CN218920894U - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN218920894U CN218920894U CN202222984215.4U CN202222984215U CN218920894U CN 218920894 U CN218920894 U CN 218920894U CN 202222984215 U CN202222984215 U CN 202222984215U CN 218920894 U CN218920894 U CN 218920894U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- signal line
- layer
- sensing
- insulating layer
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 56
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 326
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 27
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 15
- 101000642431 Homo sapiens Pre-mRNA-splicing factor SPF27 Proteins 0.000 description 14
- 102100036347 Pre-mRNA-splicing factor SPF27 Human genes 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- -1 region Substances 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 9
- 101100166255 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CEP3 gene Proteins 0.000 description 8
- 101100495436 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CSE4 gene Proteins 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 8
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 102100031885 General transcription and DNA repair factor IIH helicase subunit XPB Human genes 0.000 description 5
- 101000920748 Homo sapiens General transcription and DNA repair factor IIH helicase subunit XPB Proteins 0.000 description 5
- 101100049574 Human herpesvirus 6A (strain Uganda-1102) U5 gene Proteins 0.000 description 5
- 101150064834 ssl1 gene Proteins 0.000 description 5
- 101150062870 ssl3 gene Proteins 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 101150011582 ssl4 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 101100204010 Drosophila melanogaster Ssl gene Proteins 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000685663 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 2
- 102100021541 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Human genes 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000821827 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 2 Proteins 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710123669 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Proteins 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000003826 tablet Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
- G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
- G06F3/0418—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers for error correction or compensation, e.g. based on parallax, calibration or alignment
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
提供了一种显示装置,所述显示装置具有显示区域和非显示区域,并且所述显示装置包括输入感测单元,包括:感测垫,在所述非显示区域中;感测电极,在所述显示区域中;以及信号线,将所述感测垫和所述感测电极电连接,其中,所述显示装置具有间隔件,所述间隔件位于所述非显示区域中并且包括所述信号线穿过的开口。因此,能够减少或防止信号线变薄的可能性,并且可以改善显示模块的可靠性。
Description
本申请要求于2021年11月12日提交的第10-2021-0155962号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开在这里涉及具有光信号通过其传输的信号传输区域的显示装置和包括该显示装置的电子装置。
背景技术
显示装置可以包括显示图像的显示面板和感测外部输入的输入感测单元。输入感测单元可以通过连续工艺与显示面板一体地形成。可选地,输入感测单元可以通过与显示面板分离的工艺形成,然后可以接合到显示面板。
间隔件被包括在显示面板中以减少或防止有机层的溢出,并且减少或防止金属掩模中的凹陷。间隔件可以沿着显示面板的显示区域的外围定位,以在后续工艺中提供金属掩模放置在其上的参考平面。
实用新型内容
本公开提供了一种具有改善的可靠性的显示装置,该显示装置能够减少或防止因包括在输入感测单元中的信号线的厚度减小而导致的缺陷(诸如短路)。
本公开的一个或更多个实施例提供了一种显示装置,所述显示装置具有显示区域和非显示区域,并且所述显示装置包括:输入感测单元,包括:感测垫,在所述非显示区域中;感测电极,在所述显示区域中;以及信号线,将所述感测垫和所述感测电极电连接,其中,所述显示装置具有间隔件,所述间隔件在所述非显示区域中并且包括使所述信号线穿过其的开口。
信号线可以包括位于开口中的第一部分和位于开口的外部的第二部分,并且第一部分可以具有比第二部分的宽度大的宽度。
间隔件可以不与信号线叠置。
信号线可以包括在开口中的子信号线,其中,间隔件可以包括分别在子信号线之间的子间隔件。
输入感测单元还可以包括:第一感测绝缘层;第一导电层,在所述第一感测绝缘层上;第二感测绝缘层,在所述第一导电层上;第二导电层,在所述第二感测绝缘层上;以及第三感测绝缘层,在所述第二导电层上。
信号线可以包括在第一感测绝缘层上的第一信号线和在第二感测绝缘层上的第二信号线。
第二信号线可以与信号线的第一部分叠置,并且第一信号线可以不与信号线的第一部分叠置。
第一信号线可以包括:第1-1信号线,具有连接到所述感测电极的一端,并且通过第一接触孔连接到所述第二信号线;以及第1-2信号线,具有连接到所述感测垫的一端,并且通过第二接触孔连接到所述第二信号线。
显示装置还可以包括坝,坝位于非显示区域中,在平面图中至少部分地围绕显示区域,并且具有与信号线叠置的第一部分和不与信号线叠置的第二部分。
第一部分的高度可以比第二部分的高度小,其中,信号线的与第一部分叠置的第一线部分可以具有比与其相邻的第二线部分的宽度大的宽度。
本公开的一个或更多个实施例提供了一种显示装置,所述显示装置包括:显示面板,被划分为显示区域和非显示区域;以及输入感测单元,包括:感测垫,在与非显示区域叠置的非感测区域中;感测电极,与显示区域叠置;以及信号线,将感测垫和感测电极电连接,其中,显示面板具有间隔件,间隔件与非显示区域叠置并且限定其中定位信号线的第一部分的开口,信号线的第一部分具有比与其相邻的第二部分的宽度大的宽度。
间隔件可以不与信号线叠置。
信号线可以包括在开口中的子信号线,其中,间隔件包括分别在子信号线之间的子间隔件。
显示面板可以包括:基体层;电路层,在基体层上,并且包括绝缘层;以及发光元件层,在电路层上,并且包括像素限定膜和发光元件,其中,间隔件在像素限定膜上。
绝缘层的与信号线的第一部分叠置的部分可以比绝缘层的不与信号线的第一部分叠置的另一部分薄。
显示面板还可以包括坝,坝位于非显示区域中并且包括分别与绝缘层中的至少一个、像素限定膜和间隔件的材料相同的材料的堆叠。
坝可以包括第一坝和比第一坝靠近显示区域的第二坝。
像素限定膜可以不与信号线的第一部分叠置。
坝可以包括:第一层,包括与绝缘层中的至少一个绝缘层的材料相同的材料;第二层,包括与像素限定膜的材料相同的材料;以及第三层,包括与间隔件的材料相同的材料。
输入感测单元还可以包括:第一感测绝缘层,直接在显示面板上;第一导电层,在第一感测绝缘层上;第二感测绝缘层,在第一导电层上;第二导电层,在第二感测绝缘层上;以及第三感测绝缘层,在第二导电层上。
信号线可以包括在第一感测绝缘层上的第一信号线和在第二感测绝缘层上的第二信号线。
第二信号线可以与信号线的第一部分叠置,并且第一信号线不与信号线的第一部分叠置。
第一信号线可以包括:第1-1信号线,具有连接到感测电极的一端,并且通过第一接触孔连接到第二信号线;以及第1-2信号线,具有连接到感测垫的一端,并且通过第二接触孔连接到第二信号线。
间隔件可以在平面图中至少部分地围绕显示区域。
本公开的一个或更多个实施例提供了一种显示装置,所述显示装置包括:显示面板,被划分为显示区域和非显示区域;以及输入感测单元,包括:感测垫,在与非显示区域叠置的非感测区域中;感测电极,与显示区域叠置;以及信号线,将感测垫和感测电极电连接,其中,显示面板包括坝,坝与非显示区域叠置,在平面图中至少部分地围绕显示区域,并且具有与信号线叠置的第一部分和不与信号线叠置的第二部分,其中,第一部分的高度比第二部分的高度小,并且其中,信号线的与第一部分叠置的第一线部分具有比与其相邻的第二线部分的宽度大的宽度。
显示面板可以包括:基体层;电路层,在基体层上,并且包括绝缘层;发光元件层,在电路层上,并且包括像素限定膜和发光元件;以及间隔件,在像素限定膜上。
坝可以包括顺序地堆叠的层,顺序地堆叠的层包括:第一层,包括与绝缘层中的至少一个绝缘层的材料相同的材料;第二层,包括与像素限定膜的材料相同的材料;以及第三层,包括与间隔件的材料相同的材料。
第三层可以不与第一部分叠置,而可以与第二部分叠置。
坝可以在平面图中至少部分地围绕显示区域。
本公开的一个或更多个实施例提供了一种显示装置,所述显示装置包括:显示面板,被划分为显示区域和非显示区域;以及输入感测单元,包括:感测垫,在与非显示区域叠置的非感测区域中;感测电极,与显示区域叠置;第一感测绝缘层,直接在显示面板上;第二感测绝缘层,在第一感测绝缘层上;以及信号线,被构造为将感测垫和感测电极连接,并且包括在第一感测绝缘层上的第一信号线和在第二感测绝缘层上的第二信号线。
显示面板包括间隔件,间隔件与非显示区域叠置并且限定其中定位第二信号线但其中未定位第一信号线的开口。
根据本实用新型,可以通过使间隔件不与信号线穿过的路径叠置而降低坝的高度来减小曝光量的差异。因此,能够减少或防止信号线变薄的可能性,并且可以改善显示模块的可靠性。另外,可以从内部信号线部分省略了作为下层布线的第一信号线,可以减少由布线产生的附加台阶部分,从而减少或防止了因暴露引起的布线变薄和短路。因此,可以改善显示模块的可靠性。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解,并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本公开的示例实施例,并且与描述一起用于解释本公开的原理。在附图中:
图1A是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的组合透视图;
图1B是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的分解透视图;
图2是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的剖视图;
图3是根据本公开的一个或更多个实施例的显示面板的平面图;
图4A是根据本公开的一个或更多个实施例的输入感测单元的剖视图;
图4B是根据本公开的一个或更多个实施例的输入感测单元的平面图;
图5A和图5B均为根据本公开的一个或更多个实施方式的显示模块的剖视图;
图6A和图6B均为根据本公开的一个或更多个实施例的输入感测单元的一部分的平面图;
图7A是根据本公开的一个或更多个实施例的输入感测单元的部分的平面图;以及
图7B和图7C均为根据本公开的一个或更多个实施例的显示模块的部分的剖视图。
具体实施方式
可以通过参照实施例的详细描述和附图更容易理解本公开的一些实施例的方面和实现本公开的方法。在下文中,将参照附图更详细地描述实施例。然而,描述的实施例可以具有各种修改并且可以以各种不同的形式实施,并且不应被解释为仅限于这里示出的实施例。相反,提供这些实施例作为示例,使得本公开将是彻底的和完整的,并且这些实施例将向本领域技术人员充分传达本公开的方面,并且应当理解的是,本公开覆盖在本公开的构思和技术范围内的所有修改、等同物和替换。因此,可以不描述对于本领域普通技术人员而言完全理解本公开的方面不是必需的工艺、元件和技术。
除非另有说明,否则贯穿附图和书面描述,同样的附图标记、字符或其组合表示同样的元件,因此,将不再重复其描述。此外,为了使描述清楚,可以不示出与实施例的描述无关或不相关的部件(部分)。在附图中,为了清楚,可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。另外,通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用是为了使相邻元件之间的边界清楚。如此,除非说明,否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。
这里参照实施例和/或中间结构的示意性示图的剖视图来描述各种实施例。如此,将预料到例如由制造技术和/或公差引起的示图的形状的变化。此外,为了描述根据本公开的构思的实施例的目的,这里公开的具体结构和功能描述仅仅是说明性的。因此,这里公开的实施例不应被解释为局限于具体示出的区域的形状,而是将包括由例如制造引起的形状上的偏差。例如,示出为矩形的注入区域将通常在其边缘处具有圆滑的或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度,而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样,通过注入形成的掩埋区域可以引起在掩埋区域与通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。
因此,附图中示出的区域本质上是示意性的,并且它们的形状不旨在示出装置的区域的实际形状,并不旨在是限制性的。另外,如本领域技术人员将认识到的,可以以各种不同的方式修改描述的实施例,所有都不脱离本公开的精神或范围。
在详细描述中,为了解释的目的,阐述了许多特定细节,以提供对各种实施例的透彻理解。然而,明显的是,可以在没有这些特定细节的情况下或者在具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种实施例。在其他情况下,以框图形式示出了公知的结构和装置,以避免使各种实施例不必要地模糊。
为了易于解释,可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是,除了在图中描绘的方位之外,空间相对术语还意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如,如果翻转附图中的装置,则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件于是将被定向为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此,示例术语“在……下方”和“在……下面”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被另外定向(例如,旋转90度或在其他方位处),并且应该相应地解释在这里使用的空间相对描述符。类似地,当第一部件被描述为布置“在”第二部件“上”时,这表示第一部件布置在第二部件的上侧或下侧,而不限于其基于重力方向的上侧。
此外,在本说明书中,短语“在平面上”或“平面图”指从顶部观看目标部分,并且短语“在剖面上”指从侧面观看通过竖直切割目标部分而形成的剖面。
将理解的是,当元件、层、区域或组件被称作“形成在”另一元件、层、区域或组件“上”、“在”另一元件、层、区域或组件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件、层、区域或组件时,该元件、层、区域或组件可以直接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、直接在所述另一元件、层、区域或组件上、直接连接到或直接结合到所述另一元件、层、区域或组件,或者间接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、间接在所述另一元件、层、区域或组件上、间接连接到或间接结合到所述另一元件、层、区域或组件,使得可以存在一个或更多个居间元件、居间层、居间区域或居间组件。另外,这可以共同地指直接或间接结合或连接以及整体或非整体的结合或连接。例如,当层、区域或组件被称为“电连接到”或“电结合到”另一层、区域或组件时,该层、区域或组件可以直接电连接或电结合到所述另一层、区域和/或组件,或者可以存在居间层、居间区域或居间组件。然而,“直接连接/直接结合”或“直接在……上”指一个组件直接连接或直接结合另一组件或者在另一组件上而没有居间组件。同时,可以类似地解释诸如“在……之间”、“直接在……之间”或“邻近于”和“直接邻近于”的描述组件之间的关系的其他表述。另外,还将理解的是,当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时,它可以是两个元件或层之间的唯一元件或层,或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。
为了本公开的目的,当诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述位于一列元件之后时,该表述修饰的是整列元件而不修饰所述列中的个别元件。例如,“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合(诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例)、或者它们的任意变形。类似地,诸如“A和B中的至少一个”的表述可以包括A、B或者A和B。如在这里使用的,“或”通常指“和/或”,并且术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。例如,诸如“A和/或B”的表述可以包括A、B或者A和B。
将理解的是,尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此,下面描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分而不脱离本公开的精神和范围。将元件描述为“第一”元件可能不需要或暗示存在第二元件或其他元件。术语“第一”、“第二”等也可以在这里用来区分不同类别或组的元件。为简明起见,术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类别(或第一组)”、“第二类别(或第二组)”等。
在示例中,x轴、y轴和/或z轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可以以更广泛的意义进行解释。例如,x轴、y轴和z轴可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同方向。这应用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
这里使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的,而不意图成为本公开的限制。除非上下文另外清楚地指出,否则如在这里使用的单数形式“一个(种/者)”也意图包括复数形式。还将理解的是,当术语“包括”、“包含”、“具有”和其变型用在本说明书中时,说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
当可以不同地实现一个或更多个实施例时,可以不同于描述的顺序执行具体的工艺顺序。例如,可以基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
如在这里使用的,术语“基本上”、“约(大约)”、“近似”和其他类似术语被用作近似术语而不是用作程度术语,并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。如在这里使用的“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值,并且表示:考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(例如,测量系统的局限性),在如由本领域的普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如,“约(大约)”可以表示在一个或更多个标准偏差内,或者在所陈述的值的±30%、±20%、±10%、±5%内。此外,当描述本公开的实施例时,“可以”的使用表示“本公开的一个或更多个实施例”。
除非另有定义,否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本实用新型所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是,术语(诸如在通用字典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的背景下的含义一致的含义,而将不以理想化或者过于形式化的意义来解释,除非在这里如此明确定义。
在下文中,将参照附图描述根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置。
图1A是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的组合透视图。图1B是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的分解透视图。将参照图1A和图1B描述本公开的实施例。
显示装置DD可以是响应于电信号而被激活的装置。显示装置DD可以显示图像IM,并且可以感测外部输入TC。显示装置DD可以包括各种实施例。例如,显示装置DD可以包括平板计算机、膝上型计算机、计算机、智能电视等。在一个或更多个实施例中,显示装置DD被示出为智能电话。
显示装置DD可以在与第一方向DR1和第二方向DR2中的每个基本上平行的显示表面FS上在第三方向DR3上显示图像IM。其上显示图像IM的显示表面FS可以与显示装置DD的前表面对应,并且可以与窗构件WM的前表面FS对应。在下文中,相同的附图标记或符号用于显示表面、显示装置DD的前表面和窗构件WM的前表面。图像IM可以包括静止图像和/或动态图像。作为图1A中的图像IM的示例,示出了时钟和多个图标。
在一个或更多个实施例中,基于显示图像IM所沿的方向来限定每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)。前表面和后表面可以相对于第三方向DR3彼此相对,前表面和后表面中的每个的法线方向可以与第三方向DR3基本上平行。前表面与后表面之间在第三方向DR3上的分离距离可以与显示面板DP在第三方向DR3上的厚度对应。同时,由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向是相对概念,并且可以改变为其他方向。可选地,例如,根据一个或更多个实施例的显示装置DD可以感测从外部施加的用户的输入TC。用户的输入TC可以包括诸如用户的身体的一部分、光、热或压力的各种类型的外部输入。在一个或更多个实施例中,用户的输入TC被示出为施加到前表面的用户的手。然而,这是通过示例的方式示出的,并且如上所述,可以以各种形式提供用户的输入TC。另外,显示装置DD可以根据显示装置DD的结构感测施加到显示装置DD的侧表面或后表面的用户输入TC,本公开不限于任何一个实施例。
如图1A和图1B中所示,显示装置DD包括窗构件WM、显示模块DM和外壳HAU。在一个或更多个实施例中,窗构件WM和外壳HAU接合以形成显示装置DD的外观。在一个或更多个实施例中,外壳HAU、显示模块DM和窗构件WM可以沿着第三方向DR3顺序地堆叠。
窗构件WM可以包括绝缘面板。例如,窗构件WM可以由玻璃、塑料或其组合制成。
如上所述,窗构件WM的前表面FS限定显示装置DD的前表面。透射区域TA可以是光学透明区域。例如,透射区域TA可以是具有约90%或更大的可见光透射率的区域。
边框区域BZA可以是具有比透射区域TA相对低的透射率的区域。边框区域BZA限定透射区域TA的形状。边框区域BZA可以与透射区域TA相邻,并且可以围绕透射区域TA。
边框区域BZA可以具有颜色(例如,预定颜色)。边框区域BZA可以覆盖显示模块DM的外围区域NAA,以阻止外围区域NAA被从外部观看。同时,这通过示例的方式示出,在根据本公开的一个或更多个实施例的窗构件WM中,可以省略边框区域BZA。
显示模块DM可以显示图像IM,并且可以感测外部输入TC。图像IM可以在显示模块DM的前表面IS上显示。显示模块DM的前表面IS包括有效区域AA和外围区域NAA。有效区域AA可以是响应于电信号而激活的区域。
在一个或更多个实施例中,有效区域AA可以是显示图像IM的区域,并且还可以是感测外部输入TC的区域。透射区域TA至少与有效区域AA叠置。例如,透射区域TA与有效区域AA的前表面或至少一部分叠置。因此,用户可以通过透射区域TA观看到图像IM,或者可以提供外部输入TC。然而,这是通过示例的方式示出的,显示图像IM的区域和感测外部输入TC的区域可以在有效区域AA中彼此分离,本公开不限于任何一个实施例。
外围区域NAA可以是被边框区域BZA覆盖的区域。外围区域NAA与有效区域AA相邻。外围区域NAA可以围绕有效区域AA。用于驱动有效区域AA的驱动电路、驱动布线等可以位于外围区域NAA中。
显示模块DM可以包括显示面板和输入感测单元。图像IM可以基本上显示在显示面板上,外部输入TC可以基本上由输入感测单元感测。因为显示模块DM包括显示面板和输入感测单元二者,所以显示模块DM不仅可以显示图像IM,而且可以感测外部输入TC。稍后将对其进行详细描述。
显示模块DM的至少一部分可以弯曲。在一个或更多个实施例中,显示模块DM的与电路板MB连接的部分朝向显示模块DM的后表面弯曲,使得电路板MB可以被组装为与显示模块DM的后表面叠置。电路板MB接合到显示模块DM的一侧以物理地电连接到显示模块DM。电路板MB可以产生将要提供到显示模块DM的电信号或者可以接收由显示模块DM产生的信号,并且可以计算该信号作为包括关于外部输入TC的感测位置或强度的信息的结果值。
外壳HAU接合到窗构件WM以限定显示装置DD的外观。外壳HAU提供内部空间(例如,预定内部空间)。显示模块DM可以容纳在内部空间中。
外壳HAU可以包括具有相对高刚性的材料。例如,外壳HAU可以包括由玻璃、塑料、金属或其组合制成的多个框架和/或板。外壳HAU可以稳定地保护显示装置DD的容纳在内部空间中的组件免受外部冲击。
图2是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的剖视图。参照图2,显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测单元ISU、防反射构件RPP(防反射器)和窗构件WM。
显示面板DP可以是发光显示面板,例如,显示面板DP可以包括有机发光显示面板、无机发光显示面板、微LED显示面板或纳米LED显示面板。显示面板DP可以包括基体层110、电路层120、发光元件层130和封装层140。
基体层110可以提供定位电路层120的基体表面。基体层110可以是刚性基底或者能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。基体层110可以是玻璃基底、金属基底、聚合物基底等。然而,本公开不限于此,基体层110可以包括无机层、有机层或复合材料层。
基体层110可以具有多层结构。例如,基体层110可以包括第一合成树脂层、多层无机层或单层无机层以及位于多层无机层或单层无机层上的第二合成树脂层。第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每个可以包括聚酰亚胺类树脂,虽然上面没有特别限制。
电路层120可以位于基体层110上。电路层120可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案、信号线等。电路层120可以包括参照图3描述的像素PX的驱动电路。
发光元件层130可以位于电路层120上。发光元件层130可以包括参照图3描述的像素PX的发光元件。例如,发光元件可以包括有机发光材料、无机发光材料、有机-无机发光材料、量子点、量子棒、微LED或纳米LED。
封装层140可以位于发光元件层130上。封装层140可以保护发光元件层130免受诸如水分、氧和灰尘颗粒的异物的影响。封装层140可以包括至少一个无机层。封装层140可以包括无机层/有机层/无机层的堆叠结构。
输入感测单元ISU可以位于显示面板DP上。输入感测单元ISU可以感测从外部施加的外部输入。外部输入可以是用户的输入。用户的输入可以包括各种类型的外部输入(诸如用户身体的一部分、光、热、笔或压力)。
输入感测单元ISU可以通过连续工艺形成在显示面板DP上。在这种情况下,在一个或更多个实施例中,输入感测单元ISU可以直接位于显示面板DP上(例如,诸如粘合层的第三组件可以不位于输入感测单元ISU与显示面板DP之间)。
防反射构件RPP可以位于输入感测单元ISU上。防反射构件RPP可以降低外部光的反射率。防反射构件RPP可以通过连续工艺直接位于输入感测单元ISU上。
防反射构件RPP可以包括与位于防反射构件RPP下面的反射结构叠置的光阻挡图案。防反射构件RPP还可以包括与稍后将描述的发光区域叠置的滤色器。滤色器可以包括分别与第一颜色像素、第二颜色像素和第三颜色像素对应的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。
窗构件WM位于防反射构件RPP上。窗构件WM和防反射构件RPP可以通过粘合层AD接合。粘合层AD可以是压敏粘合(PSA)膜或光学透明粘合(OCA)构件。
窗构件WM可以包括至少一个基体层。基体层可以是玻璃基底或合成树脂膜。窗构件WM可以具有多层结构。窗构件WM可以包括薄膜玻璃基底和位于薄膜玻璃基底上的合成树脂膜。薄膜玻璃基底和合成树脂膜可以通过粘合层接合,粘合层和合成树脂膜可以与薄膜玻璃基底分离以将其替换。
在本公开的一个或更多个实施例中,可以省略粘合层AD,窗构件WM可以直接位于防反射构件RPP上。可以在防反射构件RPP上涂覆有机材料、无机材料或陶瓷材料。
图3是根据本公开的一个或更多个实施例的显示面板的平面图。图4A是根据本公开的一个或更多个实施例的输入感测单元的剖视图。图4B是根据本公开的一个或更多个实施例的输入感测单元的平面图。在下文中,将参照图3、图4A和图4B描述根据本公开的一个或更多个实施例的显示模块DM。
将图2、图3、图4A和图4B一起参照,显示模块DM可以包括显示面板DP和输入感测单元ISU。显示面板DP产生图像IM。在图3中,在平面图中示出了显示面板DP的组件的部分。
在图3中,为了便于解释,显示面板DP的一些组件被示出为框图。参照图3,显示面板DP可以包括基体基底BS、扫描驱动电路SDV、发光驱动电路EDV、驱动芯片DIC、多条面板信号线SGL1至SGLm、DL1至DLn、EL1至ELm、CSL1、CSL2和PL、多个像素PX以及多个显示垫(pad,或称为焊盘)DPD。
基体基底BS包括在第二方向DR2上彼此区分开的第一基体区域AA1、第二基体区域AA2和弯曲区域BA。第二基体区域AA2和弯曲区域BA可以是非显示区域NDA的局部区域。弯曲区域BA位于第一基体区域AA1与第二基体区域AA2之间。
第一基体区域AA1可以是包括图1B中的前表面IS的区域。第二基体区域AA2与第一基体区域AA1间隔开,且弯曲区域BA在它们之间。第二基体区域AA2和/或弯曲区域BA可以在第一方向DR1上比第一基体区域AA1窄。也就是说,弯曲区域BA和第二基体区域AA2在第一方向DR1上的总长度可以比第一基体区域AA1的长度小。
在弯曲轴方向上具有减小的长度的区域可以较容易地弯曲。然而,这是通过示例的方式示出的,第二基体区域AA2和弯曲区域BA可以在第一方向DR1上具有与第一基体区域AA1相同的宽度,并且本公开不限于任何一个实施例。
弯曲区域BA相对于沿着第一方向DR1延伸的弯曲轴线弯曲。当弯曲区域BA不弯曲时,第二基体区域AA2和第一基体区域AA1可以在同一的方向上定向(例如,同时在第三方向DR3上叠置),而当弯曲区域BA弯曲时,第二基体区域AA2可以在与第一基体区域AA1相反的方向上定向。
上述电路板MB(见图1B)物理地连接到第二基体区域AA2。当弯曲区域BA弯曲时,电路板MB位于电子面板的后表面上。因此,限定前表面IS的区域变为第一基体区域AA1,并且通过前表面IS看不到第二基体区域AA2和弯曲区域BA。因此,可以减小电子装置的边框面积。
像素PX中的每个包括发光元件和连接到发光元件的薄膜晶体管。图3示出的显示面板DP的形状与上述基体层的平面形状基本上相同。在一个或更多个实施例中,可以根据发光元件的位置来划分显示区域DA和非显示区域NDA。
图3示出了像素PX位于显示区域DA中。显示区域DA可以是显示图像IM的区域。同时,这是通过示例的方式示出的,像素PX的部分可以包括位于非显示区域NDA中的薄膜晶体管,并且本公开不限于任何一个实施例。
扫描驱动电路SDV、驱动芯片DIC和发光驱动电路EDV可以位于非显示区域NDA中。驱动芯片DIC可以包括数据驱动电路。
面板信号线SGL1至SGLm、DL1至DLn、EL1至ELm、CSL1、CSL2和PL可以包括多条扫描线SGL1至SGLm、多条数据线DL1至DLn、多条发光线EL1至ELm、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2以及电源线PL。多个显示垫DPD可以分别连接到面板信号线SGL1至SGLm、DL1至DLn、EL1至ELm、CSL1、CSL2和PL之中的数据线DL1至DLn、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2以及电源线PL。这里,m和n是不为0的自然数。像素PX可以连接到扫描线SGL1至SGLm、数据线DL1至DLn以及发光线EL1至ELm。
扫描线SGL1至SGLm可以在第一方向DR1上延伸以连接到扫描驱动电路SDV。数据线DL1至DLn可以在第二方向DR2上延伸,并且可以经由弯曲区域BA连接到驱动芯片DIC。发光线EL1至ELm可以在第一方向DR1上延伸以连接到发光驱动电路EDV。
电源线PL可以包括在第二方向DR2上延伸的部分和在第一方向DR1上延伸的部分。在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分可以位于不同层。电源线PL的在第二方向DR2上延伸的部分可以经由弯曲区域BA延伸到第二基体区域AA2。电源线PL可以向像素PX提供第一电压。
第一控制线CSL1可以连接到扫描驱动电路SDV,并且可以经由弯曲区域BA朝向第二基体区域AA2的下端延伸。第二控制线CSL2可以连接到发光驱动电路EDV,并且可以经由弯曲区域BA朝向第二基体区域AA2的下端延伸。
当在平面图中看时,显示垫DPD可以被定位为与第二基体区域AA2的下端相邻。驱动芯片DIC、电源线PL、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2可以连接到显示垫DPD。电路板MB可以通过各向异性导电粘合层电连接到显示垫DPD。
参照图4A,输入感测单元ISU可以包括第一感测绝缘层ISU-IL1(或基体绝缘层)、第一导电图案层ISU-CL1、第二感测绝缘层ISU-IL2(或中间绝缘层)、第二导电图案层ISU-CL2和第三感测绝缘层ISU-IL3(或覆盖绝缘层)。第一感测绝缘层ISU-IL1可以直接位于封装层140上。
在本公开的一个或更多个实施例中,可以省略第一感测绝缘层ISU-IL1和/或第三感测绝缘层ISU-IL3。当省略第一感测绝缘层ISU-IL1时,第一导电图案层ISU-CL1可以位于封装层140的最上面的绝缘层上。第三感测绝缘层ISU-IL3可以用粘合层代替,或者用位于输入感测单元ISU上的防反射构件RPP的绝缘层代替。
第一导电图案层ISU-CL1可以包括第一导电图案,第二导电图案层ISU-CL2可以包括第二导电图案。在下文中,第一导电图案层ISU-CL1和第一导电图案由相同的附图标记或符号表示,第二导电图案层ISU-CL2和第二导电图案由相同的附图标记或符号表示。
第一导电图案ISU-CL1和第二导电图案ISU-CL2中的每个可以具有单层结构或多个层沿着第三方向DR3堆叠的多层结构。多层导电图案可以包括透明导电层和金属层中的至少两个层。多层导电图案可以包括包含不同金属的金属层。透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、PEDOT、金属纳米线和石墨烯。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝及其合金。稍后将描述第一导电图案层ISU-CL1和第二导电图案层ISU-CL2的堆叠结构的详细描述。
在一个或更多个实施例中,第一感测绝缘层ISU-IL1至第三感测绝缘层ISU-IL3中的每个可以包括无机层或有机层。在一个或更多个实施例中,第一感测绝缘层ISU-IL1至第三感测绝缘层ISU-IL3可以包括无机层。无机层可包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
在本公开的一个或更多个实施例中,第一感测绝缘层ISU-IL1至第三感测绝缘层ISU-IL3之中的至少一个可以是有机层。例如,第三感测绝缘层ISU-IL3可以包括有机层。有机层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
参照图4B,输入感测单元ISU包括感测区域ISU-DA和与感测区域ISU-DA相邻的非感测区域ISU-NDA。感测区域ISU-DA和非感测区域ISU-NDA分别与图1B中所示的有效区域AA和外围区域NAA对应。
输入感测单元ISU包括位于感测区域ISU-DA中并且彼此交叉且彼此绝缘的第一电极E1-1、E1-2、E1-3、E1-4、E1-5、E1-6和E1-7以及第二电极E2-1、E2-2、E2-3和E2-4。输入感测单元ISU包括位于非感测区域ISU-NDA中的信号线SL。信号线SL包括电连接到第一电极E1-1至E1-7的第一组信号线SL1和电连接到第二电极E2-1至E2-4的第二组信号线SL2。第一电极E1-1至E1-7、第二电极E2-1至E2-4、第一组信号线SL1以及第二组信号线SL2可以由参照图4A描述的第一导电图案ISU-CL1和第二导电图案ISU-CL2的组合限定。
第一电极E1-1至E1-7以及第二电极E2-1至E2-4中的每个可以包括彼此交叉的多条导电线。多条导电线可以限定多个开口,并且第一电极E1-1至E1-7以及第二电极E2-1至E2-4均可以具有网格形状。多个开口中的每个可以被限定为与显示面板DP的发光区域对应。
第一电极E1-1至E1-7以及/或者第二电极E2-1至E2-4可以具有一体形状。在一个或更多个实施例中,示出了具有一体形状的第一电极E1-1至E1-7。第一电极E1-1至E1-7可以包括感测电极SP1和中间部分CP1。上述第二导电图案ISU-CL2的一部分可以与第一电极E1-1至E1-7对应。
第二电极E2-1至E2-4中的每个可以包括感测电极SP2和桥接图案CP2(或连接图案)。两个相邻的感测电极SP2可以通过穿过第二绝缘层ISU-IL2的接触孔CH-I连接到两个桥接图案CP2,但是桥接图案CP2的数量不受限制。上述第二导电图案ISU-CL2的部分可以与感测电极SP2对应。上述第一导电图案ISU-CL1的部分可以与桥接图案CP2对应。
在一个或更多个实施例中,描述了桥接图案CP2由图4A中所示的第一导电图案ISU-CL1形成,第一电极E1-1至E1-7以及感测电极SP2由第二导电图案ISU-CL2形成,但是本公开不限于此。在一个或更多个实施例中,第一电极E1-1至E1-7和感测电极SP2可以由图4A中所示的第一导电图案ISU-CL1形成,桥接图案CP2可以由第二导电图案ISU-CL2形成。
第一组信号线SL1和第二组信号线SL2之中的一者传输用于感测来自外部电路的外部输入的发送信号,并且另一者向外部电路传输第一电极E1-1至E1-7与第二电极E2-1至E2-4之间的电容的变化作为接收信号。第一组信号线SL1和第二组信号线SL2中的每条连接到感测垫PD,从感测垫PD接收从外部电路传输的发送信号,或者通过感测垫PD向外部电路传输第一电极E1-1至E1-7与第二电极E2-1至E2-4之间的电容的变化。当在平面图中观看时,感测垫PD可以位于与显示面板DP的第二基体区域AA2的下部对应的部分处。电路板MB可以通过各向异性导电粘合层电连接到感测垫PD。
上述第二导电图案ISU-CL2的部分可以与第一组信号线SL1和第二组信号线SL2对应。第一组信号线SL1和第二组信号线SL2具有多层结构,并且均包括由上述第一导电图案ISU-CL1形成的第一层线和由上述第二导电图案ISU-CL2形成的第二层线。在一个或更多个实施例中,第一层线和第二层线可以通过穿透第二绝缘层ISU-IL2的接触孔连接。
将图3、图4A和图4B一起参照,根据一个或更多个实施例的显示装置还包括与非感测区域ISU-NDA叠置的间隔件SPC。考虑到布置关系,间隔件SPC是包括在显示面板DP中的组件,但是为了便于解释,图4B中示出了间隔件SPC与包括在输入感测单元ISU中的组件之间的布置关系。间隔件SPC可以位于上述显示面板DP的电路层120上。如图4B中所示,间隔件SPC可以与非感测区域ISU-NDA叠置,而可以不与感测区域ISU-DA叠置。间隔件SPC可以位于非显示区域NDA中,并且可以被定位为围绕或部分地围绕显示区域DA。
在间隔件SPC中限定至少一个开口SPC-OP。开口SPC-OP可以限定在延伸部分中,使得信号线SL连接到感测垫PD。也就是说,信号线SL的部分可以位于间隔件SPC的开口SPC-OP中。如图4B中所示,间隔件SPC的开口SPC-OP可以被限定为与其中定位有第一组信号线SL1和第二组信号线SL2中的每条的部分对应。稍后将描述间隔件SPC的形状的详细描述。
图5A和图5B均为根据本公开的一个或更多个实施例的显示模块的剖视图。图5A示出了沿着图4B中示出的线I-I'截取的剖视图。图5B示出了沿着图4B中示出的线II-II'截取的剖视图。
如图5A和图5B中所示,在显示模块DM中,显示面板DP和输入感测单元ISU可以堆叠。显示面板DP可以包括基体基底BS和位于基体基底BS上的多个绝缘层10、20、30、40、50、60和70。构成上述像素PX、面板信号线SGL1至SGLm、DL1至DLn、EL1至ELm、CSL1、CSL2和PL以及扫描驱动电路SDV的组件可以位于基体基底BS与绝缘层10、20、30、40、50、60和70之间。
基体基底BS具有绝缘性质。基体基底BS可以具有可弯曲的柔性。例如,基体基底BS可以是绝缘聚合物膜。
第一绝缘层10可以位于基体基底BS上。第一绝缘层10可以包括阻挡层11和缓冲层12。阻挡层11减少或防止异物从外部引入。阻挡层11可以包括氧化硅层和氮化硅层中的至少一者。这些层中的每者可以设置为多层,氧化硅层和氮化硅层可以交替地堆叠。
缓冲层12可以位于阻挡层11上。缓冲层12改善了基体基底BS与半导体图案和/或导电图案之间的接合力。缓冲层12可以包括氧化硅层和氮化硅层中的至少一者。氧化硅层和氮化硅层可以交替地堆叠。
像素PX位于第一绝缘层10上。在图4A和图4B中,通过示例的方式示出了一个像素PX的局部组件。像素PX可以包括晶体管TR和发光元件EE。
晶体管TR可以包括半导体图案SP和栅极ED。半导体图案SP可以位于第一绝缘层10上。半导体图案SP可以包括沟道S1、源极S2和漏极S3。半导体图案SP可以包括诸如单晶硅半导体、多晶硅半导体或非晶硅半导体的硅半导体。可选地,半导体图案SP可以包括氧化物半导体。根据本公开的一个或更多个实施例的半导体图案SP可以由各种材料形成,只要半导体图案具有半导体性质,并且不限于任何一个实施例。
根据半导体图案是否被掺杂,半导体图案SP具有不同的电性质。半导体图案可以包括掺杂区和未掺杂区。掺杂区可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区。掺杂区具有比未掺杂区高的导电性,并且基本上用作电极或信号线。未掺杂区基本上与晶体管的沟道(或有源部分)对应。换言之,第一半导体图案SP的一部分可以是晶体管TR的沟道S1,另一部分可以是晶体管TR的源极S2或漏极S3,又一部分可以是连接信号线(或连接电极)。
第二绝缘层20位于第一绝缘层10上,并且覆盖半导体图案SP。第二绝缘层20可以位于半导体图案SP与晶体管TR的栅极ED之间。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层,并且可以具有单层结构或多层结构。第二绝缘层20可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在一个或更多个实施例中,第二绝缘层20可以是单层氧化硅层。稍后将描述的无机层可以包括上述材料中的至少一种。
栅极ED可以位于第二绝缘层20上。栅极ED可以是金属图案的一部分。当在平面图中观看时,栅极ED可以与沟道S1叠置。在掺杂半导体图案的工艺中,栅极ED可以用作掩模。
第三绝缘层30可以位于第二绝缘层20上,并且可以覆盖栅极ED。第三绝缘层30可以是无机层,并且可以具有单层结构或多层结构。在一个或更多个实施例中,第三绝缘层30可以是单层氧化硅层。
同时,作为示例,在晶体管TR中,源极S2或漏极S3可以是独立于半导体图案SP形成的电极。在这种情况下,源极S2和漏极S3可以接触半导体图案SP,或者可以穿过绝缘层以连接到半导体图案SP。另外,栅极ED可以位于半导体图案SP下方。根据本公开的一个或更多个实施例的晶体管TR可以形成为具有各种结构,并且不限于任何一个实施例。
第四绝缘层40可以位于第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以是有机层,并且可以具有单层结构或多层结构。例如,第四绝缘层40可以是单层聚酰亚胺类树脂层。然而,本公开不限于此,第四绝缘层40可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。稍后将描述的有机层可以包括上述材料中的至少一种。
第一连接电极CN1可以位于第三绝缘层30上,第二连接电极CN2可以位于第四绝缘层40上。第一连接电极CN1可以穿过第二绝缘层20和第三绝缘层30,并且可以电连接到半导体图案SP。第二连接电极CN2可以穿过第四绝缘层40,并且可以电连接到第一连接电极CN1。
同时,可以省略第一连接电极CN1和第二连接电极CN2中的至少一个。可选地,可以进一步定位使发光元件EE和晶体管TR连接的附加连接电极。发光元件EE与晶体管TR之间的电连接可以根据位于发光元件EE与晶体管TR之间的绝缘层的数量而不同地改变,本公开不限于此。
第五绝缘层50可以位于第四绝缘层40上,并且可以覆盖第二连接电极CN2。第五绝缘层50可以是有机层或无机层,并且可以具有单层结构或多层结构。同时,晶体管TR以及多个绝缘层10、20、30、40、50、60和70之中的第一绝缘层10至第五绝缘层50是与图2中的上述电路层120对应的组件。
发光元件EE可以位于第五绝缘层50上。发光元件EE可以包括第一电极E1、发光层EP和第二电极E2。第一电极E1可以通过第一连接电极CN1和第二连接电极CN2电连接到晶体管TR。
第六绝缘层60位于第五绝缘层50上,并且可以暴露第一电极E1的至少一部分。第六绝缘层60可以是像素限定膜。第六绝缘层60(在下文中,称为像素限定膜)可以是无机层、有机层或其组合,并且可以具有单层结构或多层结构。同时,在本说明书中,第六绝缘层60和发光元件EE是与上述图2中的发光元件层130对应的组件。
发光层EP可以位于第一电极E1上。发光层EP可以提供颜色(例如,预定颜色)光。尽管在一个或更多个实施例中示出了图案化单层的发光层EP,但是本公开不限于此。例如,发光层EP可以具有多层结构。另外,发光层EP可以朝向第六绝缘层60的上表面延伸,并且可以针对多个像素PX公共设置。
第二电极E2可以位于发光层EP上。在一个或更多个实施例中,电子控制层(或电子控制区域)可以位于第二电极E2与发光层EP之间,并且/或者空穴控制层(或空穴控制区域)可以位于第一电极E1与发光层EP之间。
第七绝缘层70位于第六绝缘层60上并且覆盖发光元件EE。第七绝缘层70可以是与已经参照图2描述的封装层对应的组件。第七绝缘层70(在下文中,称为封装层)可以包括第一无机层71、有机层72和第二无机层73。
第一无机层71可以位于第二电极E2上。有机层72可以位于第一无机层71上。第二无机层73可以位于有机层72上,并且可以覆盖有机层72。第一无机层71和第二无机层73可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层等,并且不特别限于此。有机层72可以包括丙烯酰类有机层,并且没有特别限制。第一无机层71和第二无机层73可以保护发光元件EE免受水分/氧或异物的影响。
显示面板DP还包括位于非显示区域NDA中的坝DAM。坝DAM位于显示模块DM的外部,以减少或防止有机层72溢出的可能性。
坝DAM可以设置为多个。坝DAM可以包括第一坝DAM1和第二坝DAM2。第一坝DAM1和第二坝DAM2沿着接近显示区域DA的方向按顺序布置。也就是说,与第二坝DAM2相比,第一坝DAM1被定位为与显示区域DA间隔开,并且第二坝DAM21可以位于显示区域DA与定位第一坝DAM1的区域之间。
坝DAM1和DAM2均可以包括多个层。在一个或更多个实施例中,第一坝DAM1可以包括第1-1层I1-1、第1-2层I1-2和第二层I2。第二坝DAM2可以包括第1-1层I1-1和第1-2层I1-2。第一坝DAM1可以具有比第二坝DAM2大的高度。第1-1层I1-1和第1-2层I1-2可以分别与第四绝缘层40和第五绝缘层50对应。也就是说,第1-1层I1-1和第四绝缘层40可以包括相同的材料,并且可以通过同一工艺形成。第1-2层I1-2和第五绝缘层50可以包括相同的材料,并且可以通过同一工艺形成。第二层I2可以是与第六绝缘层60(即,像素限定膜)对应的层。第二层I2和第六绝缘层60可以包括相同的材料,并且可以通过同一工艺形成。
在位于外部的第一坝DAM1中,上述间隔件SPC可以位于第二层I2上。间隔件SPC可以位于第一坝DAM1的顶部上,因此可以增大第一坝DAM1的高度以减少或防止有机层72溢出的可能性,并且还可以在之后的工艺中在金属掩模位于显示模块DM的上部上时确保金属掩模和下面的组件之间的间隙,从而减少或防止下面的组件因属掩模而引起凹陷的可能性。
输入感测单元ISU可以位于显示面板DP上。输入感测单元ISU可以包括第一导电层ML1、第二导电层ML2、第一感测绝缘层ISU-IL1和第二感测绝缘层ISU-IL2。第二导电层ML2与第一导电层ML1位于不同的层,并且位于第二感测绝缘层ISU-IL2上。第二感测绝缘层ISU-IL2位于第一感测绝缘层ISU-IL1上,并且覆盖第一导电层ML1。同时,已经参照图4A描述的第三感测绝缘层ISU-IL3可以位于第二导电层ML2上。
第一导电层ML1和第二导电层ML2中的至少一个构成感测电极SP2。在一个或更多个实施例中,示出了感测电极SP2可以具有如上所述的网格形状图案,可以包括第一导电层ML1,并且可以包括连接到第一导电层ML1的第二导电层ML2。然而,这是通过示例的方式示出的,感测电极SP2可以是第一导电层ML1和第二导电层ML2中的任何一个的一部分。可选地,感测电极SP2可以是与多个发光元件EE叠置的单个形状的图案。另外,第一导电层ML1或第二导电层ML2可以包括透明导电氧化物或不透明金属,但是不限于任何一个实施例。
第一导电层ML1和第二导电层ML2的部分可以是信号线SL。也就是说,在一个或更多个实施例中,示出了信号线SL包括位于第一感测绝缘层ISU-IL1和第二感测绝缘层ISU-IL2上的多个层。如图5A和图5B中所示,信号线SL可以具有包括位于第一感测绝缘层ISU-IL1上的第一信号线SL-1和位于第二感测绝缘层ISU-IL2上的第二信号线SL-2的双层结构。然而,这仅仅是示例,信号线SL的至少一部分可以仅与第一导电层ML1和第二导电层ML2中的一者对应,本公开不限于任何一个实施例。第一信号线SL-1和第二信号线SL-2的部分可以通过限定在第二感测绝缘层ISU-IL2中的接触孔彼此连接。同时,在一个或更多个实施例中,感测垫PD(见图4B)可以位于图5B中所示的信号线SL-1和SL-2的端部处,并且可以电连接到信号线SL-1和SL-2。感测垫PD(见图4B)可以位于第三感测绝缘层ISU-IL3(见图4A)上,并且可以通过限定在第三感测绝缘层中的接触孔连接到信号线SL-1和SL-2。
将图4B、图5A和图5B一起参照,如在沿着图4B中的线I-I'截取并且作为不与其中信号线SL连接到感测垫PD的路径对应的部分的剖面(例如,图5A)中所见,间隔件SPC位于第一坝DAM1中。此外,如在沿着图4B中的线II-II'截取并且作为与其中信号线SL连接到感测垫PD的路径对应的部分的剖面(例如,图5B)中所见,间隔件SPC不位于第一坝DAM1中。也就是说,位于第一坝DAM1的最上层上的间隔件SPC被定位为在除了其中信号线SL连接到感测垫PD的路径之外的部分中围绕感测区域ISU-DA。此外,与其中信号线SL连接到感测垫PD的路径叠置的开口SPC-OP被限定为使得间隔件SPC不位于第一坝DAM1中。同时,在一个或更多个实施例中,在沿着图4B中的线II-II'截取的剖面中,在第一坝DAM1中,并且在与其中信号线SL连接到感测垫PD的路径对应的部分中,不仅可以省略间隔件SPC,而且可以省略位于其下方的第1-1层I1-1、第1-2层I1-2和第二层I2中的至少一层。例如,可以省略与第四绝缘层40或第五绝缘层50对应的第1-1层I1-1或第1-2层I1-2中的任一个。可选地,可以省略作为与作为第六绝缘层60的像素限定膜对应的层的第二层I2。
在包括在根据一个或更多个实施例的显示装置中的显示模块DM中,为了控制有机层72的流动并且为了减少或防止掩模凹陷的可能性,间隔件SPC位于坝的上部上。间隔件SPC不与输入感测单元ISU的信号线SL穿过的路径叠置,而从该路径省略间隔件SPC(例如,在所述路径处限定开口SPC-OP)。间隔件SPC具有围绕显示面板DP的显示区域DA和输入感测单元ISU的感测区域ISU-DA的形状。然而,开口SPC-OP限定在与输入感测单元ISU的信号线SL穿过的路径叠置的部分中,因此间隔件SPC可以不与信号线SL穿过的路径叠置。因此,坝DAM的高度可以在信号线SL穿过的路径中降低,并且可以减少或防止信号线SL在信号线图案化工艺中变薄的可能性。
例如,当间隔件与同输入感测单元的信号线穿过的路径叠置的部分叠置而导致坝的高度增大时,形成大的台阶部分,使得信号线的与坝叠置的部分和信号线的不与坝叠置的部分之间的曝光量的差异变大。另外,相对大量的光照射到与坝叠置的部分,使得布线的厚度可能减小,因此可能发生诸如断开的缺陷。另外,当台阶部分大时,可能由于布线之间的叠置而发生短路。在本公开中,可以通过使间隔件不与信号线穿过的路径叠置而降低坝的高度来减小曝光量的差异。因此,能够减少或防止信号线变薄的可能性,并且可以改善显示模块的可靠性。
图6A和图6B均为根据本公开的一个或更多个实施例的输入感测单元的一部分的平面图。在图6A和图6B中,放大了图4B中所示的区域AA。
参照图6A和图6B,信号线SL可以包括多条子信号线SSL1、SSL2、SSL3和SSL4,子信号线SSL1、SSL2、SSL3和SSL4中的每条的一部分可以位于限定在间隔件SPC中的开口SPC-OP内部。
信号线SL中的每条包括位于开口SPC-OP内部的第一部分(例如,第一线部分)SL-P1以及与其相邻且不位于开口SPC-OP中的第二部分(例如,第二线部分)SL-P2。第一部分SL-P1和第二部分SL-P2可以具有一体形状,并且可以通过同一工艺形成。
第一部分SL-P1和第二部分SL-P2具有不同的宽度。在一个或更多个实施例中,第一部分SL-P1的宽度d1比第二部分SL-P2的宽度d2大。第一部分SL-P1和第二部分SL-P2虽然通过同一工艺形成,但是可以通过调整工艺条件形成为使得第一部分SL-P1在形成工艺中具有大的宽度。
因为在包括在根据一个或更多个实施例的显示装置中的显示模块中,信号线SL的位于间隔件SPC的开口SPC-OP内部的第一部分SL-P1具有比与其相邻的部分大的宽度,所以能够减少或防止信号线SL在信号线图案化工艺中断开的可能性。例如,因为其中限定有间隔件的开口的部分是其中定位有上述坝的部分,所以信号线定位得比与其相邻的部分高,并且在曝光期间照射相对大量的光,导致布线变薄并导致布线断开。然而,在根据一个或更多个实施例的显示模块中,信号线SL的位于开口内部SPC-OP的第一部分SL-P1形成为具有较大的宽度,从而防止或减少了由暴露引起的布线变薄和所导致的布线断开。因此,可以改善显示模块的可靠性。
参照图6B,间隔件SPC可以包括位于多条子信号线SSL1、SSL2、SSL3和SSL4之间的多个子间隔件SPC-S。当间隔件SPC被图案化时,子间隔件SPC-S可以被定位为在多条子信号线SSL1、SSL2、SSL3和SSL4之间与多条子信号线SSL1、SSL2、SSL3和SSL4分开。由于间隔件SPC包括多个子间隔件SPC-S,因此间隔件SPC与信号线SL不叠置,因此可以防止或减少信号线变薄的可能性。另外,其中省略了间隔件SPC的部分被减少或最小化,从而能够有效地执行控制有机层的流动的功能,并且减少或防止了掩模凹陷的可能性。
图7A是根据本公开的一个或更多个实施例的输入感测单元的一部分的平面图。图7B和图7C均为根据本公开的一个或更多个实施例的显示模块的一部分的剖视图。图7B和图7C示出了显示模块的与图7A中示出的平面部分对应的放大剖面。在下文中,相同的附图标记或标号被赋予给上面在图4A至图6B中描述的组件,并且将省略其详细描述。
参照图7A,信号线SL可以包括部分地位于开口SPC-OP中的多条子信号线SSL1-1、SSL2-1、SSL3-1和SSL4-1,多条子信号线SSL1-1、SSL2-1、SSL3-1和SSL4-1中的每条可以包括内部信号线SL-SP和外部信号线SL-NP。内部信号线SL-SP和外部信号线SL-NP可以通过接触孔CNT1和CNT2彼此连接。内部信号线SL-SP可以包括位于间隔件SPC的开口SPC-OP内部的第一部分SL-P1和与第一部分SL-P1相邻的第二部分SL-P2,并且第一部分SL-P1的宽度可以比第二部分SL-P2的宽度大。第一部分SL-P1和第二部分SL-P2可以具有一体形状,并且可以通过同一工艺形成。
将图7A和图7B一起参照,被设置为双层结构的信号线SL中的一些可以具有其中省略第一信号线SL-1并且其中仅定位有第二信号线SL-2的结构。例如,第二信号线SL-2可以位于其中定位有第一坝DAM1的部分中,并且可以在与第一坝DAM1叠置的部分中省略第一信号线SL-1。也就是说,第一信号线SL-1可以不位于图7A中所示的间隔件SPC的开口SPC-OP中。
第一信号线SL-1可以包括具有通过第一接触孔CNT1连接到第二信号线SL-2的一端并具有连接到感测电极SP1和SP2(参见图4B)的另一端的第1-1信号线,并且可以包括具有通过第二接触孔CNT2连接到第二信号线SL-2的一端以及连接到感测垫PD(参见图4B)的另一端的第1-2信号线。
参照图7A至图7C,第二信号线SL-2可以与内部信号线SL-SP的第一坝DAM1同其叠置而第一信号线SL-1可以不同其叠置的部分叠置。第一信号线SL-1与外部信号线SL-NP的部分叠置,而不与内部信号线SL-SP的部分叠置。第二信号线SL-2可以与外部信号线SL-NP的一部分叠置,或者可以被省略。如图7A和图7B中所示,第二信号线SL-2可以与外部信号线SL-NP的一部分叠置。在该情况下,第二信号线SL-2可以被设置为与整条信号线SL叠置。可选地,如图7A和图7C中所示,第二信号线SL-2被设置为不与外部信号线SL-NP的部分叠置,使得外部信号线SL-NP的部分可以具有仅由第一信号线SL-1构成的单层布线结构。
在包括在根据一个或更多个实施例的显示装置中的显示模块中,信号线之中的位于间隔件的开口内部的内部信号线部分具有其中省略了第一信号线并且仅包括第二信号线的结构,从而减少或防止了其中在信号线图案化工艺中信号线变薄的缺陷的可能性。例如,因为其中限定有间隔件的开口的部分是其中定位有上述坝的部分,所以信号线在比与其相邻的部分大的高度处,并且在曝光期间可能照射相对大量的光,从而导致布线变薄和短路。然而,在根据一个或更多个实施例的显示模块中,从内部信号线部分省略了作为下层布线的第一信号线,可以减少由布线产生的附加台阶部分,从而减少或防止了因暴露引起的布线变薄和短路。因此,可以改善显示模块的可靠性。
根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置,能够减少或防止其中输入感测单元的信号线变薄的缺陷的可能性。因此,可以改善显示装置的可靠性。
尽管已经描述了本公开的实施例,但是理解的是,本公开不应限于这些实施例,而是本领域普通技术人员可以在如要求保护的本公开的精神和范围内进行各种改变和修改。
Claims (10)
1.一种显示装置,所述显示装置具有显示区域和非显示区域,其特征在于,所述显示装置包括:
输入感测单元,包括:感测垫,在所述非显示区域中;感测电极,在所述显示区域中;以及信号线,将所述感测垫和所述感测电极电连接,
其中,所述显示装置具有间隔件,所述间隔件在所述非显示区域中并且包括使所述信号线穿过其的开口。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述信号线包括位于所述开口中的第一部分和位于所述开口的外部的第二部分,并且
所述第一部分具有比所述第二部分的宽度大的宽度。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述间隔件不与所述信号线叠置。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述信号线包括在所述开口中的子信号线,并且
其中,所述间隔件包括分别在所述子信号线之间的子间隔件。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述输入感测单元还包括:
第一感测绝缘层;
第一导电层,在所述第一感测绝缘层上;
第二感测绝缘层,在所述第一导电层上;
第二导电层,在所述第二感测绝缘层上;以及
第三感测绝缘层,在所述第二导电层上。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述信号线包括在所述第一感测绝缘层上的第一信号线和在所述第二感测绝缘层上的第二信号线。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述第二信号线与所述信号线的所述第一部分叠置,并且所述第一信号线不与所述信号线的所述第一部分叠置。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述第一信号线包括:
第1-1信号线,具有连接到所述感测电极的一端,并且通过第一接触孔连接到所述第二信号线;以及
第1-2信号线,具有连接到所述感测垫的一端,并且通过第二接触孔连接到所述第二信号线。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括坝,所述坝位于所述非显示区域中,在平面图中至少部分地围绕所述显示区域,并且具有与所述信号线叠置的第一部分和不与所述信号线叠置的第二部分。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述第一部分的高度比所述第二部分的高度小,并且
其中,所述信号线的与所述第一部分叠置的第一线部分具有比与其相邻的第二线部分的宽度大的宽度。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210155962A KR20230070108A (ko) | 2021-11-12 | 2021-11-12 | 표시장치 |
KR10-2021-0155962 | 2021-11-12 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN218920894U true CN218920894U (zh) | 2023-04-25 |
Family
ID=86017842
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211398348.1A Pending CN116126159A (zh) | 2021-11-12 | 2022-11-09 | 显示装置 |
CN202222984215.4U Active CN218920894U (zh) | 2021-11-12 | 2022-11-09 | 显示装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211398348.1A Pending CN116126159A (zh) | 2021-11-12 | 2022-11-09 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12035601B2 (zh) |
KR (1) | KR20230070108A (zh) |
CN (2) | CN116126159A (zh) |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9508778B2 (en) | 2014-04-25 | 2016-11-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
KR101683742B1 (ko) | 2014-04-25 | 2016-12-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102430819B1 (ko) | 2015-08-19 | 2022-08-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
WO2019000324A1 (zh) * | 2017-06-29 | 2019-01-03 | 深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司 | 血液检测方法和设备 |
KR102377527B1 (ko) * | 2017-09-01 | 2022-03-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 입력감지유닛 및 이를 구비한 표시장치 |
JP6980549B2 (ja) * | 2018-02-07 | 2021-12-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102659189B1 (ko) * | 2018-11-27 | 2024-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20210046104A (ko) | 2019-10-17 | 2021-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210066373A (ko) | 2019-11-28 | 2021-06-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 디스플레이 장치 |
-
2021
- 2021-11-12 KR KR1020210155962A patent/KR20230070108A/ko unknown
-
2022
- 2022-09-01 US US17/901,729 patent/US12035601B2/en active Active
- 2022-11-09 CN CN202211398348.1A patent/CN116126159A/zh active Pending
- 2022-11-09 CN CN202222984215.4U patent/CN218920894U/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230070108A (ko) | 2023-05-22 |
CN116126159A (zh) | 2023-05-16 |
US20230157122A1 (en) | 2023-05-18 |
US12035601B2 (en) | 2024-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111554708A (zh) | 显示装置 | |
US11552132B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
CN111799298A (zh) | 显示装置 | |
KR20140134619A (ko) | 전자 컴포넌트, 터치 패널 및 이를 이용하는 액정 표시 장치 | |
EP3901696B1 (en) | Display device | |
US11762521B2 (en) | Display device and a method of fabricating the same | |
KR20220012455A (ko) | 표시 장치 | |
US20240231546A1 (en) | Input sensing unit and display device having the same | |
CN115877974A (zh) | 触摸感测单元和显示装置 | |
CN111490074A (zh) | 显示装置 | |
CN114385031A (zh) | 具有带交叉线元件的输入传感器的显示装置 | |
CN218920894U (zh) | 显示装置 | |
US11803264B2 (en) | Display device including a touch member and antistatic line | |
US20240365637A1 (en) | Display device | |
CN220326173U (zh) | 显示装置 | |
EP3958102B1 (en) | Display device | |
CN221103941U (zh) | 电子设备 | |
CN220441194U (zh) | 显示装置 | |
CN220604001U (zh) | 显示设备 | |
CN116406196A (zh) | 显示装置 | |
KR20240147834A (ko) | 표시 장치 | |
KR20230167775A (ko) | 표시장치 | |
CN116339549A (zh) | 电子装置 | |
KR20230114821A (ko) | 표시장치 및 전자장치 | |
KR20240144550A (ko) | 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |