CN218710835U - 一种tfe遮罩延长寿命的结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种TFE遮罩延长寿命的结构，涉及TFE遮罩技术领域。所述TFE遮罩包括镂空区域与非镂空区域，所述TFE遮罩延长寿命的结构包括：在所述非镂空区域均匀设置至少一电加热单元，每一所述电加热单元均分别与电源连接，所述电加热单元用于在薄膜沉积的过程中通电发热对所述TFE遮罩进行加热，使TFE遮罩上沉积的薄膜不易剥落。本实用新型提供的一种TFE遮罩延长寿命的结构，通过提高防着板上沉积的膜质，从而提高薄膜的附着力，减少薄膜由于膜质差、附着力差而导致的薄膜剥落，延长防着板遮罩的使用寿命。

Description

一种TFE遮罩延长寿命的结构

技术领域

本实用新型涉及TFE遮罩技术领域，具体涉及一种TFE遮罩延长寿命的结构。

背景技术

在有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode)OLED显示器具备自发光特性、低功耗、宽视角、响应速度快、超轻超薄、抗震性好等特点，采用薄膜封装OLED器件可实现柔性、可折叠、可弯折等特点，该技术被广泛运用于柔性显示领域。

薄膜封装技术(ThinFilmEncapsulastion，TFE)是在TFT基板上，将有机的EL蒸镀后，在上方通过沉积Barrierlayer(隔绝层)和Bufferlayer(平坦层)，依次顺序制备3～5层交错覆盖来隔绝水氧，用来保护有机EL的技术，其中TFE封装中Barrierlayer(隔绝层)多采用PECVD(化学气相沉积)机台沉积无机薄膜(比如氮化硅)起到阻隔水氧的作用。Bufferlayer(平坦层)多采用IJP(喷墨打印)机台涂布有机薄膜，比如高分子聚合物、树脂等，其作用就是覆盖无机层的缺陷，实现平坦化，可以释放无机层之间的应力，实现柔性封装。

TFE薄膜封装结构制备过程中，采用2～3层无机/有机的叠层结构，PECVD(化学气相沉积)机台沉积一层无机薄膜，通常PECVD机台采用RF或者微波激化粒子，提高反应粒子的活性，反应后的粒子沉积在玻璃衬底上形成所需要的薄膜，然而形成的薄膜容易沉积在设备的内壁表面，影响溅镀设备的清洁，因此需要在溅镀设备的结构中加入防着板遮罩。简言之，防着板遮罩的主要作用是在设备成膜过程中，防止多余镀膜层附着到不该附着的基板或者设备腔体上。

现有技术中的TFE防着板遮罩如图1和图2所示，包括镂空区域与非镂空区域。其中，非镂空区域表面是为了阻挡薄膜沉积的区域，为了保护基板或者机台内部，防止被薄膜附着；镂空区域是为了使薄膜沉积在基板上形成所需要的无机隔绝层。TFE防着板遮罩经过一段时间使用之后，表面会沉积一层厚厚的无机薄膜(SiNx，SiNC)，遮挡板遮罩表面光滑，厚膜堆积后容易发生剥落(Peeling)，污染腔室，因此需要拆卸定期清洗，重新对遮罩表面进行阳极氧化处理后，再返厂上机，表面阳极氧化处理时间长，效率慢，成本高。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种TFE遮罩延长寿命的结构，通过提高防着板上沉积的膜质，从而提高薄膜的附着力，减少薄膜剥落，延长防着板遮罩的使用寿命。

本实用新型是这样实现的：

一种TFE遮罩延长寿命的结构，所述TFE遮罩包括镂空区域与非镂空区域，在所述非镂空区域均匀设置至少一电加热单元，每一所述电加热单元均分别与电源连接，所述电加热单元用于在薄膜沉积的过程中通电发热对所述TFE遮罩进行加热，使TFE遮罩上沉积的薄膜致密不易剥落。

可选的，所述电加热单元设置于所述非镂空区域的背面。

可选的，所述电加热单元设置于所述非镂空区域的内部。

进一步地，还包括温度传感器和电源控制器，所述温度传感器与所述TFE遮罩接触，并与所述电源控制器连接，控制所述电加热单元的加热温度。

可选的，所述电加热单元的加热温度范围为80℃～300℃。

可选的，所述电加热单元的加热温度为100℃。

可选的，所述电加热单元为电阻丝。

本实用新型的优点在于：

通过在防着板遮罩加入电加热单元,有助于提高等离子体的运动路程，让反应粒子在多次与氩离子撞击运动之后才停留在防着板表面进行反应，可以使得薄膜粒子在防着板表面附着的更为均匀，膜质的致密度更好，从而提高薄膜的附着力，减少薄膜由于膜质差、附着力差而导致的薄膜剥落，防着板中加入电阻丝，最终在一定程度上延长了防着板遮罩的使寿命和抑制颗粒的产生，从而减少送外清洗的频率，降低镀膜成本，降低防着板的维护成本。

附图说明

下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的说明。

图1为现有技术中TFE防着板遮罩结构示意图之一；

图2为现有技术中TFE防着板遮罩结构示意图之二；

图3为本实用新型实施例TFE防着板遮罩结构示意图之一；

图4为本实用新型实施例TFE防着板遮罩结构示意图之二。

具体实施方式

下面将结合附图和具体实施方式对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

请参阅图3和图4所示，本实用新型实施例提供了一种TFE遮罩延长寿命的结构，所述TFE遮罩包括镂空区域与非镂空区域，在所述非镂空区域均匀设置至少一电加热单元，每一所述电加热单元均分别与电源连接，所述电加热单元用于在薄膜沉积的过程中通电发热对所述TFE遮罩进行加热，使TFE遮罩上沉积的薄膜致密不易剥落。

在一种可能的实现方式中，所述电加热单元设置于所述非镂空区域的背面。

在另一种可能的实现方式中，所述电加热单元设置于所述非镂空区域的内部。

在一种可能的实现方式中，还包括温度传感器和电源控制器，所述温度传感器与所述TFE遮罩接触，并与所述电源控制器连接，控制电加热单元的加热温度。

本实用新型的工作原理为：

通过在防着板遮罩的非镂空区域均匀设置电加热单元(比如，电阻丝)加热，在薄膜沉积的过程中，反应气体经过RF或者微波激化之后形成活性较强的反应粒子其反应方程式不限于NH₄+SiC₄+N₂——SiNx，反应粒子经过反应形成SiNx或者SiNC粒子，SiNx或者SiNC粒子在沉积在防着板遮罩时，仿着板遮罩经过电加热单元加热之后，其加热的温度包括但不限于80℃～300℃，优选为100℃。通过将热量传递给SiNx或者SiNC粒子，增大了SiNx或者SiNC粒子的动能，使SiNx或者SiNC粒子在防着板遮罩上运动的距离和碰撞的次数增多，使其沉积的SiNx或者SiNC的薄膜更加致密，附着力更大，减少peeling风险，延长防着板遮罩使用寿命。

本实用新型通过在防着板遮罩加入电加热单元,有助于提高等离子体的运动路程，让反应粒子在多次与氩离子撞击运动之后才停留在防着板表面进行反应，可以使得薄膜粒子在防着板表面附着的更为均匀，膜质的致密度更好，从而提高薄膜的附着力，减少薄膜由于膜质差、附着力差而导致的薄膜剥落，防着板中加入电阻丝，最终在一定程度上延长了防着板遮罩的使寿命和抑制颗粒的产生，从而减少送外清洗的频率，降低镀膜成本，降低防着板的维护成本。

虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式，但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本实用新型的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本实用新型的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本实用新型的权利要求所保护的范围内。

Claims (7)

1.一种TFE遮罩延长寿命的结构，所述TFE遮罩包括镂空区域与非镂空区域，其特征在于：在所述非镂空区域均匀设置至少一电加热单元，每一所述电加热单元均分别与电源连接，所述电加热单元用于在薄膜沉积的过程中通电发热对所述TFE遮罩进行加热，使TFE遮罩上沉积的薄膜致密不易剥落。

2.如权利要求1所述的TFE遮罩延长寿命的结构，其特征在于：所述电加热单元设置于所述非镂空区域的背面。

3.如权利要求1所述的TFE遮罩延长寿命的结构，其特征在于：所述电加热单元设置于所述非镂空区域的内部。

4.如权利要求1所述的TFE遮罩延长寿命的结构，其特征在于：还包括温度传感器和电源控制器，所述温度传感器与所述TFE遮罩接触，并与所述电源控制器连接，控制所述电加热单元的加热温度。

5.如权利要求1所述的TFE遮罩延长寿命的结构，其特征在于：所述电加热单元的加热温度范围为80℃～300℃。

6.如权利要求5所述的TFE遮罩延长寿命的结构，其特征在于：所述电加热单元的加热温度为100℃。

7.如权利要求1至5任一项所述的TFE遮罩延长寿命的结构，其特征在于：所述电加热单元为电阻丝。

Images