CN103874325B - 层叠结构、其制造方法及发光装置 - Google Patents

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Abstract

本揭露系关于一种层叠结构，包括：一基板，其具有一表面；一聚对二甲苯膜，设于此基板之此表面上；以及一中介层设于此表面及此聚对二甲苯膜之间，其中此中介层对此基板及此聚对二甲苯膜皆共价接合，此中介层中之Si‑C键与Si‑X键的比例为0.3～0.8，其中X为O或N。此外，本揭露亦提供上述层叠结构之制造方法及其于发光装置的应用。

Description

层叠结构、其制造方法及发光装置
技术领域
本揭露系关于电子组件，且特别是有关于一种含聚对二甲苯膜的层叠结构及其制造方法。
背景技术
聚对二甲苯(poly(p-xylylene))为一种有机高分子材料，其耐酸碱、高透明度及高介电常数等特性，经常用作为电子组件的绝缘层的材料。电子组件所使用的基板大多为具有金属表面之基板或具有半导体表面之基板，例如表面布有铜层(或铜线路)的印刷电路板(PCB)基板。无论是具有金属表面之基板或具有半导体表面之基板，表面皆为无机材料，性质与有机高分子材料相差甚远。因此，若将聚对二甲苯膜直接镀于金属或半导体表面时，属于异质接合，导致聚对二甲苯膜对于金属或半导体表面的附着度不佳。也就是说，即便聚对二甲苯膜具有良好的绝缘层性质，但其附着度不佳的问题，使得其难以应用至更先进及微缩后的电子组件中。
目前，已发展出提升聚对二甲苯镀膜对于金属表面之附着度的方法。其中一种湿式清洗方法，其系以硅烷偶合剂对金属表面做湿式清洗，并加热该涂有硅烷偶合剂的金属表面至至少90℃，以使硅烷偶合剂键合至金属表面。之后，再以合适的溶剂洗去未键合的硅烷偶合剂并烘干金属表面。需注意的是，若以湿式清洗方式进行清洗及烘干，有可能会损害金属表面的微小电路布线，且上述硅烷偶合剂与金属表面的键合会随时间老化，使得聚对二甲苯膜对金属表面的附着度亦随时间逐渐降低。
业界另有研发出干式清洗的方法，例如以等离子体将金属表面活化，以利于直接镀制聚对二甲苯膜至金属表面。然而，直接活化金属表面仅能些微提升聚对二甲苯膜对金属表面的附着度，效果仍然有限。
发明内容
本揭露系提供一种层叠结构，包括：基板，其具有表面；聚对二甲苯膜，设于此基板的此表面上；以及中介层设于此表面及此聚对二甲苯膜之间，其中此中介层对此基板及此聚对二甲苯膜皆共价接合，此中介层中的Si-C键与Si-X键的比例为0.3～0.8，其中X为O或N。
本揭露亦提供一种层叠结构之制造方法，包含：提供一基板，其具有表面；通入硅烷偶合剂于沉积腔体中，以等离子体增强化学气相沉积形成中介层于此基板的表面上，其中在进行此等离子体增强化学气相沉积时，此沉积腔体中的气体实质上仅有此硅烷偶合剂；热裂解对二甲苯的寡聚物，以形成带自由基的对二甲苯单体；以及通入此对二甲苯单体至此沉积腔体中，以聚合形成聚对二甲苯膜，此聚对二甲苯膜与此中介层共价接合。
本揭露更提供一种发光装置，一种发光装置，包括：基板，具有表面；发光组件于此基板的此表面上；聚对二甲苯膜于此基板的此表面上，并包覆此发光组件；中介层，位于此发光组件与此聚对二甲苯膜之间，其中此中介层对此基板及此聚对二甲苯膜皆具有共价连接，此中介层中的Si-C键与Si-X键的比例为约0.3至0.8，其中X为O或N；以及第一阻障层，覆于此聚对二甲苯膜上。
附图说明
图1A～1C显示为依照本揭露一实施例之含聚对二甲苯膜之层叠结构之制造方法于各中间制造阶段之剖面图。
图2A～2E显示为依照本揭露一实施例之发光装置之制造方法于各中间制造阶段之剖面图。
图3显示为沾附杂质颗粒之发光装置之剖面图。
图4A及4B各自显示为本揭露多个实施例之中介层之傅立叶红外线(FTIR)光谱图。
图5A及5B显示各自显示为形成含聚对二甲苯膜之发光装置及未包含聚对二甲苯膜之发光装置置于空气下操作时的照片之照片。
具体实施方式
下述揭露内容提供多种实施例，以实现本揭露的多种不同特征。在本说明书中，为了简化说明，将采用特定的实施例、单元、及组合方式说明。然而这些特例仅用以说明而非限制本揭露。此外，为求图标简洁清楚，各组件可能以任意比例绘示。
图1A～1C显示为依照本揭露一实施例之含聚对二甲苯膜之层叠结构100之制造方法于各中间制造阶段之剖面图。参见图1A，首先提供一基板102，其具有一表面103。基板102可为金属基板、半导体基板、玻璃基板或塑料基板。或者，基板102可为任意基板，但表面103为金属表面、金属氧化物表面、半导体表面、玻璃表面或塑料表面。在某些实施例中，金属表面可包含铜、钛、铝、前述之合金或不锈钢。金属氧化物表面可包含氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌铝(AZO)或前述之组合。半导体表面可包含硅或其他任意的半导体材料。玻璃表面可包含强化玻璃、玻纤或前述之组合。塑料表面可包含聚亚酰胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚2,6-萘二甲酸乙二酯基(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)或前述之组合。
接着，参见图1B，沉积中介层104于基板102之表面103上。在一实施例中，中介层104由等离子体增强化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD)形成，并可以硅烷偶合剂作为沉积源。所述的硅烷偶合剂可包含例如六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane，HMDSO)或六甲基二硅氮烷(hexamethyldisilazane，HMDS)。中介层104之厚度可为约30至约300nm。在本实施例中，中介层104系会与基板102以共价方式接合。此外，中介层104中的Si-C键与Si-X键的比例为约0.3～0.8，其中X为O或N。
在本实施例中，上述Si-C键与Si-X键的比例可由等离子体增强化学气相沉积所使用的气体气氛及流量控制。例如，进行等离子体增强化学气相沉积时，沉积腔体中的气体实质上仅有上述的硅烷偶合剂。硅烷偶合剂的流量可为约10sccm至200sccm。此外，等离子体增强化学气相沉积的等离子体功率可为约50W至1000W、沉积腔体的压力可为约1mTorr至1000mTorr，沉积时间为约1mins～60mins。进行等离子体增强化学气相沉积时，基板表面103可维持在室温，如此的低温可使得中介层104与基板表面103不易有老化的问题，且可减少基板表面103之微小电路(如有)所受的损伤。
在一可选择之实施例中，于沉积中介层104之前，可先对基板表面103进行等离子体处理。例如，此等离子体处理可包含通入氩气至几近真空的腔体中，在约50W至1000W的功率及在约20℃至100℃的温度下对基板表面103进行轰击约1min至3mins，以活化基板表面103。需注意的是，此等离子体处理不宜太久，以避免对基板表面103造成伤害。此等离子体处理可于基板表面103形成悬键，其有助于基板102和中介层104形成共价键。例如，当基板表面103为塑料表面时，等离子体处理可帮助塑料表面形成碳悬键。
接着，参见图1C，形成聚对二甲苯膜106于中介层104上。在一实施例中，聚对二甲苯膜106可以化学气相沉积(CVD)沉积于中介层104上。在本实施例中，化学气相沉积制程可包括将对二甲苯的寡聚物(例如二聚体)固体粉末置于一蒸发室中，并加温至约150℃以上，以将对二甲苯寡聚物蒸发为气体。接着，将对二甲苯寡聚物的气体通入一热裂解室进行热裂解。例如，在高于约600℃之温度下热裂解。对二甲苯寡聚物将裂解成对二甲苯单体，且裂解后的对二甲苯单体上系具有自由基以供聚合。接着，将裂解后的对二甲苯单体通入置有前述基板102(其上覆有中介层104)的沉积腔体中，沉积形成聚对二甲苯膜106于中介层104上。进行沉积时，沉积腔体之温度可为室温，基板102表面温度可为室温至-40℃)，且压力为约10mTorr至50mTorr。在某些实施例中，聚对二甲苯膜106可包含Parylene-C、Parylene-D、Parylene-N、Parylene-F或前述之组合。聚对二甲苯膜106之厚度可为约0.2μm至10μm。
值得注意的是，聚对二甲苯膜106及中介层104系具有如下之结构式，以彼此共价连接：
其中n为大于1或等于1之整数，Y为Cl或H，R为-(CH2)m-，m为0～500之整数。
由于聚对二甲苯膜106共价接合于中介层104上，且中介层104亦是以形成共价接合于基板表面103上，聚对二甲苯膜106对于基板102之附着度可大幅提升。此外，当中介层104中的Si-C键与Si-X键的比例为约0.3～0.8时，可避免中介层104中的硅烷基团形成类晶格结构，因而可具有更多的硅烷基团可供与聚对二甲苯膜106形成如上述式(1)的结构，进而提升聚对二甲苯膜106对于基板102的附着度至理想状态。例如，无论基板102之表面103是金属表面、金属氧化物表面、半导体表面、玻璃表面还是塑料表面，聚对二甲苯膜104对于基材102的附着度均可于百格测试中达到5B的标准。
图2A～2E显示为依照本揭露一实施例之发光装置200之制造方法于各中间制造阶段之剖面图。参见图2A，首先提供基板102。如前述，基板102可为金属基板、半导体基板、玻璃基板或塑料基板。或者，基板102可为任意基板，但表面103为金属表面、金属氧化物表面、半导体表面、玻璃表面或塑料表面。在此实施例中，基板102为玻璃基板。
接着，参见图2B，形成一或多个发光组件210于基板102上。在某些实施例中，发光组件204可包含有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、发光二极管(light emitting diode，LED)、雷射二极管(laser diode，LD)或其他合适的发光组件。需注意的是，虽然图2B中仅显示两个发光组件210，但亦可依设计需求将其变更为单个发光组件210或更多个发光组件210，且这些发光组件210可为数组排列。
接着，参见图2C，形成中介层104覆盖于发光组件210及基板102上，并至少具有一部分与基板表面103直接接触。此中介层104可和基板102形成共价键。在此实施例中，中介层104可和基板102之表面103以硅氧硅的键作接合。
此外，在一可选择之实施例中，可在形成中介层104之前，先形成阻障层212于发光组件210上。此阻障层212可包覆整个发光组件210，例如包覆发光组件210之上表面及侧壁，以防止水气或氧气入侵损害发光组件210。
在某些实施例中，阻障层212可由一或多个有机子层及/或一或多个无机子层交替堆栈形成，其中每一子层之厚度为约30nm至约200nm。例如，无机子层可包含氧化硅、二氧化钛、氧化钛、氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、前述之组合或其他透明绝缘材料。有机子层可包含聚氨酯、聚酰胺、聚亚酰胺、聚烯烃、苯并环丁二烯(benzocyclobutadiene)、聚降冰片烯(polynorbornene)、环氧树脂、聚醚、聚苯胺或前述之组合。或者，阻障层212可为由硅烷偶合剂作为沉积源所形成之有机硅氧层，但阻障层212中Si-C键与Si-O键的比例为小于约0.25。阻障层212中Si-C键与Si-O键的比例可由等离子体增强化学气相沉积所使用的气体气氛控制。例如，在进行此等离子体增强化学气相沉积时，可同时通入硅烷偶合剂及氩气，或者同时通入硅烷偶合剂及N2O，以形成阻障层212。在某些实施例中，阻障层212之厚度为300nm至约1000nm，且水气穿透率为小于约10-3g/m2·天。
接着，参见图2D，形成聚对二甲苯膜106于中介层104。聚对二甲苯膜106可包含Parylene-C、Parylene-D、Parylene-N、Parylene-F或前述之组合，并可依前述实施例所述的制程形成。在此实施例中，聚对二甲苯膜106之厚度可为约0.2μm至约10μm。
接着，参见图2E，形成一阻障层214于聚对二甲苯膜106上。阻障层214可包含一或多个有机子层及/或一或多个无机子层交替堆栈形成，其中每一子层之厚度为约30nm至约200nm。例如，无机子层可包含氧化硅、二氧化钛、氧化钛、氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、前述之组合或其他透明绝缘材料。有机子层可包含聚氨酯、聚酰胺、聚亚酰胺、聚烯烃、苯并环丁二烯(benzocyclobutadiene)、聚降冰片烯(polynorbornene)、环氧树脂、聚醚、聚苯胺或前述之组合。或者，阻障层212可为由硅烷偶合剂作为沉积源所形成之有机硅氧层，但阻障层214中Si-C键与Si-O键的比例为小于约0.25。阻障层214中Si-C键与Si-O键的比例可由等离子体增强化学气相沉积所使用的气体气氛控制。例如，在进行此等离子体增强化学气相沉积时，可同时通入硅烷偶合剂及氩气，或者同时通入硅烷偶合剂及N2O，以形成阻障层214。在一实施例中，硅烷偶合剂流量为40～80sccm。在某些实施例中，阻障层214之厚度为300nm至约1000nm，且水气穿透率为小于约10-3g/m2·天。
需注意的是，为避免发光组件210受水气或其他杂质之影响，在图2B至图2E所示之步骤中(包含步骤进行期间及在步骤之间的传送期间)，应皆保持在真空环境下。
聚对二甲苯膜106为可在真空环境中直接蒸镀形成，因而可适用于发光组件210的封装制程，发光组件210的封装制程能自始至尾在真空环境下进行，以避免发光组件210在未封装前即受到空气中的水气或氧气损害。此外，聚对二甲苯膜106是在蒸镀制程中自小分子聚合形成，可具有极佳的包覆性(例如良好的阶梯覆盖率)，并可在短时间内形成厚膜。当在封装制程中，有杂质颗粒沾附至发光组件210上时，聚对二甲苯膜106即可完整包覆发光组件上之杂质颗粒，大幅降低空气中的水气及氧气渗至发光组件210之机率。需注意的是，杂质颗粒之尺寸为约数μm。阻障层212及214虽然亦可包覆杂质颗粒310，但其阶梯覆盖率不佳且厚度不足，以致在仅有阻障层212及/或214时，经常会产生空隙或气泡。在此情况下，聚对二甲苯膜106可帮助包覆杂质颗粒，弥补仅有阻障层212及/或214时的不足，增加了发光装置200的可靠度。
例如，参见图3，其显示沾附杂质颗粒之发光装置300之示意图。如图所示，聚对二甲苯膜106具有良好的包覆能力及足够厚的厚度。因此，聚对二甲苯膜106可完整包覆这些杂质颗粒310，有效阻隔空气中的水气及氧气渗入发光组件210。此外，由于中介层104之形成，增加聚对二甲苯膜106对基板102的附着度，更使聚对二甲苯膜106不易自基板102脱落。因此，即便具有杂质颗粒310沾附，发光装置300仍能具有良好的效能。
【实施例1】
将SUS 304不锈钢基板放置于沉积腔体中，并使此腔体维持在真空状态。接着，通入流量为100sccm的Ar，使腔体压力维持在60mtorr，并以100W的13.56MHz射频等离子体对不锈钢基板表面作处理约1min。接着，通入流量为100sccm HMDSO至沉积腔体中，于压力在40mtorr时，以100W的13.56MHz射频等离子体进行镀膜10min，形成中介层。中介层膜厚约120nm，其中Si-C键与Si-O键的比例为约0.3。
将10g的对二甲苯二聚体的固态粉末置于蒸发室中加热至150℃，以使对二甲苯升华成气态。接着，将气态的对二甲苯通入温度约650℃的热裂解室做热裂解，并将经热裂解的对二甲苯单体至温度为室温的沉积腔体中，沉积聚对二甲苯膜。聚对二甲苯膜之膜厚约1μm。
【实施例2】
进行如实施例1之相同步骤，但HMDSO的流量为150sccm。在此实施例中，中介层中之Si-C键与Si-O键的比例为约0.5。
【实施例3】
进行如实施例1之相同步骤，但HMDSO的流量为200sccm。在此实施例中，中介层中之Si-C键与Si-O键的比例为约0.8。
【实施例4】
进行如实施例1之相同步骤，但同时通入流量为100sccm的HMDSO及流量为30sccm的氩气至沉积腔体中。在此实施例中，中介层中之Si-C键与Si-O键的比例为约0.25。
【实施例5】
进行如实施例1之相同步骤，但同时通入流量为100sccm的HMDSO及流量为160sccm的N2O至沉积腔体中，以形成中介层。此中介层中，中介层中之Si-C键与Si-O键的比例为约0.07。
【实施例6】
进行如实施例1之相同步骤，但未形成中介层。
图4A及4B各自显示为实施例1、5之中介层之傅立叶红外线(FTIR)光谱图。由图4A可推知，实施例1之中介层中之Si-C键与Si-O键的比例为约0.3，且由图4B可推知的是，实施例5之中介层中之Si-C键与Si-O键的比例为约0.07。
将实施例1至6的聚对二甲苯膜做百格测试(依照ASTM D5539标准，以百格刀划出100方格，再以百格胶带贴紧确认无气泡后，快速撕起以确认黏着度)。所得到的结果是，实施例1-3的聚对二甲苯膜对于不锈钢基板可具有高达5B(无破损)的黏着度，实施例4、5的聚对二甲苯膜对于不锈钢基板的黏着度2～4B(5～35％范围有破损)，而实施例6的聚对二甲苯膜对于不锈钢基板的黏着度0B(超过65％的范围有破损)。此结果说明了有中介层存在，且中介层中之Si-C键与Si-O键的比例约0.3～0.8时，中介层对于基板具有较佳的附着度。
【实施例7】
将玻璃基板放置于沉积腔体中，并使此腔体维持在真空状态。接着，通入流量为100sccm的Ar，使腔体压力维持在60mtorr，并以100W的13.56MHz射频等离子体对玻璃基板表面作处理约1min。接着，通入流量为100sccm的HMDSO至沉积腔体中，于压力在40mtorr时，以100W的13.56MHz射频等离子体进行镀膜10min，形成中介层，其膜厚约120nm。
将10g的对二甲苯二聚体的固态粉末置于蒸发室中加热至150℃，以使对二甲苯升华成气态。接着，将气态的对二甲苯通入温度约650℃的热裂解室做热裂解，并将经热裂解的对二甲苯单体至温度为室温的沉积腔体中，沉积聚对二甲苯膜。聚对二甲苯膜之膜厚约3μm。
【实施例8】
进行如实施例7之相同步骤，但未形成中介层。
【实施例9】
进行如实施例7之相同步骤，但以聚亚酰胺基板取代玻璃基板。
【实施例10】
进行如实施例8之相同步骤，但以聚亚酰胺基板取代玻璃基板。
对实施例7至10的聚对二甲苯膜做百格测试(依照ASTM D5539标准)。所得到的结果是，实施例7和9的聚对二甲苯膜各自对于玻璃基板和聚亚酰胺基板可具有高达5B(几无破损)的黏着度，而实施例8和10的聚对二甲苯膜对于玻璃基板和聚亚酰胺基板的黏着度为0B(超过65％的范围有破损)。
【实施例11】
将设有OLED发光组件之玻璃基板放置于沉积腔体中，并使此腔体维持在真空状态。接着，通入30sccm的Ar及40sccm的HMDSO，于压力在40mTorr时，以400W的13.56MHz射频等离子体进行镀膜，形成第一层阻障子层，其厚度为约50nm，其中此阻障子层中之Si-C键与Si-O键的比例为约0.2。接着，再通入160sccm的N2O及30sccm的HMDSO，于压力在20mTorr时，以2000W的13.56MHz射频等离子体进行镀膜，形成第二层阻障子层于第一层阻障子层上，其厚度为约100nm，其中此阻障子层中之Si-C键与Si-O键的比例为约0.07。
接着，通入流量为100sccm的HMDSO至沉积腔体中，于压力在40mtorr时，以100W的13.56MHz射频等离子体进行镀膜10min，形成约120nm的中介层于第二层阻障子层上，其中此中介层中之Si-C键与Si-O键的的比例约0.3。
将10g的对二甲苯二聚体的固态粉末置于蒸发室中加热至150℃，以使对二甲苯升华成气态。接着，将气态的对二甲苯通入温度约650℃的热裂解室做热裂解，并将经热裂解的对二甲苯单体至温度为室温的沉积腔体中，形成聚对二甲苯膜披覆于中介层上。所形成之聚对二甲苯膜之膜厚约3μm。
接着，同时通入流量为30sccm的Ar及40sccm的HMDSO，于压力在40mTorr时，以400W的13.56MHz射频等离子体进行镀膜，形成第三层阻障子层于聚对二甲苯膜上，其厚度为约50nm，其中此阻障子层中之Si-C键与Si-O键的比例约0.2。接着，再同时通入160sccm的N2O及30sccm的HMDSO，于压力在20mTorr时，以2000W的13.56MHz射频等离子体进行镀膜，形成第四层阻障子层于第三层阻障子层上，其厚度为约100nm，其中此阻障子层中之硅烷基与硅氧烷基的比例约0.07。
【实施例12】
进行如实施例11之相同步骤，但未形成中介层及聚对二甲苯膜。
图5A及5B各自显示了实施例11及12之OLED发光装置于空气下操作时的照片。由图中可得知的，是实施例11之OLED发光装置由于具有聚对二甲苯膜保护，在空气下仍可均匀发光，并具有预期的亮度。相较之下，实施例12之OLED发光装置由于没有聚对二甲苯膜保护，亮度已明显降低且有暗点产生。
虽然本揭露已以数个较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本揭露，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本揭露之精神和范围内，当可作任意之更动与润饰，因此本揭露之保护范围当视后附之申请专利范围所界定者为准。
【符号说明】
100 层叠结构
102 基板
104 中介层
106 聚对二甲苯膜
200 发光装置
210 发光组件
212 阻障层
214 阻障层
300 发光装置
310 杂质颗粒

Claims (19)

1.一种层叠结构，包括：
基板，其具有一表面；
聚对二甲苯膜，设于该基板的该表面上；以及
中介层设于该表面及该聚对二甲苯膜之间，其中该中介层对该基板及该聚对二甲苯膜皆共价接合，该中介层中的Si-C键与Si-X键的比例为0.3至0.8，其中X为O或N，且该聚对二甲苯膜及该中介层系以如下之结构式作共价接合：
其中n为大于1或等于1之整数，Y为Cl或H，R为-(CH2)m-，m为0～500之整数。
2.权利要求1所述的层叠结构，其中该聚对二甲苯膜包含Parylene-C、Parylene-D、Parylene-N、Parylene-F或前述的组合。
3.权利要求1所述的层叠结构，其中该表面包含金属表面、金属氧化物表面、半导体表面、玻璃表面或塑料表面。
4.权利要求3所述的层叠结构，其中该金属表面包含铜、钛、铝、前述的合金，或不锈钢。
5.权利要求3所述的层叠结构，其中该金属氧化物表面包含氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌铝(AZO)或前述组合。
6.权利要求3所述的层叠结构，其中该塑料表面包含聚亚酰胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚2,6-萘二甲酸乙二酯基(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)或前述的组合。
7.权利要求1所述的层叠结构，其中该聚对二甲苯膜的厚度为0.2μm至10μm。
8.权利要求1所述的层叠结构，其中该中介层的厚度为30nm至300nm。
9.一种层叠结构的制造方法，包含:
提供基板，其具有表面；
通入硅烷偶合剂于沉积腔体中，以等离子体增强化学气相沉积形成中介层于该基板的表面上，其中在进行该等离子体增强化学气相沉积时，该沉积腔体中的气体实质上仅有该硅烷偶合剂；
热裂解对二甲苯的寡聚物，以形成带自由基的对二甲苯单体；以及
通入该对二甲苯单体至该沉积腔体中，以聚合形成聚对二甲苯膜，该聚对二甲苯膜与该中介层共价接合；
其中该聚对二甲苯膜及该中介层系以如下之结构式作共价接合：
其中n为大于1或等于1之整数，Y为Cl或H，R为-(CH2)m-，m为0～500之整数。
10.权利要求9项所述的层叠结构的制造方法，其中该硅烷偶合剂的流量为10至200sccm。
11.权利要求9项所述的层叠结构之制造方法，其中该硅烷偶合剂包含六甲基二硅氧烷或六甲基二硅氮烷。
12.权利要求9项所述的层叠结构的制造方法，其中该对二甲苯的寡聚物包含对二甲苯之二聚体。
13.一种发光装置，包括：
基板，具有表面；
发光组件于该基板之该表面上；
聚对二甲苯膜于该基板的该表面上，并包覆该发光组件；
中介层，位于该发光组件与该聚对二甲苯膜之间，其中该中介层对该基板及该聚对二甲苯膜都具有共价连接，该中介层中的Si-C键与Si-X键的比例为0.3至0.8，其中X为O或N；以及
第一阻障层，覆于该聚对二甲苯膜上；
其中该聚对二甲苯膜及该中介层系以如下之结构式作共价接合：
其中n为大于1或等于1之整数，Y为Cl或H，R为-(CH2)m-，m为0～500之整数。
14.权利要求13项所述的发光装置，其中该表面包含金属表面、金属氧化物表面、半导体表面、玻璃表面或塑料表面。
15.权利要求13项所述的发光装置，其中该聚对二甲苯膜的厚度为0.2μm至10μm。
16.权利要求13项所述的发光装置，其中该第一阻障层包含一或多个有机子层及/或一或多个无机子层。
17.权利要求13项所述的发光装置，其中该第一阻障层包含有机硅氧层，且该有机硅氧层中的Si-C键与Si-O键的比例小于0.25。
18.权利要求13项所述的发光装置，更包含第二阻障层于该发光组件及该中介层之间，其中该第二阻障层覆盖该发光组件的上表面及侧壁。
19.权利要求18项所述的发光装置，其中该第二阻障层包含有机硅氧层，且该有机硅氧层中的Si-C键与Si-O键的比例小于0.25。
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