端与第一支撑片的正面固定连接，第三、第四二极管芯片的正极端与第二支撑片的正面固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的负极端固定连接，其中第一片式引线的底面和第二片式引线的底面作为桥堆的交流输入端，第一支撑片的底面作为桥堆的负极输出端，第二支撑片的底面作为桥堆的正极输出端。
11.如权利要求8所述的方块式桥堆，其特征在于，所述第一二极管芯片的正极端和第二二极管芯片的负极端与第一支撑片固定连接，第三二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的负极端与第二支撑片固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，其中第一片式引线的底面作为桥堆的负极输出端，第二片式引线的底面作为桥堆的正极输出端，第一支撑片的底面和第二支撑片的底面作为桥堆的交流输入端。
12.如权利要求8所述的方块式桥堆，其特征在于，第一二极管芯片的负极端和第二二极管芯片的正极端与第一支撑片固定连接，第三二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的正极端与第二支撑片固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第三二极管芯片的正极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的负极端固定连接，其中第一片式引线的底面作为桥堆的正极输出端，第二片式引线的底面作为桥堆的负极输出端，第一支撑片的底面和第二支撑片的底面作为桥堆的交流输入端。
13.如权利要求1或2所述的方块式桥堆，其特征在于，所述两块支撑片分为第一、第二支撑片，两块连接片分为第一、第二连接片，两各引线结构分为第一、第二引线结构，四个二极管芯片分为第一、第二、第三、第四二极管芯片，其中所述第一引线结构包括第一片式引线，所述第一片式引线的正面与所述第一连接片固定连接；所述第二引线结构包括第二片式引线，所述第二片式引线的正面与所述第二连接片固定连接；在所述第一片式引线上设置有延伸出封装体并贴合在封装体底面的第一弯折式引线脚，在所述第二片式引线上设置有延伸出封装体并贴合在封装体底面的第二弯折式引线脚，在所述第一支撑片上设置有延伸出封装体并贴合在封装体底面的第三弯折式引线脚，在所述第二支撑片上设置有延伸出封装体并贴合在封装体底面的第四弯折式引线脚，第三弯折式引线脚和第四弯折式引线脚位于封装体的一个对角，第一弯折式引线脚和第二弯折式引线脚位于封装体的另一个对角，构成桥堆的正、负极输出端和交流输入端。
14.如权利要求13所述的方块式桥堆，其特征在于，所述第一、第二二极管芯片的正极端与第一支撑片的正面固定连接，第三、第四二极管芯片的负极端与第二支撑片的正面固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的正极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，其中第一弯折式引线脚和第二弯折式引线脚作为桥堆的交流输入端，第三弯折式引线脚作为桥堆的正极输出端，第四弯折式引线脚作为桥堆的负极输出端。
15.如权利要求13所述的方块式桥堆，其特征在于，所述第一、第二二极管芯片的负极端与第一支撑片的正面固定连接，第三、第四二极管芯片的正极端与第二支撑片的正面固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的负极端固定连接，其中第一弯折式引线脚和第二弯折式引线脚作为桥堆的交流输入端，第三弯折式引线脚作为桥堆的负极输出端，第四弯折式引线脚作为桥堆的正极输出端。
16.如权利要求13所述的方块式桥堆，其特征在于，所述第一二极管芯片的正极端和第二二极管芯片的负极端与第一支撑片固定连接，第三二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的负极端与第二支撑片固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，其中第一弯折式引线脚作为桥堆的负极输出端，第二弯折式引线脚作为桥堆的正极输出端，第三弯折式引线脚和第四弯折式引线脚作为桥堆的交流输入端。
17.如权利要求13所述的方块式桥堆，其特征在于，第一二极管芯片的负极端和第二二极管芯片的正极端与第一支撑片固定连接，第三二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的正极端与第二支撑片固定连接；第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第三二极管芯片的正极端固定连接，第二连接片与第二二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的负极端固定连接，其中第一弯折式引线脚作为桥堆的正极输出端，第二弯折式引线脚作为桥堆的负极输出端，第三弯折式引线脚和第四弯折式引线脚作为桥堆的交流输入端。
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