CN219499935U - 显示面板及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及电子设备，属于显示技术领域。显示面板包括：衬底，位于衬底一侧的多个层叠结构，以及位于多个层叠结构背离衬底一侧的发光器件。由于多个层叠结构可以包含与发光器件电连接的像素驱动电路，且像素驱动电路中的至少两个驱动部在衬底上是垂直堆叠的分布的。因此，可以保证像素驱动电路在衬底上的正投影的面积较小，使得这种显示面板的PPI较高，进而使得这种显示面板的显示效果较好。

Description

显示面板及电子设备

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及电子设备。

背景技术

目前，显示面板通常包括：驱动背板，以及位于驱动背板一侧的多个发光器件，驱动背板能够用于驱动发光器件发光，从而使得显示面板显示出相应的画面。

其中，驱动背板通常包括：衬底，以及位于衬底一侧的多个像素驱动电路。这里，多个像素驱动电路可以与多个发光器件一一对应电连接，每个像素驱动电路用于驱动对应的发光器件进行发光。

然而，目前的驱动背板中的像素驱动电路在衬底上的正投影的面积较大，导致显示面板的每英寸的像素数量(英文：Pixels Per Inch，简称：PPI)较低，进而导致显示面板的显示效果较差。

实用新型内容

本申请实施例提供了一种显示面板及电子设备。可以解决现有技术的显示面板的显示效果较差的问题，所述技术方案如下：

一方面，提供了一种显示面板，包括：衬底，位于所述衬底一侧的多个层叠结构，以及位于所述多个层叠结构背离所述衬底一侧的发光器件；

所述多个层叠结构包括：垂直堆叠的至少两个驱动部，至少一个所述驱动部用于与所述发光器件电连接。

可选的，所述至少两个驱动部包括：第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管相对于所述第二晶体管更靠近所述衬底；

其中，所述第一晶体管在所述衬底上的正投影与所述第二晶体管在所述衬底上的正投影存在交叠区域。

可选的，所述第一晶体管具有第一有源层以及与所述第一有源层搭接的第一极和第二极，所述第二晶体管具有第二有源层以及与所述第二有源层搭接的第一极和第二极，所述第一晶体管的第一极与所述第二晶体管的第一极电连接，且所述第二晶体管的第一极与所述发光器件电连接；

其中，所述第一有源层在所述衬底上的正投影与所述第二有源层在所述衬底上的正投影存在交叠区域。

可选的，所述第二有源层在所述衬底上的正投影位于所述第一有源层在所述衬底上的正投影内。

可选的，所述第一晶体管的第一极与所述第二晶体管的第一极为同一个复用电极。

可选的，所述显示面板具有第一过孔，所述第一有源层中的第一导体部与所述第二有源层中的第一导体部均在所述第一过孔内露出，所述复用电极中的至少部分位于所述第一过孔内，所述复用电极与所述第一有源层中的第一导体部搭接，且与所述第二有源层中的第一导体部搭接。

可选的，所述第一有源层中的第一导体部的侧面与所述第一过孔的内壁齐平，和/或，所述第二有源层中的第一导体部的侧面与所述第一过孔的内壁齐平。

可选的，所述显示面板还具有第二过孔和第三过孔；所述第一有源层中的第二导体部在所述第二过孔内露出，所述第一晶体管的第二极中的至少部分位于所述第二过孔内，且与所述第一有源层中的第二导体部搭接；所述第二有源层中的第二导体部在所述第三过孔内露出，所述第二晶体管的第二极中的至少部分位于所述第三过孔内，且与所述第二有源层中的第二导体部搭接。

可选的，所述第一晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第二晶体管为氧化物薄膜晶体管；

所述多个层叠结构还包括：位于所述第一有源层与所述第二有源层之间的隔离层，所述隔离层用于阻挡所述第一有源层内的氢离子向所述第二有源层扩散。

可选的，所述第一晶体管还具有与所述第一有源层绝缘的第一栅极，所述第一栅极位于所述第一有源层与所述隔离层之间，且所述第二有源层中的沟道区在所述衬底上的正投影位于所述第一栅极在所述衬底上的正投影内。

可选的，所述第二晶体管还具有与所述第二有源层绝缘的第二栅极，所述第二栅极在所述衬底上的正投影与所述第一栅极在所述衬底上的正投影存在交叠区域。

可选的，所述多个层叠结构还包括：屏蔽电极，所述屏蔽电极位于所述第一栅极与所述第二有源层之间，所述屏蔽电极与所述第一栅极绝缘设置，且与所述第二有源层绝缘设置；

其中，所述第一栅极在所述衬底上的正投影位于所述屏蔽电极在所述衬底上的正投影内，且所述屏蔽电极与所述第二栅极用于加载相同的电位。

另一方面，提供了一种电子设备，包括：供电组件，以及与所述供电组件电连接的显示面板，所述显示面板为上述的显示面板。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

一种显示面板，包括：衬底，位于衬底一侧的多个层叠结构，以及位于多个层叠结构背离衬底一侧的发光器件。由于多个层叠结构可以包含与发光器件电连接的像素驱动电路，且像素驱动电路中的至少两个驱动部在衬底上是垂直堆叠的分布的。因此，可以保证像素驱动电路在衬底上的正投影的面积较小，使得这种显示面板的PPI较高，进而使得这种显示面板的显示效果较好。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是目前常见的一种显示面板中的驱动背板的膜层结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种显示面板的膜层结构示意图；

图3是本申请实施例提供的另一种显示面板的膜层结构示意图；

图4是本申请实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图；

图5是本申请实施例提供的再一种显示面板的膜层结构示意图；

图6是本申请另一实施例提供的一种显示面板的膜层结构示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

请参考图1，图1是目前常见的一种显示面板中的驱动背板的膜层结构示意图。驱动背板可以包括：衬底00，以及位于衬底00一侧的多个像素驱动电路。其中，每个像素驱动电路可以包括：第一晶体管01和第二晶体管02。这里，第一晶体管01中的有源层01a在衬底00上的正投影，与第二晶体管02中的有源层02a在衬底00上的正投影不重合。如此，会导致像素驱动电路在衬底00上的正投影的面积较大，进而会导致集成这种驱动背板00的显示面板的PPI较低。

请参考图2，图2是本申请实施例提供的一种显示面板的膜层结构示意图。显示面板000可以包括：衬底100，位于衬底100一侧的多个层叠结构002，以及位于多个层叠结构002背离衬底100一侧的发光器件001。

这里，显示面板000中的多个层叠结构002可以包括：与发光器件001电连接的像素驱动电路200。也即是，显示面板000中的多个层叠结构002可以组成像素驱动电路200。其中，像素驱动电路200可以包含：垂直堆叠的至少两个驱动部200a，且至少一个驱动部200a用于与发光器件001电连接。例如，至少两个驱动部200a中与发光器件001距离最近的驱动部200a用于和该发光器件001电连接。

示例的，显示面板000可以具有多个子像素区域，且显示面板000中的发光器件001的个数和像素驱动电路200的个数均为多个，多个子像素区域可以与多个像素驱动电路200一一对应，且可以与多个发光器件001一一对应，每个像素驱动电路200可以分布在对应的子像素区域内，且每个发光器件001可以在对应的子像素区域内与像素驱动电路200电连接。这样，每个像素驱动电路200可以驱动对应的发光器件001发光，从而能够可以让显示面板000显示出相应的画面。需要说明的是，图2仅是示意性的标表述了一个子像素区域内分布的像素驱动电路200和发光器件001的膜层结构，至于其他子像素区域内的像素驱动电路和发光器件的膜层结构均可以参考图2示出的膜层结构。

综上所述，本申请实施例提供的显示面板，包括：衬底，位于衬底一侧的多个层叠结构，以及位于多个层叠结构背离衬底一侧的发光器件。由于多个层叠结构可以包含与发光器件电连接的像素驱动电路，且像素驱动电路中的至少两个驱动部在衬底上是垂直堆叠的分布的。因此，可以保证像素驱动电路在衬底上的正投影的面积较小，使得这种显示面板的PPI较高，进而使得这种显示面板的显示效果较好。

可选的，如图2所示，在显示面板000内，像素驱动电路200中的至少两个驱动部200a可以包括：第一晶体管201和第二晶体管202。这里，第一晶体管201和第二晶体管202均可以为薄膜晶体管(英文：Thin Film Transisto；简称：TFT)。

在本申请中，第一晶体管201相对于第二晶体管202更靠近衬底100。这样，第二晶体管202相对于第一晶体管201更靠近发光器件001，且该第二晶体管202可以与发光器件001电连接。

其中，像素驱动电路200中的第一晶体管201在衬底100上的正投影与第二晶体管202在衬底100上的正投影存在交叠区域。这样，可以保证像素驱动电路200中的第一晶体管201与第二晶体管202是沿垂直于衬底100的堆叠分布的。

示例的，如图2所示，第一晶体管201可以具有：第一有源层A1，以及与第一有源层A1搭接的第一极S1和第二极D1；第二晶体管202可以具有：第二有源层A2，以及与第二有源层A2搭接的第一极S2和第二极D2。需要说明的是，晶体管中的第一极可以为源极和漏极中的一个，晶体管中的第二极可以为源极和漏极中的另一个。

在本申请中，在像素驱动电路200内，第一晶体管201中的第一极S1可以与第二晶体202中的第一极S2电连接，且第二晶体管202中的第一极S2可以与发光器件001电连接。第一晶体管201中的第一有源层A1在衬底100上的正投影，可以与第二晶体管202中的第二有源层A2在衬底100上的正投影存在交叠区域。在这种情况下，当第一有源层A1在衬底100上的正投影与第二有源层A2在衬底100上的正投影存在交叠区域时，可以保证像素驱动电路200中的第一晶体管201与第二晶体管202是沿垂直于衬底100的层叠设置的，这样，可以有效的减小像素驱动电路200在衬底100上的正投影的面积。

在本申请实施例中，请参考图3，图3是本申请实施例提供的另一种显示面板的膜层结构示意图。在像素驱动电路200内，当第一晶体管201相对于第二晶体管202更靠近衬底100时，第一晶体管201中的第一有源层A1相对于第二晶体管202中的第二有源层A2更靠近衬底100。这里，第二晶体管202中的第二有源层A2在衬底100上的正投影，可以位于第一晶体管201中的第一有源层A1在衬底100上的正投影内。这样，可以进一步的降低像素驱动电路200在衬底100上的正投影的面积，从而可以进一步的提高显示面板000的PPI。

可选的，像素驱动电路200中的第一晶体管201可以为低温多晶硅(英文：LowTemperature Poly-silicon；简称：LTPS)TFT，也即是，第一晶体管201内的第一有源层A1是采用LTPS半导体材料制成的。像素驱动电路200中的第二晶体管202可以为氧化物TFT，也即是，第二晶体管202内的第二有源层A2是采用氧化物半导体材料制成的，例如，这里的氧化物半导体材料可以为铟镓锌氧化物(英文：Indium Gallium Zinc Oxide；简称：IGZO)。在这种情况下，本申请提供的显示面板000属于低温多晶硅氧化物(英文：Low-temperaturePolycrystalline oxide；简称：LTPO)面板。这种显示面板000同时具有LTPS的高迁移率和氧化物的低漏电流的优点，使得集成了这种背板000的显示面板能够匹配从低频到高频的动态帧率显示需求，且还可以降低显示面板的整体功耗。

在本申请中，显示面板000中的多个层叠结构002还可以包括：位于第一晶体管201的第一有源层A1与第二晶体管202的第二有源层A2之间的隔离层300。其中，显示面板000中的隔离层300用于阻挡第一有源层A1内的氢离子向第二有源层A2扩散。这里，由于第一晶体管201的第一有源层A1是采用LTPS半导体材料制成，这种LTPS半导体材料内含有大量的氢离子，而第二晶体管202内的第二有源层A2是采用氧化物半导体材料制成的，在这种氧化物半导体材料内注入氢离子后，会导致第二有源层A2导体化，进而可能会导致第二晶体管202失效。因此，当在第一有源层A1与第二有源层A2之间设置隔离层300时，通过隔离层300可以对氢离子的扩散进行有效的阻挡。如此，即使第二有源层A2位于第一有源层A1背离衬底100的一侧，也可以保证第二有源层A2不会被导体化，进而可以降低第二晶体管202失效的概率。

示例的，隔离层300可以为单层结构，也可以为双层结构。当隔离层300为单层结构时，该隔离层300即为采用三氧化二铝制成的整层设置的绝缘薄膜。当隔离层300为双层结构时，该绝缘层可以包括：采用三氧化二铝制成的整层设置的第一绝缘薄膜和采用氧化硅制成的整层设置的第二绝缘薄膜，这里，第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜可以层叠设置，且第一绝缘薄膜相对于第二绝缘薄膜更靠近第二有源层A2。

需要说明的是，由于三氧化二铝的膜层致密性较高。因此，当隔离层300采用三氧化二铝制成时，可以采用温度更高的膜层乘积工艺在隔离层300背离衬底100的一侧形成第二有源层A2。这样，可以保证在隔离层300背离衬底100的一侧形成的第二有源层A2的膜层质量较高，使得第二晶体管202的电学性能较好。

在本申请实施例中，如图3所示，第一晶体管201还具有：与第一有源层A1绝缘的第一栅极G1。示例的，第一栅极G1与第一有源层A1之间设置有第一栅极绝缘层400。在第一晶体管201中，第一有源层A1可以包括：相对设置的第一导体部A11和第二导体部A12，以及位于第一导体部A11和第二导体部A12之间的沟道区A13。其中，第一有源层A1的第一导体部A11可以与第一晶体管201的第一极S1电连接，第一有源层A1的第二导体部A12可以与第一晶体管201的第二极D1电连接，第一有源层A1的沟道区A13在衬底100上的正投影可以与第一栅极G1在衬底100上的正投影完全重合。需要说明的是，第一有源层A1中的第一导体部A11和第二导体部A12均是在第一有源层A1中进行导体化的部分，而第一有源层A1中的沟道区A13并未导体化，其可以在第一栅极G1的控制下导通或关断。

第一晶体管202还具有：与第二有源层A2绝缘的第二栅极G2。示例的，第二栅极G2与第二有源层A2之间设置有第二栅极绝缘层500。在第二晶体管202中，第二有源层A2可以包括：相对设置的第一导体部A21和第二导体部A22，以及位于第一导体部A21和第二导体部A23之间的沟道区A23。需要说明的是，第二有源层A2的结构可以参考第一有源层A1的结构，这里不再进行赘述。

在本申请中，第一晶体管201的第一栅极G1可以位于第一有源层A1背离衬底100的一侧，第二晶体管201的第二栅极G2也可以位于第二有源层A2背离衬底100的一侧。也即，第一晶体管201和第二晶体管202均可以为顶栅型TFT。需要说明的是，在其他的可能的实现方式中，第一晶体管201和第二晶体管202也可以均为底栅型TFT。本申请实施例对此不作限定。

可选的，第一晶体管201的第一栅极G1可以位于第一有源层A1与隔离层300之间。这里，由于第一有源层A1与第一栅极G1之间分布有第一栅极绝缘层400，因此，第一栅极G1可以位于第一栅极绝缘层400与隔离层300之间。在本申请中，在第二晶体管202中，第二有源层A2中的沟道区A23在衬底100上的正投影可以位于第一栅极G1在衬底100上的正投影内。在这种情况下，通过第一栅极G1可以屏蔽显示面板000中的膜层内产生的电荷，使得这些电荷不会对第二有源层A2中的沟道区A23造成干扰，进而可以有效的提高第二晶体管202的电学性能。

可选的，显示面板000中的多个层叠结构002还可以包括：位于第一有源层A1靠近衬底100一侧的遮挡层600，以及位于遮挡层600与第一有源层A1与之间的绝缘缓冲层700。这里，遮挡层600可以采用硅材料制成。在第一晶体管201中，第一有源层A1中的沟道区A13在衬底100上的正投影可以位于遮挡层600在衬底100上的正投影内。在这种情况下，通过遮挡层600可以屏蔽显示面板000中的膜层内产生的电荷，使得这些电荷不会对第一有源层A1中的沟道区A13造成干扰，进而可以有效的提高第一晶体管201的电学性能。

在本申请实施例中，第一晶体管201的第一栅极G1在衬底100上的正投影，可以与第二晶体管202的第二栅极G2在衬底100上的正投影存在交叠区域。示例的，第一栅极G1在衬底100上的正投影可以位于第二栅极G2在衬底100上的正投影内。在这种情况下，由于第一栅极G1在衬底100上的正投影位于第一有源层A1在衬底100上的正投影内，第二栅极G2在衬底100上的正投影位于第二有源层A2在衬底100上的正投影内，第二有源层A2在衬底100上的正投影位于第一有源层A1在衬底100上的正投影内。因此，当第一栅极G1在衬底100上的正投影位于第二栅极G2在衬底100上的正投影内时，可以有效的降低第一有源层A1在衬底100上的正投影面积。如此，可以进一步的降低像素驱动电路200在衬底100上的正投影的面积，以进一步的提高集成这种显示面板000的PPI。

在本申请中，当第一栅极G1在衬底100上的正投影与第二栅极G2在衬底100上的正投影存在交叠区域时，第一栅极G1上加载的栅极信号可能会对第二晶体管202的第二有源层A2造成干扰。为了规避第一栅极G1会对第二有源层A2造成干扰的问题，显示面板000中的多个层叠结构002还可以包括：屏蔽电极G3。这里，屏蔽电极G3可以位于第一晶体管201的第一栅极G1与第二晶体管202的第二有源层A2之间。屏蔽电极G3可以与第一栅极G1绝缘设置，且该屏蔽电极G3还可以与第二有源层A2绝缘设置。示例的，显示面板000中的多个层叠结构002还可以包括：位于第一栅极G1与屏蔽电极G3之间的第三栅极绝缘层800，屏蔽电极G3与第一栅极G1之间可以通过第三栅极绝缘层800绝缘。并且，屏蔽电极G3与第二有源层A2之间设置有隔离层300，屏蔽电极G3与第二有源层A2之间可以通过隔离层300绝缘。

其中，第一栅极G1在衬底100上的正投影可以位于屏蔽电极G3在衬底100上的正投影内。这样，通过屏蔽电极G3可以屏蔽第一栅极G1与第二有源层A2之间形成的电场，进而可以保证第一栅极G1上加载的栅极信号，不会对第二有源层A2造成干扰，以保证第二晶体管202的电学性能较好。

在本申请中，屏蔽电极G3与第二栅极G2用于加载相同的电位。这样，屏蔽电极G3与第二栅极G2可以同时对第二有源层A2中的沟道区A23进行控制，进而可以提高对第二晶体管202的控制效果。示例的，可以在第二栅极G2与屏蔽电极G3之间的膜层内设置开孔，使得第二栅极G2可以通过此开孔与屏蔽电极G3搭接，以保证二者能够加载相同的电位。

需要说明的是，当屏蔽电极G3在衬底100上的正头与与第一栅极G1在衬底100上的正投影存在交叠区域时，屏蔽电极G3与第一栅极G1之间能够构成像素驱动电路200中的存储电容Cst。

可选的，第一晶体管201的第一极S1与第二极D1，可以与第二晶体管202的第一极S2和第二极D2同层设置且材料相同。也即是，第一晶体管201的第一极S1与第二极D1，与第二晶体管202的第一极S2和第二极D2是通过一次构图工艺形成的。如此，可以降低显示面板000的制备的复杂程度。

需要说明的是，由于第一晶体管201与第二晶体管202均属于顶栅型TFT。因此，当第一晶体管201的第一极S1和第二极D1，与第二晶体管202的第一极S2和第二极D2同层设置且材料相同时，可以在第二栅极G2背离衬底100的一侧先设置层间界电层900，再将第一晶体管201的第一极S1和第二极D1，与第二晶体管202的第一极S2和第二极D2均设置在层间界电层900背离衬底100的一侧。

在本申请实施例中，如图4所示，图4是本申请实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图。由于第一晶体管201的第一极S1可以与第二晶体管202的第一极S2电连接。因此，为了简化显示面板000的结构，可以将第一晶体管201的第一极S1与第二晶体管202的第一极S2设置为同一个复用电极203。也即是，像素驱动电路200中的复用电极203既可以作为第一晶体管201的第一极S1，也可以作为第二晶体管202的第一极S2。在这种情况下，通过将第一晶体管201的第一极S1与第二晶体管202的第一极S2设置为同一个复用电极203，不仅可以简化显示面板000的内部结构，还可以进一步的降低像素驱动电200在衬底100上的正投影的面积。

示例的，显示面板000可以具有第一过孔V1。第一晶体管201的第一有源层A1中的第一导体部A11可以在此第一过孔V1内露出，第二晶体管202的第二有源层A2中的第一导体部A21也可以在此第一过孔V1内露出。复用电极203中的至少部分可以位于第一过孔V1内，且复用电极203可以在第一过孔V1内与第一有源层A1中的第一导体部A11搭接，且可以与第二有源层A2中的第一导体部A21搭接。如此，在每个像素驱动电路200内，通过一个复用电极203可以实现第一晶体管201与第二晶体管202之间的连接。

需要说明的是，显示面板000内设置的第一过孔V1需要依次贯穿层间界电层900、第二栅极绝缘层500、隔离层300、第三栅极绝缘层800和第一栅极绝缘层400。

可选的，第一晶体管201的第一有源层A1中的第一导体部A11的侧面与第一过孔V1的内壁齐平。和/或，第二晶体管202的第二有源层A2中的第一导体部A21的侧面与第一过孔V1的内壁齐平。也即是，第一有源层A1中的第一导体部A11的侧面可以作为第一过孔V1的内壁中的一部分，第二有源层A2中的第一导体部A21的侧面也可以作为第一过孔V1的内壁中的一部分。这样，在复用电极203位于第一过孔V1内后，复用电极203即可同时与第一有源层A1中的第一导体部A11和第二有源层A2中的第一导体部A21搭接。

在本申请实施例中，显示面板000还可以具有第二过孔V2。第一晶体管201的第一有源层A1中的第二导体部A12可以在第二过孔V2内露出，第一晶体管201的第二极D1中的至少部分可以位于第二过孔V2内，且可以与第一有源层A1中的第二导体部A12搭接。示例的，第一有源层A1中的第二导体部A12的侧面可以与第二过孔V2的内壁齐平，这样，第一晶体管201的第二极D1位于第二过孔V2内后，第一晶体管201的第二极D1即可与第一有源层A1中的第二导体部A12搭接。

显示面板000还可以具有第三过孔V3。第二晶体管202的第二有源层A2中的第二导体部A22可以在第三过孔V3内露出，第二晶体管202的第二极D2中的至少部分可以位于第三过孔V3内，且可以与第二有源层A2中的第二导体部A22搭接。示例的，第二有源层A2中的第二导体部A22的侧面可以与第三过孔V3的内壁齐平，这样，第二晶体管202的第二极D2位于第三过孔V3内后，第二晶体管202的第二极D2即可与第二有源层A2中的第二导体部A22搭接。

需要说明的是，显示面板000内设置的第二过孔V2需要依次贯穿层间界电层900、第二栅极绝缘层500、隔离层300、第三栅极绝缘层800和第一栅极绝缘层400，也即显示面板000内的第二过孔V2的深度可以等于第一过孔V1的深度。显示面板000内设置的第三过孔V3仅需要依次贯穿层间界电层900和第二栅极绝缘层500。还需要说明的是，第二过孔V2在衬底100上的正投影可以与第三过孔V3在衬底100上的正投影不重合。如此，可以保证第一晶体管201的第二极D1与第二晶体管202的第二极D2之间不存在电连接关系。

可选的，如图5所示，图5是本申请实施例提供的再一种显示面板的膜层结构示意图。显示面板000中的多个层叠结构002还可以包括：位于第一晶体管201的第一极S1和第二极D1背离衬底100一侧的第一平坦层1000，位于第一平坦层1000背离衬底1000一侧的转换电极1100，以及位于转接电极1100背离衬底100一侧的第二平坦层1200。这里，转接电极1100可以与像素驱动电路200电连接，例如，转接电极1100可以与像素驱动电路200中的复用电极203电连接。第二平坦层1200具有搭接过孔V4，且搭接过孔V4在衬底100上的正投影可以位于复用电极203在衬底100上的正投影内，这样，后续在第二平坦层1200背离衬底100一侧形成发光器件后，发光器件可以通过搭接过孔V4与转接电极1100电连接，进而使得发光器件能够通过转接电极1100与像素驱动电路200电连接，使得像素驱动电机200能够驱动发光器件发光。

需要说明的是，为了简化附图，上述实施例中的图2仅示意性的示出了发光器件的结构，而图2至图5均未示出的发光器件的结构。这里，发光器件的结构将通过以下的实施例进行说明。

请参考图6，图6是本申请实施例提供的另一种显示面板的膜层结构示意图。显示面板000中的发光器件001可以包括：层叠设置的阳极层0011、发光层0012和阴极层0013。其中，各个发光器件001均可以为有机电致器件(英文：Organic Light Emitting Display；简称：OELD)。这里，每个像素驱动电路200可以通过转接电极1100与对应的发光器件001中的阳极层0011电连接。

可选的，显示面板000还可以包括：像素界定层002。该像素界定层002可以具有多个像素孔V5。在每个像素孔V5内，阳极层0011中位于该像素孔V5内的部分、发光层0012中位于该像素孔V5内的部分以及阴极层0013中位于该像素孔V5内的部分能够组成一个发光器件001。

可选的，显示面板000还可以包括：位于发光器件001背离衬底100一侧的封装层003。其中，封装层003用于对多个发光器件001进行封装，以避免发光器件001被空气中的水分和氧气等成分的侵蚀，导致其被损坏。如此，通过封装层003可以有效的提高发光器件001的使用寿命。

综上所述，本申请实施例提供的显示面板，包括：衬底，位于衬底一侧的多个层叠结构，以及位于多个层叠结构背离衬底一侧的发光器件。由于多个层叠结构可以包含与发光器件电连接的像素驱动电路，且像素驱动电路中的至少两个驱动部在衬底上是垂直堆叠的分布的。因此，可以保证像素驱动电路在衬底上的正投影的面积较小，使得这种显示面板的PPI较高，进而使得这种显示面板的显示效果较好。

本申请实施例还提供了一种电子设备。该电子设备可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该电子设备可以包括：供电组件和显示面板。供电组件用于对显示面板供电。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本申请中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

以上所述仅为本申请的可选的实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底(100)，位于所述衬底(100)一侧的多个层叠结构(002)，以及位于所述多个层叠结构(002)背离所述衬底(100)一侧的发光器件(001)；

所述多个层叠结构(002)包括：垂直堆叠的至少两个驱动部(200a)，至少一个所述驱动部(200a)用于与所述发光器件(001)电连接。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述至少两个驱动部(200a)包括：第一晶体管(201)和第二晶体管(202)，所述第一晶体管(201)相对于所述第二晶体管(202)更靠近所述衬底(100)；

其中，所述第一晶体管(201)在所述衬底(100)上的正投影与所述第二晶体管(202)在所述衬底(100)上的正投影存在交叠区域。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管(201)具有第一有源层(A1)以及与所述第一有源层(A1)搭接的第一极(S1)和第二极(D1)，所述第二晶体管(202)具有第二有源层(A2)以及与所述第二有源层(A2)搭接的第一极(S2)和第二极(D2)，所述第一晶体管(201)的第一极(S1)与所述第二晶体管(202)的第一极(S2)电连接，且所述第二晶体管(202)的第一极(S2)与所述发光器件电连接；

其中，所述第一有源层(A1)在所述衬底(100)上的正投影与所述第二有源层(A2)在所述衬底(100)上的正投影存在交叠区域。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二有源层(A2)在所述衬底(100)上的正投影位于所述第一有源层(A1)在所述衬底(100)上的正投影内。

5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管(201)的第一极(S1)与所述第二晶体管(202)的第一极(S2)为同一个复用电极(203)。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板(000)具有第一过孔(V1)，所述第一有源层(A1)中的第一导体部(A11)与所述第二有源层(A2)中的第一导体部(A21)均在所述第一过孔(V1)内露出，所述复用电极(203)中的至少部分位于所述第一过孔(V1)内，所述复用电极(203)与所述第一有源层(A1)中的第一导体部(A11)搭接，且与所述第二有源层(A2)中的第一导体部(A21)搭接。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源层(A1)中的第一导体部(A11)的侧面与所述第一过孔(V1)的内壁齐平，和/或，所述第二有源层(A2)中的第一导体部(A21)的侧面与所述第一过孔(V1)的内壁齐平。

8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板(000)还具有第二过孔(V2)和第三过孔(V3)；所述第一有源层(A1)中的第二导体部(A12)在所述第二过孔(V2)内露出，所述第一晶体管(201)的第二极(D1)中的至少部分位于所述第二过孔(V2)内，且与所述第一有源层(A1)中的第二导体部(A12)搭接；所述第二有源层(A2)中的第二导体部(A22)在所述第三过孔(V3)内露出，所述第二晶体管(202)的第二极(D2)中的至少部分位于所述第三过孔(V3)内，且与所述第二有源层(A2)中的第二导体部(A22)搭接。

9.根据权利要求3至8任一所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管(201)为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第二晶体管(202)为氧化物薄膜晶体管；

所述多个层叠结构还包括：位于所述第一有源层(A1)与所述第二有源层(A2)之间的隔离层(300)，所述隔离层(300)用于阻挡所述第一有源层(A1)内的氢离子向所述第二有源层(A2)扩散。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管(201)还具有与所述第一有源层(A1)绝缘的第一栅极(G1)，所述第一栅极(G1)位于所述第一有源层(A1)与所述隔离层(300)之间，且所述第二有源层(A2)中的沟道区(A23)在所述衬底(100)上的正投影位于所述第一栅极(G1)在所述衬底(100)上的正投影内。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第二晶体管(202)还具有与所述第二有源层(A2)绝缘的第二栅极(G2)，所述第二栅极(G2)在所述衬底(100)上的正投影与所述第一栅极(G1)在所述衬底(100)上的正投影存在交叠区域。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述多个层叠结构还包括：屏蔽电极(G3)，所述屏蔽电极(G3)位于所述第一栅极(G1)与所述第二有源层(A2)之间，所述屏蔽电极(G3)与所述第一栅极(G1)绝缘设置，且与所述第二有源层(A2)绝缘设置；

其中，所述第一栅极(G1)在所述衬底(100)上的正投影位于所述屏蔽电极(G3)在所述衬底(100)上的正投影内，且所述屏蔽电极(G3)与所述第二栅极(G2)用于加载相同的电位。

13.一种电子设备，其特征在于，包括：供电组件，以及与所述供电组件电连接的显示面板，所述显示面板为权利要求1至12任一所述的显示面板。