CN219547070U - 一种磁控镀膜结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种磁控镀膜结构，包括：基材层、沉积在所述基材层上的打底层、沉积在所述打底层背离所述基材层一侧的铜层及沉积在所述铜层背离所述打底层一侧的防腐层。本实用新型提供的磁控镀膜结构，可以提升产品致密性、延长存储时间、避免水镀工艺中的腐蚀。
Description
技术领域
本实用新型涉及磁控镀膜技术领域，特别涉及一种磁控镀膜结构。
背景技术
复合铜箔较为成熟的工艺是卷绕磁控镀膜+水镀，成品的镀铜层附着力以及膜层致密性一直是该工艺的重要检验指标，其中磁控工序为后面的水镀工序奠定了性能基础。
在实际的生产过程中，磁控镀铜完成的料在进行第二道工序水镀的时候，铜层在进入硫酸铜溶液的初期阶段有被腐蚀的现象，会导致铜层致密性变差、铜层厚度变薄、降低镀铜层附着力等问题。另外磁控后要求24小时内进水镀，如果不及时进行水镀且暴露在空气中，铜表面会氧化，氧化后再进行水镀，则产品性能会大打折扣，为了解决上述问题，本实用新型因此而来。
实用新型内容
本实用新型目的是提供一种磁控镀膜结构，可增加膜层致密性，延长存储时间。
基于上述问题，本实用新型提供的技术方案是：
一种磁控镀膜结构，包括：基材层、沉积在所述基材层上的打底层、沉积在所述打底层背离所述基材层一侧的铜层及沉积在所述铜层背离所述打底层一侧的防腐层。
在其中的一些实施方式中，所述打底层为铜镍膜层。
在其中的一些实施方式中，所述打底层的厚度为10～20nm。
在其中的一些实施方式中，所述铜层的厚度为50～60nm。
在其中的一些实施方式中，所述防腐层为镍铬膜层。
在其中的一些实施方式中，所述防腐层的厚度为1O～20nm。
与现有技术相比，本实用新型的优点是：
在基材层和铜层之间设置打底层，可以提高铜层与基材层之间的附着力；在铜层的表面设置防腐层可以降低水镀工艺中硫酸铜溶液对铜层的腐蚀性、增加成品致密性、增加水镀工艺镀铜层的附着力及磁控后的存储时间，提升产品质量。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型一种磁控镀膜结构实施例的结构示意图；
其中：
1、基材层；
2、打底层；
3、铜层；
4、防腐层。
具体实施方式
以下结合具体实施例对上述方案做进一步说明。应理解，这些实施例是用于说明本实用新型而不限于限制本实用新型的范围。实施例中采用的实施条件可以根据具体厂家的条件做进一步调整，未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。
参见图1，为本实用新型实施例的结构示意图，提供一种磁控镀膜结构，包括基材层1、沉积在基材层1上的打底层2、沉积在打底层2背离基材层1一侧的铜层3及沉积在铜层3背离打底层2一侧的防腐层4。
打底层2，用于提高铜层3与基材层1之间的附着力，为采用磁控溅射工艺将铜镍靶材溅射在基材层1表面的铜镍膜层，打底层2的厚度为1O～20nm，其中金属镍与基材层1的附着力大于铜与基材层1的附着力，同时也具有导电性能。铜镍配比为1∶9～9∶1。
铜层3，用于导电，为采用磁控溅射工艺将铜靶材在打底层2上溅射而成，铜层3的厚度为50～60nm。
防腐层4，用于防止水镀工艺中硫酸铜溶液对铜层的腐蚀，为采用磁控溅射工艺将镍铬靶材溅射在打底层2上形成的镍铬膜层。防腐层4的厚度为10～20nm，其中，铬在水镀工艺中起到防腐作用，镍与铜具有优良的咬合力，故而可以起到防腐作用，同时增加产品的致密性。镍铬配比为1∶9～9∶1。
具体实施例及测试参数：
卷绕磁控镀膜机的双面第1号靶材选用铜镍(7∶3)，双面第2号～9号靶材选用纯铜靶材(铜纯度99.999％)，双面第10号靶材选用镍铬(7∶3)，磁控镀后需测试镀层方阻、附着力等；72H内转运至水镀线进行水镀工艺，水镀结束后测试镀层、附着力、致密性等；测试均合格后，分条打包出货。对比例及测试参数见表一。
附着力测试方法：取1张100mm*100mm的试样，用3M600胶带黏贴两面的铜镀层表面看是否脱落。
致密性检验方法：取一块1000mm*1000mm的样品，在光屏上目视检验，光屏内照明功率为160～240W的日光灯管多根并联，试样与日光灯管的距离为100±2.Omm，试样沿光屏移动，移动速度30～40m/min。
储存时间判定方法：恒温恒湿下看表面变色氧化时间，其中，温度：25±5℃，湿度：40～70％。
表一对比例及测试参数
综上，在基材层和铜层之间设置打底层，可以提高铜层与基材层之间的附着力；在铜层的表面设置防腐层可以降低水镀工艺中硫酸铜溶液对铜层的腐蚀性、增加成品致密性、增加水镀工艺镀铜层的附着力及磁控后的存储时间，提升产品质量。
上述实例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人员能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所做的等效变换或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种磁控镀膜结构，其特征在于：包括基材层、沉积在所述基材层上的打底层、沉积在所述打底层背离所述基材层一侧的铜层及沉积在所述铜层背离所述打底层一侧的防腐层。
2.根据权利要求1所述的磁控镀膜结构，其特征在于：所述打底层为铜镍膜层。
3.根据权利要求2所述的磁控镀膜结构，其特征在于：所述打底层的厚度为10～20nm。
4.根据权利要求1所述的磁控镀膜结构，其特征在于：所述铜层的厚度为50～60nm。
5.根据权利要求1所述的磁控镀膜结构，其特征在于：所述防腐层为镍铬膜层。
6.根据权利要求5所述的磁控镀膜结构，其特征在于：所述防腐层的厚度为10～20nm。
Priority Applications (1)
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| CN202320151643.0U CN219547070U (zh) | 2023-01-31 | 2023-01-31 | 一种磁控镀膜结构 |
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Publications (1)
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Family Applications (1)
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| CN202320151643.0U Active CN219547070U (zh) | 2023-01-31 | 2023-01-31 | 一种磁控镀膜结构 |
Country Status (1)
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2023
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